JP2010218604A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】たとえば、負の閾値セルの読み出し時、セルウェルドライバおよびセルソースドライバにより、セルソース線SRCおよびセルウェル線CPWELLにはバイアス分の電圧ΔVが加えられる。これに対し、NANDセル列内の選択ワード線WL以外の非選択ワード線WLは、CGドライバにより、電圧VREADにセルソース線SRCおよびセルウェル線CPWELLのバイアス分の電圧ΔVを加えた読み出し電圧VREAD+ΔVが印加されるまでの間(t2−t3の期間)だけ、フローティング状態になるように制御される。
【選択図】 図8
Description
Claims (5)
- ソース線およびウェル線を正の電圧にバイアスさせることにより、負の閾値セルの読み出しが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
前記負の閾値セルの読み出し時に、少なくとも非選択ワード線をフローティング状態にする第1の駆動回路を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1の駆動回路は、前記少なくとも非選択ワード線を含む、セルストリング内のワード線の全てをフローティング状態にすることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- さらに、第2の駆動回路を具備し、
前記第2の駆動回路は、セルストリング内の、少なくとも選択信号線のいずれかひとつをフローティング状態にすることを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - さらに、第2の駆動回路を具備し、
前記第2の駆動回路は、セルストリング内のすべての選択信号線をフローティング状態にすることを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1の駆動回路は、前記負の閾値セルの読み出し時の電圧に前記バイアスさせた分の正の電圧を加えた昇圧電位を、前記少なくとも非選択ワード線に印加する際に、前記少なくとも非選択ワード線につながるトランスファーゲートトランジスタのゲート電圧を0Vに設定するものであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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