JP2010080527A - Wiring-substrate manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a copper wiring pattern on a resin layer, not including a filler, by plating with a higher adhesion force. <P>SOLUTION: A wiring-substrate manufacturing method includes: a step of depositing first metallic particles on the surface of a resin layer covering a substrate; a step of changing the surface of the resin layer and the surfaces of the first metallic particles to have hydrophilic properties by exposing them to ultraviolet light excited ozone or oxygen plasma; a step of processing the surface of the resin layer and the surfaces of the first metallic particles, respectively changed to have hydrophilic properties, by a silane coupling agent having any one of a vinyl group, a styryl group, a methacryloxy group, and an acryloxy group; a step of depositing second metallic particles made of palladium atoms on the surface of the resin layer and the surfaces of the first metallic particles respectively processed by the silane coupling agent; and a step of forming a copper layer by electroless plating by covering the surface of the resin layer and the surfaces of the first metallic particles respectively processed by the silane coupling agent and the surfaces of the second metallic particles. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は一般に銅メッキ技術に係り、特に銅メッキを使った配線基板の製造方法に関する。   The present invention generally relates to copper plating technology, and more particularly to a method of manufacturing a wiring board using copper plating.

配線基板の製造では、樹脂基板の表面上に導体膜を形成する必要がある。樹脂基板表面は一般に絶縁性であるため、このような導体膜の形成は、無電解メッキにより行われる。樹脂表面に導体膜を形成する場合には、両者の密着性が大きな課題となる。   In manufacturing a wiring board, it is necessary to form a conductor film on the surface of the resin substrate. Since the resin substrate surface is generally insulative, such a conductor film is formed by electroless plating. When a conductor film is formed on the resin surface, the adhesion between the two becomes a major issue.

一般の配線基板では、樹脂基板を構成する樹脂層がセラミック粒子などのフィラーを含んでいる。そこで導電層を形成するにあたり、樹脂基板に対して表面処理を行い、樹脂基板表面に露出しているセラミック粒子をエッチングし、微細な凹凸を形成することが行われている。このような微細な凹凸を有する樹脂基板表面に形成した導電層は、前記凹凸を充填し、その結果、このような導電層では、いわゆるアンカー効果により、密着性が向上する。一般に、樹脂基板上に銅パターンを有する配線基板の場合、銅パターンと樹脂基板との接着力は、１．０ｋｇ／ｃｍ以上あれば十分と言われている。   In a general wiring board, the resin layer constituting the resin substrate includes a filler such as ceramic particles. Therefore, in forming the conductive layer, surface treatment is performed on the resin substrate, and the ceramic particles exposed on the surface of the resin substrate are etched to form fine irregularities. The conductive layer formed on the surface of the resin substrate having such fine irregularities fills the irregularities, and as a result, the adhesion of such a conductive layer is improved by a so-called anchor effect. In general, in the case of a wiring board having a copper pattern on a resin substrate, it is said that the adhesive force between the copper pattern and the resin substrate is 1.0 kg / cm or more.

また、特定の官能基を有する樹脂フィラーを有する樹脂を使った樹脂基板の場合について、銅パターンを無電解銅メッキにより形成するのに先立ち、樹脂基板表面に対し親水性化処理を行い、さらに引き続いてシランカップリング剤による処理を行うことにより、形成された銅パターンと樹脂基板との間に、１．０ｋｇ／ｃｍの接着力を実現できる。
特開２００８−４１７２０号公報 小林正著「ぷりんとばんじゅくＩＶ」第２版、第８頁、社団法人日本プリント回路工業会、２００４年 In addition, in the case of a resin substrate using a resin having a resin filler having a specific functional group, before the copper pattern is formed by electroless copper plating, the resin substrate surface is subjected to a hydrophilic treatment, and further continued. By performing the treatment with the silane coupling agent, an adhesive force of 1.0 kg / cm can be realized between the formed copper pattern and the resin substrate.
JP 2008-41720 A Kobayashi Tadashi "Prin and Banjuku IV" 2nd edition, page 8, Japan Printed Circuit Industry Association, 2004

一方、配線基板のなかには、樹脂基板の表面を薄い樹脂層で覆った形式のものがある。   On the other hand, some of the wiring boards have a type in which the surface of the resin substrate is covered with a thin resin layer.

