JP2010186968A - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置および発光装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】蛍光体の濃度差などによる色度のわずかなズレを抑制するために、色度の微調整を行うことができる発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の主表面２に搭載されたＬＥＤチップ３と、ＬＥＤチップ３を覆うように基板１の主表面２に設けられた、第１の蛍光体を含有する蛍光体含有層５と、蛍光体含有層５よりも光出射方向に向かって外層に設けられた、第２の蛍光体を含有する色度調整用蛍光体層７とを備えてなる発光装置１０であって、色度調整用蛍光体層７は、ドット状に形成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光素子（半導体発光素子）と蛍光体とを組み合わせた発光装置、およびその製造方法に関するものであり、特に、発光装置を所定の色度で発光させるために、色度の微調整を行う技術に関するものである。
従来、発光素子である青色ＬＥＤと蛍光体とを組み合わせることで、青色ＬＥＤから発した光を蛍光体で黄色などの光に変換し、青色ＬＥＤから発した光と蛍光体から発した光とを合成することにより、白色などの所定の色度の光を得る発光装置が知られている。蛍光体は、発光素子から発した励起光を照射すると、その励起光よりも長波長の蛍光を発する。この方式の発光装置においては、青色ＬＥＤの光と蛍光体から発する光とのバランスによって、得られる色度および輝度が変化する。このため、その両者のバランスを制御することが重要である。
例えば、特許文献１に、発光装置から放出される光の輝度および色度の調整を行いながら、発光装置を製造する方法が記載されている。図１８（ａ）〜（ｃ）に、特許文献１に記載の発光装置５００の製造過程を示す。
図１８（ａ）に示すように、樹脂基板５０１に青色ＬＥＤ５０２を搭載した後、蛍光粒子を含有した樹脂材で封止した発光装置ブランク５０３（塗料塗布前の発光装置）に、所定の電流を流して白色光を発光させる。そして、この樹脂材の表面より発光される白色光５０４を、発光測定装置５０５で測定する。
続いて、発光測定装置５０５による白色光の測定値に基づいて、所望の中間色を有するパステル調の発光を得るための塗料の色素粒子および膜厚を計算する。発光測定装置５０５によって測定される白色光の測定値は、発光装置ブランク５０３を構成する青色ＬＥＤ５０２の発光波長および発光輝度や、樹脂材に含有された蛍光粒子の密度などによって、その波長成分や輝度が異なる。
そして、上記計算結果に基づき、図１８（ｂ）に示すように、塗付装置５０６を制御して、発光装置ブランク５０３の表面に塗料５０７を噴霧する。これにより、図１８（ｃ）に示すように、発光装置ブランク５０３の表面に、発光測定装置５０５の測定結果に基づく塗料の膜５０８が形成され、発光装置５００が完成する。この発光装置５００では、その表面から所望の中間色を有するパステル調の発光を得ることができる。
また、特許文献２には、青色ＬＥＤを緩衝層（透光性樹脂）で覆った後、インクジェット印刷法によって蛍光体を塗布する発光装置の製造方法が記載されている。特許文献２に記載の製造方法では、まず、ドットマトリックス状に配置したパッケージの内部に青色ＬＥＤを配し、その上にエポキシ樹脂からなる緩衝層を形成する。そして、各パッケージの開口部の緩衝層上のみに、有機蛍光染料または蛍光体粒子が含有されたアルコールをインクジェットプリンタヘッドから放出させ、緩衝層上に蛍光物質を塗布する。
続いて、各青色ＬＥＤを発光させた状態において、光センサを走査させ、発光色およびその青色ＬＥＤの場所をメモリーに記憶させる。そして、光センサにより読みとられた各青色ＬＥＤの発光色と、基準となる発光色とを比較する。このとき、蛍光物質の量が少ない場合、必要な蛍光物質の塗布量を演算する。そして、演算した塗布量に基づいて、蛍光物質の量が少ないと特定した緩衝層上に、インクジェットプリンタヘッドから再び蛍光物質を所望量塗布することで、色度を調整している。
特許第４０３００６９号明細書（２００７年１０月２６日登録） 特許第３５４６６５０号明細書（２００４年０４月２３日登録）
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載の従来の発光装置の製造方法では、蛍光体の濃度差などによる色度のわずかなズレを抑制することができないという問題点を有している。つまりは、従来の発光装置の製造方法では、噴霧やインクジェット印刷法によって発光装置の光出射面全体を覆うため、色度の微調整が行いにくい。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置において、蛍光体の濃度差などによる色度のわずかなズレを抑制するために、色度の微調整を行うことができる発光装置および発光装置の製造方法を提供することにある。
本発明の発光装置は、上記課題を解決するために、基板と、上記基板の実装面に搭載された発光素子と、上記発光素子を覆うように上記基板の実装面に設けられた、第１の蛍光体を含有する蛍光体含有層と、上記蛍光体含有層よりも光出射方向に向かって外層に設けられた、第２の蛍光体を含有する色度調整用蛍光体層とを備えてなる発光装置であって、上記色度調整用蛍光体層は、ドット状に形成されていることを特徴としている。
また、本発明の発光装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板と、上記基板の実装面に搭載された発光素子と、上記発光素子を覆うように上記基板の実装面に設けられた、第１の蛍光体を含有する蛍光体含有層と、上記蛍光体含有層よりも光出射方向に向かって外層に設けられた、第２の蛍光体を含有する色度調整用蛍光体層とを備えてなる発光装置の製造方法であって、上記基板の実装面に搭載された発光素子を覆うように、上記基板の実装面に上記蛍光体含有層を形成する第１の工程と、上記蛍光体含有層を形成した後、上記発光素子から上記蛍光体含有層を介して出射される光の色度特性を測定する第２の工程と、上記測定した色度特性に応じて、上記蛍光体含有層よりも光出射方向に向かって外層に、上記色度調整用蛍光体層をドット状に形成する第３の工程とを含むことを特徴としている。
上記の構成によれば、色度調整用蛍光体層はドット状に形成されていることにより、発光装置から出射される光の色度を、目標とする色度にするために微調整することが可能となる。よって、蛍光体の濃度差などによる色度のわずかなズレを抑制することが可能となる。
さらに、色度調整用蛍光体層を、全面にわたって覆うこと無くドット状に覆うことにより、塗布する第２の蛍光体を微量にすることができるので、第２の蛍光体の塗布による光束の低下を抑制することが可能となる。
なお、色度調整用蛍光体層の形成は、局所的、選択的に塗布可能な方法であればよく、インクジェット装置やジェットディスペンスなどで形成することができ、特にインクジェット装置を用いたインクジェット印刷法が最も好ましい。インクジェット印刷法を用いることによって、部分的に数ドット〜数十ドットの第２の蛍光体を含有する蛍光体含有液（色度調整用蛍光体層）を塗布することが可能となり、所望の位置に第２の蛍光体を選択的に配置することが可能となる。また、所定量を選択的に塗布することが可能となり、色度をより正確に微調整することが可能となる。
それゆえ、本発明の発光装置は、上記色度調整用蛍光体層は、インクジェット印刷法を用いた塗布により形成されていることが望ましい。また、本発明の発光装置の製造方法は、上記第３の工程は、上記第２の蛍光体を含有する蛍光体含有液を、インクジェット印刷法によりドット状に塗布する工程と、上記塗布した蛍光体含有液を硬化させることにより、上記色度調整用蛍光体層を形成する工程とを含むことが望ましい。
さらに、本発明の発光装置は、上記蛍光体含有層と上記色度調整用蛍光体層との間に、蛍光体非含有層または蛍光体少含有層をさらに備えていることが好ましい。また、本発明の発光装置の製造方法は、上記第２の工程と上記第３の工程との間に、上記蛍光体含有層と上記色度調整用蛍光体層との間に介在する蛍光体非含有層または蛍光体少含有層を形成する工程をさらに含むことが好ましい。
また、本発明の発光装置は、上記第１の蛍光体は、少なくとも緑色蛍光体および赤色蛍光体を含むことが好ましく、上記第２の蛍光体は、少なくとも緑色蛍光体を含むことが好ましい。これにより、発光装置の輝度の低下を抑えつつ所定の色度に容易にシフトすることが可能となる。
また、本発明の発光装置の製造方法は、上記色度調整用蛍光体層のドット数を、上記測定した色度特性に応じて増加または減少させることが好ましく、上記色度調整用蛍光体層の各ドットの大きさを、上記測定した色度特性に応じて大きくまたは小さくさせることが好ましい。これにより、色度の調整を極めて細かく行うことが可能となる。
また、本発明の発光装置は、上記第２の蛍光体は、固体の第１の透光性樹脂に被覆された粉末形状をなしていることが好ましい。また、本発明の発光装置の製造方法は、上記第２の蛍光体は、固体の透光性樹脂に被覆された粉末形状をなしていることが好ましい。これにより、蛍光体同士の凝集の低減が可能になるとともに、塗布液の蛍光体濃度を均一にすることが可能となる。
なお、粉末が大きくなり過ぎて、色度調整用蛍光体層の形成の際に用いる、例えばインクジェット装置などの、第２の蛍光体を吐出するノズルの目詰まりが発生することを防止するために、上記第２の蛍光体が上記透光性樹脂に被覆されてなる粉末は、該第２の蛍光体を１〜３個含有していることが望ましい。
さらに、本発明の発光装置は、上記第２の蛍光体が上記第１の透光性樹脂に被覆されてなる粉末は、球体または楕円体の形状を有していることが好ましい。また、本発明の発光装置の製造方法は、上記第２の蛍光体が上記透光性樹脂に被覆されてなる粉末は、球体または楕円体の形状を有していることが好ましい。
これによれば、上記粉末の形状は球体または楕円体であるため、その形状および粒径を均一にすることが可能となり、色度調整用蛍光体層の形成の際に用いる、例えばインクジェット装置などの、第２の蛍光体を吐出するノズルの磨耗を低減することが可能となる。また、球体または楕円体の粉末からなることから吐出状態が安定するため、色度調整用蛍光体層の厚さや寸法を好適に制御することが可能となる。
