JPH09246506A - Ｓｏｉ基板の製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板の製造方法Info
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- JPH09246506A JPH09246506A JP7950996A JP7950996A JPH09246506A JP H09246506 A JPH09246506 A JP H09246506A JP 7950996 A JP7950996 A JP 7950996A JP 7950996 A JP7950996 A JP 7950996A JP H09246506 A JPH09246506 A JP H09246506A
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 支持基板用ウェーハの面取り部の形状を変更
することなくＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の面取
り面の形状を任意の形状に形成可能とする。 【解決手段】 活性層用シリコンウェーハＡ（鏡面ウェ
ーハ）表面に熱酸化膜ＳｉＯ2を形成する。これと同一
口径の支持基板用シリコンウェーハＢ（鏡面ウェーハ）
を準備する。ウェーハ同士を室温で重ね合わせ、張り合
わせ熱処理を行う。張り合わせ基板の活性層用ウェーハ
周縁部に面取りを施す。面取り量を調節して活性層用ウ
ェーハのシリコン層を５μｍだけ周縁部に残す。残った
シリコン層をエッチングし、絶縁膜を露出させる。活性
層用ウェーハを研削し、研磨する。１０μｍの活性層が
支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたＳＯ
Ｉ基板を得る。発塵をなくすことができる。支持基板側
部分にＭＯＳ用、バイポーラ用のウェーハを用いてＳＯ
Ｉ基板を作製できる。
することなくＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の面取
り面の形状を任意の形状に形成可能とする。 【解決手段】 活性層用シリコンウェーハＡ（鏡面ウェ
ーハ）表面に熱酸化膜ＳｉＯ2を形成する。これと同一
口径の支持基板用シリコンウェーハＢ（鏡面ウェーハ）
を準備する。ウェーハ同士を室温で重ね合わせ、張り合
わせ熱処理を行う。張り合わせ基板の活性層用ウェーハ
周縁部に面取りを施す。面取り量を調節して活性層用ウ
ェーハのシリコン層を５μｍだけ周縁部に残す。残った
シリコン層をエッチングし、絶縁膜を露出させる。活性
層用ウェーハを研削し、研磨する。１０μｍの活性層が
支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたＳＯ
Ｉ基板を得る。発塵をなくすことができる。支持基板側
部分にＭＯＳ用、バイポーラ用のウェーハを用いてＳＯ
Ｉ基板を作製できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はＳＯＩ（Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の製造方法、
例えば周縁の面取り部に支持基板用ウェーハの酸化膜を
残したＳＯＩ基板の製造方法に関する。
ｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の製造方法、
例えば周縁の面取り部に支持基板用ウェーハの酸化膜を
残したＳＯＩ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ基板の作製方法としては、絶縁膜
を挟んでシリコンウェーハ同士を室温で重ね合わせ、活
性層用ウェーハ表面をエッチング・研磨する方法があ
る。このようなＳＯＩ基板の作製方法としては、従来よ
り、例えば特開平５−６２９５１号公報に記載された方
法が知られている。図４に示すように、この方法によれ
ば、活性層用シリコンウェーハを支持基板用シリコンウ
ェーハと室温で張り合わせ、熱処理する。そして、この
ＳＯＩ基板の活性層用ウェーハの周縁部を面取りし、こ
の面取り面をエッチングしていた。
を挟んでシリコンウェーハ同士を室温で重ね合わせ、活
性層用ウェーハ表面をエッチング・研磨する方法があ
る。このようなＳＯＩ基板の作製方法としては、従来よ
り、例えば特開平５−６２９５１号公報に記載された方
法が知られている。図４に示すように、この方法によれ
ば、活性層用シリコンウェーハを支持基板用シリコンウ
ェーハと室温で張り合わせ、熱処理する。そして、この
ＳＯＩ基板の活性層用ウェーハの周縁部を面取りし、こ
の面取り面をエッチングしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この張り合
わせ後の面取りは支持基板用ウェーハに対してまで行っ
ていたため、以下の不具合が生じていた。すなわち、こ
の支持基板側面取り面からの発塵を防ぐため、面取り面
にエッチングを施す必要があった。これらの結果、支持
基板用ウェーハの周縁部の形状が特殊な形状に変形され
ていた。この支持基板用ウェーハの面取り形状を自由に
形成することができなかった。
わせ後の面取りは支持基板用ウェーハに対してまで行っ
ていたため、以下の不具合が生じていた。すなわち、こ
の支持基板側面取り面からの発塵を防ぐため、面取り面
にエッチングを施す必要があった。これらの結果、支持
基板用ウェーハの周縁部の形状が特殊な形状に変形され
