JP4563918B2 - 単結晶SiC基板の製造方法 - Google Patents
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Description
上記単結晶SiC膜をシード層として、毎秒25℃以上の昇温速度で急速加熱を行ってエピタキシャル成長させることを要旨とする。
2 Si母材
3 表面Si層
4 埋め込み絶縁層(酸化物層)
5 シード層(単結晶SiC薄膜)
6 単結晶SiC層
8 GaN層
10 熱処理装置
11 チャンバー
12 加熱ランプ
13 オートシャッター
14 石英トレイ
15 3点支持部
16 バッファ
17 パイロメータ
18 ウェーハ
19 ガス導入口
20 ガス排気口
Claims (4)
- 表面に厚み1nm〜15nmの薄膜である単結晶SiC膜が形成された基板について、上記単結晶SiC膜をシード層としてエピタキシャル成長させることにより単結晶SiC層を形成する方法であって、
上記単結晶SiC膜をシード層として、毎秒25℃以上の昇温速度で急速加熱を行ってエピタキシャル成長させることを特徴とする単結晶SiC基板の製造方法。 - エピタキシャル成長温度に達するまでの温度域における、少なくとも1100℃以上エピタキシャル成長温度までの温度域において、上記急速加熱を行う請求項1記載の単結晶SiC基板の製造方法。
- 上記急速加熱はRTP加熱である請求項1または2記載の単結晶SiC基板の製造方法。
- 所定厚さの表面Si層と埋め込み絶縁層とを有するSOI基板を準備し、上記SOI基板を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Si層を単結晶SiC膜に変成させて表面に単結晶SiC膜が形成された基板を形成する請求項1〜3のいずれか一項に記載の単結晶SiC基板の製造方法。
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