また、本発明の発光装置は、上記色度調整用蛍光体層は、上記第２の蛍光体が上記第１の透光性樹脂に被覆されてなる粉末と、第２の透光性樹脂とからなることが望ましい。
本発明の発光装置は、以上のように、第１の蛍光体を含有する蛍光体含有層よりも光出射方向に向かって外層に設けられた、第２の蛍光体を含有する上記色度調整用蛍光体層は、ドット状に形成されている構成である。
また、本発明の発光装置の製造方法は、基板の実装面に搭載された発光素子を覆うように、上記基板の実装面に蛍光体含有層を形成する第１の工程と、上記蛍光体含有層を形成した後、上記発光素子から上記蛍光体含有層を介して出射される光の色度特性を測定する第２の工程と、上記測定した色度特性に応じて、上記蛍光体含有層よりも光出射方向に向かって外層に、上記色度調整用蛍光体層をドット状に形成する第３の工程とを含む方法である。
それゆえ、色度調整用蛍光体層はドット状に形成されていることにより、発光装置から出射される光の色度を、目標とする色度にするために微調整することができる。よって、蛍光体の濃度差などによる色度のわずかなズレを抑制することができるという効果を奏する。
さらに、色度調整用蛍光体層を、全面にわたって覆うこと無くドット状に覆うことにより、塗布する第２の蛍光体を微量にすることができるので、第２の蛍光体の塗布による光束の低下を抑制することができるという効果を併せて奏する。
インクジェット装置の一構成例を示す斜視図である。 本発明における発光装置の実施の一形態を示す、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、上記発光装置の製造過程を示す図である。 上記発光装置の製造工程を示すフローチャートである。 上記発光装置のＣＩＥの色度座標を示すグラフである。 上記発光装置における、色度調整用蛍光体層の形成前後のスペクトル特性を示すグラフである。 （ａ）・（ｂ）は、上記発光装置における、色度調整用蛍光体層の他の構成例を示す上面図である。 蛍光体粉末含有樹脂を塗布するインクジェット装置の一構成例を示す模式図である。 上記インクジェット装置を用いて作成した色度調整用蛍光体層の断面拡大模式図である。 本発明における発光装置の他の実施の形態を示す上面図である。 上記発光装置における、色度調整用蛍光体層の他の構成例を示す上面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、上記発光装置の製造過程を示す図である。 上記発光装置の製造工程を示すフローチャートである。 上記発光装置のＣＩＥの色度座標を示すグラフである。 本発明における発光装置のさらに他の実施の形態を示す断面図である。 上記発光装置の上面図である。 本発明における発光装置のさらに他の実施の形態を示す断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、従来の発光装置の製造過程を示す図である。
本発明にかかる発光装置は、発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置の光出射面に、その発光装置の目標色度との差を調整するために、蛍光体含有液が塗布されてなる色度調整用蛍光体層が形成されているものであり、蛍光体含有液は蛍光体塗布装置を用いて塗布されている。以下に述べる本発明の各実施例では、インクジェットプリンタ用に開発されたインクジェット装置と基本的構成が同じである蛍光体塗布装置を用いる。この蛍光体塗布装置では、塗布する材料として、インクではなく蛍光体含有液を用いている。
なお、本明細書では、上記蛍光体塗布装置は、「インクジェット装置」なる用語を用いるものとする。また、インクジェット装置はジェットディスペンサーとも呼ばれる。さらに、インクジェット装置を用いて蛍光体含有液を塗布する方法を「インクジェット印刷法」と呼ぶこととする。
（インクジェット装置の構成）
図１は、本発明で使用するインクジェット装置におけるインクジェットプリンタヘッド１００の一構成例を示す斜視図である。
図１に示すように、インクジェット装置は、粒子状蛍光体を含む蛍光体含有液を被塗布体に塗布する部分として、インクジェットプリンタヘッド１００を備えている。インクジェットプリンタヘッド１００は、微少な圧力室（蛍光体含有樹脂室１０３）に導入された蛍光体含有液を、ノズル１０１から吐出させ、ＬＥＤチップなどの上に塗布する。
蛍光体含有樹脂室１０３の圧力を高める手段としては、圧電素子（ピエゾ）１０２を作動させるもの（ピエゾ方式）や、蛍光体含有樹脂室１０３の一部の温度を瞬間的に高め気泡を発生させることによって、その気泡発生の圧力により蛍光物質を吐出させるもの（サーマルインクジェット方式）などが挙げられる。
よって、粒子状蛍光体を塗布する場合は、インクジェット印刷法により塗布できるように、液状のシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などに混合させ、印刷可能な状態とすることが好ましい。
ところが、ノズル１０１に対して粒子状蛍光体の粒子サイズが大きければ、目詰まりを生ずる場合がある。また、粒子状蛍光体の粒径が不規則であれば、その粒径がノズル径よりも小さい場合であって、目詰まりしやすい傾向にある。
それゆえ、粒子状蛍光体をインクジェット印刷法により塗布する場合は、粒子状蛍光体を濾過することによって、数μｍ程度の粒径で同一形状に揃えておくことが望ましい。また、粒子状蛍光体を用いる場合は、圧電素子１０２を用いるピエゾ方式の方が、気泡を利用するサーマルインクジェット方式よりも、より粒径の大きな粒子状蛍光体にまで対応できるので好ましい。なお、インクジェット装置のインクジェットプリンタヘッド１００は、蛍光体顔料などの液状蛍光体を吐出することも可能である。
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。
（発光装置の構成）
図２は、本実施の形態の発光装置１０の一構成例を示す、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は断面図である。
図２（ａ）・（ｂ）に示すように、発光装置１０は、基板１、発光素子であるＬＥＤチップ３、ワイヤ４、蛍光体含有層５、透光性シリコーン樹脂層６（蛍光体非含有層）、および色度調整用蛍光体層７を備えている。
基板１は、主表面２（実装面）の反射作用が高い材質のものが好ましく、例えば、セラミック基板などが好適である。基板１には、主表面２にワイヤボンディング用の表面電極、裏面に外部の回路と接続するための裏面電極（図示せず）、内部に表面電極と裏面電極とを導通するスルーホール（図示せず）が備えられている。基板１の主表面２には、主表面２側から、ＬＥＤチップ３、蛍光体含有層５、透光性シリコーン樹脂層６、色度調整用蛍光体層７が、その順番で積層されている。
ＬＥＤチップ３は、発光ピーク波長が４５０ｎｍの青色ＬＥＤであるが、これに限るものではない。例えば、発光ピーク波長が３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの紫外（近紫外）ＬＥＤチップを用いてもよく、これにより、さらなる発光効率の向上を図ることができる。
また、ＬＥＤチップ３は、基板１の主表面２に、複数（本実施例では４つ）が搭載（ダイボンディング）されている。ＬＥＤチップ３は、所定の発光量を満たすような所定の位置に、例えば等間隔で、配列されている。ＬＥＤチップ３には、発光面に電極（アノード電極およびカソード電極）が備えられており、搭載時発光面は基板１の主表面２と向かい合わない。
ワイヤ４は、例えば金からなり、基板１の表面電極とＬＥＤチップ３の電極とを電気的に接続するように設けられているとともに、ＬＥＤチップ３の電極と隣接する別のＬＥＤチップ３の電極とを電気的に接続するように設けられている。これにより、基板１の裏面電極から、各ＬＥＤチップ３に電力を供給することが可能となっている。
蛍光体含有層５は、ＬＥＤチップ３およびワイヤ４を被覆するように形成されている。蛍光体含有層５は、第１の粒子状蛍光体（第１の蛍光体）を含有する樹脂からなる。第１の粒子状蛍光体としては、具体例は後述するが、ＬＥＤチップ３の発光色との組合せにより、発光装置１０から所定の色（色度）の発光を得るような蛍光体を用いる。
透光性シリコーン樹脂層６は、蛍光体含有層５（すなわち、ＬＥＤチップ３、ワイヤ４および蛍光体含有層５）を被覆するように、半球ドーム状に形成されている。透光性シリコーン樹脂層６は、透光性シリコーン樹脂からなり、蛍光体を含有していない蛍光体非含有層である。発光装置１０では、透光性シリコーン樹脂層６の半球ドーム状をなす表面（球面）が、発光装置１０の光出射面となっている。
色度調整用蛍光体層７は、透光性シリコーン樹脂層６の球面に、ドット状に形成されている。すなわち、色度調整用蛍光体層７は、蛍光体含有層５よりも光出射方向に向かって外層にドット状に設けられている。色度調整用蛍光体層７は、第２の粒子状蛍光体（第２の蛍光体）を含有する樹脂からなる。第２の粒子状蛍光体としては、具体例は後述するが、発光装置１０から所定の色（色度）の発光を得るような蛍光体を用いる。
（発光装置の製造方法）
次に、上記構成を有する発光装置１０の製造方法について説明する。
図３（ａ）〜（ｆ）は、発光装置１０の製造過程を示す図である。図４は、発光装置１０における、色度調整工程を含む製造工程を示すフローチャートである。
なお、発光装置１０は、複数の発光装置群からなる一体ものとして形成され、製造工程の最後に個々の発光装置の周囲（四方）をダイシングにて分割し、個々の発光装置として形成される。図３中の構成要素は、不明瞭とならない程度に必要に応じて簡略化されて示されている。
まず、表面電極などを備えてなる基板１の主表面２の所定の位置に、ＬＥＤチップ３をダイボンディングする（ステップＳ１１）。
続いて、ワイヤ４を用いて、ワイヤボンディングを行う（ステップＳ１２）。このとき、ＬＥＤチップ３の電極と基板１の表面電極との間や、ＬＥＤチップ３の電極と別のＬＥＤチップ３の電極との間に対し、順番にワイヤボンディングを行う。これにより、図３（ａ）に示すように構成された状態となる。
続いて、後に蛍光体含有層５となる蛍光粒子入り樹脂１１を塗布する（ステップＳ１３）。具体的には、図３（ｂ）に示すように、まず、基板１の主表面２、すなわちＬＥＤチップ３が搭載された側の面に、ダムシート１１１を張り付ける。ダムシート１１１は、後述する蛍光粒子入り樹脂１１を注入する際、蛍光粒子入り樹脂１１が所定の箇所以外に流出して拡がらないように堰き止めるものである。ダムシート１１１には、ＬＥＤチップ３を収容可能な貫通孔１１２が形成されている。換言すると、ダムシート１１１に形成された貫通孔１１２の形状によって、蛍光体含有層５の形状が決まる。