例えば高発熱半導体素子を担持する配線基板では、基板の熱膨張を抑制し、また弾性率を向上させるために、従来のガラス繊維の代わりに炭素繊維で補強した積層板が使われることがある。炭素繊維は導電性であり、このような積層板では、コア基板中に形成されたスルーホールやその他の開口部を絶縁するため、コア基板の表面全体を覆って、絶縁のため、薄い樹脂層を、例えば電着法などにより、形成する必要がある。   For example, in a wiring board carrying a highly heat-generating semiconductor element, a laminated board reinforced with carbon fiber may be used instead of conventional glass fiber in order to suppress thermal expansion of the board and improve the elastic modulus. Carbon fiber is conductive, and in such laminates, a thin resin layer is used to cover the entire surface of the core substrate and to insulate the through holes and other openings formed in the core substrate. For example, by electrodeposition.

しかし、電着法により被着される樹脂層にフィラーを含めることは一般に困難で、従来のようなアンカー効果を利用することができず、また樹脂フィラー上の官能基と無電解メッキ層との間の強固な化学結合を利用することもできず、基板表面に形成された無電解銅メッキ層とビルドアップ基板との間において、接着力が不十分である問題が生じる。   However, it is generally difficult to include a filler in the resin layer deposited by the electrodeposition method, the conventional anchor effect cannot be used, and the functional group on the resin filler and the electroless plating layer A strong chemical bond between them cannot be used, and there arises a problem that the adhesive force is insufficient between the electroless copper plating layer formed on the substrate surface and the build-up substrate.

一実施形態による配線基板の製造方法は、基板を覆う樹脂層の表面に第１の金属粒子を析出する工程と、前記樹脂層の表面および前記第１の金属粒子の表面を、紫外光励起オゾンあるいは酸素プラズマに曝露することにより、親水性に変化させる工程と、前記親水性に変化した樹脂層の表面および第１の金属粒子の表面を、ビニル基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基のいずれかを有するシランカップリング剤で処理する工程と、前記シランカップリング剤で処理した前記樹脂層の表面および第１の金属粒子の表面に、パラジウムよりなる第２の金属粒子を析出する工程と、前記シランカップリング剤で処理した前記樹脂層の表面および前記第１の金属粒子の表面、および前記第２の金属粒子の表面を覆って、無電解メッキにより銅層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。   According to one embodiment, a method of manufacturing a wiring board includes a step of depositing first metal particles on a surface of a resin layer covering a substrate, and a surface of the resin layer and a surface of the first metal particles are made by ultraviolet light-excited ozone or The step of changing to hydrophilic by exposing to oxygen plasma, and the surface of the resin layer changed to hydrophilic and the surface of the first metal particles are any of vinyl group, styryl group, methacryloxy group, and acryloxy group. A step of treating with a silane coupling agent having the following: depositing second metal particles made of palladium on the surface of the resin layer and the surface of the first metal particles treated with the silane coupling agent; and Covering the surface of the resin layer treated with the silane coupling agent, the surface of the first metal particles, and the surface of the second metal particles, for electroless plating Characterized in that it comprises a step of forming a Ridoso, the.

