JP6939857B2 - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

プロジェクターのライトバルブとして用いられる液晶装置等の電気光学装置が知られている。特許文献１には、画素電極およびトランジスターが設けられた第１基板と、共通電極が設けられた第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層とを備える液晶装置が開示される。第１基板に設けられる配線等は、層間絶縁膜のコンタクトホールの壁面に沿って形成される部分を有する。

特開２０１７−１２０４３４号公報

近年、電気光学装置の高精細化のため、配線を微細化することが望まれる。しかし、微細化のためにコンタクトホールの幅を小さくすると、コンタクトホールの壁面に沿って配線を形成することが難しく、配線の耐電圧等の特性が低下してしまう。それゆえ、コンタクトホールの壁面に沿って形成される部分を有する配線等では、特性の低下を抑制しつつ微細化を図ることが難しいという問題があった。

本発明の電気光学装置の一態様は、基板と、前記基板に配置された画素電極と、前記画
素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学
層と、前記基板と前記画素電極との間に配置された絶縁層と、前記絶縁層と前記電気光学
層との間に配置され、前記絶縁層に接触する配線または電極である導電膜を含み、前記画
素電極に電気的に接続された容量と、前記絶縁層に設けられ、前記導電膜に接続される導
電部と、を有し、前記導電部は、前記導電膜を構成する材料とは異なる材料で構成され、
かつ前記絶縁層の厚さ方向からみて前記導電膜と重なり、前記導電部における前記導電膜
と接触する面は、前記絶縁層における前記導電膜と接触する面と前記厚さ方向における位
置が異なる部分を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１中のＡ−Ａ線断面図である。 素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 素子基板の一部を示す断面図である。 素子基板の一部を示す平面図である。 下部容量電極に接続されるコンタクト部を示す断面図である。 コンタクト部の製造方法について説明するための断面図である。 コンタクト部の製造方法について説明するための断面図である。 コンタクト部の製造方法について説明するための断面図である。 走査線に接続されるコンタクト部を示す断面図である。 第２実施形態における下部容量電極に接続されるコンタクト部を示す断面図である。 走査線に接続されるコンタクト部を示す断面図である。 第３実施形態における下部容量電極に接続されるコンタクト部を示す断面図である。 変形例におけるコンタクト部を示す断面図である。 変形例におけるコンタクト部を示す断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。

１Ａ．第１実施形態
１Ａ−１．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、透過型の液晶表示装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板４と、枠状のシール部材８と、液晶層９とを有する。素子基板２は「第１基板」の例示である。対向基板４は「第２基板」の例示である。液晶層９は「電気光学層」の例示である。シール部材８は、素子基板２と対向基板４との間に配置される。液晶層９は、素子基板２、対向基板４およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。素子基板２、液晶層９および対向基板４は、Ｚ軸に沿って並ぶ。対向基板４が有する後述の第２基体４１の表面がＸ−Ｙ平面に平行である。以下では、素子基板２の厚さ方向であるＺ１方向またはＺ２方向からみることを「平面視」と言う。

本実施形態の電気光学装置１００では、光は、例えば対向基板４に入射し、液晶層９を透過して素子基板２から出射される。なお、光は、素子基板２に入射し、液晶層９を透過して対向基板４から出射されてもよい。当該光は可視光である。「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、図１に示す電気光学装置１００は平面視で四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視での形状は、これに限定されず、例えば円形等であってもよい。

図２に示すように、素子基板２は、第１基体２１と配線層２０と複数の画素電極２８と第１配向膜２９とを有する。第１基体２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第１基体２１と複数の画素電極２８との間には配線層２０が配置される。画素電極２８は、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２９は、素子基板２において最も液晶層９側に位置しており、液晶層９の液晶分子を配向させる。第１配向膜２９の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、配線層２０の構成については、後で説明する。

図２に示すように、対向基板４は、第２基体４１と絶縁膜４２と共通電極４５と第２配
向膜４６とを有する。共通電極４５は「対向電極」の例示である。液晶層９は「電気光学
層」の例示である。第２基体４１、絶縁膜４２、共通電極４５および第２配向膜４６は、
この順に並ぶ。第２配向膜４６が最も液晶層９側に位置する。第２基体４１は、透光性お
よび絶縁性を有する平板で構成される。第２基体４１は、例えば、ガラスまたは石英等で
構成される。絶縁膜４２は、例えば酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系
の無機材料で形成される。共通電極４５は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料
で構成される。第２配向膜４６は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第２配向膜４６の
構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、素子基板２および対向基板４のそれぞれに対して固着される。シール部材８の周方向での一部には、液晶分子を含む液晶材をシール部材８の内側に注入するための注入口８１が形成される。注入口８１は、各種樹脂材料を用いて形成される封止材８０により封止される。

