JP2010186830A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】貫通ビアを形成する領域に窓領域を設けた酸化層パターンを備えた基板を製造する。更に、この基板を他の基板と貼り合せてSOI基板を生成する。次に、このSOI基板を研磨して薄層化する。次に、TSV構造となる領域にアイランド領域を形成する。そして、このアイランド領域の間にデバイスを形成する。更に、デバイスとTSVとを配線により接続する。次に、SOI基板の裏面のシリコン基板を削除して、裏面にアイランド領域を露出させる。そして、埋め込み酸化層に形成された窓領域を介して、TSVとのバックコンタクトを形成する。
【選択図】図1
Description
まず、図5(a)に示すように、シリコン基板10において、所定の領域にビアホール101を形成する。
ル101に埋め込まれた導電層102が露出するまで研磨を行なう。
更に、図6(d)に示すように、コンタクトホール161を介して導電層102に接続された電極17を形成する。これにより、シリコン基板10の上面に形成されたデバイス11に対する電極17を、シリコン基板10の裏面側に形成することができる。
本発明においては、裏面電極は、開孔部を介して露出した第1の基板に対して導電性材料の選択成長により形成する。これにより、リソグラフィ技術を用いることなく、自己整合的に裏面電極を形成することができる。
本発明においては、第2の基板のエッチングには、基板の材料のエッチング速度に対して、第1の絶縁層のエッチング速度が遅いエッチング方法を用いる。これにより、第1の絶縁層をストッパとして機能させることができる。
次に、TSVアイランドを形成する(ステップS4)。具体的には、図2(d)に示すように、薄膜化されたシリコン基板21において、所定の領域を囲み、酸化層22に到達するビアホール211を形成する。ここでは、シリコン基板21を透過する光(例えば赤外光)を用いて窓領域221を特定しながら、ビアホール211を形成する。これにより、ビアホール211に囲まれたアイランド領域212が形成される。
次に、バックコンタクトを形成する(ステップS7)。具体的には、図3(c)に示すように、デバイス24と配線層26を保護するための保護層27を形成する。そして、図3(d)に示すように、裏面のシリコン基板20を酸化層22に到達するまで切削・研磨する。本実施形態では、シリコン材料に対して異方性を有するエッチング溶液を用いて加工を行なう。本実施形態では、TMAH(tetramethyl-ammonium-hydroxide)を用いる。このTMAHにおいては、シリコン結晶の〔111〕面はほとんどエッチングされないが、〔100〕面のエッチング速度は約9000〔μm/分〕になる。また、酸化膜のエッチング速度も低く、〔100〕面との関係においては、エッチング選択比として約5000を得ることができる。従って、酸化膜をエッチングストッパとして用いることができる。この場合、酸化層22に形成された窓領域221が露出することになる。
・ 上記実施形態では、埋め込まれた酸化層22が形成された基板上に、デバイス24を形成する。そして、裏面のシリコン基板20を酸化層22に到達するまで切削・研磨する。この場合、半導体材料と絶縁材料とにおいて選択的にエッチングを行なうことができる選択エッチングを用いることにより、裏面のシリコン基板20の切削・研磨を的確に停止させることができる。
層22を用いることにより良好な絶縁を実現することができる。
○ 上記実施形態では、SOI基板の裏面側において、通常のシリコン基板20を用いた。このシリコン基板20は最終的に切削・研磨されるため、単結晶基板を用いる必要はなく、例えば多結晶基板を用いることも可能である。
次に、図4(c)に示すように、形成した貫通孔215に金属層30を埋め込む。ここでは、配線層26を核とする金属選択成長を行なう。
Claims (5)
- 開孔部を備えた第1の絶縁層を設けた第1の基板と第2の基板とを、前記絶縁層を介して接合した積層基板を生成する工程と、
前記第1の基板において、前記開孔部に接続する領域の周囲に前記第1の絶縁層に到達する第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の基板上に素子を形成する工程と、
前記第2の基板をエッチングすることにより、前記第1の絶縁層及び開孔部を露出させ、この開孔部を介して前記素子に導通させた裏面電極を形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁層は酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記裏面電極は、前記開孔部を介して露出した第1の基板に対して導電性材料の選択成長により形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁層により囲まれた領域に貫通孔を設け、前記貫通孔に導電性材料を埋め込む工程を更に備えたことを特徴とする請求項1から3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の基板のエッチングには、前記基板の材料のエッチング速度に対して、前記第1の絶縁層のエッチング速度が遅いエッチング方法を用いることを特徴とする請求項1から4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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