かかる構成では、シランカップリング剤に含まれるビニル基やスチリル基やメタクリロキシ基やアクリロキシ基により、前記第２の金属粒子が前記樹脂層の表面および前記第１の金属粒子の表面に効率よく補足される。一方、シランカップリング剤は、前記樹脂層上に第１の金属粒子を析出した後、親水化処理を行うことにより、前記第１の金属粒子の表面および樹脂層の表面に効率良く吸着される。そこで、前記樹脂層の表面および前記第１の金属粒子の表面、および前記第２の金属粒子の表面を覆って、無電解メッキにより銅層を形成すると、大量に捕捉されたパラジウムよりなる第２の金属粒子が触媒となり、前記無電解銅メッキ層が効率よく析出し、前記無電解銅メッキ層と樹脂層との間に強い接着力が生じる。   In such a configuration, the second metal particles are efficiently captured on the surface of the resin layer and the surface of the first metal particles by a vinyl group, a styryl group, a methacryloxy group, or an acryloxy group contained in the silane coupling agent. The On the other hand, the silane coupling agent is efficiently adsorbed on the surface of the first metal particles and the surface of the resin layer by performing a hydrophilic treatment after depositing the first metal particles on the resin layer. . Therefore, when a copper layer is formed by electroless plating so as to cover the surface of the resin layer, the surface of the first metal particle, and the surface of the second metal particle, the second layer made of palladium trapped in a large amount. The metal particles serve as a catalyst, the electroless copper plating layer is efficiently deposited, and a strong adhesive force is generated between the electroless copper plating layer and the resin layer.

［第１の実施形態］
図１Ａ〜１Ｈは、第１の実施形態による配線基板の製造工程を示す図である。 [First Embodiment]
1A to 1H are views showing a manufacturing process of a wiring board according to the first embodiment.

図１Ａを参照するに、樹脂層１１ａ〜１１ｄを、炭素繊維層１２を介して積層したコア基板１１にはスルーホール１１Ａ，１１Ｂが形成されており、前記コア基板１１の表面には、前記スルーホール１１Ａ，１１Ｂの側壁面も含めて、電着樹脂層１４が、電極となる銅層１３を介して、例えば１μｍ〜１００μｍの厚さで一様に形成されている。   Referring to FIG. 1A, through holes 11A and 11B are formed in a core substrate 11 in which resin layers 11a to 11d are laminated via a carbon fiber layer 12, and the through-holes 11A and 11B are formed on the surface of the core substrate 11. The electrodeposition resin layer 14 including the side wall surfaces of the holes 11A and 11B is uniformly formed with a thickness of, for example, 1 μm to 100 μm via the copper layer 13 serving as an electrode.

次に前記図１Ａの状態のコア基板１１上に、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），スズ（Ｓｎ），金（Ａｕ）などから選ばれる金属原子よりなる第１の金属粒子１５が無電解メッキにより、１００ｎｍ以下の膜厚の金属層を形成するように析出し、図１Ｂに示す構造が得られる。このように電着樹脂層１４上に１００ｎｍ以下の膜厚に形成された金属層は島状構造をなし、前記電着樹脂層１４の表面は、完全に金属層で覆われることはない。このように第１の金属粒子が前記電着樹脂層１４を完全に覆うことがないため、後で無電解メッキによる銅層の形成が可能となる。なお前記電着樹脂層としては、例えば日本ペイント株式会社より登録商標「インシュリード」として市販されているノボラック樹脂を使うことが可能である。   Next, first metal particles 15 made of metal atoms selected from nickel (Ni), palladium (Pd), tin (Sn), gold (Au), and the like are electrolessly formed on the core substrate 11 in the state shown in FIG. 1A. By plating, a metal layer having a film thickness of 100 nm or less is deposited to obtain the structure shown in FIG. 1B. Thus, the metal layer formed with a film thickness of 100 nm or less on the electrodeposition resin layer 14 has an island-like structure, and the surface of the electrodeposition resin layer 14 is not completely covered with the metal layer. Since the first metal particles do not completely cover the electrodeposited resin layer 14 as described above, a copper layer can be formed later by electroless plating. In addition, as the electrodeposition resin layer, for example, a novolak resin marketed as a registered trademark “Insuled” by Nippon Paint Co., Ltd. can be used.