ていた。この支持基板用ウェーハの面取り形状を自由に
形成することができなかった。
【０００４】
【発明の目的】そこで、この発明は、支持基板用ウェー
ハの面取り部の形状を変更することなくＳＯＩ基板を作
製することをその目的としている。また、この発明は、
ＳＯＩ基板の面取り面の形状を任意の形状に形成可能と
することを、その目的としている。
ハの面取り部の形状を変更することなくＳＯＩ基板を作
製することをその目的としている。また、この発明は、
ＳＯＩ基板の面取り面の形状を任意の形状に形成可能と
することを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとの間に絶
縁膜を介在させたＳＯＩ基板の製造方法において、活性
層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを張り合わせた
後、活性層用ウェーハの周縁部を面取りしてこの周縁部
に所定厚さの活性層用ウェーハを残す工程と、この周縁
部に残った活性層用ウェーハをエッチングして絶縁膜を
露出させる工程と、活性層用ウェーハの表面部分を研削
する工程と、この研削面を研磨する工程とを含むＳＯＩ
基板の製造方法である。
は、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとの間に絶
縁膜を介在させたＳＯＩ基板の製造方法において、活性
層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを張り合わせた
後、活性層用ウェーハの周縁部を面取りしてこの周縁部
に所定厚さの活性層用ウェーハを残す工程と、この周縁
部に残った活性層用ウェーハをエッチングして絶縁膜を
露出させる工程と、活性層用ウェーハの表面部分を研削
する工程と、この研削面を研磨する工程とを含むＳＯＩ
基板の製造方法である。
【０００６】請求項２に記載の発明は、活性層用ウェー
ハの一方の面側の周縁部を面取りする工程と、この活性
層用ウェーハの一方の面を研磨する工程と、この研磨面
を支持基板用ウェーハの絶縁膜に重ね合わせることによ
り、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合
わせる工程と、活性層用ウェーハの表面側部分を研削す
る工程と、この研削面を研磨する工程とを備えたＳＯＩ
基板の製造方法である。
ハの一方の面側の周縁部を面取りする工程と、この活性
層用ウェーハの一方の面を研磨する工程と、この研磨面
を支持基板用ウェーハの絶縁膜に重ね合わせることによ
り、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合
わせる工程と、活性層用ウェーハの表面側部分を研削す
る工程と、この研削面を研磨する工程とを備えたＳＯＩ
基板の製造方法である。
【０００７】請求項３に記載の発明は、活性層用ウェー
ハの一方の面側の周縁部を面取りする工程と、この活性
層用ウェーハの一方の面を研磨する工程と、この研磨面
を支持基板用ウェーハの絶縁膜に重ね合わせることによ
り、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合
わせる工程と、張り合わせられた活性層用ウェーハの表
面側の周縁部を面取りする工程と、活性層用ウェーハの
表面側部分を研削する工程と、この研削面を研磨する工
程とを備えたＳＯＩ基板の製造方法である。
ハの一方の面側の周縁部を面取りする工程と、この活性
層用ウェーハの一方の面を研磨する工程と、この研磨面
を支持基板用ウェーハの絶縁膜に重ね合わせることによ
り、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合
わせる工程と、張り合わせられた活性層用ウェーハの表
面側の周縁部を面取りする工程と、活性層用ウェーハの
表面側部分を研削する工程と、この研削面を研磨する工
程とを備えたＳＯＩ基板の製造方法である。
【０００８】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、支持基板用ウ
ェーハに活性層用ウェーハを張り合わせた後、活性層用
ウェーハの周縁部を面取りする。この場合、面取り量を
調節してシリコン層を所定厚さだけこの周縁部に残す。
そして、この周縁部に残ったシリコン層をエッチングに
より除去し、絶縁膜を露出させる。このエッチングでは
シリコンを選択的にエッチングするものとする。次に、
この活性層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し、さ
らに、研磨する。この結果、所定厚さの活性層が支持基
板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたＳＯＩ基板
を得ることができる。
ェーハに活性層用ウェーハを張り合わせた後、活性層用
ウェーハの周縁部を面取りする。この場合、面取り量を
調節してシリコン層を所定厚さだけこの周縁部に残す。
そして、この周縁部に残ったシリコン層をエッチングに
より除去し、絶縁膜を露出させる。このエッチングでは
シリコンを選択的にエッチングするものとする。次に、
この活性層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し、さ
らに、研磨する。この結果、所定厚さの活性層が支持基
板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたＳＯＩ基板
