JPH07111426A - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器Info
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- JPH07111426A JPH07111426A JP25422893A JP25422893A JPH07111426A JP H07111426 A JPH07111426 A JP H07111426A JP 25422893 A JP25422893 A JP 25422893A JP 25422893 A JP25422893 A JP 25422893A JP H07111426 A JPH07111426 A JP H07111426A
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- microwave
- component
- power amplifier
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 例えば、マイクロ波帯で使用する電力増幅器
に関し、高出力、高効率、小型化を図ることを目的とす
る。 【構成】 波長λの入力信号を増幅し、該入力信号の基
本波成分および高調波成分に対して整合を取って送出す
る増幅部分１を有する電力増幅において、約ｎλ／４の
線路の一端と並列接続した複数個の集中定数素子のコン
デンサの他端とを接続して直列接続部分２を形成し、線
路の他端を増幅部分の出力側に、コンデンサの一端を接
地導体に接続するように構成する。
に関し、高出力、高効率、小型化を図ることを目的とす
る。 【構成】 波長λの入力信号を増幅し、該入力信号の基
本波成分および高調波成分に対して整合を取って送出す
る増幅部分１を有する電力増幅において、約ｎλ／４の
線路の一端と並列接続した複数個の集中定数素子のコン
デンサの他端とを接続して直列接続部分２を形成し、線
路の他端を増幅部分の出力側に、コンデンサの一端を接
地導体に接続するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、マイクロ波帯
で使用する電力増幅器に関するものである。電力増幅器
は、送信信号を所定の送信電力に増幅する部分である
が、送信時の消費電力は殆ど電力増幅器で消費されるこ
とになる。そこで、無線装置などに使用されている準マ
イクロ波帯／マイクロ波帯の電力増幅器としては高出
力、高効率化を図ることが必要である。
で使用する電力増幅器に関するものである。電力増幅器
は、送信信号を所定の送信電力に増幅する部分である
が、送信時の消費電力は殆ど電力増幅器で消費されるこ
とになる。そこで、無線装置などに使用されている準マ
イクロ波帯／マイクロ波帯の電力増幅器としては高出
力、高効率化を図ることが必要である。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来例の要部構成図、図８は図７
中の直列接続部分のシミュレーション説明図で、(a) は
スミスチャートを用いた説明図、(b) はパラメータS11
とS21を用いた説明図、図９は図８のシミュレーション
条件説明図である。
中の直列接続部分のシミュレーション説明図で、(a) は
スミスチャートを用いた説明図、(b) はパラメータS11
とS21を用いた説明図、図９は図８のシミュレーション
条件説明図である。
【０００３】以下、図８、図９を参照して図７の動作を
説明するが、この図は電圧供給部分が省略してある。先
ず、図７において、電界効果トランジスタ(FET) Q1は入
力側線路12を介して印加したマイクロ波を増幅して出力
側線路111 に送出する。ここで、線路111 はマイクロ波
の基本波成分及び偶数次及び奇数次の高調波成分に対す
るインピーダンス変換部分で、FET の出力側と図示しな
い負荷との間の整合を取っている。
説明するが、この図は電圧供給部分が省略してある。先
ず、図７において、電界効果トランジスタ(FET) Q1は入
力側線路12を介して印加したマイクロ波を増幅して出力
側線路111 に送出する。ここで、線路111 はマイクロ波
の基本波成分及び偶数次及び奇数次の高調波成分に対す
るインピーダンス変換部分で、FET の出力側と図示しな
い負荷との間の整合を取っている。
【０００４】また、線路111 の一端とアース間に、基本
波成分の波長の約1/4 の長さの線路21と直流阻止用の積
層セラミックコンデンサC0を直列接続した直列接続部分
２´が設けられているが、A 点から矢印側を見たインピ
ーダンスは基本波成分と奇数次高調波成分に対しては開
放状態、偶数次高調波成分に対してほぼ短絡状態にな
る。そこで、公知の様に、FET はスイッチング動作して
電流は半波整流波、電圧は電流と逆相の方形波となるF