液晶層９は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層９は、液晶分子が第１配向膜２９および第２配向膜４６の双方に接するように素子基板２および対向基板４によって挟持される。液晶層９は、複数の画素電極２８と共通電極４５との間に配置され、電界による光学的特性が変化する。具体的には、液晶層９が有する液晶分子の配向は、液晶層９に印加される電圧に応じて変化する。つまり、液晶層９は、印加される電圧に応じて光を変調させることで階調表示を可能とする。

図１に示すように、素子基板２における対向基板４側の面には、複数の走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２と、複数の外部端子１４とが配置される。外部端子１４には、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２のそれぞれから引き回される引回配線１５が接続される。

以上の構成の電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。１つの画素Ｐに対して１つの画素電極２８が配置される。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２等が配置される。

１Ａ−２．電気的な構成
図３は、素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２には、ｎ本の走査線２４４とｍ本のデータ線２４６とｎ本の容量線としての第１定電位線２４５と、が設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。

ｎ本の走査線２４４は、それぞれＹ軸に沿って延在し、Ｘ軸に沿って等間隔で並ぶ。走査線２４４は、トランジスター２３のゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２４４は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。ｎ本の走査線２４４には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本のデータ線２４６は、それぞれＸ軸に沿って延在し、Ｙ軸に沿って等間隔で並ぶ。データ線２４６は、トランジスター２３のソースに電気的に接続される。また、ｍ本のデータ線２４６は、図１に示すデータ線駆動回路１２に電気的に接続される。ｍ本のデータ線２４６には、図１に示すデータ線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４４とｍ本のデータ線２４６とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２つの走査線２４４と隣り合う２つのデータ線２４６とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。１つの画素Ｐには、１つの画素電極２８が設けられる。１つの画素電極２８には、１つのトランジスター２３が電気的に接続される。トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。

ｎ本の第１定電位線２４５は、それぞれＹ軸に沿って延在し、Ｘ軸に沿って等間隔で並
ぶ。また、ｎ本の第１定電位線２４５は、複数のデータ線２４６および複数の走査線２４
４と絶縁され、これらに対して離間して形成される。第１定電位線２４５には、例えばグ
ランド電位等の固定電位が印加される。また、第１定電位線２４５と画素電極２８との間
には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量２００が液晶容量と
並列に配置される。蓄積容量２００は、供給された画像信号Ｓｍに応じて画素電極２８の
電位を保持するための容量素子である。蓄積容量２００は「容量」の例示である。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４４が順次選択されると、選択される走査線２４４に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本のデータ線２４６を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４４に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２８に印加される。これにより、画素電極２８と図２に示す対向基板４が有する共通電極４５との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２００によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され、階調表示が可能となる。

１Ａ−３．素子基板２の構成
図４は、素子基板２の一部を示す断面図である。以下の説明では、Ｚ１方向を上方とし、Ｚ２方向を下方として説明する。図４に示すように、素子基板２の第１基体２１には、遮光体２４１が設けられる。遮光体２４１は、トランジスター２３ごとに設けられる。遮光体２４１は、遮光性および導電性を有する。遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、具体的には可視光の透過率が１０％以下であることをいう。なお、遮光体２４１は、第１基体２１に設けられる凹部内に配置される。遮光体２４１の構成材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、タングステンを用いることが好ましい。タングステンは耐熱性に優れるため、タングステンを用いることで、遮光体２４１によってトランジスター２３への光の入射を特に効果的に防ぐことができる。

遮光体２４１上には、配線層２０が配置される。配線層２０は、トランジスター２３、走査線２４４、第１定電位線２４５、蓄積容量２００、データ線２４６、および第２定電位線２４８を有する。また、配線層２０は、絶縁性および透光性を有する絶縁体２２を有する。絶縁体２２は、層間絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８および２２９を有する。層間絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８および２２９は、この順に第１基体２１から画素電極２８に向かって配置される。層間絶縁膜２２１〜２２９は、それぞれ、例えば熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。配線層２０が有する配線および電極は、絶縁体２２を構成する膜同士の間に当該膜に接触した状態で配置される。

第１基体２１上には、遮光体２４１を覆って層間絶縁膜２２１が配置される。層間絶縁膜２２１上にはトランジスター２３が配置される。トランジスター２３は、半導体層２３１、ゲート電極２３２およびゲート絶縁膜２３３を有する。半導体層２３１は、層間絶縁膜２２２と層間絶縁膜２２３との間に配置される。半導体層２３１は、ソース領域２３１ａ、ドレイン領域２３１ｂ、チャネル領域２３１ｃ、第１ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域２３１ｄ、および第２ＬＤＤ領域２３１ｅを有する。半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンを成膜して形成され、チャネル領域２３１ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。第１ＬＤＤ領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅ中の不純物濃度は、ソース領域２３１ａおよびドレイン領域２３１ｂ中の不純物濃度よりも低い。なお、第１ＬＤＤ領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅのうちの少なくとも一方は、省略してもよい。