ダムシート１１１としては、例えば、テフロン（登録商標）、フッ素ゴム、およびシリコーンシートなどの樹脂製シートの一方の面に粘着材が塗布されたものを用いることができる。特にフッ素ゴムは、弾力性が高く、ダムシート１１１の除去が容易であるので好ましい。また、粘着材としては、主表面２への張り付けが容易であるとともに、ダムシート１１１を除去した際に主表面２に粘着材の残渣が残らないものが好ましい。
ＬＥＤチップ３が貫通孔１１２に没入するように、ダムシート１１１を基板１に張り付けた後、図３（ｃ）に示すように、蛍光粒子入り樹脂１１を、貫通孔１１２を満たすように注入する。蛍光粒子入り樹脂１１は、液状のシリコーン樹脂に第１の粒子状蛍光体を分散させたものである。本実施例では、第１の粒子状蛍光体として、赤色蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、および、緑色蛍光体（Ｓｉ・Ａｌ）６（Ｏ・Ｎ）８：Ｅｕを用いる。
なお、第１の粒子状蛍光体は、これに限らず、例えば、ＢＯＳＥ（Ｂａ、Ｏ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｅｕ）などを好適に用いることができる。また、ＢＯＳＥの他、ＳＯＳＥ（Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｉ、Ｏ、Ｅｕ）や、ＹＡＧ（Ｃｅ賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、αサイアロン（（Ｃａ）、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎ、Ｅｕ）、βサイアロン（Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎ、Ｅｕ）などを好適に用いることもできる。
蛍光粒子入り樹脂１１を注入した後は、１５０℃、１２０分の条件で、蛍光粒子入り樹脂１１を硬化させる。そして、ダムシート１１１を除去し、図３（ｄ）に示すように、ＬＥＤチップ３およびワイヤ４を被覆した蛍光体含有層５を形成する。ダムシート１１１の除去方法には、ダムシート１１１の一端を治具により把持し、引き剥す方法がある。このとき、貫通孔１１２からはみ出した蛍光粒子入り樹脂１１は、ダムシート１１１とともに同時に除去することができる。
続いて、透光性シリコーン樹脂層６を形成する（ステップＳ１４）。具体的には、図３（ｅ）に示すように、圧縮成形を用いて、半球ドーム状の透光性シリコーン樹脂層６を形成する。
圧縮成形では、雌型１２１に設けられた半球ドーム状のキャビティ１２２に、後に透光性シリコーン樹脂層６となる透光性シリコーン樹脂１２を注入して満たしておく。続いて、キャビティ１２２に蛍光体含有層５を没入するように、基板１を雌型１２１にセットし、ベース型１２３により型締めする。そして、この状態で、１５０℃の温度で１分程度保持し、透光性シリコーン樹脂１２を硬化させる。その後、１５０℃、２時間の条件でアフターキュアを行う。これにより、基板１の主表面２に、蛍光体含有層５を被覆した半球ドーム状の透光性シリコーン樹脂層６が形成される。
続いて、透光性シリコーン樹脂層６を形成した後の発光装置の色度特性を測定する（ステップＳ１５）。発光装置の色度特性は、ＪＩＳ２８７２２の条件Ｃ，ＤＩＮ５０３３ｔｅｉｌ７、ＩＳＯｋ７７２４１１に準拠のｄ・８（拡散照明・８°受光方式）光学系を採用した測定装置を用いて測定することができる。
図５は、ＣＩＥの色度座標を示すグラフである。このとき、測定した色度に基づいて、透光性シリコーン樹脂層６を形成した後の発光装置（色度調整前の発光装置）を、図５の色度領域（ｂ）、（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）の色度グループに分ける。なお、この４つの色度グループに含まれない発光装置の数はわずかであり無視できる。
ここで、例えば、色度領域（ａ１）（中心色度座標ｘ、ｙ＝（０．２９２、０．２４５））となる色度グループの発光装置には、色度範囲が、色度領域（ｂ）内となるように色度を調整するとする。
続いて、透光性シリコーン樹脂層６の球面上に、後に色度調整用蛍光体層７となる第２の粒子状蛍光体を含有する樹脂液（蛍光体含有液）を塗布する（ステップＳ１６）。なお、第２の粒子状蛍光体および樹脂液は、所望される色度特性に応じて適宜選択することができる。また、場合によっては、アルミナ微粒子などの光拡散剤をさらに添加して用いることができる。
色度領域（ｂ）で、ｘ、ｙ＝（０．３０３、０．２６３）となる光を得ようとする場合、例えば、第２の粒子状蛍光体として緑色蛍光体（Ｓｉ・Ａｌ）６（Ｏ・Ｎ）８：Ｅｕと、樹脂液として液状のシリコーン樹脂とを、２：１００の重量比で混合したものを作成する。
そして、図１に示したインクジェットプリンタヘッド１００の蛍光体含有樹脂室１０３に、上記混合した緑色蛍光体含有樹脂液（蛍光体含有液）を導入し、ノズル１０１から吐出させ、透光性シリコーン樹脂層６の球面に塗布する。つまりは、インクジェット印刷法によって、上記緑色蛍光体含有樹脂液を、透光性シリコーン樹脂層６の球面に塗布する。
このとき、上記緑色蛍光体含有樹脂液を、透光性シリコーン樹脂層６の球面全体に塗布するのではなく、ドット状に塗布する。具体的には、基板１の主表面２に垂直な上方から見て、直径０．５ｍｍの円状のドットを、０．３４ｍｍの間隔で、ドット状に９つ塗布する。
その後、１５０℃で１時間熱硬化させることによって、色度調整用蛍光体層７を形成する。色度調整用蛍光体層７は、図２に示すように、直径０．５ｍｍの円状のドットが０．３４ｍｍの間隔で、ドット状に９つ（９ドット）形成される。
続いて、色度調整用蛍光体層７を形成した後の発光装置の色度特性を、上述した測定装置を用いて同様に測定する（ステップＳ１７）。この測定により、色度が色度領域（ｂ）内にあることを確認する。したがって、色度グループ（ａ１）の発光装置であったものが、色度が調整され、色度グループ（ｂ）の発光装置を得ることが可能となる。
最後に、個別の発光装置に分割する（ステップＳ１８）。分割には、基板１の裏面に設けられた分割溝の上方を、透光性シリコーン樹脂層６が形成された側から、カッタ１３１により剪断する方法がある。これによれば、透光性シリコーン樹脂層６はカッタ１３１により剪断されるとともに、基板１は分割溝に沿って割れるので、容易に分割することができる。
これにより、個片化された発光装置１０を作製し得る。このように作成された発光装置１０は、目的の色度となるように色度の調整が施されているので、色度ズレ無く、目的の色度で発光することが可能となる。また、輝度の低下を招くことなく、発光装置１０の色度ばらつきを抑え、歩留まりを向上させることが可能となる。
以上のように、本実施の形態の発光装置１０では、第１の粒子状蛍光体を含有する蛍光体含有層５よりも光出射方向に向かって外層に設けられた、第２の粒子状蛍光体を含有する色度調整用蛍光体層７が、ドット状に形成されている。
つまりは、上記発光装置１０は、基板１の主表面２に搭載されたＬＥＤチップ３を覆うように、基板１の主表面２に蛍光体含有層５を形成する工程（図４のステップＳ１３）と、蛍光体含有層５を形成した後、ＬＥＤチップ３から蛍光体含有層５を介して出射される光の色度特性を測定する工程（図４のステップＳ１５）と、測定した色度特性に応じて、蛍光体含有層５よりも光出射方向に向かって外層に、色度調整用蛍光体層７をドット状に形成する工程（図４のステップＳ１６）とを含む方法により製造されている。
それゆえ、色度調整用蛍光体層７はドット状に形成されていることにより、発光装置１０から出射される光の色度を、目標とする色度にするために微調整することが可能となる。よって、蛍光体の濃度差などによる色度のわずかなズレを抑制することが可能となる。またこれにより、発光装置１０を歩留り良く安価に製造することができるようになる。
さらに、色度調整用蛍光体層７を、全面にわたって覆うこと無くドット状に覆うことにより、塗布する第２の粒子状蛍光体を微量にすることができるので、第２の粒子状蛍光体の塗布による光束の低下を抑制することが可能となる。
（色度の放射角依存性）
ところで、色度調整用蛍光体層７をドット状とすることにより懸念されるのは、放射方向によって色度分布のむらが生じる可能性がある点である。この点に考慮して、本実施の形態の発光装置１０では、放射方向によっても色度の差が生じにくいように、ＬＥＤチップ３を４個用いるとともに、ＬＥＤチップ３を覆う蛍光体含有層５に光拡散層の役割も兼ねることにより、光源の実効的な大きさを大きくしている。
また、色度を白色とする役割は、主に蛍光体含有層５が担っており、ドット状の色度調整用蛍光体層７は、色度の微調整を行うに留めている。なお、放射角特性を特に重視する用途では、ドット径をさらに小さくするとともに、ドット個数を多くすることが好ましい。
（スペクトル特性）
図６は、発光装置１０の色度調整用蛍光体層７の形成前後（図中は、色度調整用蛍光体塗布前、色度調整用蛍光体塗布後と記す）のスペクトルを示すグラフである。横軸は波長（単位ｎｍ）を示し、縦軸は光強度（相対値）を示している。また、正面方向より測定した結果を示している。
図６を見れば、色度調整用蛍光体層７の形成後に青色光の強度が減少していることがわかる。しかし、青色光の視感度があまり高くなく、視感度の高い緑色では光強度の減少が無いため、全体としての光度の減少は２．４％〜３．３％の減少に留まっている。
（他の変形例）
上述した発光装置１０では、色度グループ（ａ２）の発光装置を、色度グループ（ｂ）にするために色度を微調整する例について説明したが、勿論、色度グループ（ａ２）、（ａ３）の発光装置の色度を調整する場合もあり得る。
例えば、色度グループ（ａ２）の発光装置に対しては、色度グループ（ｂ）にするために、色度調整用蛍光体層７を１８ドット形成する。図７（ａ）は、色度調整用蛍光体層７を１８ドット形成したときの発光装置１０ａを示している。
また、色度グループ（ａ３）の発光装置に対しては、色度グループ（ｂ）にするために、色度調整用蛍光体層７を２７ドット形成する。図７（ｂ）は、色度調整用蛍光体層７を２７ドット形成したときの発光装置１０ｂを示している。このように、色度ずれが大きいほどドット数を多くする。
