JP2010141221A - 酸化膜付きシリコン基板の製造方法 - Google Patents
酸化膜付きシリコン基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010141221A JP2010141221A JP2008317847A JP2008317847A JP2010141221A JP 2010141221 A JP2010141221 A JP 2010141221A JP 2008317847 A JP2008317847 A JP 2008317847A JP 2008317847 A JP2008317847 A JP 2008317847A JP 2010141221 A JP2010141221 A JP 2010141221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- oxide film
- holder
- groove
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】エッジ面取り加工が施されたシリコン基板を、少なくとも対向する側板と、該側板間に連結される溝を有する複数の支持棒とを具備するホルダに保持して、酸化性雰囲気下で熱処理することで表面に酸化膜を形成する酸化膜付きシリコン基板の製造方法において、前記シリコン基板の保持は、前記ホルダに具備された前記支持棒の溝と、前記シリコン基板の最外周端部及び面取り加工部の少なくとも一方とを接触させることのみで為すことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
【選択図】図3
Description
このように、本発明では、支持棒の溝の深さhをシリコン基板の面取り加工部の長さWより小さくすることで、シリコン基板の最外周端部から面取り加工部のみがホルダに具備された支持棒の溝と接触し、鏡面加工部(シリコン基板の主面)はホルダと接触しない状態でシリコン基板を保持できる。そのため、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。
このように、本発明では、支持棒の溝の深さhをシリコン基板の面取り加工部の長さWより大きくし、且つ溝の開角αを面取り面の成す角より大きくすることで、シリコン基板の最外周端部から面取り加工部のみがホルダに具備された支持棒の溝と接触し、鏡面加工部はホルダと接触しない状態でシリコン基板を保持できる。そのため、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。
このように、本発明ではシリコン基板に形成する酸化膜の厚さが5μm以上と厚い場合であっても、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。そのため、従来の方法では、光導波路デバイスを作成する際に発生していた回路形成上の問題を解消した酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
このように、酸化性雰囲気が水蒸気を含むことで、例えば、酸化温度1000℃で厚さ15μmの酸化膜を製造する時間は150時間程度であり、効率良く酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。そのため、従来の方法では光導波路デバイスを作成する際に発生していた回路形成上の問題を解消した酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
前述したように、この厚い酸化膜を製造するときの問題点としては、酸化膜表面の品質があり、光導波路デバイスに用いると特性が劣化するという不具合が生じていた。
また、この凸部は、酸化膜が2μm程度の比較的薄い酸化膜を形成したときは、高さは0.05μm程度であり、この高さであればデバイスを作製する回路形成上問題が生じないことがわかった。
ここで、図1は本発明の熱処理装置の構成例を模式的に示す図である。
なお、基板の支持点は下側からの支持が1または2箇所、横側からは2箇所の支持、合計3から4箇所の支持が望ましい。
本発明では、シリコン基板に形成する酸化膜の厚さが5μm以上と厚い場合であっても、シリコン基板の鏡面加工面上に、シリコン基板を保持するホルダによるジグ跡のない酸化膜を形成することができる。そのため、従来の方法では、光導波路デバイスを作成する際、酸化膜表面にジグ跡として生じる凸部が影響し、発生していたパターン形成面における回路形成上の問題を解消することができる酸化膜付きシリコン基板を製造することができる。
(実施例1)
直径100mmのシリコン基板上に所定膜厚として10μmの酸化膜を形成した。このとき、シリコン基板の熱処理には、図1に示すような熱処理装置を用いた。この熱処理装置を用いた酸化膜の形成手順は、以下のとおりである。
実施例1と同様の手順で、図1に示すような熱処理装置を用いてシリコン基板を熱処理し、酸化膜を形成した。
このとき、シリコン基板1を保持するホルダ2に具備された支持棒11は、図4のような形状の溝を有しており、その溝の幅が1.0mmで、深さhを0.5mmに加工したものを用いた。また、使用したシリコン基板の直径は200mm、厚さは725μmで、エッジ面取り加工部の長さWは0.6mmであった。このシリコン基板を図4のような形状の溝を有する支持棒を具備したホルダによって、最外周部から面取り加工部のみを接触させて保持した。また、酸化条件は、実施例1と同様に高圧酸化条件として、ヒータ設定温度1000℃、炉心管内圧力5気圧で、70時間の酸化を行った。
実施例1と同様の手順で、従来の熱処理装置を用いてシリコン基板を熱処理し、酸化膜を形成した。
このとき、シリコン基板1を保持するホルダ2に具備された支持棒11は、図7のような形状の溝を有しており、その溝の幅が1.0mmで、深さhを2.0mmに加工したものを用いた。また、使用したシリコン基板の直径は200mm、厚さは725μmで、エッジ面取り加工部の長さWは0.6mmであった。このシリコン基板を図7のような形状の溝を有する支持棒を具備したホルダによって、最外周部から面取り加工部だけでなく、鏡面加工面も接触させて保持した。また、酸化条件は、実施例1と同様に高圧酸化条件として、ヒータ設定温度1000℃、炉心管内圧力5気圧で、70時間の酸化を行った。
尚、比較例のホルダに具備された支持棒の溝の深さは、実施例のものより深いため、ホルダの厚さAは実施例より薄くされる。
Claims (5)
- エッジ面取り加工が施されたシリコン基板を、少なくとも対向する側板と、該側板間に連結される溝を有する複数の支持棒とを具備するホルダに保持して、酸化性雰囲気下で熱処理することで表面に酸化膜を形成する酸化膜付きシリコン基板の製造方法において、前記シリコン基板の保持は、前記ホルダに具備された前記支持棒の溝と、前記シリコン基板の最外周端部及び面取り加工部の少なくとも一方とを接触させることのみで為すことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
- 前記シリコン基板を保持する前記ホルダに具備された前記支持棒の溝の深さhが、前記シリコン基板の面取り加工部の長さWより小さいことを特徴とする請求項1に記載の酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
- 前記シリコン基板を保持する前記ホルダに具備された前記支持棒の溝の深さhが、前記シリコン基板の面取り加工部の長さWより大きく、且つ前記溝の開角αが前記シリコン基板の面取り加工部の面取り面の成す角より大きいことを特徴とする請求項1に記載の酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
- 前記形成する酸化膜の厚さを5μm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
- 前記酸化性雰囲気が水蒸気を含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008317847A JP2010141221A (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 酸化膜付きシリコン基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008317847A JP2010141221A (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 酸化膜付きシリコン基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010141221A true JP2010141221A (ja) | 2010-06-24 |