ゲート電極２３２は、層間絶縁膜２２２と層間絶縁膜２２３との間に配置される。ゲート電極２３２は、Ｚ１方向からみて半導体層２３１のチャネル領域２３１ｃに重なる。ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。また、ゲート電極２３２とチャネル領域２３１ｃとの間には、ゲート絶縁膜２３３が介在する。ゲート絶縁膜２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ法等で成膜される酸化ケイ素で構成される。

層間絶縁膜２２３と層間絶縁膜２２４との間には、走査線２４４が配置される。走査線２４４は、層間絶縁膜２２３を貫通するコンタクト部２７１を介してゲート電極２３２に接続される。なお、本実施形態では、ゲート電極２３２と遮光体２４１とは絶縁されているが、これらは電気的に接続されてもよい。この場合、遮光体２４１をバックゲートとして用いることができる。

層間絶縁膜２２４と層間絶縁膜２２５との間には、第１定電位線２４５が配置される。第１定電位線２４５にはシールド部２７０が接続される。シールド部２７０は、層間絶縁膜２２４を貫通して層間絶縁膜２２３の厚さ方向の途中位置までの間に配置される。また、シールド部２７０は、Ｚ１方向からみて第２ＬＤＤ領域２３１ｅと重なる。シールド部２７０は、走査線２４４からの漏れ電界がトランジスター２３に影響することを抑制するシールドとして機能する。また、シールド部２７０は、半導体層２３１の遮光部として機能する。シールド部２７０には、第１定電位線２４５から固定電位が供給される。

層間絶縁膜２２５上には、蓄積容量２００が配置される。蓄積容量２００は、第１容量２５および第２容量２６を有する。第１容量２５は、層間絶縁膜２２５と層間絶縁膜２２６との間に配置される。第１容量２５は、下部容量電極２５１、上部容量電極２５２、およびこれらの間に配置される誘電体層２５３を有する。下部容量電極２５１は、層間絶縁膜２２５を貫通するコンタクト部２７２を介して第１定電位線２４５に接続される。また、第２容量２６は、層間絶縁膜２２６と層間絶縁膜２２７との間に配置される。第２容量２６は、下部容量電極２６１、上部容量電極２６２、およびこれらの間に配置される誘電体層２６３を有する。下部容量電極２６１は、層間絶縁膜２２６を貫通するコンタクト部２７３を介して第１容量２５の上部容量電極２５２に接続される。また、下部容量電極２６１は、層間絶縁膜２２２〜２２６を貫通するコンタクト部２７４を介してトランジスター２３のドレイン領域２３１ｂに電気的に接続される。第１容量２５の上部容量電極２５２は、図示しないコンタクト部等を介して、配線層２０上に配置される画素電極２８に電気的に接続される。

層間絶縁膜２２７と層間絶縁膜２２８との間には、データ線２４６が配置される。データ線２４６は層間絶縁膜２２７および層間絶縁膜２２８に接触する。データ線２４６は、層間絶縁膜２２２〜２２７を貫通するコンタクト部２７５を介してトランジスター２３のソース領域２３１ａに電気的に接続される。また、層間絶縁膜２２８と層間絶縁膜２２９との間には、第２定電位線２４８が配置される。第２定電位線２４８は、図示しないコンタクト部等を介して第２容量２６の上部容量電極２６２に電気的に接続される。第２定電位線２４８には、第１定電位線２４５と同様に、例えばグランド電位等の固定電位が印加される。第１定電位線２４５に供給される固定電位と第２定電位線２４８に供給される固定電位とは、同電位である。

下部容量電極２５１、上部容量電極２５２、下部容量電極２６１、および上部容量電極２６２は、例えば窒化チタン膜で構成される。走査線２４４、第１定電位線２４５、データ線２４６および第２定電位線２４８等の配線は、例えば、アルミニウム膜と窒化チタン膜との積層体で構成される。アルミニウム膜を含むことで、窒化チタン膜のみで構成される場合に比べて低抵抗化を図ることができる。なお、これら電極または配線のそれぞれは、前述の材料以外の材料で構成されてもよい。例えば、これら電極または配線のそれぞれは、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物、ならびに金属シリサイド等で構成されてもよい。

図５は、素子基板２の一部を示す平面図である。図５に示すように、素子基板２は、光が透過する複数の透光領域Ａ１１と、光を遮断する配線領域Ａ１２とを有する。複数の透光領域Ａ１１は、行列状に配置され、それぞれＺ１方向からみてほぼ四角形状をなす。各透光領域Ａ１１には、画素電極２８が設けられる。配線領域Ａ１２は、Ｚ１方向からみて格子状をなし、透光領域Ａ１１を囲む。配線領域Ａ１２には、トランジスター２３、蓄積容量２００、走査線２４４、データ線２４６、第１定電位線２４５および複数の第２定電位線２４８が設けられる。複数の走査線２４４と複数のデータ線２４６とは、Ｚ１方向からみて格子状をなす。複数の第１定電位線２４５と複数の第２定電位線２４８とは、Ｚ１方向からみて格子状をなす。トランジスター２３および蓄積容量２００は、走査線２４４とデータ線２４６との交差位置に配置される。