図１Ｂに示す第１の金属粒子１５の析出工程では、前記金属粒子１５の前記電着樹脂層１４の表面における均一な分散が促進されることから、特に前記第１の金属粒子１５としてパラジウムを使うのが有利である。前記第１の金属粒子１５は、凝集して島状の金属パターンを形成する場合がある。かかる島状金属パターンは０．１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の粒子径を有している。なお前記第１の金属粒子１５は、各々が単一の金属原子であってもよいが、複数の金属原子が凝集した原子団であってもよい。   In the step of depositing the first metal particles 15 shown in FIG. 1B, since uniform dispersion of the metal particles 15 on the surface of the electrodeposited resin layer 14 is promoted, palladium is particularly used as the first metal particles 15. It is advantageous to use. The first metal particles 15 may aggregate to form an island-shaped metal pattern. Such island-shaped metal patterns have a particle size of about 0.1 nm to 100 nm. Each of the first metal particles 15 may be a single metal atom, or may be an atomic group in which a plurality of metal atoms are aggregated.

次に本実施形態では前記図１Ｂの構造に対し、図１Ｃに示す紫外光励起オゾンを照射する工程（ＵＶオゾン処理）を行い、露出されている電着樹脂層１４の表面および金属粒子１５の露出表面の親水性化処理を行う。このような親水性化処理により、前記露出表面には水酸基やカルボキシル基、カルボニル基などが容易に結合し、前記露出表面は、これら水酸基やカルボキシル基、カルボニル基などの作用により、親水性を示す。特に金属粒子１５の露出表面における親水化の進行は顕著で、金属粒子１５が前記電着樹脂層１４の表面に存在することで、前記電着樹脂層１４だけの場合に比べ、露出表面全体の親水性化がより進行し、水に対する接触角がさらに減少する。このため、図１Ｃの工程に引き続いて行われるシランカップリング剤処理の際の、シランカップリング剤に対する密着性を向上させることが可能となる。   Next, in this embodiment, the step of irradiating ultraviolet light-excited ozone shown in FIG. 1C (UV ozone treatment) is performed on the structure of FIG. 1B, and the exposed surface of the electrodeposition resin layer 14 and the exposure of the metal particles 15 are performed. The surface is made hydrophilic. By such a hydrophilic treatment, a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, or the like is easily bonded to the exposed surface, and the exposed surface exhibits hydrophilicity by the action of the hydroxyl group, the carboxyl group, the carbonyl group, or the like. . In particular, the progress of hydrophilization on the exposed surface of the metal particles 15 is remarkable, and the presence of the metal particles 15 on the surface of the electrodeposited resin layer 14 allows the entire exposed surface to be compared with the case of the electrodeposited resin layer 14 alone. Hydrophilization proceeds further, and the contact angle with water further decreases. For this reason, it becomes possible to improve the adhesiveness with respect to a silane coupling agent in the case of the silane coupling agent process performed following the process of FIG. 1C.

次に前記図１Ｃに示すＵＶオゾン処理を終わったコア基板１１を、図１Dに示すようにシランカップリング剤１６の浴に浸漬することにより、上記のシランカップリング剤処理が行われる。本実施形態では特に前記シランカップリング剤１６としてビニル基やスチリル基やメタクリロキシ基やアクリロキシ基などを有するシランカップリング剤を使う。これにより、この後の工程で、Ｃｕ層の無電解メッキ処理の際に触媒として作用するパラジウム（Ｐｄ）原子を効率よく捕捉することが可能となる。先に図１Ｃの工程において前記電着樹脂層１４および第１の金属粒子１５の露出表面がＵＶオゾン処理により親水性に変換されているため、シランカップリング剤は図１Ｄの工程において前記露出表面に連続して吸着あるいは結合される。   Next, the core substrate 11 after the UV ozone treatment shown in FIG. 1C is immersed in a bath of the silane coupling agent 16 as shown in FIG. In this embodiment, a silane coupling agent having a vinyl group, a styryl group, a methacryloxy group, an acryloxy group, or the like is used as the silane coupling agent 16 in particular. This makes it possible to efficiently capture palladium (Pd) atoms that act as a catalyst during the electroless plating process of the Cu layer in subsequent steps. Since the exposed surfaces of the electrodeposition resin layer 14 and the first metal particles 15 are converted to hydrophilic by UV ozone treatment in the step of FIG. 1C, the silane coupling agent is used in the step of FIG. 1D. Are continuously adsorbed or bound to each other.