を得ることができる。
【０００９】請求項２に記載の発明によれば、まず、活
性層用ウェーハの一方の面側の周縁部を面取りする。次
に、この活性層用ウェーハの一方の面を研磨する。この
研磨面が重ね合わせ面となる。また、支持基板用ウェー
ハには絶縁膜を被着・形成しておく。そして、この研磨
面を支持基板用ウェーハの絶縁膜に重ね合わせ、所定の
熱処理を行うことにより、支持基板用ウェーハと活性層
用ウェーハとを張り合わせる。そして、この張り合わせ
基板にあって活性層用ウェーハの表面側部分を研削す
る。次に、この研削面を研磨することにより、所望のＳ
ＯＩ基板を得る。
性層用ウェーハの一方の面側の周縁部を面取りする。次
に、この活性層用ウェーハの一方の面を研磨する。この
研磨面が重ね合わせ面となる。また、支持基板用ウェー
ハには絶縁膜を被着・形成しておく。そして、この研磨
面を支持基板用ウェーハの絶縁膜に重ね合わせ、所定の
熱処理を行うことにより、支持基板用ウェーハと活性層
用ウェーハとを張り合わせる。そして、この張り合わせ
基板にあって活性層用ウェーハの表面側部分を研削す
る。次に、この研削面を研磨することにより、所望のＳ
ＯＩ基板を得る。
【００１０】請求項３に記載の発明によれば、支持基板
用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合わせた後、こ
の張り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面側部分の周
縁部を面取りする。そして、この表面側部分を研削す
る。この結果、研削時に活性層用ウェーハに割れや欠け
が生じることがない。さらに、この研削面を研磨してＳ
ＯＩ基板が作製される。なお、この場合の活性層厚さは
例えば１０μｍ程度とする。
用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合わせた後、こ
の張り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面側部分の周
縁部を面取りする。そして、この表面側部分を研削す
る。この結果、研削時に活性層用ウェーハに割れや欠け
が生じることがない。さらに、この研削面を研磨してＳ
ＯＩ基板が作製される。なお、この場合の活性層厚さは
例えば１０μｍ程度とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例を図面
を参照して説明する。図１はこの発明の一実施例を示し
ている。この実施例によれば、活性層用のシリコンウェ
ーハＡ（鏡面研磨ウェーハ）の表面に予め熱酸化膜Ｓｉ
Ｏ2を形成しておく。また、このシリコンウェーハＡと
同一口径の支持基板用のシリコンウェーハＢ（鏡面研磨
ウェーハ）を準備しておく。そして、これらのウェーハ
同士を室温で重ね合わせた後、所定の張り合わせ熱処理
を行う（例えば１１００℃，２時間）。この結果、支持
基板用ウェーハに活性層用ウェーハが酸化膜を介して張
り合わされることとなる。また、張り合わせ熱処理によ
り、この張り合わせ基板の支持基板側の表面にも酸化膜
が被着されることとなる。
を参照して説明する。図１はこの発明の一実施例を示し
ている。この実施例によれば、活性層用のシリコンウェ
ーハＡ（鏡面研磨ウェーハ）の表面に予め熱酸化膜Ｓｉ
Ｏ2を形成しておく。また、このシリコンウェーハＡと
同一口径の支持基板用のシリコンウェーハＢ（鏡面研磨
ウェーハ）を準備しておく。そして、これらのウェーハ
同士を室温で重ね合わせた後、所定の張り合わせ熱処理
を行う（例えば１１００℃，２時間）。この結果、支持
基板用ウェーハに活性層用ウェーハが酸化膜を介して張
り合わされることとなる。また、張り合わせ熱処理によ
り、この張り合わせ基板の支持基板側の表面にも酸化膜
が被着されることとなる。
【００１２】ここで、この張り合わせ基板についてその
活性層用ウェーハの周縁部に所定の面取りを施す。この
場合、面取り量を調節して活性層用ウェーハのシリコン
層を所定厚さ（例えば５μｍ）だけこの周縁部に残す。
そして、この周縁部に残ったシリコン層をエッチング
し、この部分に絶縁膜を露出させる。このエッチャント
はシリコンのみを選択的にエッチングするもの（例えば
ＫＯＨ系のエッチング液）を使用する。次に、この活性
層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し、さらに、研
磨する。この結果、所定厚さ（例えば１０μｍ）の活性
層が支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設された
ＳＯＩ基板を得ることができる。
活性層用ウェーハの周縁部に所定の面取りを施す。この
場合、面取り量を調節して活性層用ウェーハのシリコン
層を所定厚さ（例えば５μｍ）だけこの周縁部に残す。
そして、この周縁部に残ったシリコン層をエッチング
し、この部分に絶縁膜を露出させる。このエッチャント
はシリコンのみを選択的にエッチングするもの（例えば
ＫＯＨ系のエッチング液）を使用する。次に、この活性
層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し、さらに、研
磨する。この結果、所定厚さ（例えば１０μｍ）の活性
層が支持基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設された
ＳＯＩ基板を得ることができる。
【００１３】図２はこの発明の他の実施例を示してい