なお、色度グループ（ｂ）の発光装置に対しては、色度を調整する必要がない。それゆえ、ステップＳ１５で色度特性を測定した後、ステップＳ１６〜Ｓ１７は省略して、ステップＳ１８の分割工程に進めばよい。この場合の発光装置には、色度調整用蛍光体層７は形成されない。
また、上述した発光装置１０では、ドット形成をインクジェット印刷法を用いて行ったが、これに限定するわけではなく、（蛍光体含有液）を選択的（局所的）に塗布することができれば、ディスペンサー方式や転写方式、印刷方式などを用いてもよい。
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
前記実施の形態１の発光装置１０では、色度調整用蛍光体層７の形成の際、第２の粒子状蛍光体をそのまま流動樹脂に混ぜ、その粒子状蛍光体含有樹脂液を、インクジェット印刷法により透光性シリコーン樹脂層６の球面にドット状に塗布した。
一方、本実施の形態では、色度調整用蛍光体層７が含有する第２の粒子状蛍光体を、一旦固体樹脂で覆った蛍光体含有樹脂粉末とする。そして、その蛍光体含有樹脂粉末を流動樹脂に混ぜ、蛍光体含有樹脂粉末含有樹脂液を、インクジェット印刷法により透光性シリコーン樹脂層６の球面にドット状に塗布する。
（蛍光体含有樹脂粉末の作製方法）
蛍光体含有樹脂粉末を作製する方法について説明する。
まず、蛍光体含有樹脂粉末における樹脂の材料として、流動樹脂を準備する。そして、第２の粒子状蛍光体を流動樹脂の中に投入し、混合してなる蛍光体混合樹脂液を形成する。本実施例では、流動樹脂に投入する蛍光体は１種類である。その後、硬化した蛍光体混合樹脂を切削機などで粉末状にすることで、蛍光体含有樹脂粉末を作製する。
なお、蛍光体含有樹脂粉末を作製する際に、流動樹脂と第２の粒子状蛍光体とを混合する方法については、特に限定されないが、例えば、自転公転方式の撹拌機を用いることが好ましい。その攪拌機の回転数および回転時間は、流動樹脂と第２の粒子状蛍光体との組合せに応じて、適宜、設定することができる。
また、硬化した蛍光体混合樹脂から蛍光体含有樹脂粉末を形成する方法としては、一般的に用いられているボールミル法およびジェットミル法を用いることができる。粉末状にする際、作製される蛍光体含有樹脂粉末の形状は、例えば、球体または楕円体となるように加工することができる。
蛍光体含有樹脂粉末は、１つの粉末中に含まれる第２の粒子状蛍光体の数が、１〜３個であることが好ましい。３個よりも多いと、蛍光体含有樹脂粉末のサイズが大きくなり、図１に示したインクジェットプリンタヘッド１００のノズル１０１に詰まるという理由からである。
以下に、蛍光体含有樹脂粉末の加工の一例を、具体例を挙げて説明する。
まず、流動樹脂の材料として用いるために、シリコーン樹脂を加熱して、流動性を有する状態にする。そして、第２の粒子状蛍光体として緑色蛍光体（Ｓｉ・Ａｌ）６（Ｏ・Ｎ）８：Ｅｕを、流動樹脂であるシリコーン樹脂に混合し、攪拌することによって蛍光体混合樹脂液を作製する。このとき、蛍光体混合樹脂液における緑色蛍光体／シリコーン樹脂の質量混合比は、１／４とする。
また、上記シリコーン樹脂と緑色蛍光体との攪拌には、自転公転方式の撹拌機を用いる。本実施例においては、回転数２０００／分、回転時間３分間でシリコーン樹脂と緑色蛍光体とを攪拌する。
その後、攪拌した蛍光体混合樹脂液を１００℃で１時間保持して、予備的に硬化させ、次いで１５０℃で５時間保持して硬化を行う。そして、硬化した蛍光体混合樹脂を、ボールミル法によって、切削機を用いて粉末状に形成する。これにより、蛍光体含有樹脂粉末が作製される。
蛍光体含有樹脂粉末は、インクジェット装置の吐出不良およびノズル１０１の磨耗を低減するために、
（１）粒径が、例えば５０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下と小さい。
（２）粒径分布が狭い。
（３）形状が、球形・楕円形など角なしである。
という上記３つの条件が揃うことが望ましい。
図８に、色度調整用蛍光体塗布液２３を塗布するインクジェットプリンタヘッド１００の模式図を示す。図８に示すように、上述した方法により作成した緑色蛍光体含有樹脂粉末２１と、流動性透光性シリコーン樹脂２２とを蛍光体含有樹脂室１０３に注入することで、ノズル１０１から色度調整用蛍光体塗布液２３（緑色蛍光体含有樹脂粉末２１および流動性透光性シリコーン樹脂２２）が吐出される。
図９は、色度調整用蛍光体塗布液２３が硬化されて形成された色度調整用蛍光体層７の断面拡大図である。緑色蛍光体含有樹脂粉末２１において蛍光体を覆う樹脂と、色度調整用蛍光体層７を覆う樹脂とは同じシリコーン樹脂を用いたが、その硬化時期が異なるため、詳細に観察すると、図９に示すように境界が確認できる。
なお、本実施例では、ＬＥＤチップ３を覆う蛍光体含有層５の第１の粒子状蛍光体としては、赤色蛍光体Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍ、および緑色蛍光体（Ｓｉ・Ａｌ）６（Ｏ・Ｎ）８：Ｅｕを使用する。そして、緑色蛍光体含有樹脂粉末２１の第２の粒子状蛍光体として、緑色蛍光体（Ｓｉ・Ａｌ）６（Ｏ・Ｎ）８：Ｅｕを用いている。
概して、粒子状蛍光体は比重が大きいため、流動樹脂中で沈降しやすく、そのため流動樹脂を入れたインクジェット装置のタンク（蛍光体含有樹脂室１０３）内で蛍光体濃度のむらが生じやすい。
これに対し、本実施例の蛍光体含有樹脂粉末を用いる方法によれば、粒子状蛍光体を一旦樹脂で覆って蛍光体含有樹脂粉末とすることにより、粉末の比重は流動樹脂の比重に近いので、タンク内の蛍光体濃度を均一に近づけることが可能となる。よって、インクジェット印刷法による色度調整の精度を上げることができる。
また、粒子状蛍光体を一旦樹脂で覆って蛍光体含有樹脂粉末としているために、凝集低減でき、吐出する際のノズル１０１の目詰まりを防止することができる。よって、蛍光体含有樹脂粉末を吐出する際は、ノズル１０１の目詰まりが防止されるので、スムーズに吐出させることができる。
さらに、粉末のサイズを均一にすることが容易であり、均一な粉末を用いて、制御性のよい蛍光体塗布を行うことができる。また、蛍光体含有樹脂粉末の形状を、例えば球形などの角なしの形状とすることにより、ノズル１０１の磨耗を少なくすることができる。特にβサイアロンなどの、非球形状の結晶形状を有する粒子状蛍光体を固体樹脂で覆い形状を整えることは、ノズル１０１の磨耗防止の効果が高い。
〔実施の形態３〕
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１，２と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１，２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
（発光装置の構成）
図１０は、本実施の形態の発光装置３０の一構成例を示す上面図である。
本実施の形態の発光装置３０は、前記実施の形態１の発光装置１０の構成のうち、透光性シリコーン樹脂層６を除いた構成を備えている。つまりは、発光装置３０では、色度調整用蛍光体層７が，蛍光体含有層５の上面の一部のみを覆うように、すなわちドット状に形成されている。
このように、蛍光体含有層５を部分的に覆うように色度調整用蛍光体層７を形成することで、蛍光体含有層５の一部のみの調整で、所望の色度特性を有する発光装置３０を得ることが可能となる。例えば、後述するように、色度座標を示す図１４の色度領域（ｂ）の範囲内に入る発光装置３０を作成し得ることが可能となる。
なお、発光装置３０では、基板１には、外部と接続可能な第１の電極３１および第２の電極３２が備えられている。また、蛍光体含有層５は、六角形状、円形状、長方形状または正方形状の断面形状を有することが好ましく、上面視で長方形状を有している。例えば、長辺Ｐ：１３ｍｍ、短辺Ｑ：１０ｍｍである。発光装置３０では、蛍光体含有層５の上面が光出射面となっている。
（発光装置の製造方法）
次に、上記構成を有する発光装置３０の製造方法について説明する。
図１２（ａ）〜（ｅ）は、発光装置３０の製造過程を示す図である。図１３は、発光装置３０における、色度調整工程を含む製造工程を示すフローチャートである。
まず、図１２（ａ）に示すように、基板１の主表面２に、４つの直線状の配線パターン３３ａ〜３３ｄを形成する。配線パターン３３ａ〜３３ｄは平行に配置する。配線パターン３３ａ〜３３ｄの形成方法の好適な具体例としては、厚み１ｍｍの酸化アルミニウムで形成された白色の基板１の主表面２に、厚み０．０７ｍｍの金膜をスパッタリング法を用いて形成した後、フォトエッチング法にて配線パターン３３ａ〜３３ｄ（幅１ｍｍ、間隔２ｍｍ）を形成する方法が挙げられるが、これに限定されるものではない。
続いて、基板１に形成した配線パターン３３ａ〜３３ｄ間に、ＬＥＤチップ３を搭載する（ステップＳ２１）。ＬＥＤチップ３の搭載は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂などの熱硬化性樹脂を用い、ＬＥＤチップ３を基板１に直に接着することで行うことができる。この方法によれば、沿面放電電圧で決まる絶縁耐圧をできる限り高くすることができる。
すなわち、電極方向に配列されたＬＥＤチップ３とＬＥＤチップ３との間の絶縁耐圧は、ＬＥＤチップ３間の距離、および基板１の誘電率で決まる。また、ＬＥＤチップ３と電極との間の絶縁耐圧も同様に、ＬＥＤチップ３と電極（配線パターン３３ａ〜３３ｄ）との最短距離、および基板１の誘電率で決まる。
それゆえ、好適な具体例として、基板１上に平行に形成された直線状の配線パターン３３ａ〜３３ｄのそれぞれの間に、ＬＥＤチップ３として短辺幅０．２４ｍｍ、長辺０．４８ｍｍ、厚み０．１４ｍｍのＬＥＤチップを、エポキシ樹脂を用いて接着し固定する構成が挙げられるが、これに限定されるものではない。
続いて、ワイヤ４を用いて、ワイヤボンディングを行う（ステップＳ２２）。このとき、図１２（ｂ）に示すように、所望の電気的接続の状態に応じて、配線パターン３３ａ〜３３ｄとＬＥＤチップ３とを、ワイヤ４により電気的に接続する。
なお、発光装置３０の製造方法では、上述のようにＬＥＤチップ３と配線パターン３３ａ〜３３ｄとを電気的に接続した後に、ＬＥＤチップ３の特性を検査する検査工程と、検査の結果、特性不良があった場合に、予備のＬＥＤチップ３を配線パターン３３ａ〜３３ｄと接続する予備接続工程とをさらに含むことが好ましい。
上記検査工程は、例えば、ＬＥＤチップ３に電流を流し、その光出力特性を測定することによって行うことができる。また、外観検査として、ワイヤ４の断線や、ボンディング不良の確認も併せて行うようにしてもよい。