次に前記コア基板１１は前記シランカップリング剤の浴１６から引き上げられ、乾燥された後、無電解銅メッキ工程の一つであるパラジウム析出浴により処理され、前記電着樹脂層１４および第１の金属粒子１５上に、図１Ｅに示すように、パラジウムよりなる第２の金属粒子１７が析出する。   Next, the core substrate 11 is lifted from the bath 16 of the silane coupling agent, dried, and then treated with a palladium deposition bath, which is one of the electroless copper plating processes. As shown in FIG. 1E, second metal particles 17 made of palladium are deposited on the metal particles 15.

先にも述べたように、図１Ｅの構造では、電着樹脂層１４および第１の金属粒子１５の表面が、ビニル基やスチリル基やメタクリロキシ基やアクリロキシ基などを有するシランカップリング剤により処理されているため、多量のパラジウム原子が、前記第２の金属粒子１７として吸着されている。なお前記第２の金属粒子１７は、各々が単一のパラジウム原子であってもよいが、複数のパラジウム原子が凝集した原子団であってもよい。   As described above, in the structure of FIG. 1E, the surfaces of the electrodeposition resin layer 14 and the first metal particles 15 are treated with a silane coupling agent having a vinyl group, a styryl group, a methacryloxy group, an acryloxy group, or the like. Therefore, a large amount of palladium atoms are adsorbed as the second metal particles 17. Each of the second metal particles 17 may be a single palladium atom, but may be an atomic group in which a plurality of palladium atoms are aggregated.

図２は、前記図１Ｅの工程における前記第２の金属粒子１７、すなわちパラジウム原子の吸着機構の概略を示す図である。   FIG. 2 is a diagram showing an outline of an adsorption mechanism of the second metal particles 17, that is, palladium atoms, in the step of FIG. 1E.

図２を参照するに、前記シランカップリング剤中のＳｉ原子は、前記電着樹脂層１４上の第１の金属粒子１５、例えばパラジウム原子と、酸素原子を介して強固に結合しており、また他のＳｉ原子と、別の酸素原子を介して重合している。ここで前記金属粒子１５は、先に説明したように前記電着樹脂層１４の表面において島状の金属層を形成していてもよい。   Referring to FIG. 2, Si atoms in the silane coupling agent are firmly bonded to the first metal particles 15 on the electrodeposition resin layer 14, for example, palladium atoms via oxygen atoms, Moreover, it superposes | polymerizes through another Si atom and another oxygen atom. Here, the metal particles 15 may form an island-shaped metal layer on the surface of the electrodeposited resin layer 14 as described above.

前記Ｓｉ原子にはＣＨ基を介してＣＨ2基が二重結合しているが、このような部分にパラジウム原子が接近すると、前記パラジウム原子は前記二重結合を切断し、前記Ｃ−Ｈ基を構成する炭素原子に結合すると考えられる。 A CH 2 group is double-bonded to the Si atom through a CH group, but when a palladium atom approaches such a portion, the palladium atom breaks the double bond, and the C—H group It is thought that it is bonded to the carbon atom that constitutes.

さらに本実施形態では図１Ｅの構造を銅メッキ浴に浸漬し、図１Ｅの構造上に無電解銅メッキ層１８を、図１Ｆに示すように、例えば０．１μｍ〜１０μｍの膜厚に析出させる。その際、パラジウムよりなる前記第２の金属粒子１７は、無電解銅の析出反応の触媒として作用し、前記無電解銅メッキ層１８は、前記第２の金属粒子１７を包み込むように、あるいはこれを銅原子により置換して形成される。   Furthermore, in this embodiment, the structure of FIG. 1E is immersed in a copper plating bath, and an electroless copper plating layer 18 is deposited on the structure of FIG. 1E to a film thickness of, for example, 0.1 μm to 10 μm as shown in FIG. 1F. . At this time, the second metal particles 17 made of palladium act as a catalyst for the deposition reaction of electroless copper, and the electroless copper plating layer 18 encloses the second metal particles 17 or this. Is replaced by a copper atom.

