JP2010171650A - バイアス回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】キャリア信号を入力する入力ノード(RFIN)と、キャリア信号を出力する出力ノード(RFOUT)と、前記入力ノード及び第1のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第1のインピーダンス変換素子(201)と、前記第1のノード及び前記出力ノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第2のインピーダンス変換素子(202)と、前記第1のノード及び第2のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第3のインピーダンス変換素子(203)と、前記第2のノードに接続される直流電源電圧ノード(204)と、前記第2のノードを交流接地状態にする接地回路(205)とを有する。
【選択図】図2
Description
図1は、バイアス回路の構成例を示す回路図である。バイアス回路は、入力ノードRFIN、出力ノードRFOUT、伝送線路101,102、バイアス供給線路103、直流電源電圧ノード104及びシャント容量105を有する。入力ノードRFINの外部には、入力回路のソースインピーダンス111が接続される。ソースインピーダンス111は、インピーダンス値がZ0である。出力ノードRFOUTの外部には、出力回路のロードインピーダンス112が接続される。ロードインピーダンス112は、インピーダンス値がZ0である。インピーダンス値Z0は、例えば50Ωである。
図2は、本発明の第1の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。バイアス回路は、入力ノードRFIN、出力ノードRFOUT、伝送線路201,202、バイアス供給線路203、直流電源電圧ノード204及びシャント容量205を有する。入力ノードRFINの外部には、入力回路のソースインピーダンス211が接続される。ソースインピーダンス211は、インピーダンス値がZ0である。出力ノードRFOUTの外部には、出力回路のロードインピーダンス212が接続される。ロードインピーダンス212は、インピーダンス値がZ0である。インピーダンス値Z0は、例えば50Ωである。
図11は、本発明の第2の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図11のバイアス回路は、図2のバイアス回路に対して、線路201〜203の代わりに誘導性素子1101〜1103及び容量性素子1111〜1113を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。第1の誘導性素子1101は、入力ノードRFIN及び第1のノードN1間に接続される。第2の誘導性素子1102は、第1のノードN1及び出力ノードRFOUT間に接続される。第3の誘導性素子1103は、第1のノードN1及び第2のノードN2間に接続される。第1の容量性素子1111は、入力ノードRFIN及び基準電位ノード間に接続される。第2の容量性素子1112は、出力ノードRFOUT及び基準電位ノード間に接続される。第3の容量性素子1113は、第1のノードN1及び基準電位ノード間に接続される。誘導性素子1101〜1103は、伝送線路のインダクタ成分でもよい。
図12は、本発明の第3の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図12のバイアス回路は、図2のバイアス回路に対して、伝送線路201及び202の代わりに伝送線路1201及び1202を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
図13は、本発明の第4の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図13のバイアス回路は、図2のバイアス回路に対して、伝送線路201及び202の代わりに誘導性素子1101,1102及びnチャネル電界効果トランジスタ1301,1302を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
図14は、本発明の第5の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図14のバイアス回路は、図13のバイアス回路に対して、トランジスタ1301,1302の代わりにダイオード1401,1402を設けたものである。以下、本実施形態が第4の実施形態と異なる点を説明する。
図15は、本発明の第6の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図15のバイアス回路は、図2のバイアス回路に対して、第1の伝送線路201の代わりに整合回路1501、nチャネル電界効果トランジスタ1502及び第1の誘導性素子1503を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
図16は、本発明の第7の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図16のバイアス回路は、図2のバイアス回路に対して、伝送線路201及び202の代わりに誘導性素子1601,1602及び容量性素子1603,1604を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
図17は、本発明の第8の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図17のバイアス回路は、図16のバイアス回路に対して、容量性素子1603,1604の代わりにnチャネル電界効果トランジスタ1701,1702を設けたものである。以下、本実施形態が第7の実施形態と異なる点を説明する。
図18は、本発明の第9の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図18のバイアス回路は、図12のバイアス回路に対して、誘導性素子1801及びnチャネル電界効果トランジスタ1802を追加したものである。以下、本実施形態が第3の実施形態と異なる点を説明する。
図19は、本発明の第10の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図19のバイアス回路は、図2のバイアス回路に対して、シャント容量205の代わりにラディアルスタブ1901を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
図20は、本発明の第11の実施形態によるバイアス回路の構成例を示す回路図である。図20のバイアス回路は、図2のバイアス回路に対して、シャント容量205の代わりに開放スタブ2001を設けたものである。以下、本実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明する。
本発明の第12の実施形態は、第1〜第11の実施形態のバイアス回路において、配線素子はアルミナ基板上に形成され、容量性素子は高誘電率基板上に形成される。また、配線素子及び薄膜容量性素子は、SiC、Si、GaN、InP、GaAs又はサファイヤ基板上に形成される。
202 第2の伝送線路(第2のインピーダンス変換素子)
203 バイアス供給線路(第3のインピーダンス変換素子)
204 直流電源電圧ノード
205 シャント容量(接地回路)
211 ソースインピーダンス
212 ロードインピーダンス
Claims (5)
- キャリア信号を入力する入力ノードと、
キャリア信号を出力する出力ノードと、
前記入力ノード及び第1のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第1のインピーダンス変換素子と、
前記第1のノード及び前記出力ノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第2のインピーダンス変換素子と、
前記第1のノード及び第2のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第3のインピーダンス変換素子と、
前記第2のノードに接続される直流電源電圧ノードと、
前記第2のノードを交流接地状態にする接地回路と
を有することを特徴とするバイアス回路。 - 前記第1のインピーダンス変換素子、前記第2のインピーダンス変換素子、及び前記第3のインピーダンス変換素子は、それぞれキャリア信号の周波数に対して1/4波長の線路長をもつ線路であることを特徴とする請求項1記載のバイアス回路。
- 前記第1のインピーダンス変換素子は、前記入力ノード及び第1のノード間に接続される第1の誘導性素子と、前記第1の誘導性素子及び基準電位ノード間に接続される第1の容量性素子とを有し、
前記第2のインピーダンス変換素子は、前記第1のノード及び前記出力ノード間に接続される第2の誘導性素子と、前記第2の誘導性素子及び基準電位ノード間に接続される第2の容量性素子とを有し、
前記第3のインピーダンス変換素子は、前記第1のノード及び前記第2のノード間に接続される第3の誘導性素子と、前記第3の誘導性素子及び基準電位ノード間に接続される第2の容量性素子とを有することを特徴とする請求項1記載のバイアス回路。 - 前記第1のインピーダンス変換素子は、前記入力ノード及び第1のノード間に接続される第1の誘導性素子と、前記第1の誘導性素子及び基準電位ノード間に接続される第1のトランジスタとを有し、
前記第2のインピーダンス変換素子は、前記第1のノード及び前記出力ノード間に接続される第2の誘導性素子と、前記第2の誘導性素子及び基準電位ノード間に接続される第2のトランジスタとを有することを特徴とする請求項1記載のバイアス回路。 - 前記第1のインピーダンス変換素子は、前記入力ノード及び第1のノード間に接続される第1の誘導性素子と、前記第1の誘導性素子及び基準電位ノード間に接続される第1のダイオードとを有し、
前記第2のインピーダンス変換素子は、前記第1のノード及び前記出力ノード間に接続される第2の誘導性素子と、前記第2の誘導性素子及び基準電位ノード間に接続される第2のダイオードとを有することを特徴とする請求項1記載のバイアス回路。
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