続いて、後に蛍光体含有層５となる蛍光粒子入り樹脂を塗布する（ステップＳ２３）。具体的には、図１２（ｃ）に示すように、まず、基板１の主表面２に、シリコーンゴムシート１１３を張り付ける。シリコーンゴムシート１１３には、封止体を形成するための空間となる貫通孔１１４が形成されている。貫通孔１１４の形状については特に制限されるものではなく、形成しようとする封止体の断面形状に応じた形状のものを用いることができる。
上述したように、蛍光体含有層５は、六角形状、円形状、長方形状または正方形状の断面形状を有することが好ましいため、シリコーンゴムシート１１３の貫通孔１１４は、六角形状、円形状、長方形状または正方形状の断面形状を有することが好ましい。
シリコーンゴムシート１１３は、容易に入手可能であり、また、ゴム製であるため弾性を有していることから、配線パターンなどの段差があっても隙間なく密着させて設けることができる。また、シリコーンゴムシート１１３には、後述する蛍光粒子入り樹脂の漏れを防ぐことができ、また、封止体形成後に容易に除去できることから、一面に両面接着シートを接着しておき、この接着シートで基板１に接着させるようにすることが好ましい。
シリコーンゴムシート１１３を基板１に張り付けた後は、図１２（ｄ）に示すように、ＬＥＤチップ３を封止する蛍光粒子入り樹脂を、貫通孔１１４を満たすように注入し、硬化させて蛍光体含有層５を形成する。
続いて、蛍光体含有層５を形成した後の発光装置の色度特性を測定する（ステップＳ２４）。発光装置の色度特性は、ＪＩＳ２８７２２の条件Ｃ，ＤＩＮ５０３３ｔｅｉｌ７、ＩＳＯｋ７７２４１１に準拠のｄ・８（拡散照明・８°受光方式）光学系を採用した測定装置を用いて測定することができる。
図１４は、ＣＩＥの色度座標を示すグラフである。例えば、ＣＩＥの色度表中、色度領域（ａ１）でｘ、ｙ＝（０．３３３、０．３３８）となる光を発するように、前工程（ステップＳ２３）において、第１の粒子状蛍光体（赤色蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、および緑色蛍光体（Ｓｉ・Ａｌ）６（Ｏ・Ｎ）８：Ｅｕ）と、樹脂液であるシリコーン樹脂とを５：１００の重量比で混合した蛍光粒子入り樹脂を、シリコーンゴムシート１１３の貫通孔１１４内に注入し、１５０℃の温度で３０分間熱硬化させて蛍光体含有層５を形成した場合、各発光装置は、図１４中の色度領域（ｂ）、（ａ１）、（ａ２）のいずれかの色度グループとなる。
色度領域（ａ１）および（ａ２）の色度グループに属する発光装置に対しては、色度が色度領域（ｂ）の領域内となるように、光出射面である蛍光体含有層５の表面（上面）に、色度調整用蛍光体層７を形成する。すなわち、蛍光体含有層５の上面に、後に色度調整用蛍光体層７となる第２の粒子状蛍光体を含有する樹脂液（蛍光体含有液）を塗布する（ステップＳ２５）。
色度調整用蛍光体層７を形成するための第２の粒子状蛍光体および樹脂液は、上述した蛍光体含有層５を形成するための第１の粒子状蛍光体および樹脂液のうち、所望される色度特性に応じて適宜選択し、場合によっては光拡散剤をさらに添加して用いることができる。
上述した例の場合には、ＣＩＥの色度表中、色度領域（ｂ）でｘ、ｙ＝（０．３４５、０．３５０）となる光が得られるように、例えば、第２の粒子状蛍光体として緑色蛍光体（Ｓｉ・Ａｌ）６（Ｏ・Ｎ）８：Ｅｕと、樹脂液として液状のシリコーン樹脂とを２：１００の重量比で混合して、その混合した蛍光体含有液を蛍光体含有層５上にインクジェット印刷法により塗布する。
ここで、蛍光体含有液は、直径０．５ｍｍの円状のドットを０．３４ｍｍの間隔で、色度グループ（ａ１）の発光装置に対しては２１ドット、色度グループ（ａ２）の発光装置に対しては４２ドットを形成する。このように、色度ずれが大きいほどドット数を多くする。
その後、１５０℃で１時間熱硬化させた後、シリコーンゴムシート１１３を除去することによって、図１２（ｅ）に示すように、色度調整用蛍光体層７を形成する。図１０は、色度調整用蛍光体層７を２１ドット形成したときの発光装置３０を示している。図１１は、色度調整用蛍光体層７を４２ドット形成したときの発光装置３０ａを示している。このように、色度ずれが大きいほどドット数を多くする。
続いて、色度調整用蛍光体層７を形成した後の発光装置の色度特性を、上述した測定装置を用いて同様に測定する（ステップＳ２６）。この測定により、色度が色度領域（ｂ）内にあることを確認し、色度グループ（ｂ）の発光装置３０を得ることが可能となる。
最後に、個別の発光装置に分割する（ステップＳ２７）。これにより、個片化された発光装置３０を作製し得る。このように、発光装置３０では、色度のずれに応じてドット数を変更した色度調整用蛍光体層７を形成するようにすることで、色度ずれのない発光装置３０を、歩留りよく安価に製造することができるようになる。
〔実施の形態４〕
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１〜３と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１〜３の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
（発光装置の構成）
図１５は、本実施の形態の発光装置４０の一構成例を示す断面図である。図１６は、図１５に示す発光装置４０の上面図である。
本実施の形態の発光装置４０は、光を外部に放射する表面実装型発光装置であり、蛍光体が透光性樹脂中に均一に分散されている。図１５および図１６に示すように、発光装置４０は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）で形成された絶縁性基板４１、ＬＥＤチップ３、ワイヤ４、Ｓｉツェナーダイオードからなる保護素子４３、蛍光体含有層４４、および色度調整用蛍光体層７を備えている。
絶縁性基板４１は、発光装置４０の発光面となる上面側が窪んだ凹状開口部を有する光反射壁４２を備えている。絶縁性基板４１は、上面視で四辺形の形状を有しており、例えば、一方の辺Ｓ：３．２ｍｍ、他方の辺Ｒ：２．８ｍｍである。
また、絶縁性基板４１は、凹状開口部の底面（すなわち絶縁性基板４１の上面）に、第１の電極４５および第２の電極４６が形成されている。第１の電極４５および第２の電極４６は、それぞれ、発光装置４０の外部の電源に接続できるよう外部電極（図示せず）に接続されている。
第１の電極４５上にはＬＥＤチップ３が載置され、シリコーン樹脂によって接着されている。第２の電極４６上には保護素子４３が載置され、銀ペーストを用いて接着されている。ＬＥＤチップ３の２つの電極は、金からなるワイヤ４によって第１の電極４５および第２の電極４６に接続されている。
保護素子４３の一方の電極は、ワイヤ４によって第１の電極４５に接続され、保護素子４３の他方の電極は、銀ペーストによって第２の電極４６に接続されている。すなわち、ＬＥＤチップ３と保護素子４３とは、第１の電極４５と第２の電極４６との間で並列に接続されている。
ＬＥＤチップ３と保護素子４３とは、絶縁性基板４１の凹状開口部内を満たす蛍光体含有層４４によって封止されている。蛍光体含有層４４に含まれる緑色・赤色蛍光体（第１の蛍光体）は、ＬＥＤチップ３が出射する青色光を吸収し、光を放出する。そのため、発光装置４０の放出光の発光色は白色となる。光出射面となる蛍光体含有層４４上に、色度調整用蛍光体層７が形成されている。
（発光装置の製造方法）
次に、上記構成を有する発光装置４０の製造方法について説明する。なお、発光装置４０は、図１３に示したフローチャートに沿って作製され得るので、これに沿って説明する。
まず、絶縁性基板４１の凹状開口部の底面に形成されている第１の電極４５上に、ＬＥＤチップ３を載置し、シリコーン樹脂によって接着する（ステップＳ２１）。そして、絶縁性基板４１の凹状開口部の底面に形成されている第２の電極４６上に保護素子４３を載置し、保護素子４３の一方の電極を銀ペーストを用いて第２の電極４６に電気的に接続し、固定する。
続いて、ＬＥＤチップ３の２つの電極を、金からなるワイヤ４によってそれぞれ第１の電極４５および第２の電極４６に電気的に接続する（ステップＳ２２）。また、保護素子４３の他方の電極を、金からなるワイヤ４によって第１の電極４５に電気的に接続する。
続いて、蛍光体含有シリコーン樹脂を絶縁性基板４１の凹状開口部内に注入し、さらに温度１５０℃の雰囲気中に３時間置き、蛍光体含有シリコーン樹脂を硬化させる（ステップＳ２３）。これにより、透光性のシリコーン樹脂に均一に蛍光体が形成された蛍光体含有層４４が形成される。
ここで、蛍光体含有層４４は、赤色蛍光体ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、および緑色蛍光体（Ｓｉ・Ａｌ）６（Ｏ・Ｎ）８：Ｅｕからなる第１の粒子状蛍光体と、透光性のシリコーン樹脂とを混練したものであり、蛍光体のシリコーン樹脂に対する重量比は０．１７３である。
続いて、蛍光体含有層４４を形成した後の発光装置の色度特性を測定する（ステップＳ２４）。発光装置の色度特性は、ＪＩＳ２８７２２の条件Ｃ，ＤＩＮ５０３３ｔｅｉｌ７、ＩＳＯｋ７７２４１１に準拠のｄ・８（拡散照明・８°受光方式）光学系を採用した測定装置を用いて測定することができる。
例えば、図１４に示すＣＩＥの色度表中、色度領域（ａ２）でｘ、ｙ＝（０．３２０、０．３３０）となる光を発するように、前工程（ステップＳ２３）において、第１の粒子状蛍光体と樹脂液であるシリコーン樹脂とを５：１００の重量比で混合したものを注入し、１５０℃の温度で３０分間熱硬化させて蛍光体含有層４４を形成した場合、形成された発光装置の色度範囲は、図１４中の色度領域（ｂ）、（ａ１）、（ａ２）のいずれかの領域内となる。
この測定に基づいて、各発光装置をいずれかの色度グループに分類し、色度グループ（ａ１）、（ａ２）のものについては、発光装置の色度範囲が色度領域（ｂ）の領域内となるように、光出射面である蛍光体含有層４４の表面（上面）に、色度調整用蛍光体層７を形成する。すなわち、蛍光体含有層４４の上面に、後に色度調整用蛍光体層７となる第２の粒子状蛍光体を含有する樹脂液を塗布する（ステップＳ２５）。
上述した例の場合には、ＣＩＥの色度表中、色度領域（ｂ）でｘ、ｙ＝（０．３４５、０．３５０）となる光が得られるように、例えば、緑色蛍光体とシリコーン樹脂とを２：１００の重量比で混合して、その混合した蛍光体含有液を蛍光体含有層４４上にインクジェット印刷法により塗布する。