級動作を行い理想的にはドレイン効率が100 % となる。
波成分の波長の約1/4 の長さの線路21と直流阻止用の積
層セラミックコンデンサC0を直列接続した直列接続部分
２´が設けられているが、A 点から矢印側を見たインピ
ーダンスは基本波成分と奇数次高調波成分に対しては開
放状態、偶数次高調波成分に対してほぼ短絡状態にな
る。そこで、公知の様に、FET はスイッチング動作して
電流は半波整流波、電圧は電流と逆相の方形波となるF
級動作を行い理想的にはドレイン効率が100 % となる。
【０００５】さて、出力側の線路111 に現れたマイクロ
波の基本波成分は、基本波成分のみを通過させる線路11
2 、コンデンサC3を通って外部に送出される。次に、直
列接続部分２´のインピーダンスの周波数特性をシミュ
レーションする際、この部分が図９に示す様に、誘電率
(ER) 4.5, 厚さ0.8 mmのガラス・エポキシ系基板(egp)
に、導体厚 0.35 μm,長さ20 mm,幅 1.4 mm のパターン
で形成した線路21の一端を、他端が接地された積層セラ
ミックコンデンサC0の一端に接続して構成したものとす
る。
波の基本波成分は、基本波成分のみを通過させる線路11
2 、コンデンサC3を通って外部に送出される。次に、直
列接続部分２´のインピーダンスの周波数特性をシミュ
レーションする際、この部分が図９に示す様に、誘電率
(ER) 4.5, 厚さ0.8 mmのガラス・エポキシ系基板(egp)
に、導体厚 0.35 μm,長さ20 mm,幅 1.4 mm のパターン
で形成した線路21の一端を、他端が接地された積層セラ
ミックコンデンサC0の一端に接続して構成したものとす
る。
【０００６】また、シミュレーションは、線路の他端に
内部抵抗50Ωの信号源と50Ωの負荷に接続し、測定周波
数を100 MHz から5.1 GHz まで変化して図８(a) と図８
(b)の結果が得られたが、これらの結果について以下に
説明する。
内部抵抗50Ωの信号源と50Ωの負荷に接続し、測定周波
数を100 MHz から5.1 GHz まで変化して図８(a) と図８
(b)の結果が得られたが、これらの結果について以下に
説明する。
【０００７】ここで、基本波成分の周波数は２GHz 、２
次高調波成分の周波数は４GHz で、図８(b) の横軸は左
端が100MHz、右端が5.1 GHz で、２目盛りが１GHz であ
り、基本波成分に対する直列接続部分の状態をM1の位置
で、２次高調波成分に対するものをM2の位置でそれぞれ
示す。
次高調波成分の周波数は４GHz で、図８(b) の横軸は左
端が100MHz、右端が5.1 GHz で、２目盛りが１GHz であ
り、基本波成分に対する直列接続部分の状態をM1の位置
で、２次高調波成分に対するものをM2の位置でそれぞれ
示す。
【０００８】図８(a) において、２次高調波成分に対す
る直列接続部分２´は短絡状態にある筈なので、回路損
失がなければa1の位置、回路損失があれば損失分だけ右
側にシフトしたa2の位置になければならない。しかし、
後述の様に積層セラミックコンデンサのインダクタンス
成分の影響を受けて、左上部のM2の位置まで位相が周
り、短絡状態でなくなる。しかし、基本波成分に対して
はFET から見たインピーダンスはM1の位置( ほぼ50Ω)
にあるので、直列接続部分２´は開放状態になってい
る。
る直列接続部分２´は短絡状態にある筈なので、回路損
失がなければa1の位置、回路損失があれば損失分だけ右
側にシフトしたa2の位置になければならない。しかし、
後述の様に積層セラミックコンデンサのインダクタンス
成分の影響を受けて、左上部のM2の位置まで位相が周
り、短絡状態でなくなる。しかし、基本波成分に対して
はFET から見たインピーダンスはM1の位置( ほぼ50Ω)
にあるので、直列接続部分２´は開放状態になってい
る。
【０００９】一方、図８(b) のS11 （FET の出力側から
A 点側を見た時のリターン・ロス）でみると、基本波成
分に対しては約 23dB のリターン・ロスがある M1 の位
置にあるので、直列接続部分２´のインピーダンスは開
放状態にある。しかし、２次高調波成分に対しては約３
dBのリターン・ロスがある M2 の位置にあり( 本来は０
dB) 、全反射になっていない。
A 点側を見た時のリターン・ロス）でみると、基本波成
分に対しては約 23dB のリターン・ロスがある M1 の位
置にあるので、直列接続部分２´のインピーダンスは開
放状態にある。しかし、２次高調波成分に対しては約３
dBのリターン・ロスがある M2 の位置にあり( 本来は０
dB) 、全反射になっていない。
【００１０】また、S21(入力波と出力波の比) で見る
と、基本波成分に対してはM1の位置にあり、通過損失は
０である。２次高調波成分に対しては−４dB位の損失が
あり、短絡状態にはなっていない( 本来は−20位の損失
でなければならない) 。
