JP2010263031A - 配線回路基板およびそれを備えた磁気ヘッド駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベース絶縁層25上に複数の配線パターンD1が形成され、ベース絶縁層25の裏面に金属層24が形成される。隣り合う各2本の配線パターンD1が伝送線路対を構成する。配線パターンD1の幅wが250μm以下に設定され、隣り合う配線パターンD1の間隔dが8μm以上に設定される。ベース絶縁層25の厚みtが選択されることにより伝送線路対の差動インピーダンスが10Ω以上50Ω以下にされる。
【選択図】図3
Description
(1−1)磁気ヘッド駆動装置の概要
図1は、本実施の形態に係る磁気ヘッド駆動装置の概略構成を示す模式的平面図である。図1に示すように、磁気ヘッド駆動装置100は、複数の回路付きサスペンション基板(以下、サスペンション基板と呼ぶ)1、およびフレキシブル配線回路基板(以下、配線回路基板と呼ぶ)2を備える。複数のサスペンション基板1および配線回路基板2は、図示しないアクチュエータのアームにそれぞれ取り付けられる。
(1−2−1)配線回路基板の構成
配線回路基板2の構成について説明する。図2は配線回路基板2のアーム固定領域R1の模式的平面図である。また、図3および図4はそれぞれ図2の配線回路基板2のA−A線断面図およびB−B線断面図である。
配線パターンD1の幅wは250μm以下である。隣り合う配線パターンD1の間隔dは8μm以上であり、10μm以上15μm以下であることが好ましい。また、ベース絶縁層25の厚みtは4μm以上30μm以下であることが好ましく、5μm以上25μm以下であることがより好ましい。さらに、カバー絶縁層26の厚みは7μm以上50μm以下であることが好ましく、10μm以上30μm以下であることがより好ましい。
(a)配線パターンの幅
配線パターンD1の幅wが250μmを超えると、配線パターンD1の放熱効果が高くなる。そのため、プリアンプ22の端子部30を配線回路基板2上の接続部21bに半田バンプ等により接続することが困難になる。したがって、配線パターンD1の幅wは250μm以下に設定される。
隣り合う配線パターンD1の間隔dが8μm未満であると、隣り合う配線パターンD1間でイオンマイグレーションによる絶縁抵抗の低下が発生する。したがって、隣り合う配線パターンD1の間隔dは8μm以上に設定される。
ベース絶縁層25の厚みtが4μm未満であると、十分な耐久性を得ることが難しい。一方、ベース絶縁層25の厚みtが30μmを超えると、十分な柔軟性を得ることが難しい。したがって、ベース絶縁層25の厚みtは4μm以上30μm以下に設定されることが好ましい。
カバー絶縁層26の厚みが7μm未満であると、配線パターンD1を腐食から保護するための機能が低下する。一方、カバー絶縁層26の厚みが50μmを超えると、伝送線路対の差動インピーダンスが大きくなる。したがって、カバー絶縁層26の厚みは7μm以上50μm以下に設定されることが好ましい。
本実施の形態に係る配線回路基板2においては、各配線パターンD1の幅wが250μm以下に設定されるとともに、隣り合う配線パターンD1の間隔dが8μm以上に設定される。また、ベース絶縁層25の厚みtを4μm以上30μm以下の範囲で選択することにより、隣り合う配線パターンD1により構成される伝送線路対の差動インピーダンスが10Ω以上50Ω以下に設定される。
次に、本発明の変形例について説明する。図5は変形例の配線回路基板の模式的断面図である。図5は図2のA−A線断面と同じ断面を示している。図5に示すように、ベース絶縁層25に設けられた金属層24の裏面に、接着剤28を介して金属補強板27が設けられる。なお、ベース絶縁層25と金属層24との間に接着剤を設けてもよい。
配線回路基板2のベース絶縁層25およびカバー絶縁層26の材料として、ポリイミドに代えてエポキシ等の他の絶縁材料を用いてもよく、配線パターンD1,D2および金属層24の材料として、銅に代えて金(Au)、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(5−1)実施例および比較例の配線回路基板
以下の実施例1〜8および比較例1〜4では、上記実施の形態に基づいて図6に示す配線回路基板を作製した。図6(a)は実施例1〜8および比較例1〜4の配線回路基板の模式的平面図であり、図6(b)は実施例1〜8および比較例1〜4の配線回路基板の模式的断面図である。なお、図6(b)においては、配線パターンD1および配線パターンD2に沿う縦断面を示している。