また、図４に示すコンタクト部２７１〜２７５およびシールド部２７０は、配線領域Ａ１２に設けられる。別の言い方をすれば、コンタクト部２７１〜２７５およびシールド部２７０は、Ｚ１方向からみて、隣り合う２個の画素電極２８の間に配置される。なお、当該隣り合う２個の画素電極２８とは、Ｘ軸、Ｙ軸、またはＸ−Ｙ平面においてＸ軸およびＹ軸の両方と交差する軸に沿って隣り合う任意の２個の画素電極２８のことをいう。複数の画素電極２８のうちの任意の１個の画素電極２８を「第１画素電極」とし、それと隣り合う１個の画素電極２８を「第２画素電極」とすると、「第１画素電極」と「第２画素電極」との間にコンタクト部２７１〜２７５およびシールド部２７０は設けられる。

１Ａ−４．コンタクト部
図６は、下部容量電極２５１に接続されるコンタクト部２７２を示す断面図である。なお、コンタクト部２７２〜２７４は、同様の構成であるため、以下ではコンタクト部２７２について代表して説明する。また、以下の説明では、コンタクト部２７２が「導電部」に相当し、層間絶縁膜２２５が「絶縁層」に相当し、第１定電位線２４５が「第２導電膜」に相当し、第１容量２５の下部容量電極２５１が「導電膜」に相当する。よって、下部容量電極２５１は「第１導電膜」に相当する。下部容量電極２５１は、層間絶縁膜２２５と前述の液晶層９との間に位置する。

図６に示すように、コンタクト部２７２は、層間絶縁膜２２５に設けられる。具体的には、コンタクト部２７２は、層間絶縁膜２２５に形成された貫通孔であるコンタクトホールを埋めるよう設けられる。コンタクト部２７２の一端は第１定電位線２４５に接続され、他端は下部容量電極２５１に接続される。図６に示す例では、第１定電位線２４５は、アルミニウム膜２４５１と、窒化チタン膜２４５２との積層体で構成される。窒化チタン膜２４５２は、コンタクト部２７２に接触する。なお、コンタクト部２７２は、窒化チタン膜２４５２を貫通し、アルミニウム膜２４５１に接触してもよい。

コンタクト部２７２は、第２層２７２２と第１層２７２１との積層体で構成される。第１層２７２１は、タングステンを含む。タングステンは耐熱性に優れ、アスペクト比が高いコンタクトホールに対して埋め込み易い材料である。そのため、第１層２７２１がタングステンを含むことで、コンタクト部２７２における欠陥の発生を抑制することができる。また、第２層２７２２は、第１層２７２１と異なる材料で構成され、第１層２７２１と層間絶縁膜２２５との間に位置する。第２層２７２２が第１層２７２１と異なる材料であることで、第１層２７２１のみで構成される場合に比べ、第２層２７２２の材料等に応じた機能がコンタクト部２７１に付与される。例えば、第２層２７２２は、層間絶縁膜２２５に対する第１層２７２１の密着性を向上させるために設けられる。例えば、第２層２７２２は、タングステンナイトライド（ＷＮ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）およびタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等を含む。特にタングステンナイトライドであることで、第１層２７２１と層間絶縁膜２２５との密着性を高めることができる。

コンタクト部２７２は、下部容量電極２５１を構成する材料とは異なる材料で構成されており、Ｚ１方向からみて下部容量電極２５１と重なっている。すなわち、コンタクト部２７２の材料とは異なる材料の下部容量電極２５１によってコンタクト部２７２は覆われる。かかるコンタクト部２７２が設けられることで、従来のようにコンタクトホールの壁面に沿って下部容量電極２５１を設けなくて済む。そのため、下部容量電極２５１の微細化を図ることができるとともに、下部容量電極２５１を充分な厚さで形成できるので耐電圧の低下を抑制することができる。

図６に示すように、コンタクト部２７２における下部容量電極２５１と接触する面２７２ａは、層間絶縁膜２２５における下部容量電極２５１と接触する面２２５ａと、Ｚ１方向における位置が異なる。面２２５ａは、特に、層間絶縁膜２２５における層間絶縁膜２２６と接触する部分である。本実施形態では、コンタクト部２７２の面２７２ａは、層間絶縁膜２２５の面２２５ａに対してＺ１方向に位置する。別の言い方をすれば、コンタクト部２７２は、層間絶縁膜２２５からＺ１方向に突出する部分を有する。それゆえ、層間絶縁膜２２５上およびコンタクト部２７２上に設けられた下部容量電極２５１の面２５１ａは、層間絶縁膜２２５の面２２５ａとコンタクト部２７２の面２７２ａとのＺ１方向における位置の違いに応じた凹凸を有する。そのため、面２５１ａが平坦面である場合に比べて面２５１ａの面積を増やすことができる。なお、面２５１ａは、下部容量電極２５１における層間絶縁膜２２５と反対の面であり、誘電体層２５３に接触する面である。同様に、上部容量電極２５２の面２５２ａも凹凸を有する。そのため、面２５２ａの面積を増やすことができる。なお、面２５２ａは、上部容量電極２５２における誘電体層２５３と接触する面である。このように、面２５１ａおよび面２５２ａの各面積が増えることで、第１容量２５の保持容量を増加させることができる。それゆえ、コンタクト部２７２を設けることで、第１容量２５の保持容量の低下を抑制しつつ、第１容量２５の微細化を図ることができる。よって、第１容量２５がコンタクトホールの壁面に沿って形成されなくても保持容量の増加を図ることができる。