と、基本波成分に対してはM1の位置にあり、通過損失は
０である。２次高調波成分に対しては−４dB位の損失が
あり、短絡状態にはなっていない( 本来は−20位の損失
でなければならない) 。
【００１１】即ち、図８(a), (b)に示す様に、直列接地
部分２´は２次高調波成分に対して短絡状態とならない
ので、電力増幅器は F級動作からずれた動作をし、出力
及び効率が低下していた。
部分２´は２次高調波成分に対して短絡状態とならない
ので、電力増幅器は F級動作からずれた動作をし、出力
及び効率が低下していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図10は課題説明図で、
(a) は積層セラミックコンデンサ実装説明図、(b) は積
層セラミックコンデンサの等価回路図である。
(a) は積層セラミックコンデンサ実装説明図、(b) は積
層セラミックコンデンサの等価回路図である。
【００１３】上記の様に、直列接続部分２´で使用する
直流阻止用の積層セラミックコンデンサは、図10(a) に
示す様に、セラミック板の両面に電極を付けて形成した
セラミックコンデンサを積層したもので、例えば、誘電
体基板上のマイクロストリップラインに半田付けして実
装される。また、積層セラミックコンデンサの等価回路
を図10(b) に示すが、図中のインダクタンス成分L1〜L3
は電極や引出し線などで生ずるものである。
直流阻止用の積層セラミックコンデンサは、図10(a) に
示す様に、セラミック板の両面に電極を付けて形成した
セラミックコンデンサを積層したもので、例えば、誘電
体基板上のマイクロストリップラインに半田付けして実
装される。また、積層セラミックコンデンサの等価回路
を図10(b) に示すが、図中のインダクタンス成分L1〜L3
は電極や引出し線などで生ずるものである。
【００１４】ここで、上記のインダクタンス成分による
サセプタンス値が基本波成分に対してほぼ０になってい
ても、高調波成分では無視できない値になる。この為、
２次高調波成分に対して短絡状態とならず、電力増幅器
の出力及び効率が低下すると云う問題がある。
サセプタンス値が基本波成分に対してほぼ０になってい
ても、高調波成分では無視できない値になる。この為、
２次高調波成分に対して短絡状態とならず、電力増幅器
の出力及び効率が低下すると云う問題がある。
【００１５】なお、集中定数素子である積層セラミック
コンデンサを使用せず、分布定数回路のみで構成するこ
とはできるが、形状が大きくなり機器の小型化の傾向と
逆行することになる。
コンデンサを使用せず、分布定数回路のみで構成するこ
とはできるが、形状が大きくなり機器の小型化の傾向と
逆行することになる。
【００１６】本発明は、電力増幅器の高出力、高効率小
型化を図ることを目的とする。
型化を図ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理構成
図である。図中、１は波長λの入力信号を増幅し、該入
力信号の基本波成分および高調波成分に対して整合を取
って送出する増幅部分、２は直列接続部分である。第１
の本発明は、約ｎλ／４の線路の一端と並列接続した複
数個の集中定数素子のコンデンサの他端とを接続して直
列接続部分を形成し、線路の他端を増幅部分の出力側
に、コンデンサの一端を接地導体に接続する構成にし
た。第２の本発明は、接地導体を複数個に分割し、それ
ぞれのコンデンサを対応する接地導体部分に接続する構
成にした。第３の本発明は、直列接続部分を、高調波成
分毎に分割して設ける構成にした。第４の本発明は、線
路を高インピーダンス線路で構成した。
図である。図中、１は波長λの入力信号を増幅し、該入
力信号の基本波成分および高調波成分に対して整合を取
って送出する増幅部分、２は直列接続部分である。第１
の本発明は、約ｎλ／４の線路の一端と並列接続した複
数個の集中定数素子のコンデンサの他端とを接続して直
列接続部分を形成し、線路の他端を増幅部分の出力側
に、コンデンサの一端を接地導体に接続する構成にし
た。第２の本発明は、接地導体を複数個に分割し、それ
ぞれのコンデンサを対応する接地導体部分に接続する構
成にした。第３の本発明は、直列接続部分を、高調波成
分毎に分割して設ける構成にした。第４の本発明は、線
路を高インピーダンス線路で構成した。
【００１８】
【作用】第１の本発明は集中定数素子である直流阻止用
の積層セラミックコンデンサを１個でなく、複数個並列
接続して前記の課題を解決した。即ち、図10(b) に示す
積層セラミックコンデンサの等価回路より、直列 LC 回
路のインピーダンスZ =j[ ωL −( 1/ωC) ]となる。こ
こで、( 1/ωC)は容量が大きければ大きい程、周波数が
高ければ高い程小さくなるので、２次高調波成分に対し
ては殆どインダクタンス成分ωL が残り、この成分によ