その結果、本実施形態によれば、下地となる電着樹脂層１４がフィラーを含んでいないにも係わらず、前記無電解銅メッキ層１８として、均一で接着力の大きい銅層を得ることが出来る。その際、前記第１の金属粒子１５は、膜厚が１００ｎｍ以下の島状の金属層を形成しており、連続的な金属膜は形成しないため、無電解銅メッキ層１８の形成の際、銅の析出が妨げられることはない。   As a result, according to this embodiment, it is possible to obtain a uniform and high adhesive copper layer as the electroless copper plating layer 18 even though the electrodeposition resin layer 14 as a base does not contain a filler. I can do it. At that time, the first metal particles 15 form an island-shaped metal layer having a film thickness of 100 nm or less, and a continuous metal film is not formed. Therefore, when the electroless copper plating layer 18 is formed, Copper precipitation is not hindered.

さらに前記図１Ｆの構造上に電解メッキにより電解銅メッキ層１９が形成され、図１Ｇの構造が得られる。図１Ｆに係る電解メッキ処理工程では、図示は省略するが、前記無電解銅メッキ層１８上にレジストパターンがフォトリソグラフィにより形成されており、かかるレジストパターンをマスクに電解メッキ処理を行うことにより、前記無電解銅メッキ層１８上に前記電解銅メッキ層１９により銅配線パターンが形成される。   Further, an electrolytic copper plating layer 19 is formed on the structure of FIG. 1F by electrolytic plating to obtain the structure of FIG. 1G. In the electrolytic plating treatment step according to FIG. 1F, although not shown, a resist pattern is formed on the electroless copper plating layer 18 by photolithography, and by performing the electrolytic plating treatment using the resist pattern as a mask, A copper wiring pattern is formed on the electroless copper plating layer 18 by the electrolytic copper plating layer 19.

さらに前記銅配線パターンの間に露出している無電解銅メッキ層１８をエッチングにより除去することにより、図１Ｈに示すように銅配線パターン１９Ａを有する配線基板１０が得られる。   Further, by removing the electroless copper plating layer 18 exposed between the copper wiring patterns by etching, a wiring substrate 10 having a copper wiring pattern 19A as shown in FIG. 1H is obtained.

以下、本実施形態を実施例について説明する。   Hereinafter, this embodiment will be described with reference to examples.

実施例１では、前記図１Ｂで説明した第１の金属粒子を析出する工程を、無電解銅メッキプロセスで使われるパラジウム析出浴を適用することで行った。   In Example 1, the step of depositing the first metal particles described in FIG. 1B was performed by applying a palladium deposition bath used in an electroless copper plating process.

より具体的には、ロームアンドハース社の商品名キャタポジット４４を前記パラジウム析出浴として使い、前記図１Ａの構造を前記パラジウム析出浴中に５５℃の温度で３分間浸漬し、さらにこれに引き続き、活性化処理として、ロームアンドハース社のアクセラレータ１９Ｅによる処理を、室温で６分間実行した。これにより、前記電着樹脂層１４の表面に、スルーホール，１１Ｂの側壁面も含め、パラジウムが前記第１の金属粒子１５として、１００ｎｍ以下の厚さで析出される。   More specifically, the product name Cataposit 44 of Rohm and Haas is used as the palladium deposition bath, and the structure of FIG. 1A is immersed in the palladium deposition bath at a temperature of 55 ° C. for 3 minutes. As an activation process, a process using an accelerator 19E manufactured by Rohm and Haas was performed at room temperature for 6 minutes. Thereby, palladium is deposited on the surface of the electrodeposited resin layer 14 as the first metal particles 15 including the through holes and the side wall surfaces of the 11B with a thickness of 100 nm or less.

