JP2010129979A - Eeprom - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層には、第1不純物領域8、第2不純物領域9、第3不純物領域10、第4不純物領域11、第5不純物領域12および第6不純物領域13が形成されている。セレクトゲート15は、第1不純物領域8と第2不純物領域9との間の領域に、第1絶縁膜14を挟んで対向している。第1フローティングゲート16は、第2不純物領域9と第3不純物領域10との間の領域および第5不純物領域12に、第1絶縁膜14を挟んで対向している。第2フローティングゲート20は、第3不純物領域10と第4不純物領域11との間の領域および第6不純物領域13に、第1絶縁膜14を挟んで対向している。第5不純物領域12および第6不純物領域13は、第2不純物領域9と接続されている。
【選択図】図1
Description
2 半導体層
3 アクティブ領域
4 素子分離部
5 第1部分
6 第2部分
7 第3部分
8 第1不純物領域
9 第2不純物領域
10 第3不純物領域
11 第4不純物領域
12 第5不純物領域
13 第6不純物領域
14 第1絶縁膜
15 セレクトゲート
16 第1フローティングゲート
17 第2絶縁膜
18 第1コントロールゲート
19 第1トンネルウィンドウ
20 第2フローティングゲート
21 第3絶縁膜
22 第2コントロールゲート
23 第2トンネルウィンドウ
71 EEPROM
72 トンネルウィンドウ
Claims (5)
- 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層上に形成された第1絶縁膜と、
前記半導体層の表面に選択的に形成され、アクティブ領域を取り囲む素子分離部と、
前記アクティブ領域において、前記半導体層の表層部に形成された第2導電型の第1不純物領域と、
前記アクティブ領域において、前記半導体層の表層部に前記第1不純物領域と間隔を空けて形成された第2導電型の第2不純物領域と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間の領域に対向するセレクトゲートと、
前記アクティブ領域において、前記半導体層の表層部に前記第2不純物領域と間隔を空けて形成された第2導電型の第3不純物領域と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記第2不純物領域と前記第3不純物領域との間の領域に対向する第1フローティングゲートと、
前記第1フローティングゲート上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成された第1コントロールゲートと、
前記アクティブ領域において、前記半導体層の表層部に前記第3不純物領域と間隔を空けて形成された第2導電型の第4不純物領域と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記第3不純物領域と前記第4不純物領域との間の領域に対向する第2フローティングゲートと、
前記第2フローティングゲート上に形成された第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に形成された第2コントロールゲートと、
前記第1絶縁膜における前記第1フローティングゲートと接する部分の一部の厚さを小さくすることにより形成された第1トンネルウィンドウと、
前記半導体層の表層部における前記第1トンネルウィンドウと対向する部分に形成され、前記第2不純物領域に接続された第2導電型の第5不純物領域と、
前記第1絶縁膜における前記第2フローティングゲートと接する部分の一部の厚さを小さくすることにより形成された第2トンネルウィンドウと、
前記半導体層の表層部における前記第2トンネルウィンドウと対向する部分に形成され、前記第2不純物領域に接続された第2導電型の第6不純物領域とを含む、EEPROM。 - 前記第5不純物領域および前記第6不純物領域は、所定方向に隣接して一体をなし、
前記第6不純物領域は、前記第5不純物領域を介して前記第2不純物領域に接続されている、請求項1に記載のEEPROM。 - 前記第1不純物領域は、前記第2不純物領域に対して前記所定方向に対向し、
前記第2不純物領域は、前記所定方向と直交する方向に延び、
前記第3不純物領域は、前記第2不純物領域の前記所定方向と直交する方向の一端部に対して前記第1不純物領域側と反対側において前記所定方向に対向し、
前記第4不純物領域は、前記第3不純物領域に対して前記所定方向に対向し、
前記第5不純物領域は、前記第2不純物領域の前記一端部と反対側の他端部に対して前記第1不純物領域側と反対側から接続され、
前記セレクトゲート、前記第1フローティングゲートおよび前記第2フローティングゲートは、前記所定方向と直交する方向に延びている、請求項2に記載のEEPROM。 - 前記アクティブ領域は、所定方向に延びる第1部分と、前記第1部分に対して前記所定方向と直交する方向に間隔を空けて前記所定方向に延びる第2部分と、前記第1部分および前記第2部分の前記所定方向の各一端部間を接続する第3部分とを有し、
前記第1不純物領域および前記第2不純物領域は、前記第3部分に形成され、
前記第3不純物領域および前記第4不純物領域は、前記第1部分に形成され、
前記第5不純物領域および前記第6不純物領域は、前記第2部分に形成されている、請求項3に記載のEEPROM。 - 前記第1トンネルウィンドウおよび前記第2トンネルウィンドウは、前記所定方向に隣接して一体をなしている、請求項2〜4のいずれか一項に記載のEEPROM。
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