って直列接続部分が短絡状態にならないと考えられる。
の積層セラミックコンデンサを１個でなく、複数個並列
接続して前記の課題を解決した。即ち、図10(b) に示す
積層セラミックコンデンサの等価回路より、直列 LC 回
路のインピーダンスZ =j[ ωL −( 1/ωC) ]となる。こ
こで、( 1/ωC)は容量が大きければ大きい程、周波数が
高ければ高い程小さくなるので、２次高調波成分に対し
ては殆どインダクタンス成分ωL が残り、この成分によ
って直列接続部分が短絡状態にならないと考えられる。
【００１９】そこで、コンデンサを並列に接続して上記
のインダクタンス成分を低減すれば、基本波成分に対し
ては開放状態、偶数次高調波成分に対しては短絡状態と
なり、電力増幅器の高出力、高効率化を図ることができ
る。
のインダクタンス成分を低減すれば、基本波成分に対し
ては開放状態、偶数次高調波成分に対しては短絡状態と
なり、電力増幅器の高出力、高効率化を図ることができ
る。
【００２０】なお、接地導体もコンデンサの個数に合わ
せて分割することにより、インダクタンス成分の影響を
低減させることができる。
せて分割することにより、インダクタンス成分の影響を
低減させることができる。
【００２１】
【実施例】図２は第１，第２の本発明の実施例の要部構
成図、図３は図２の実装説明図、図４は第３の本発明の
実装説明図、図５は図２中の直列接続部分のシミュレー
ション説明図で、(a) はスミスチャートを用いた説明
図、(b) はパラメータS11 とS21 を用いた説明図、図６
は図５のシミュレーション条件説明図である。
成図、図３は図２の実装説明図、図４は第３の本発明の
実装説明図、図５は図２中の直列接続部分のシミュレー
ション説明図で、(a) はスミスチャートを用いた説明
図、(b) はパラメータS11 とS21 を用いた説明図、図６
は図５のシミュレーション条件説明図である。
【００２２】なお、全図を通じて同一符号は同一対象物
を示す。以下、ｎ＝１として、図２〜図６を説明する
が、上記で詳細説明した部分については概略説明し、本
発明の部分について詳細説明する。また、上記で定義し
た事項は本発明でもそのまま使用する。
を示す。以下、ｎ＝１として、図２〜図６を説明する
が、上記で詳細説明した部分については概略説明し、本
発明の部分について詳細説明する。また、上記で定義し
た事項は本発明でもそのまま使用する。
【００２３】先ず、図２において、基本波成分の波長の
約1/4 の長さのマイクロストリップ線路で形成された線
路21の一端を、並列接続した積層セラミックコンデンサ
C1,C2を介して接地し、他端をFET Q1の出力側に接続さ
れた線路11に接続する。
約1/4 の長さのマイクロストリップ線路で形成された線
路21の一端を、並列接続した積層セラミックコンデンサ
C1,C2を介して接地し、他端をFET Q1の出力側に接続さ
れた線路11に接続する。
【００２４】一方、FET Q1は入力側線路 12 を介して印
加したマイクロ波を増幅して出力側線路111 に送出す
る。線路111 はマイクロ波の基本波成分及び偶数次及び
奇数次の高調波成分に対するインピーダンス変換機能を
持っているので、マイクロ波の基本波成分は、線路111,
線路112 とコンデンサC3を通って外部に送出される。
加したマイクロ波を増幅して出力側線路111 に送出す
る。線路111 はマイクロ波の基本波成分及び偶数次及び
奇数次の高調波成分に対するインピーダンス変換機能を
持っているので、マイクロ波の基本波成分は、線路111,
線路112 とコンデンサC3を通って外部に送出される。
【００２５】なお、線路21と積層セラミックコンデンサ
C1, C2の直列接続部分は、後述する様に、例えば２次高
調波成分に対してはほぼ短絡状態となるので、公知の様
に、FET はＦ級動作を行う。
C1, C2の直列接続部分は、後述する様に、例えば２次高
調波成分に対してはほぼ短絡状態となるので、公知の様
に、FET はＦ級動作を行う。
【００２６】さて、上記の電力増幅器の実装は図３に示
す様に、入力側基板上に直流阻止用コンデンサC4を持つ
入力側線路12が形成され、出力側基板上に直流阻止用の
コンデンサC3を持つ出力側線路11、線路12とスルーホー
ル22を介して一端が接地されたコンデンサC1, C2からな
る直列接続部分２、インピーダンス整合用のスタブ13が
形成され、FET Q1で増幅したマイクロ波を出力側線路11
を介して外部に取り出す様になっている。
す様に、入力側基板上に直流阻止用コンデンサC4を持つ
入力側線路12が形成され、出力側基板上に直流阻止用の
コンデンサC3を持つ出力側線路11、線路12とスルーホー
ル22を介して一端が接地されたコンデンサC1, C2からな
る直列接続部分２、インピーダンス整合用のスタブ13が
形成され、FET Q1で増幅したマイクロ波を出力側線路11
を介して外部に取り出す様になっている。