なお実施例１においては前記電着樹脂層１４として、先にも述べた日本ペイントのインシュリードを使っている。電着樹脂層１４はフィラーを含んでいない。また図１Ａの構造においてコア樹脂層１１ａ〜１１ｄはエポキシ樹脂層よりなり、平均粒径が０．１〜５．０μｍのシリカ粉、タルク粉等の無機フィラーを含んでいる。また前記炭素繊維層１２としては、炭素繊維１０００本を１ヤーンとした織り布（膜厚約０．１５μｍ）を使った。ただし本実施例ではコア樹脂層１１ａ〜１１ｄはエポキシ樹脂に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂やＢＴレジンを使うことも可能である。   In Example 1, the above-mentioned Nippon Paint Insuled is used as the electrodeposition resin layer 14. The electrodeposition resin layer 14 does not contain a filler. In the structure of FIG. 1A, the core resin layers 11a to 11d are made of an epoxy resin layer, and contain inorganic fillers such as silica powder and talc powder having an average particle diameter of 0.1 to 5.0 μm. As the carbon fiber layer 12, a woven fabric (film thickness of about 0.15 μm) with 1000 carbon fibers as one yarn was used. However, in this embodiment, the core resin layers 11a to 11d are not limited to the epoxy resin, and it is also possible to use, for example, polyimide resin or BT resin.

次にこのようにして形成されたコア基板１１に対し、図１Ｃで説明したＵＶオゾン処理を、市販のＵＶオゾン照射装置を４０Ｗの出力で１０分間駆動することにより行った。このＵＶオゾン処理後の表面をＸ線分光分析（ＸＰＳ）法により分析した結果、ヒドロキシル基（ヒドロキシ基、水酸基）およびカルボキシル基の生成が確認された。   Next, the UV ozone treatment described with reference to FIG. 1C was performed on the core substrate 11 thus formed by driving a commercially available UV ozone irradiation apparatus with an output of 40 W for 10 minutes. As a result of analyzing the surface after the UV ozone treatment by an X-ray spectroscopic analysis (XPS) method, it was confirmed that hydroxyl groups (hydroxy groups, hydroxyl groups) and carboxyl groups were generated.

次に、このようにして処理されたコア基板１１を、信越シリコーン社より商品名ＫＢＭ１００３として市販のビニルシランの約１．０ｗｔ％濃度の水溶液中に、約７０℃の温度で浸漬し、１分後に引き上げて、十分な水洗の後、１２０℃において１時間乾燥し、これにより、先に図１Ｄで説明した処理を行った。   Next, the core substrate 11 treated in this way is immersed in an aqueous solution of vinyl silane having a trade name of KBM1003 under the trade name KBM1003 at a concentration of about 1.0 wt% at a temperature of about 70 ° C. After 1 minute. The substrate was pulled up, washed sufficiently with water, and dried at 120 ° C. for 1 hour, whereby the treatment described above with reference to FIG. 1D was performed.

図３は、このようにして得られた試料について行った、ＸＰＳ分析の結果を示す。図３では光電子スペクトルのスキャンを、９４〜１１４ｅＶの束縛エネルギ帯域で行っている（ナロウスキャン）。図中、横軸は束縛エネルギ、縦軸は励起された光電子の相対強度である。   FIG. 3 shows the results of XPS analysis performed on the sample thus obtained. In FIG. 3, scanning of the photoelectron spectrum is performed in a constrained energy band of 94 to 114 eV (narrow scan). In the figure, the horizontal axis represents the binding energy, and the vertical axis represents the relative intensity of the excited photoelectrons.

