JP2010157670A - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1の半導体基板に接合する第2の半導体基板の二つの面のうち一方の面の表面外周径が、互いに対応するアライメントマークを重ね合わせたときに第1の半導体基板の最大外周径以下になるように、第2の半導体基板を整形する整形段階と、第2の半導体基板の一方の面が第1の半導体基板の表面に接するように、第2の半導体基板と第1の半導体基板とを互いに接合する接合段階と、第2の半導体基板を厚さ方向に研削することにより第2の半導体基板を薄化する薄化段階とを備える。
【選択図】図1
Description
図8は、第1の実施例を示すフロー図と各工程におけるウエハの概略図である。概略図においてウエハAは接合される側の第1の半導体基板を表し、ウエハBは接合する側の第2の半導体基板を表す。また点線により囲まれた領域は薄化工程において、研磨により除去された部分を表す。
図9は、第2の実施例を示すフロー図と各工程におけるウエハの概略図である。概略図においてウエハAは接合される側の第1の半導体基板を表し、ウエハBは接合する側の第2の半導体基板を表す。また点線により囲まれた領域は薄化工程において、研磨により除去された部分を表す。
図10は、第3の実施例を示すフロー図と各工程におけるウエハの概略図である。概略図においてウエハAは接合される側の第1の半導体基板を表し、ウエハBは接合する側の第2の半導体基板を表す。また点線により囲まれた領域は薄化工程において、研磨により除去された部分を表す。
図11は、第4の実施例を示すフロー図と各工程におけるウエハの概略図である。概略図においてウエハAは接合される側の第1の半導体基板を表し、ウエハBは接合する側の第2の半導体基板を表す。また点線により囲まれた領域は薄化工程において、研磨により除去された部分を表す。
図12は、第5の実施例を示すフロー図と各工程におけるウエハの概略図である。概略図においてウエハAは接合される側の第1の半導体基板を表し、ウエハBは接合する側の第2の半導体基板を表す。また点線により囲まれた領域は薄化工程において、研磨により除去された部分を表す。
図13は、第6の実施例を示すフロー図と各工程におけるウエハの概略図である。概略図においてウエハAは接合される側の第1の半導体基板を表し、ウエハBは接合する側の第2の半導体基板を表す。また点線により囲まれた領域は薄化工程において、研磨により除去された部分を表す。
400 接合装置、401 ゲートバルブ、444 枠体、446 押圧部、448 加圧ステージ、450 受圧ステージ、452 圧力検知部、454 天板、456 底板、458 支柱、460 シリンダ、462 ピストン、466 支持部、467 アクチュエータ、468 基板保持部、470 ヒータ、472 基板接触部、474 懸架部、476 ヒータ、478、480、482 ロードセル、500 研磨装置、501 ゲートバルブ、502 支持フレーム、503 基台、504 テーブル支持部、505 回転定盤、506 第1ステージ、507 垂直フレーム、508 第2ステージ、509 水平フレーム、510 第3ステージ、511 回転軸、516 スピンドル、517 エアシリンダ、520 研磨ヘッド、521 研磨パッド、600 トリミング装置、601 ゲートバルブ、602 支持フレーム、603 基台、604 テーブル支持部、605 回転定盤、606 第1ステージ、607 垂直フレーム、608 第2ステージ、609 水平フレーム、610 第3ステージ、611 回転軸、616 ブレードホルダ、617 エアシリンダ、620 研削ブレード、630 顕微鏡
Claims (10)
- 複数の半導体基板を接合して積層された半導体装置の製造方法であって、
第1の半導体基板に接合される第2の半導体基板の二つの面のうち一方の面の表面外周径が、互いに対応するアライメントマークを重ね合わせたときに前記第1の半導体基板の最大外周径以下になるように、前記第2の半導体基板を整形する第1の整形段階と、
前記第2の半導体基板の前記一方の面が前記第1の半導体基板の表面に接するように、前記第2の半導体基板と前記第1の半導体基板とを互いに接合する接合段階と、
前記第2の半導体基板を厚さ方向に研削することにより前記第2の半導体基板を薄化する薄化段階と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記第1の整形段階では、前記第2の半導体基板の断面が凸形状となるように整形することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄化段階は、前記接合段階に先立って実行される請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接合段階は、前記第1の整形段階に先立って実行される請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の半導体基板の二つの面のうち、前記第2の半導体基板の表面に接する一方の面の表面外周径が小さくなるように、前記接合段階に先立って前記第1の半導体基板を整形する第2の整形段階を更に備える請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の整形段階は、前記第2の整形段階において整形された前記第1の半導体基板の表面外周径と等しくなるように前記第2の半導体基板の表面外周を整形することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の整形段階は、前記第2の半導体基板のアライメントマークに対する前記第2の半導体基板の表面外周の位置関係が、前記第1の半導体基板のアライメントマークに対する前記第1の半導体基板の表面外周の位置関係と等しくなるように、前記第2の半導体基板の表面外周を整形する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の整形段階は、前記第1の半導体基板を製造する第1の装置において設定される前記第1の半導体基板のアライメントマークと、前記第2の半導体基板を製造する第2の装置において設定される前記第2の半導体基板のアライメントマークとの相対的な位置ずれ量に基づいて、前記第2の半導体基板の表面外周を整形する請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の半導体基板は、すでに複数の半導体基板が積層された基板群であって、かつ前記複数の半導体基板のうち前記第2の半導体基板と接する面とは反対の面を構成する半導体基板が最大の外周径を有する基板群である請求項1ないし8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の半導体基板を接合して積層された半導体装置を製造する製造装置であって、
第1の半導体基板に接合される第2の半導体基板の二つの面のうち一方の面の表面外周径が、互いに対応するアライメントマークを重ね合わせたときに前記第1の半導体基板の最大外周径以下になるように、前記第2の半導体基板を整形する第1の整形部と、
前記第2の半導体基板の前記一方の面が前記第1の半導体基板の表面に接するように、前記第2の半導体基板と前記第1の半導体基板とを互いに接合する接合部と、
前記第2の半導体基板を厚さ方向に研削することにより前記第2の半導体基板を薄化する薄化部と、
を備える製造装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161863A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2016004795A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | 貼り合わせウェーハ形成方法 |
JP2016096295A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 株式会社ディスコ | 2層構造ウェーハの加工方法 |
JP2017112226A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社ディスコ | 積層基板の加工方法 |
WO2019193886A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
US10468400B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-11-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate structure |
JP2021086864A (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0485827A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH097908A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH09246506A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | Soi基板の製造方法 |
JP2001345435A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ |
JP2003249425A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Toray Eng Co Ltd | 実装方法および装置 |
-
2009
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0485827A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH097908A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH09246506A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-19 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | Soi基板の製造方法 |
JP2001345435A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ |
JP2003249425A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Toray Eng Co Ltd | 実装方法および装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161863A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2016004795A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | 貼り合わせウェーハ形成方法 |
JP2016096295A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 株式会社ディスコ | 2層構造ウェーハの加工方法 |
JP2017112226A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 株式会社ディスコ | 積層基板の加工方法 |
US10468400B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-11-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing substrate structure |
WO2019193886A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
JP2021086864A (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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