ここで、蛍光体含有液は、色度グループ（ａ２）の発光装置に対しては、直径０．５ｍｍの円状（ドット状）、間隔が０．３４ｍｍ、ドット数３０となるように塗布する。また、色度グループ（ａ１）の発光装置に対しては、直径０．３５ｍｍの円状（ドット状）、間隔が０．３４ｍｍ、ドット数３０となるように塗布する。このように、色度ずれが大きいほどドット数（ドット径）を多くする。
その後、１５０℃で１時間熱硬化させて、色度調整用蛍光体層７を形成する。続いて、色度調整用蛍光体層７を形成した後の発光装置の色度特性を、上述した測定装置を用いて同様に測定する（ステップＳ２６）ことにより、色度が色度領域（ｂ）内にあることを確認し、色度グループ（ｂ）の発光装置４０を得ることが可能となる。最後に、個別の発光装置に分割する（ステップＳ２７）。これにより、個片化された発光装置４０を作製し得る。
このように、発光装置４０では、色度のバラツキに応じて異なるドット径の色度調整用蛍光体層７を形成することで、色度ズレのない発光装置４０、歩留りよく安価に製造することができるようになる。
なお、蛍光体含有層４４の透光性樹脂（透光性部材）としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、変性シリコーン樹脂、またはポリアミドなどの耐候性に優れた透光性樹脂を用いてもよい。また、光反射壁４２の材質が、ＡｌＮ、セラミックなどの高温に耐える材質の場合には、透光性樹脂の代わりにガラスなどの透光性部材を用いてもよい。
〔実施の形態５〕
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１〜４と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１〜４の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図１７は、本実施の形態の発光装置５０の一構成例を示す断面図である。なお、図１７に示す発光装置５０の上面から見た外観は、図１６に示す発光装置４０の外観とほぼ同じである。
図１７に示すように、本実施の形態の発光装置５０（蛍光体沈降形発光装置）は、前記実施の形態４の発光装置４０の構成のうち蛍光体含有層４４を除いた構成に加えて、蛍光体含有層５１、および蛍光体少含有層５２を備えている。
ここで、蛍光体少含有層５２とは、蛍光体含有量が蛍光体含有層４４に含まれる蛍光体量の１／２（半分）以下である蛍光体含有量のことを指す。
色度調整方法において、直接に蛍光体層を研削・研磨・機械的に除去する方法も提案されている。しかしながら、このような方法では、直接に蛍光体層を研削・研磨・機械的に除去する際に発生する蛍光体の残渣や、黒化などの問題が生じる場合がある。
これに対し、本実施例のように、ドット状の形態で色度調整用蛍光体層７を形成することにより、このような蛍光体の除去に伴う問題が無く、精度のより良い色度調整が可能となる。したがって、ＬＥＤチップ３の近傍に蛍光体が沈降した発光装置５０においても同様の効果を得ることが可能となる。
（その他）
上述した説明において、色度調整用蛍光体層７の塗布方法としては、インクジェット印刷法を用いたが、例えば、手作業で針先に蛍光体含有樹脂液を付け、発光装置表面上に塗ることも可能である。その際、ドット状であればドット数で色度の調整が可能であるため、手作業という制御性に乏しい状況においてもある程度の色度調整が可能である。
また、色度調整用蛍光体層７は緑色蛍光体からなる層としたが、例えば、緑色蛍光体からなる色度調整用蛍光体層と赤色蛍光体からなる色度調整用蛍光体層を混合して、あるいは、緑色蛍光体からなる色度調整用蛍光体層と赤色蛍光体からなる色度調整用蛍光体層とを別々に塗布してもよい。
特に、緑色蛍光体および赤色蛍光体をそれぞれ塗布することにより、１種類の蛍光体を用いる場合よりも精度の高い色度調整が実現できる。その際、緑色の色度調整用蛍光体層上に赤色の色度調整用蛍光体層が重なっていてもよく、重ならないようにドットの位置を調整してもよい。いずれにせよ、ドット状の色度調整用蛍光体層７であれば、複数の蛍光体を用いた場合の色度の調整が極めて容易である。
また、粒子状蛍光体をインクジェット印刷法により塗布する場合は、蛍光体含有樹脂室１０３に濾過器を備えてもよい。さらに、大きな径の重い粒子状蛍光体や凝集して重い粒子状蛍光体を蛍光体含有樹脂室に沈殿させることが容易な、横型に蛍光体含有樹脂室を有したインクジェット印刷装置であってもよい。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置に関する分野に好適に用いることができるだけでなく、発光装置の製造方法、特に色度の調整方法に関する分野に好適に用いることができ、さらには、発光装置を備える携帯電話などの各種電気機器、およびその製造方法の分野にも広く用いることができる。
１ 基板
２ 主表面（実装面）
３ ＬＥＤチップ（発光素子）
４ ワイヤ
５ 蛍光体含有層
６ 透光性シリコーン樹脂層（蛍光体非含有層）
７ 色度調整用蛍光体層
１０，１０ａ，１０ｂ，３０，３０ａ，４０，５０ 発光装置
２１ 緑色蛍光体含有樹脂粉末
２２ 流動性透光性シリコーン樹脂
２３ 色度調整用蛍光体塗布液
４１ 絶縁性基板（基板）
４３ 保護素子
４４ 蛍光体含有層
５１ 蛍光体含有層
５２ 蛍光体少含有層

Claims (16)

  1. 基板と、上記基板の実装面に搭載された発光素子と、上記発光素子を覆うように上記基板の実装面に設けられた、第１の蛍光体を含有する蛍光体含有層と、上記蛍光体含有層よりも光出射方向に向かって外層に設けられた、第２の蛍光体を含有する色度調整用蛍光体層とを備えてなる発光装置であって、
    上記色度調整用蛍光体層は、ドット状に形成されていることを特徴とする発光装置。
  2. 上記色度調整用蛍光体層は、インクジェット印刷法を用いた塗布により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 上記蛍光体含有層と上記色度調整用蛍光体層との間に、蛍光体非含有層または蛍光体少含有層をさらに備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 上記第１の蛍光体は、少なくとも緑色蛍光体および赤色蛍光体を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  5. 上記第２の蛍光体は、少なくとも緑色蛍光体を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  6. 上記第２の蛍光体は、固体の第１の透光性樹脂に被覆された粉末形状をなしていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  7. 上記第２の蛍光体が上記第１の透光性樹脂に被覆されてなる粉末は、球体または楕円体の形状を有していることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
  8. 上記色度調整用蛍光体層は、上記第２の蛍光体が上記第１の透光性樹脂に被覆されてなる粉末と、第２の透光性樹脂とからなることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
  9. 基板と、上記基板の実装面に搭載された発光素子と、上記発光素子を覆うように上記基板の実装面に設けられた、第１の蛍光体を含有する蛍光体含有層と、上記蛍光体含有層よりも光出射方向に向かって外層に設けられた、第２の蛍光体を含有する色度調整用蛍光体層とを備えてなる発光装置の製造方法であって、
    上記基板の実装面に搭載された発光素子を覆うように、上記基板の実装面に上記蛍光体含有層を形成する第１の工程と、
    上記蛍光体含有層を形成した後、上記発光素子から上記蛍光体含有層を介して出射される光の色度特性を測定する第２の工程と、
    上記測定した色度特性に応じて、上記蛍光体含有層よりも光出射方向に向かって外層に、上記色度調整用蛍光体層をドット状に形成する第３の工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  10. 上記第３の工程は、
    上記第２の蛍光体を含有する蛍光体含有液を、インクジェット印刷法によりドット状に塗布する工程と、
    上記塗布した蛍光体含有液を硬化させることにより、上記色度調整用蛍光体層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法。
  11. 上記第２の工程と上記第３の工程との間に、上記蛍光体含有層と上記色度調整用蛍光体層との間に介在する蛍光体非含有層または蛍光体少含有層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９または１０に記載の発光装置の製造方法。
  12. 上記色度調整用蛍光体層のドット数を、上記測定した色度特性に応じて増加または減少させることを特徴とする請求項９または１０に記載の発光装置の製造方法。
  13. 上記色度調整用蛍光体層の各ドットの大きさを、上記測定した色度特性に応じて大きくまたは小さくさせることを特徴とする請求項９または１０に記載の発光装置の製造方法。
  14. 上記第２の蛍光体は、固体の透光性樹脂に被覆された粉末形状をなしていることを特徴とする請求項９または１０に記載の発光装置の製造方法。
  15. 上記第２の蛍光体が上記透光性樹脂に被覆されてなる粉末は、該第２の蛍光体を１〜３個含有していることを特徴とする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
  16. 上記第２の蛍光体が上記透光性樹脂に被覆されてなる粉末は、球体または楕円体の形状を有していることを特徴とする請求項１４に記載の発光装置。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012056605A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージ製造システムおよびｌｅｄパッケージ製造システムにおける樹脂塗布方法
WO2012056604A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 パナソニック株式会社 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
