JP2010212440A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不純物濃度を高めたnドリフト領域とpドリフト領域とを交互に繰り返し接合したpn並列構造のドリフト層を形成する場合、まず、n型半導体基板にn型半導体をエピタキシャル成長させたウェハ1に、マスク酸化膜がウェハ1の外周部11および裏面側に残った状態で、トレンチ4を形成する。ついで、トレンチ4を形成した後に、ウェハ1を被覆しているマスク酸化膜を全て除去する。そして、トレンチ4に、マスク酸化膜がウェハ1の外周部11および裏面側に残っていない状態で、p型半導体5をエピタキシャル成長によって成長させる。
【選択図】図4
Description
まず、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図1〜図4は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。まず、図1に示すように、厚さが例えば625μmの低比抵抗のn型半導体基板に、厚さが例えば73μmで不純物濃度が1.9×1016cm-3のn型半導体層をエピタキシャル成長させたウェハ1を用意する。そして、ウェハ1の表面層に厚さが例えば1.5μmのマスク酸化膜2を形成する。ここで、マスク酸化膜2は、熱酸化により形成しても、CVD法により形成してもよい。
つぎに、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図5〜図10は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。実施の形態2においては、ウェハの全面に窒化シリコン(SiN)膜を形成した後に、マスク酸化膜を形成する。
実施の形態3においては、マスク酸化膜をパターニングする際にエッジリンス処理をおこない、かつウェハの外周部および裏面側にマスク酸化膜を残してトレンチエッチングをおこなう方法について説明する。
つぎに、実施の形態4について説明する。図18および図19は、実施の形態4にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。なお、実施の形態4においては、耐圧が600Vの縦型半導体装置に適用した例を示す。まず、図18に示すように、例えば実施の形態3と同様のウェハ21を用意する。そして、ウェハ21の表面に、熱酸化により厚さが例えば0.4μmの酸化膜26を形成する。さらに、酸化膜26の表面にSiN膜27を堆積する。
4 トレンチ
5 p型半導体
11 外周部
Claims (7)
- 第1導電型半導体基板のおもて面側のトレンチ形成領域を除く全面をマスクで被覆するマスク工程と、
前記マスクの開口部分に露出する半導体部分をエッチングして前記半導体基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記トレンチ形成工程の後に、少なくとも前記半導体基板の外周部および裏面側に被覆された前記マスクを除去するマスク除去工程と、
前記半導体基板の外周部および裏面側に前記マスクが被覆されていない状態で、前記トレンチを第2導電型半導体で埋める埋め込み工程と、
前記半導体基板の表面の、前記トレンチからはみ出た部分の前記第2導電型半導体を研削する研削工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記マスク工程においては、前記半導体基板の全面にシリコン酸化膜を形成し、当該シリコン酸化膜の前記トレンチ形成領域に開口部を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスク除去工程においては、前記半導体基板を被覆する前記マスクを全て除去することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスク除去工程においては、前記マスクの、前記半導体基板のおもて面側の内周部を被覆する部分を残して、前記マスクの、前記半導体基板の外周部と裏面側の部分を除去し、
前記研削工程においては、前記半導体基板のおもて面側の内周部に残った前記マスクをストッパとして、前記半導体基板の表面の、前記トレンチからはみ出た部分の前記第2導電型半導体を研削することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マスク工程においては、前記半導体基板のおもて面側の内周部にシリコン窒化膜を形成した後に、前記半導体基板の全面にシリコン酸化膜を形成し、当該シリコン窒化膜および当該シリコン酸化膜の積層膜の前記トレンチ形成領域に開口部を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスク除去工程においては、前記半導体基板のおもて面側の内周部に形成された前記シリコン窒化膜を残して、前記シリコン酸化膜を全て除去し、
前記研削工程においては、前記半導体基板のおもて面側の内周部に残った前記シリコン窒化膜をストッパとして、前記半導体基板の表面の、前記トレンチからはみ出た部分の前記第2導電型半導体を研削することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マスク工程においては、
前記半導体基板の全面にシリコン酸化膜を被覆する工程と、
前記半導体基板のおもて面側の内周部に被覆された前記シリコン酸化膜をエッチングして、当該半導体基板のおもて面側の内周部の半導体部分を露出する工程と、
前記半導体基板の外周部および裏面側に前記シリコン酸化膜が被覆された状態で、さらに当該半導体基板の全面に前記シリコン酸化膜を形成することで、前記半導体基板の外周部および裏面側に被覆された前記シリコン酸化膜を当該半導体基板のおもて面側の内周部に被覆された前記シリコン酸化膜よりも厚くする工程と、
前記半導体基板のおもて面側の内周部のトレンチ形成領域に開口部を形成するとともに、前記半導体基板の外周部に被覆された前記シリコン酸化膜が残るようにエッジリンス処理を行う工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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