Family
ID=42351075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008317847A Pending JP2010141221A (ja) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 酸化膜付きシリコン基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010141221A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014118631A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Kaneka Corp | 基板ホルダ及び太陽電池用基板の製造方法 |
CN111106049A (zh) * | 2019-12-21 | 2020-05-05 | 张忠恕 | 一种多层级立式石英舟及其加工工艺 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62134233U (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-24 | ||
JPS6430825U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 | ||
JPH01308043A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハのボート立替装置 |
JPH0233428U (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-02 | ||
JPH09139389A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-05-27 | F T L:Kk | 半導体デバイス製造用治具及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2002148162A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-22 | Seiko Instruments Inc | 薄片試料の固定方法とこの方法を用いた試料 |
JP2003192328A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-07-09 | Kst World Co Ltd | 二酸化シリコン膜の生成方法 |
JP2003309076A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの熱処理用ボート及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-12-15 JP JP2008317847A patent/JP2010141221A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62134233U (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-24 | ||
JPS6430825U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 | ||
JPH01308043A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハのボート立替装置 |
JPH0233428U (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-02 | ||
JPH09139389A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-05-27 | F T L:Kk | 半導体デバイス製造用治具及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2002148162A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-22 | Seiko Instruments Inc | 薄片試料の固定方法とこの方法を用いた試料 |
JP2003192328A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-07-09 | Kst World Co Ltd | 二酸化シリコン膜の生成方法 |
JP2003309076A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの熱処理用ボート及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014118631A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Kaneka Corp | 基板ホルダ及び太陽電池用基板の製造方法 |
CN111106049A (zh) * | 2019-12-21 | 2020-05-05 | 张忠恕 | 一种多层级立式石英舟及其加工工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI707971B (zh) | 複合退火以及選擇性沈積製程 | |
TWI751151B (zh) | 複合退火以及選擇性沈積製程 | |
JP5198106B2 (ja) | 成膜装置、及び成膜方法 | |
JP2019026500A (ja) | 単結晶SiCの製造方法、SiCインゴットの製造方法、SiCウエハの製造方法、及び単結晶SiC | |
JP2010141221A (ja) | 酸化膜付きシリコン基板の製造方法 | |
JP2008222509A (ja) | SiCエピタキシャル膜付き単結晶基板の製造方法 | |
JP2009064955A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2015056410A (ja) | SiC半導体装置の製造方法 | |
KR100588081B1 (ko) | 이산화실리콘 막의 생성방법 | |
JP5352156B2 (ja) | 熱処理装置 | |
CN108447772A (zh) | 一种coolmos用硅外延片的制造方法 | |
JP6141130B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2008053521A (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
CN104078385B (zh) | 硅部件及硅部件的制造方法 | |
US10767282B2 (en) | Method for manufacturing carbon nanostructure, and device for manufacturing carbon nanostructure | |
JP2009274899A (ja) | 炭化珪素エピタキシャル用基板の製造方法 | |
JP4603865B2 (ja) | 酸化膜付きシリコン基板の製造方法及び酸化膜付きシリコン基板 | |
KR102105367B1 (ko) | 열처리방법 | |
JP2010283153A (ja) | 半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材 | |
JP2014528895A (ja) | シリコン層を含む基板表面にグラフェン層を形成する方法 | |
US20150311110A1 (en) | Process for fabricating a semiconductor-on-insulator substrate | |
KR20090085330A (ko) | 웨이퍼 산화막 형성장치 | |
JP2010087019A (ja) | 半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置 | |
US20020118942A1 (en) | Method for producing an optical waveguide substrate and an optical waveguide substrate | |
JP2006216566A (ja) | ヒータ支持装置及び半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120328 |