JP2012174968A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Mitsubishi Electric Corp 発光装置及び発光装置群及び製造方法
JP2012191144A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Ns Materials Kk Ｌｅｄ素子、その製造方法、及びｌｅｄ素子の色調補正方法
JP2013004588A (ja) * 2011-06-13 2013-01-07 Oh'tec Electronics Corp 液体定量吐出装置及び液体定量吐出方法
JP2013038136A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Sharp Corp 発光装置および表示装置
CN102962174A (zh) * 2011-08-29 2013-03-13 松下电器产业株式会社 树脂涂布装置及树脂涂布方法
JP2013115368A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュール
JP2013159004A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP2013159003A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有層と蛍光体非含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
WO2014034785A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 シャープ株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
JP2015023219A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびｌｅｄ発光装置の製造方法
JP2015047616A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社タムラ製作所 ジェットディスペンサー用はんだ組成物
JP2015523738A (ja) * 2012-07-30 2015-08-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス部品の製造方法
JP2015537390A (ja) * 2012-12-14 2015-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体素子、およびオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法
US9721934B2 (en) 2013-07-22 2017-08-01 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
JP2020522749A (ja) * 2017-06-02 2020-07-30 ネクスドット カプセル化されたナノ粒子を含むインク

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201131804A (en) * 2010-03-12 2011-09-16 Gio Optoelectronics Corp Light emitting diode unit
KR101659357B1 (ko) * 2010-05-12 2016-09-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자패키지
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
KR20130014197A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
US20130342103A1 (en) * 2012-06-25 2013-12-26 Shing-Chung Wang Solid state lighting luminaire and a fabrication method thereof
CN102832316B (zh) * 2012-08-06 2015-07-15 中南大学 一种提高白光led照明器件色温一致性的方法和装置
US8845380B2 (en) * 2012-12-17 2014-09-30 Xicato, Inc. Automated color tuning of an LED based illumination device
US8870617B2 (en) 2013-01-03 2014-10-28 Xicato, Inc. Color tuning of a multi-color LED based illumination device
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US8754435B1 (en) * 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
EP3011804B1 (en) 2013-06-20 2017-10-18 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device comprising at least two sets of light emitting diodes
TW201543720A (zh) * 2014-05-06 2015-11-16 Genesis Photonics Inc 封裝結構及其製備方法
JP6410161B2 (ja) * 2015-03-11 2018-10-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、発光装置の製造方法
CN104728644B (zh) * 2015-04-10 2017-05-17 重庆文理学院 一种led补光灯珠
CN109075234B (zh) * 2016-02-02 2021-04-27 西铁城电子株式会社 发光装置及其制造方法
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP3542400B1 (en) * 2016-11-17 2021-06-09 Signify Holding B.V. Lighting device with uv led
CN106953027A (zh) 2017-05-15 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光装置及其制备方法、显示装置
JP6940775B2 (ja) * 2018-10-30 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006032726A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Kyocera Corp 発光装置
JP2006278741A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006303373A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具
JP2007271822A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 照明装置、撮像装置及び携帯端末
JP2008021988A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Samsung Electronics Co Ltd 半導体ナノ結晶を用いる白色発光ダイオード及びその製造方法
JP2008019380A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Toshiba Corp 発光粒子、発光装置及びそれらの製造方法
JP2008041699A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Showa Denko Kk Ｌｅｄパッケージ
JP2008159705A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2008172152A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Showa Denko Kk 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造
JP2008288410A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Toshiba Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2008308510A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Sony Corp 発光組成物及びこれを用いた光学装置並びにこれを用いた表示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2546030B2 (ja) 1990-05-24 1996-10-23 コクヨ株式会社 床部材の連結用部材
EP2267801B1 (de) * 1996-06-26 2015-05-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3546650B2 (ja) 1997-07-28 2004-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP4122738B2 (ja) 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
CN100386888C (zh) * 2001-10-01 2008-05-07 松下电器产业株式会社 发光元件及使用它的发光装置