また、コンタクト部２７２は、Ｚ１方向からみて第１定電位線２４５と重なり、第１定電位線２４５に接続される。つまり、第１定電位線２４５と下部容量電極２５１との接続には、コンタクト部２７２が用いられる。コンタクト部２７２はコンタクトホールを埋めるよう形成されているため、コンタクトホールの幅を従来よりも小さくしても耐電圧の低下が抑制される。そのため、コンタクト部２７２によって、第１定電位線２４５と下部容量電極２５１とが接続されることで、第１定電位線２４５と下部容量電極２５１との間の接続不良等が抑制される。

また、前述のように、コンタクト部２７２は、Ｚ１方向からみて、図４に示す隣り合う２個の画素電極２８の間に配置される。つまり、コンタクト部２７２は、Ｚ１方向からみて画素電極２８と重ならない。前述のように、コンタクト部２７２は、層間絶縁膜２２５のコンタクトホールを埋めるように設けられる。そのため、配線領域Ａ１２の面積の増加を抑制し、素子基板２の開口率の低下を防ぎつつ、素子基板２の高精細化を図ることができる。

図７、図８および図９は、コンタクト部２７２の製造方法について説明するための断面図である。コンタクト部２７２は、ダマシン法等を用いて形成される。具体的にはまず、層間絶縁膜２２５にコンタクトホールが形成され、当該コンタクトホールにタングステン等が埋め込まれることにより図７に示す導電材料層２７２ｘが形成される。導電材料層２７２ｘは、例えばタングステンを含む第１材料層２７２１ｘと、第１材料層２７２１ｘとは異なる材料で構成される第２材料層２７２２ｘとの積層体である。

次に、図８に示すように、導電材料層２７２ｘに対してＣＭＰ（chemical mechanical polishing）等の研磨による平坦化処理が施されることにより、コンタクト部２７２が形成される。本実施形態では、例えば、第１材料層２７２１ｘおよび第２材料層２７２２ｘの各材料等に応じて研磨液等が選定され、第１材料層２７２１ｘおよび第２材料層２７２２ｘの各表面のＺ１方向における位置がほぼ同一になるよう平坦化処理が行われる。

次に、図９に示すように、ウエットエッチング等により、層間絶縁膜２２５の一部が除去される。これにより、コンタクト部２７２は、層間絶縁膜２２５よりもＺ１方向に突出する。当該ウエットエッチングでは、コンタクト部２７２が除去され難く、層間絶縁膜２２３が除去され易いエッチング液が用いられる。例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、またはＤＨＦ（希フッ酸）等のフッ素系のエッチング液が用いられる。かかる方法によれば、プロセスを過度に増やすことなく、層間絶縁膜２２５よりもＺ１方向に突出する部分を有するコンタクト部２７２を形成することができる。

図１０は、走査線２４４に接続されるコンタクト部２７１を示す断面図である。なお、コンタクト部２７１および２７５は同様の構成であるため、以下ではコンタクト部２７１について代表して説明する。また、コンタクト部２７１について、前述のコンタクト部２７２と同様の事項は適宜説明を省略する。以下の説明では、コンタクト部２７１が「導電部」に相当し、層間絶縁膜２２３が「絶縁層」に相当し、ゲート電極２３２が「第２導電膜」に相当し、走査線２４４が「導電膜」に相当する。よって、走査線２４４は「第１導電膜」に相当する。走査線２４４は、層間絶縁膜２２３と前述の液晶層９との間に位置する。

図１０に示すように、コンタクト部２７１は、層間絶縁膜２２３に設けられる。具体的には、コンタクト部２７１は、層間絶縁膜２２３に形成されたコンタクトホールを埋めるよう設けられる。コンタクト部２７１の一端は走査線２４４に接続され、他端はゲート電極２３２に接続される。コンタクト部２７１は、コンタクト部２７２と同様に、例えば、タングステンを含む第１層２７１１と、第１層２７１１とは異なる材料で構成される第２層２７１２とを含む。

コンタクト部２７１は、走査線２４４を構成する材料とは異なる材料で構成され、Ｚ１方向からみて走査線２４４と重なる。かかるコンタクト部２７１が設けられることで、走査線２４４は、従来のようにコンタクトホールの壁面に沿った部分を有さずに済む。そのため、走査線２４４の微細化を図ることができるとともに、走査線２４４を充分な厚さで形成できるので耐電圧の低下を抑制することができる。