る。この実施例によれば、支持基板用のシリコンウェー
ハＢ（鏡面ウェーハ）に予め所定厚さの熱酸化膜ＳｉＯ
2を形成しておく。また、同一口径の活性層用のシリコ
ンウェーハＡ（鏡面ウェーハ）を準備しておく。そし
て、これらのウェーハ同士を室温で重ね合わせた後、１
１００℃，２時間のアニールを施す。この結果、支持基
板用ウェーハに活性層用ウェーハが酸化膜を介して張り
合わされる。また、張り合わせ熱処理により、張り合わ
せ基板の表面（活性層用ウェーハの表面）にも熱酸化膜
が被着される。
る。この実施例によれば、支持基板用のシリコンウェー
ハＢ（鏡面ウェーハ）に予め所定厚さの熱酸化膜ＳｉＯ
2を形成しておく。また、同一口径の活性層用のシリコ
ンウェーハＡ（鏡面ウェーハ）を準備しておく。そし
て、これらのウェーハ同士を室温で重ね合わせた後、１
１００℃，２時間のアニールを施す。この結果、支持基
板用ウェーハに活性層用ウェーハが酸化膜を介して張り
合わされる。また、張り合わせ熱処理により、張り合わ
せ基板の表面（活性層用ウェーハの表面）にも熱酸化膜
が被着される。
【００１４】ここで、この張り合わせ基板についてその
活性層用ウェーハの周縁部に所定の面取りを施す。この
場合、面取り量を調節して活性層用ウェーハのシリコン
層を所定厚さ（例えば５μｍ）だけこの周縁部に残す。
そして、この周縁部に残ったシリコン層をエッチング
し、この部分に絶縁膜を露出させる。このエッチャント
としてはＫＯＨ系のエッチング液を使用する。次に、こ
の活性層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し、さら
に、鏡面研磨する。この結果、所定厚さの活性層が支持
基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたＳＯＩ基
板を得ることができる。なお、活性層用のシリコンウェ
ーハ、支持基板用のシリコンウェーハのいずれにも酸化
膜を形成しておき張り合わせることもできる。
活性層用ウェーハの周縁部に所定の面取りを施す。この
場合、面取り量を調節して活性層用ウェーハのシリコン
層を所定厚さ（例えば５μｍ）だけこの周縁部に残す。
そして、この周縁部に残ったシリコン層をエッチング
し、この部分に絶縁膜を露出させる。このエッチャント
としてはＫＯＨ系のエッチング液を使用する。次に、こ
の活性層用ウェーハを所定厚さになるまで研削し、さら
に、鏡面研磨する。この結果、所定厚さの活性層が支持
基板用ウェーハ上に絶縁膜を介して配設されたＳＯＩ基
板を得ることができる。なお、活性層用のシリコンウェ
ーハ、支持基板用のシリコンウェーハのいずれにも酸化
膜を形成しておき張り合わせることもできる。
【００１５】図３には、この発明のさらに他の実施例を
示している。この実施例では、まず、エッチング後のシ
リコンウェーハを用い、この活性層用ウェーハＡの一方
の面側の周縁部を面取りする。例えば５０〜２００μｍ
の面取りを行い、シリコンウェーハＡの中央部側に所定
径の部分を残しておく。次に、この活性層用ウェーハＡ
の一方の面（面取りした側の面）を鏡面研磨する。この
研磨面が重ね合わせ面となる。また、同一口径の支持基
板用ウェーハＢには絶縁膜を被着・形成しておく。そし
て、この研磨面を支持基板用ウェーハＢの絶縁膜上に重
ね合わせ、上記所定の熱処理を行うことにより、支持基
板用ウェーハＢと活性層用ウェーハＡとを張り合わせ
る。次に、この張り合わせ基板にあって、その活性層用
ウェーハ側の周縁部に所定の面取りを施す。この面取り
はオーバーハング部分をなくして研削を容易に行うため
である。さらに、この張り合わせ基板にあって活性層用
ウェーハの表面側部分を研削する。また、この研削面を
研磨することにより、所望のＳＯＩ基板を得る。
示している。この実施例では、まず、エッチング後のシ
リコンウェーハを用い、この活性層用ウェーハＡの一方
の面側の周縁部を面取りする。例えば５０〜２００μｍ
の面取りを行い、シリコンウェーハＡの中央部側に所定
径の部分を残しておく。次に、この活性層用ウェーハＡ
の一方の面（面取りした側の面）を鏡面研磨する。この
研磨面が重ね合わせ面となる。また、同一口径の支持基
板用ウェーハＢには絶縁膜を被着・形成しておく。そし
て、この研磨面を支持基板用ウェーハＢの絶縁膜上に重
ね合わせ、上記所定の熱処理を行うことにより、支持基
板用ウェーハＢと活性層用ウェーハＡとを張り合わせ
る。次に、この張り合わせ基板にあって、その活性層用
ウェーハ側の周縁部に所定の面取りを施す。この面取り
はオーバーハング部分をなくして研削を容易に行うため
である。さらに、この張り合わせ基板にあって活性層用
ウェーハの表面側部分を研削する。また、この研削面を
研磨することにより、所望のＳＯＩ基板を得る。
【００１６】
【発明の効果】この発明によれば、ＳＯＩ基板にあって
その支持基板側からの発塵をなくすことができる。ま
た、その支持基板側ウェーハの形状を変更する必要がな
い。また、支持基板側の面取り形状を任意の形状に形成
することができる。例えば支持基板用ウェーハ部分にＭ
ＯＳ用、バイポーラ用のウェーハを用いてＳＯＩ基板を
作製することができる。
その支持基板側からの発塵をなくすことができる。ま
た、その支持基板側ウェーハの形状を変更する必要がな
い。また、支持基板側の面取り形状を任意の形状に形成
することができる。例えば支持基板用ウェーハ部分にＭ
ＯＳ用、バイポーラ用のウェーハを用いてＳＯＩ基板を
作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係るＳＯＩ基板の製造方