実施例1〜6および比較例1〜3では、配線パターンD1の幅w、隣り合う配線パターンD1の間隔dおよびベース絶縁層25の厚みtを調整することにより、異なる差動インピーダンスを有する配線回路基板を作製した。
実施例7および比較例4では、隣り合う配線パターンD1の幅wがそれぞれ異なる配線回路基板を作製した。実施例7においては、隣り合う配線パターンD1の幅wは8μmである。一方、比較例4においては、隣り合う配線パターンD1の幅wは5μmである。
実施例8および比較例5では、金属層24を有する図6の配線回路基板および金属層24を有しない図7の配線回路基板を作製した。実施例8および比較例5においては、配線パターンD1の幅wが90μmであり、隣り合う配線パターンD1の間隔dが10μmであり、ベース絶縁層25の厚みtは12.5μmであり、配線パターンD1の厚みが15μmである。また、図6の配線回路基板については、金属層24の面のうち、ベース絶縁層25が接する面とは反対側の面に、厚み25μmの接着剤28を介して厚み500μmの金属補強板27が設けられる。さらに、図7の配線回路基板については、ベース絶縁層25の他面の一部に厚み25μmの接着剤28を介して厚み500μmの金属補強板27が設けられる。
2 配線回路基板
3 磁気ヘッド
21a,21b 接続パッド
22 プリアンプ
24 金属層
25 ベース絶縁層
26 カバー絶縁層
27 金属補強板
D1 配線パターン
R1a プリアンプ実装領域
Claims (6)
- 回路素子が実装されるとともに外部回路に接続される配線回路基板であって、
一面上に回路素子実装のための実装領域を有する第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の前記一面上の前記実装領域を除く領域に形成され、前記外部回路に接続可能な複数の第1の接続端子と、
前記第1の絶縁層の前記一面上の前記実装領域内に形成され、前記回路素子の複数の端子部にそれぞれ接続可能な複数の第2の接続端子と、
前記第1の絶縁層の前記一面上の前記複数の第1の接続端子と前記複数の第2の接続端子との間に延びるように形成される複数の導体線路と、
前記第1の絶縁層の前記一面上の前記複数の導体線路を含む領域と反対側の前記第1の絶縁層の他面上の領域に形成される導電層とを備え、
隣り合う導体線路が伝送線路対を構成し、各導体線路の幅が250μm以下に設定されるとともに、隣り合う導体線路の間隔が8μm以上に設定され、伝送線路対の差動インピーダンスが10Ω以上50Ω以下であることを特徴とする配線回路基板。 - 前記第1の絶縁層の厚みが4μm以上30μm以下であることを特徴とする請求項1記載の配線回路基板。
- 前記導電層の一面に設けられる金属板をさらに備えることを特徴とする請求項1または請求項2記載の配線回路基板。
- 前記複数の導体線路を覆うように前記第1の絶縁層の前記一面に形成された第2の絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の配線回路基板。
- 前記第1の絶縁層はポリイミドにより形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の配線回路基板。
- 配線回路基板と、
複数の端子部を有する増幅器と、
回路付きサスペンション基板と、
前記回路付きサスペンション基板に設けられる磁気ヘッドとを備え、
前記配線回路基板は、
一面上に実装領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記一面上の前記実装領域を除く領域に形成され、前記回路付きサスペンション基板に接続可能な複数の第1の接続端子と、
前記絶縁層の前記一面上の前記実装領域内に形成される複数の第2の接続端子と、
前記絶縁層の前記一面上の前記複数の第1の接続端子と前記複数の第2の接続端子との間に延びるように形成される複数の導体線路と、
前記絶縁層の前記一面上の前記複数の導体線路を含む領域と反対側の前記絶縁層の他面上の領域に形成される導電層とを備え、
隣り合う導体線路が伝送線路対を構成し、各導体線路の幅が250μm以下に設定されるとともに、隣り合う導体線路の間隔が8μm以上に設定され、伝送線路対の差動インピーダンスが10Ω以上50Ω以下であり、
前記増幅器は、前記絶縁層の前記実装領域に実装され、
前記増幅器の前記複数の端子部は前記複数の第2の接続端子に接続され、
前記磁気ヘッドは、前記回路付きサスペンション基板を介して前記複数の第1の接続端子に電気的に接続されることを特徴とする磁気ヘッド駆動装置。
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