図１０に示すように、コンタクト部２７１における走査線２４４と接触する面２７１ａは、層間絶縁膜２２３における走査線２４４と接触する面２２３ａとＺ１方向における位置が異なる。面２２３ａは、特に、層間絶縁膜２２３における層間絶縁膜２２４と接触する部分である。本実施形態では、コンタクト部２７１の面２７１ａは、層間絶縁膜２２３の面２２３ａに対してＺ１方向に位置する。別の言い方をすれば、コンタクト部２７１は、層間絶縁膜２２３からＺ１方向に突出する部分を有する。それゆえ、コンタクト部２７１の面２７１ａが層間絶縁膜２２３の面２２３ａとで同一平面上に位置する場合に比べて、走査線２４４に対するコンタクト部２７１の接触面積を増やすことができる。そのため、走査線２４４とコンタクト部２７１との間での抵抗を低減することができる。よって、走査線２４４の耐電圧の低下および抵抗増加を抑制しつつ、走査線２４４の微細化を図ることができる。また、走査線２４４の面２４４ａは、層間絶縁膜２２３の面２２３ａとコンタクト部２７１の面２７１ａとのＺ１方向における位置の違いに応じた凹凸を有する。コンタクト部２７１が層間絶縁膜２２３の面２２３ａに対して突出している分、走査線２４４の断面積が増加していると捉えることができる。よって、走査線２４４の低抵抗化を図ることができる。

図４に示すシールド部２７０も、前述のコンタクト部２７２と同様である。以下、シールド部２７０について説明するが、前述のコンタクト部２７２と同様の事項は適宜説明を省略する。シールド部２７０が「導電部」である場合、層間絶縁膜２２３および２２４が「絶縁層」に相当し、第１定電位線２４５が「導電膜」に相当する。第１定電位線２４５は、層間絶縁膜２２４と前述の液晶層９との間に位置する。

図４に示すシールド部２７０は、層間絶縁膜２２３および２２４に形成された凹部を埋めるよう設けられ、Ｚ１方向からみて第１定電位線２４５と重なっている。かかる構成のシールド部２７０であれば、第１定電位線２４５に接続されたシールド部２７０を設けても第１定電位線２４５の微細化を図ることができる。

また、図示はしないが、画素電極２８に接続されたコンタクト部も、コンタクト部２７１と同様の構成であってもよい。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１１は、第２実施形態における下部容量電極２５１に接続されるコンタクト部２７２Ａを示す断面図である。コンタクト部２７２Ａの面２７２ａは、層間絶縁膜２２５の面２２５ａに対してＺ２方向に位置する。別の言い方をすれば、コンタクト部２７２Ａは、層間絶縁膜２２５の面２２５ａに対してＺ２方向に凹む部分を有する。それゆえ、本実施形態においても第１実施形態と同様に、下部容量電極２５１の面２５１ａは、面２７２ａと面２２５ａとのＺ１方向における位置の違いに応じた凹凸を有する。面２５１ａが凹凸を有することで、面２５１ａが平坦面である場合に比べて、面２５１ａの面積を増やすことができる。また、上部容量電極２５２の面２５２ａも凹凸を有するため、面２５２ａの面積を増やすことができる。よって、本実施形態においても第１実施形態と同様に、第１容量２５の保持容量を増やすことができる。それゆえ、第１容量２５の保持容量の低下を抑制しつつ、第１容量２５の微細化を図ることができる。

図１１に示すコンタクト部２７２Ａは、第１実施形態におけるコンタクト部２７２と同様の方法で形成される。ただし、例えば研磨液またはエッチング液が第１実施形態とは異なる。例えば、第１実施形態で用いた研磨液に含まれる粒子よりも大きい粒子を用い、層間絶縁膜２２５よりもコンタクト部２７２Ａが研磨され易い条件で平坦化処理が行われる。なお、本実施形態では、第１実施形態におけるウエットエッチングの処理は適宜省略してもよい。

図１２は、走査線２４４に接続されるコンタクト部２７１Ａを示す断面図である。コンタクト部２７１Ａの面２７１ａは、層間絶縁膜２２３の面２２３ａに対してＺ２方向に位置する。別の言い方をすれば、コンタクト部２７１Ａは、層間絶縁膜２２３の面２２３ａに対してＺ２方向に凹む部分を有する。また、本実施形態では、走査線２４４の面２４４ａは平坦面である。走査線２４４の面２４４ａが平坦面となるよう、走査線２４４は充分な厚さを有する。そのため、コンタクト部２７１Ａが面２２３ａに対して凹んでいる分、走査線２４４の断面積を増やすことができる。よって、走査線２４４の抵抗増加を抑制しつつ、走査線２４４の微細化を図ることができる。

なお、図示はしないが、第２実施形態におけるコンタクト部２７３〜２７５およびシールド部２７０のＺ１方向における各位置は、本実施形態におけるコンタクト部２７２のＺ１方向における各位置と同様である。第２実施形態におけるコンタクト部２７１〜２７５およびシールド部２７０によっても、第１実施形態と同様に耐電圧等の特性を低減しつつ配線等の微細化を図ることができる。

１Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１３は、第３実施形態における下部容量電極２５１に接続されるコンタクト部２７２Ｂを示す断面図である。図１３に示すコンタクト部２７２Ｂが有する第１層２７２１における下部容量電極２５１と接触する面２７２１ａの位置と、第２層２７２２における下部容量電極２５１と接触する面２７２２ａの位置とは、Ｚ１方向において異なる。また、面２７２１ａおよび面２７２２ａのそれぞれは、層間絶縁膜２２５の面２２５ａとＺ１方向における位置が異なる。本実施形態では、面２７２２ａのうちの最もＺ１方向に位置する部分は、面２７２１ａのうちの最もＺ１方向に位置する部分と、面２２５ａとの間に位置する。かかるコンタクト部２７２Ｂによっても、下部容量電極２５１の面２５１ａに凹凸を形成することができる。同様に、上部容量電極２５２の面２５２ａに凹凸を形成することができる。そのため、第１容量２５の保持容量を増加させつつ、第１容量２５の微細化を図ることができる。

図１３に示すコンタクト部２７２Ｂは、第１実施形態におけるコンタクト部２７２と同様の方法で形成される。ただし、例えば研磨液またはエッチング液が第１実施形態とは異なる。例えば、第２層２７２２よりも第１層２７１１が研磨され易い研磨液を用いて平坦化処理が行われる。

なお、図示はしないが、第３実施形態におけるコンタクト部２７１、２７３〜２７５およびシールド部２７０のＺ１方向における各位置は、本実施形態におけるコンタクト部２７２のＺ１方向における各位置と同様である。第３実施形態におけるコンタクト部２７１〜２７５およびシールド部２７０によっても、第１実施形態と同様に耐電圧等の特性を低減しつつ配線等の微細化を図ることができる。

１Ｄ．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

図１４は、変形例におけるコンタクト部２７２Ｂの断面図である。第３実施形態では、下部容量電極２５１の面２５１ａは、第１層２７１１の面２７２１ａと第２層２７２２の面２７２２ａとのＺ１方向における位置の違いに応じた凹凸を有する。しかし、面２５１ａは、面２７２１ａと面２７２２ａとに応じた凹凸を有さなくてもよい。

図１５は、変形例におけるコンタクト部２７２Ｃの断面図である。図１４に示すように、Ｚ１方向において、面２７２１ａと面２２５ａとの間に面２７２２ａが位置してもよい。特に、面２７２２ａのうちの最もＺ１方向に位置する部分は、面２７２１ａのうちの最もＺ１方向に位置する部分と、面２２５ａとの間に位置してもよい。

第３実施形態では、面２７２１ａおよび面２７２２ａは、面２２５ａに対してＺ１方向に位置する。しかし、面２７２１ａおよび面２７２２ａは、面２２５ａに対してＺ２方向に位置してもよい。また、面２７２１ａおよび面２７２２ａのいずれか一方が、面２２５ａに対してＺ１方向に位置し、他方が、面２２５ａに対してＺ２方向に位置してもよい。また、面２７２１ａおよび面２７２２ａのいずれか一方が、面２２５ａと同一平面に位置し、他方が、面２２５ａに対してＺ１方向またはＺ２方向に位置してもよい。すなわち、コンタクト部２７２の面２７２ａは、層間絶縁膜２２５の面２２５ａとＺ１方向において異なる部分を有すればよい。特に、面２７２ａは、面２２５ａのうち層間絶縁膜２２６と接触する部分とＺ１方向において異なる部分を有すればよい。なお、コンタクト部２７２以外のコンタクト部についても同様である。また、配線層２０が有する複数のコンタクト部のうちの少なくとも１つが、前述のように、対応する層間絶縁膜の上面よりも突出していたり、凹んでいたりすればよい。全てのコンタクト部が、前述のような層間絶縁膜との位置関係を満足しなくてもよい。

第１実施形態では、コンタクト部２７２は、第１層２７２１および第２層２７２２で構成されるが、コンタクト部２７２は、第１層２７２１および第２層２７２２以外で構成されてもよい。例えば、コンタクト部２７２は、単層であってもよいし、３層以上で構成されてもよい。例えば、コンタクト部２７２は、第１層２７２１のみで構成されてもよい。また、コンタクト部２７２の材料としては、タングステンに限定されない。例えば、コンタクト部２７２の材料は、アルミニウムおよび銅（Ｃｕ）等のタングステン以外の金属を含んでもよい。なお、他のコンタクト部２７１、２７３、２７４および２７５、ならびにシールド部２７０等も同様に、タングステン以外の材料で構成されてもよい。

第１実施形態では、１個の第１容量２５に接続されるコンタクト部２７２の数は１個であるが、２個以上であってもよい。他のコンタクト部２７１、２７３、２７４および２７５、ならびにシールド部２７０の各数も２個以上であってもよい。

