JP2010085956A - 電気光学装置、電子機器および投射型表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反射型の電気光学装置100において、第1方向Yで互いに隣り合う第1画素100a1および第2画素100a2において第1電界効果型トランジスタ301および第2電界効果型トランジスタ302を構成する第1半導体層1a1および第2半導体層1a2は、第2方向Xにずれて配置されている。このため、端部同士が並列する位置まで第1半導体層1a1および第2半導体層1a2を延長することができる。従って、画素ピッチを狭めても、電界効果型トランジスタ30のソース・ドレイン間電圧が低下するなどの問題が発生しない。
【選択図】図4
Description
(全体構成)
図1は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図1に示すように、電気光学装置100は、液晶パネルを有しており、液晶パネルは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画素配列領域10bを備えている。液晶パネルにおいて、後述する素子基板10には、画素配列領域10bの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素100aが構成されている。
図2(a)、(b)は各々、本発明を適用した電気光学装置100の液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。図2(a)、(b)に示すように、電気光学装置100の液晶パネル100pでは、所定の隙間を介して素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の縁に沿うように配置されている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、素子基板10の支持基板は透光性基板10dであり、対向基板20の支持基板も、同様な透光性基板20dである。
図3は、本発明を適用した電気光学装置100に用いた素子基板10において、マトリクス状に配置された画素の平面図である。図4(a)、(b)は各々、図3に示す複数の画素のうち、第1方向Y(データ線6aの延在方向)で互いに隣り合う2つの画素(第1画素および第2画素)を拡大して示す平面図、およびそのA−A′線に相当する位置で素子基板10を切断したときの断面図である。なお、図3および図4(a)において、画素電極9aについては長い点線で示し、データ線6aについては一点鎖線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは短くて細い点線で示してある。
本形態では、複数の画素100aの第1方向Y(データ線が延在している方向)の画素ピッチを圧縮することを目的に、第1方向Yで互いに隣り合う2つの画素100aでは、半導体層1a、電界効果型トランジスタ30、および画素電極9aが、以下の関係を有するようにレイアウトされている。なお、以下の説明において、第1方向Yで互いに隣り合う2つの画素100aのうち、一方の画素100aを第1画素100a1とし、他方の画素100aを第2画素100a2として説明する。また、第1画素100a1に属する主な構成要素については、「第1」とするとともに、符号の末尾に添え字「1」を付し、第2画素100a2に属する構成要素については、「第2」とするとともに、符号の末尾に添え字「2」を付して説明する。従って、第1画素100a1に属する半導体層1a、電界効果型トランジスタ30および画素電極9aについては各々、第1半導体層1a1、第1電界効果型トランジスタ301および第1画素電極9a1として説明する。また、第2画素100a2に属する半導体層1a、電界効果型トランジスタ30および画素電極9aについては各々、第2半導体層1a2、第2電界効果型トランジスタ302および第2画素電極9a2として説明する。なお、その他の構成要素についても、第1画素100a1に属する構成要素については符号の末尾に添え字「1」を付し、第2画素100a2に属する構成要素については、符号の末尾に添え字「2」を付して説明する。
以上説明したように、本形態の電気光学装置100では、第1方向Yで互いに隣り合う第1画素100a1および第2画素100a2において第1電界効果型トランジスタ301および第2電界効果型トランジスタ302を構成する第1半導体層1a1および第2半導体層1a2は、互いに第2方向Xにずれて配置されているため、第1半導体層1a1を第2画素100a2が設けられている領域まで延長し、第2半導体層1a2を第1画素100a1が設けられている領域まで延長することができる。すなわち、画素ピッチを狭めても、第1半導体層1a1および第2半導体層1a2の第1方向Yにおける寸法Lを第1画素100a1と第2画素100a2とのピッチ(画素ピッチP)に比して長くすることができる。従って、画素ピッチを狭めても、電界効果型トランジスタ30のソース・ドレイン間電圧が低下するなどの問題が発生しない。それ故、電界効果型トランジスタ30の特性を低下させることなく、画素ピッチを狭めることができ、画像の高精細化などを図ることができる。
上記実施の形態は、第1半導体層1a1および第2半導体層1a2がデータ線6aに平行に延在している構成例である。但し、第1半導体層1a1および第2半導体層1a2が第1方向Y(データ線6aの延在方向)に対して斜めに延在している構成を採用してもよい。
図1および図5に示す電気光学装置100のうち、図1に示す液晶装置は、図6(a)に示す投射型表示装置(液晶プロジェクタ/電子機器)に適用でき、図1および図5に示す液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置は、図6(b)、(c)に示す携帯用電子機器に用いることができる。
Claims (9)
- 第1方向に延在する第1信号線と、
前記第1方向と交差する第2方向に延在する第2信号線と、
第1電界効果型トランジスタを介して前記第1信号線に電気的に接続された第1画素電極と、
第2電界効果型トランジスタを介して前記第1信号線に電気的に接続され、かつ前記第1画素電極と隣り合う第2画素電極と、
を備えた電気光学装置であって、
前記第1電界効果型トランジスタは前記第2方向と交差する方向に延在する第1半導体層を備え、
前記第2電界効果型トランジスタは前記第2方向と交差する方向に延在する第2半導体層を備え、
前記第1半導体層と前記第2半導体層は、前記第2方向に互いにずれて設けられ、
前記第1半導体層の前記第2画素電極側の端部は、前記第2半導体層の前記第1画素電極側の端部と隣り合うか、もしくは前記第2半導体層の前記第1画素電極側の端部よりも前記第2画素電極側に設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第1半導体層の前記第1方向における寸法、および前記第2半導体層の前記第1方向における寸法は、前記第1画素電極と前記第2画素電極とのピッチに比して長いことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第1半導体層は、前記第1画素電極に平面視で重なる位置から前記第2画素電極に平面視で重なる位置まで延在し、
前記第2半導体層は、前記第2画素電極に平面視で重なる位置から前記第1画素電極に平面視で重なる位置まで延在していることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。 - 前記第1半導体層と前記第2半導体層とは、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間を中心とする点対称に配置され、
前記第1画素電極と前記第2画素電極とは、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間を中心とする点対称に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第1画素電極と前記第2画素電極とからなる画素電極対が前記第1方向および前記第2方向の双方に複数対、配列されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置。
- 前記素子基板に対して対向配置された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
を有することを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第1画素電極および前記第2画素電極は反射性導電膜からなることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項6または7に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、を備えていることを特徴とする投射型表示装置。
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