JP2010251729A5 - - Google Patents

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  1. 基板上に、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、
    前記第１のトランジスタは、前記基板上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の炭化シリコン層と、前記炭化シリコン層上の第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層上に設けられ且つ前記炭化シリコン層と重なる第１の導電層と、を有し、
    前記第２のトランジスタは、前記基板上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層上の第２のゲート絶縁層と、前記第２のゲート絶縁層上に設けられ且つ前記単結晶シリコン層と重なる第２の導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 基板上にダイオードとトランジスタとを有し、
    前記ダイオードは、前記基板上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の第１の電極層と、前記第１の電極上の炭化シリコン層と、前記炭化シリコン層上の第２の電極層と、を有し、
    前記トランジスタは、前記基板上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられ且つ前記単結晶シリコン層と重なる導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 基板上にダイオードとトランジスタとを有し、
    前記ダイオードは、前記基板上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の炭化シリコン層と、前記炭化シリコン層上の第１の電極層と、前記炭化シリコン層上の第２の電極層と、を有し、
    前記炭化シリコン層は、ｐ型を示す不純物領域とｎ型を示す不純物領域とを有し、
    前記第１の電極層は前記ｐ型を示す不純物領域と電気的に接続され、前記第２の電極層は前記ｎ型を示す不純物領域と電気的に接続され、
    前記トランジスタは、前記基板上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられ且つ前記単結晶シリコン層と重なる導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
  5. 炭化シリコン基板に第１のイオンを照射して、前記炭化シリコン基板中に第１の脆化領域を形成する工程と、
    単結晶シリコン基板に第２のイオンを照射して、前記単結晶シリコン基板中に第２の脆化領域を形成する工程と、
    第１の絶縁層を介して前記炭化シリコン基板と、第２の絶縁層を介して前記単結晶シリコン基板とに、前記ベース基板を貼り合わせる工程と、
    前記第１の脆化領域において前記炭化シリコン基板を分離して、前記ベース基板上に前記第１の絶縁層を介して炭化シリコン層を形成する工程と、
    前記第２の脆化領域において前記単結晶シリコン基板を分離して、前記ベース基板上に前記第２の絶縁層を介して単結晶シリコン層を形成する工程と、
    前記炭化シリコン層を用いて、トランジスタ又はダイオードを形成する工程と、
    前記単結晶シリコン層を用いて、トランジスタを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項５において、
    前記ベース基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8674374B2 (en) * 2010-04-14 2014-03-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
CN106783869B (zh) * 2016-09-07 2019-11-22 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6709907B1 (en) * 1992-02-25 2004-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor
US6573195B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device by performing a heat-treatment in a hydrogen atmosphere
JP2001267573A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Toshiba Corp ＳｉＣを含む半導体素子
US6855584B2 (en) * 2001-03-29 2005-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP3826828B2 (ja) 2001-11-27 2006-09-27 日産自動車株式会社 炭化珪素半導体を用いた電界効果トランジスタ
US7232714B2 (en) * 2001-11-30 2007-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2003282845A (ja) 2002-03-20 2003-10-03 Mitsubishi Electric Corp 炭化ケイ素基板の製造方法およびその製造方法により製造された炭化ケイ素基板、ならびに、ショットキーバリアダイオードおよび炭化ケイ素薄膜の製造方法
EP1516369A1 (en) * 2002-06-26 2005-03-23 Cambridge Semiconductor Limited Lateral semiconductor device
US7081704B2 (en) * 2002-08-09 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6818529B2 (en) * 2002-09-12 2004-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for forming a silicon film across the surface of a glass substrate
AU2003288999A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit and method of fabricating display unit
US7329923B2 (en) * 2003-06-17 2008-02-12 International Business Machines Corporation High-performance CMOS devices on hybrid crystal oriented substrates
US7384829B2 (en) * 2004-07-23 2008-06-10 International Business Machines Corporation Patterned strained semiconductor substrate and device
US7393733B2 (en) * 2004-12-01 2008-07-01 Amberwave Systems Corporation Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures
WO2006114999A1 (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Kyoto University 化合物半導体装置及び化合物半導体製造方法
JP2007027646A (ja) 2005-07-21 2007-02-01 Mitsubishi Pencil Co Ltd 単結晶炭化シリコン基板の製造方法およびその製造装置
JP4563918B2 (ja) 2005-10-31 2010-10-20 エア・ウォーター株式会社 単結晶ＳｉＣ基板の製造方法
US7691730B2 (en) * 2005-11-22 2010-04-06 Corning Incorporated Large area semiconductor on glass insulator
US7446026B2 (en) * 2006-02-08 2008-11-04 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a CMOS device with stressor source/drain regions
WO2007102248A1 (ja) * 2006-03-08 2007-09-13 Sharp Kabushiki Kaisha 半導体装置及びその製造方法
TWI328877B (en) * 2006-07-20 2010-08-11 Au Optronics Corp Array substrate
US7846817B2 (en) * 2007-03-26 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7932164B2 (en) * 2008-03-17 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate by using monitor substrate to obtain optimal energy density for laser irradiation of single crystal semiconductor layers
US7935589B2 (en) * 2008-04-29 2011-05-03 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Enhanced stress for transistors

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