【００２７】ここで、接地は２個並列に分割したスルー
ホール（接地導体になっている）を用いることにより、
スルーホールのインダクタンス成分の影響も低減するこ
とができる。また、コンデンサの取付け位置のズレ、容
量値及びインダクタンス成分のバラツキに対しても、コ
ンデンサの個数を調整することにより容易に補正するこ
とができる。
ホール（接地導体になっている）を用いることにより、
スルーホールのインダクタンス成分の影響も低減するこ
とができる。また、コンデンサの取付け位置のズレ、容
量値及びインダクタンス成分のバラツキに対しても、コ
ンデンサの個数を調整することにより容易に補正するこ
とができる。
【００２８】更に、図４は入力したマイクロ波をFET
Q2, Q3で増幅した後、２次高調波成分に対してほぼ短絡
状態となる直列接続部分２、３次高調波成分に対して開
放状態となる直列接続部分３が接続された出力側線路11
を介して、基本波成分を取り出す様にしたもので、それ
ぞれの高調波成分に対する終端条件を確実に満足させる
ことができる。また、直列接続部分の線路インピーダン
スを高くすることにより、広帯域にわたり終端条件を満
足させることができる。
Q2, Q3で増幅した後、２次高調波成分に対してほぼ短絡
状態となる直列接続部分２、３次高調波成分に対して開
放状態となる直列接続部分３が接続された出力側線路11
を介して、基本波成分を取り出す様にしたもので、それ
ぞれの高調波成分に対する終端条件を確実に満足させる
ことができる。また、直列接続部分の線路インピーダン
スを高くすることにより、広帯域にわたり終端条件を満
足させることができる。
【００２９】次に、直列接続部分２のインピーダンスの
周波数特性をシミュレーションする際、この部分が図６
に示す様に、誘電率(ER) 4.5, 厚さ0.8 mmのガラス・エ
ポキシ系基板(egp) に、導体厚 0.35 μm,長さ20 mm,幅
1.4 mm のパターンで形成した線路21の一端を、５個並
列接続した積層セラミックコンデンサの他端と接続する
が、この積層セラミックコンデンサの一端が接地されて
いるとする。
周波数特性をシミュレーションする際、この部分が図６
に示す様に、誘電率(ER) 4.5, 厚さ0.8 mmのガラス・エ
ポキシ系基板(egp) に、導体厚 0.35 μm,長さ20 mm,幅
1.4 mm のパターンで形成した線路21の一端を、５個並
列接続した積層セラミックコンデンサの他端と接続する
が、この積層セラミックコンデンサの一端が接地されて
いるとする。
【００３０】そして、上記と同様に、線路の他端を内部
抵抗50Ωの信号源と50Ωの負荷に接続し、２GHz の基本
波成分に対して、測定周波数を100 MHz から5.1 GHz ま
で変化して図５(a) と図５(b) の結果が得られたが、こ
れらの結果について以下に説明する図５(a) において、
２次高調波成分に対する直列接続部分の状態はM2の位置
にあるので、ほぼ短絡状態にある。また、基本波成分に
対する直列接続部分の状態はM1の位置( ほぼ50Ω) にあ
るので、開放状態になっている。
抵抗50Ωの信号源と50Ωの負荷に接続し、２GHz の基本
波成分に対して、測定周波数を100 MHz から5.1 GHz ま
で変化して図５(a) と図５(b) の結果が得られたが、こ
れらの結果について以下に説明する図５(a) において、
２次高調波成分に対する直列接続部分の状態はM2の位置
にあるので、ほぼ短絡状態にある。また、基本波成分に
対する直列接続部分の状態はM1の位置( ほぼ50Ω) にあ
るので、開放状態になっている。
【００３１】一方、図５(b) のS11 でみると、基本波成
分に対する直列接続部分の状態はM1の位置にあるので、
リターン・ロスが約 23dB で開放状態にある。また、２
次高調波成分に対してはM2の位置にあるので、リターン
・ロスは０dBとなり、全反射の状態にある。また、S21
(入力波と出力波の比) で見ると、基本波成分に対して
はM1の位置にあるので通過損失は０であり、２次高調波
成分に対してはM2の位置にあるきで、通過損失は22dBあ
り、全反射の状態にある。
分に対する直列接続部分の状態はM1の位置にあるので、
リターン・ロスが約 23dB で開放状態にある。また、２
次高調波成分に対してはM2の位置にあるので、リターン
・ロスは０dBとなり、全反射の状態にある。また、S21
(入力波と出力波の比) で見ると、基本波成分に対して
はM1の位置にあるので通過損失は０であり、２次高調波
成分に対してはM2の位置にあるきで、通過損失は22dBあ
り、全反射の状態にある。
【００３２】これにより、直列接続部分２は、基本波成
分に対しては開放状態、２次高調波成分に対しては短絡
状態となるので、FET は F級動作を行い、出力及び効率
が向上する。
分に対しては開放状態、２次高調波成分に対しては短絡
状態となるので、FET は F級動作を行い、出力及び効率