法を示すフローチャートである。
法を示すフローチャートである。
【図２】この発明の他の実施例に係るＳＯＩ基板の製造
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図３】この発明の他の実施例に係るＳＯＩ基板の製造
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図４】従来のＳＯＩ基板の製造方法を示すフローチャ
ートである。
ートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小松 圭 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハ
との間に絶縁膜を介在させたＳＯＩ基板の製造方法にお
いて、 活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを張り合わせ
た後、活性層用ウェーハの周縁部を面取りしてこの周縁
部に所定厚さの活性層用ウェーハを残す工程と、 この周縁部に残った活性層用ウェーハをエッチングして
絶縁膜を露出させる工程と、 活性層用ウェーハの表面部分を研削する工程と、 この研削面を研磨する工程とを含むＳＯＩ基板の製造方
法。 - 【請求項２】 活性層用ウェーハの一方の面側の周縁部
を面取りする工程と、 この活性層用ウェーハの一方の面を研磨する工程と、 この研磨面を支持基板用ウェーハの絶縁膜に重ね合わせ
ることにより、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハ
とを張り合わせる工程と、 活性層用ウェーハの表面側部分を研削する工程と、 この研削面を研磨する工程とを備えたＳＯＩ基板の製造
方法。 - 【請求項３】 活性層用ウェーハの一方の面側の周縁部
を面取りする工程と、 この活性層用ウェーハの一方の面を研磨する工程と、 この研磨面を支持基板用ウェーハの絶縁膜に重ね合わせ
ることにより、支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハ
とを張り合わせる工程と、 張り合わせられた活性層用ウェーハの表面側の周縁部を
面取りする工程と、 活性層用ウェーハの表面側部分を研削する工程と、 この研削面を研磨する工程とを備えたＳＯＩ基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07950996A JP3480480B2 (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07950996A JP3480480B2 (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246506A true JPH09246506A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3480480B2 JP3480480B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=13691930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07950996A Expired - Fee Related JP3480480B2 (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3480480B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1126336A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-01-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 |
| EP0964436A2 (en) * | 1998-06-04 | 1999-12-15 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for manufacturing SOI wafer and SOI wafer |
| JP2001345435A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ |
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| KR100701342B1 (ko) * | 1999-07-15 | 2007-03-29 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 웨이퍼의 제조방법 및 접합 웨이퍼 |
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| JP2018182144A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 株式会社Sumco | 多層膜ｓｏｉウェーハの製造方法および多層膜ｓｏｉウェーハ |
| CN110060959A (zh) * | 2018-01-18 | 2019-07-26 | 胜高股份有限公司 | 贴合晶片的制造方法 |
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