前述の実施形態では、素子基板２が「導電部」を有する構成を例に説明したが、対向基板４が「導電部」を有してもよい。素子基板２および対向基板４の一方または双方が「導電部」を有すればよい。

前述の実施形態では、蓄積容量２００は、第１容量２５および第２容量２６を有するが、第１容量２５および第２容量２６の一方は省略されてもよい。また、走査線２４４、第１定電位線２４５、データ線２４６、および第２定電位線２４８等の配線層２０が有する配線の積層順は、図４に示す例に限定されず任意である。また、第１定電位線２４５および第２定電位線２４８は、それぞれ容量線として機能するが、これら双方またはいずれか一方は、容量線として機能しなくてもよい。

前述の実施形態では、トランジスターとしてＴＦＴを用いる場合を例に説明したが、トランジスターはＴＦＴに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。

前述の実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス駆動方式等でもよい。

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図１６は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１７は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１８は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。電気光学装置１００は前述のように特性の低下を抑制しつつ高精細化を図ることができる。そのため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品質を高めることができる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

２…素子基板、４…対向基板、８…シール部材、９…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１４…外部端子、１５…引回配線、２０…配線層、２１…第１基体、２２…絶縁体、２３…トランジスター、２５…第１容量、２６…第２容量、２８…画素電極、２９…第１配向膜、４１…第２基体、４２…絶縁膜、４５…共通電極、４６…第２配向膜、８０…封止材、８１…注入口、１００…電気光学装置、２００…蓄積容量、２２１…層間絶縁膜、２２２…層間絶縁膜、２２３…層間絶縁膜、２２４…層間絶縁膜、２２５…層間絶縁膜、２２６…層間絶縁膜、２２７…層間絶縁膜、２２８…層間絶縁膜、２２９…層間絶縁膜、２３１…半導体層、２３１ａ…ソース領域、２３１ｂ…ドレイン領域、２３１ｃ…チャネル領域、２３１ｄ…第１ＬＤＤ領域、２３１ｅ…第２ＬＤＤ領域、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁膜、２４１…遮光体、２４４…走査線、２４５…第１定電位線、２４６…データ線、２４８…第２定電位線、２５１…下部容量電極、２５２…上部容量電極、２５３…誘電体層、２６１…下部容量電極、２６２…上部容量電極、２６３…誘電体層、２７０…シールド部、２７１…コンタクト部、２７１Ａ…コンタクト部、２７２…コンタクト部、２７２Ａ…コンタクト部、２７２Ｂ…コンタクト部、２７２Ｃ…コンタクト部、２７３…コンタクト部、２７４…コンタクト部、２７５…コンタクト部、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、２４５１…アルミニウム膜、２４５２…窒化チタン膜、２７１１…第１層、２７１２…第２層、２７２１…第１層、２７２２…第２層、２７２ｘ…導電材料層、２７２１ｘ…第１材料層、２７２２ｘ…第２材料層、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ１１…透光領域、Ａ１２…配線領域、Ｐ…画素、２２３ａ…面、２２５ａ…面、２４４ａ…面、２５１ａ…面、２５２ａ…面、２７１ａ…面、２７２ａ…面、２７２１ａ…面、２７２２ａ…面。

Claims (7)

1. 基板と、
   前記基板に配置された画素電極と、
   前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学層と、
   前記基板と前記画素電極との間に配置された絶縁層と、
   前記絶縁層と前記電気光学層との間に配置され、前記絶縁層に接触する配線または電極である導電膜を含み、前記画素電極に電気的に接続された容量と、
   前記絶縁層に設けられたコンタクトホール内に配置され、前記導電膜に接続される導電部と、を有し、
   前記導電部は、前記導電膜を構成する材料とは異なる材料で構成され、かつ前記絶縁層の厚さ方向からみて前記導電膜と重なり、
   前記導電部における前記導電膜と接触する領域は、前記絶縁層における前記導電膜と接触する領域と前記厚さ方向における位置が異なる部分を有し、
   前記導電部は、タングステンを含む第１層と、前記第１層と前記絶縁層との間に配置され、前記第１層と異なる材料で構成される第２層とを含み、
   前記第１層における前記導電膜と接触する領域の位置と、前記第２層における前記導電膜と接触する領域の位置とは、前記厚さ方向において異なることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記導電膜は、配線である請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記導電膜は、容量電極である請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記導電膜における前記絶縁層と反対の面は、凹凸を有する請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記導電膜は、第１導電膜であり、
   前記絶縁層における前記第１導電膜とは反対に設けられ、配線または電極である第２導電膜を備え、
   前記導電部は、前記厚さ方向からみて前記第２導電膜と重なり、前記第２導電膜に接続される請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記画素電極と隣り合う第２画素電極とを有し、
   前記導電部は、前記厚さ方向からみて前記画素電極と前記第２画素電極との間に位置する請求項１から５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
   前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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