が向上する。
【００３３】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に本発明によれ
ば、電力増幅器の高出力、高効率小型化を図ることがで
きると云う効果がある。
ば、電力増幅器の高出力、高効率小型化を図ることがで
きると云う効果がある。
【図１】本発明の原理構成図である。
【図２】第１，第２の本発明の実施例の要部構成図であ
る。
る。
【図３】図２の実装説明図である。
【図４】第３の本発明の実装説明図である。
【図５】図２中の直列接続部分のシミュレーション説明
図で、(a) はスミスチャートを用いた説明図、(b) はパ
ラメータS11 とS21 を用いた説明図である。
図で、(a) はスミスチャートを用いた説明図、(b) はパ
ラメータS11 とS21 を用いた説明図である。
【図６】図５のシミュレーション条件説明図である。
【図７】従来例の要部構成図である。
【図８】図７中の直列接続部分のシミュレーション説明
図で、(a) はスミスチャートを用いた説明図、(b) はパ
ラメータS11 とS21 を用いた説明図である。
図で、(a) はスミスチャートを用いた説明図、(b) はパ
ラメータS11 とS21 を用いた説明図である。
【図９】図８のシミュレーション条件説明図である。
【図10】課題説明図で、(a) は積層セラミックコンデン
サ実装説明図、(b) は積層セラミックコンデンサの等価
回路図である。
サ実装説明図、(b) は積層セラミックコンデンサの等価
回路図である。
１ 増幅部分 ２，２´ 直列接続部分
Claims (4)
- 【請求項１】 波長λの入力信号を増幅し、該入力信号
の基本波成分および高調波成分に対して整合を取って送
出する増幅部分(1) を有する電力増幅において、 約ｎλ／４（ｎは正の整数）の線路の一端と、並列接続
した複数個の集中定数素子のコンデンサの他端とを接続
して直列接続部分(2) を形成し、該線路の他端を増幅部
分の出力側に、該コンデンサの一端を接地導体に接続す
る構成にしたことを特徴とする電力増幅器。 - 【請求項２】 上記接地導体を複数個に分割し、それぞ
れのコンデンサを対応する接地導体部分に接続する構成
にした請求項１の電力増幅器。 - 【請求項３】 上記直列接続部分を、高調波成分毎に分
割して設ける構成にした請求項１の電力増幅器。 - 【請求項４】 該線路を高インピーダンス線路で構成し
た請求項１の電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25422893A JPH07111426A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25422893A JPH07111426A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111426A true JPH07111426A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17262046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25422893A Withdrawn JPH07111426A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111426A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171650A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Fujitsu Ltd | バイアス回路 |
| CN106817086A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-06-09 | 江苏博普电子科技有限责任公司 | 一种用于微波功率放大电路的供电臂 |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP25422893A patent/JPH07111426A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171650A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Fujitsu Ltd | バイアス回路 |
| CN106817086A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-06-09 | 江苏博普电子科技有限责任公司 | 一种用于微波功率放大电路的供电臂 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001226 |