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US20080042150A1 (en) * 2004-06-23 2008-02-21 Tomoji Yamaguchi White Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same
KR100524098B1 (ko) * 2004-09-10 2005-10-26 럭스피아 주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
JP2006135225A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Toshiba Corp 発光装置
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
JP4923408B2 (ja) * 2005-01-26 2012-04-25 パナソニック株式会社 発光装置の製造方法
DE102005019376A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
JP2007324475A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Sharp Corp 波長変換部材および発光装置
CN101118935A (zh) * 2006-08-03 2008-02-06 黎涤萍 白光led及其照明装置
CN100573944C (zh) * 2007-03-07 2009-12-23 光宝科技股份有限公司 白光发光二极管
KR100862532B1 (ko) * 2007-03-13 2008-10-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 제조방법
JP5089212B2 (ja) 2007-03-23 2012-12-05 シャープ株式会社 発光装置およびそれを用いたｌｅｄランプ、発光装置の製造方法
JP4030069B2 (ja) 2007-06-04 2008-01-09 シチズン電子株式会社 発光装置
US7868340B2 (en) * 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US20100127289A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Bridgelux, Inc. Method and Apparatus for Providing LED Package with Controlled Color Temperature

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006032726A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Kyocera Corp 発光装置
JP2006278741A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006303373A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法と該発光装置を用いた照明器具
JP2007271822A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 照明装置、撮像装置及び携帯端末
JP2008021988A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Samsung Electronics Co Ltd 半導体ナノ結晶を用いる白色発光ダイオード及びその製造方法
JP2008019380A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Toshiba Corp 発光粒子、発光装置及びそれらの製造方法
JP2008041699A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Showa Denko Kk Ｌｅｄパッケージ
JP2008159705A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2008172152A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Showa Denko Kk 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造
JP2008288410A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Toshiba Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2008308510A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Sony Corp 発光組成物及びこれを用いた光学装置並びにこれを用いた表示装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012056605A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージ製造システムおよびｌｅｄパッケージ製造システムにおける樹脂塗布方法
WO2012056604A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 パナソニック株式会社 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
CN103180978A (zh) * 2010-10-27 2013-06-26 松下电器产业株式会社 Led封装件制造***和led封装件制造***中的树脂涂覆方法
US9326385B2 (en) 2010-10-27 2016-04-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. LED package manufacturing system and resin coating method in LED package manufacturing system
JP2012174968A (ja) * 2011-02-23 2012-09-10 Mitsubishi Electric Corp 発光装置及び発光装置群及び製造方法
JP2012191144A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Ns Materials Kk Ｌｅｄ素子、その製造方法、及びｌｅｄ素子の色調補正方法
JP2013004588A (ja) * 2011-06-13 2013-01-07 Oh'tec Electronics Corp 液体定量吐出装置及び液体定量吐出方法
JP2013038136A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Sharp Corp 発光装置および表示装置
CN102962174A (zh) * 2011-08-29 2013-03-13 松下电器产业株式会社 树脂涂布装置及树脂涂布方法
JP2013115368A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュール
JP2013159003A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有層と蛍光体非含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP2013159004A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP2015523738A (ja) * 2012-07-30 2015-08-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス部品の製造方法
US9537063B2 (en) 2012-07-30 2017-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic component
WO2014034785A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 シャープ株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
JP2015537390A (ja) * 2012-12-14 2015-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体素子、およびオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法
US9373760B2 (en) 2012-12-14 2016-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
JP2015023219A (ja) * 2013-07-22 2015-02-02 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびｌｅｄ発光装置の製造方法
US9721934B2 (en) 2013-07-22 2017-08-01 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
US9837392B2 (en) 2013-07-22 2017-12-05 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
JP2015047616A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社タムラ製作所 ジェットディスペンサー用はんだ組成物
JP2020522749A (ja) * 2017-06-02 2020-07-30 ネクスドット カプセル化されたナノ粒子を含むインク

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