図３を参照するに、Ｓｉ２ｐ軌道の束縛エネルギが９９．２ｅＶであるのに対し、図中には、Ｒ−Ｓｉ−Ｏ3結合あるいはＲ2−Ｓｉ−Ｏ2結合に対応した、約１０３．５ｅＶおよび１０２．５ｅＶのケミカルシフトが観測されており、前記図１Ｄの処理の結果、ビニルシランがコア基板１１の表面に吸着あるいは結合しているのが確認された。 Referring to FIG. 3, the binding energy of the Si2p orbital is 99.2 eV, whereas in the figure, about 103.3 corresponding to the R—Si—O 3 bond or the R 2 —Si—O 2 bond. Chemical shifts of 5 eV and 102.5 eV were observed, and as a result of the treatment shown in FIG. 1D, it was confirmed that vinylsilane was adsorbed or bonded to the surface of the core substrate 11.

次に、前記図１Ｅで説明した工程に対応して、このようにして得られたコア基板１１に対しパラジウム析出浴を、前記ロームアンドハース社のキャタポジット４４を使って５５℃の温度で３分間実行し、パラジウムを前記第２の金属粒子１７として析出させ、前記コア基板１１の表面、すなわち電着樹脂層１４と第１の金属粒子１５の露出表面に存在するビニルシランの二重結合と結合させる。   Next, corresponding to the process described with reference to FIG. 1E, a palladium deposition bath is applied to the core substrate 11 thus obtained at a temperature of 55 ° C. using the catalyst deposit 44 of Rohm and Haas. Run for a minute to deposit palladium as the second metal particles 17 and bond with vinylsilane double bonds present on the surface of the core substrate 11, that is, on the exposed surfaces of the electrodeposition resin layer 14 and the first metal particles 15. Let

さらに前記アクセラレータ１９Ｅによる処理を室温で６分間実行した後、図１Ｅの構造を無電解銅メッキ浴に浸漬し、無電解銅メッキ層１８を析出させた。より具体的には、前記無電解銅メッキ浴としてロームアンドハース社の商品名カッパーミックスを使い、室温において２０分間析出を行った。さらに前記無電解銅メッキ層１８の形成後、得られた図１Ｆの構造は、１２０℃〜１５０℃の温度で約３０分間の乾燥処理を施される。   Further, after the treatment by the accelerator 19E was performed for 6 minutes at room temperature, the structure of FIG. 1E was immersed in an electroless copper plating bath to deposit an electroless copper plating layer 18. More specifically, the product name Coppermix of Rohm and Haas was used as the electroless copper plating bath, and precipitation was performed at room temperature for 20 minutes. Further, after the electroless copper plating layer 18 is formed, the obtained structure of FIG. 1F is subjected to a drying process at a temperature of 120 ° C. to 150 ° C. for about 30 minutes.

このようにして得られた構造に対し光学顕微鏡観察を行った結果、前記無電解銅めっき層１８は、前記電着樹脂層１４の表面に、スルーホール１１Ａ，１１Ｂの側壁面も含め、一様に形成されていることが確認された。   As a result of observing the structure thus obtained with an optical microscope, the electroless copper plating layer 18 is uniform on the surface of the electrodeposited resin layer 14 including the side wall surfaces of the through holes 11A and 11B. It was confirmed that it was formed.

さらにこのようにして得られた構造上に、電解メッキにより電解銅メッキ層１９を厚さに形成した。より具体的には、図１Ｆに示す構造を、硫酸銅五水和物を５０ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ、硫酸を１５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌ、光沢剤や平滑剤などの添加剤を０．１％〜２％の濃度で含む電解銅メッキ液中に浸漬し、前記無電解メッキ層１８を通電層とし３Ａ／ｃｍ2の電流密度で通電を行い、前記電解銅メッキ層１９を３０μｍの厚さに形成した。さらにこのようにして得られた構造に対し、１８０℃で1時間の熱処理を行った。 Further, an electrolytic copper plating layer 19 was formed to a thickness on the structure thus obtained by electrolytic plating. More specifically, the structure shown in FIG. 1F has a structure in which copper sulfate pentahydrate is 50 g / L to 100 g / L, sulfuric acid is 150 g / L to 300 g / L, and additives such as a brightener and a smoothing agent are 0.00. It is immersed in an electrolytic copper plating solution containing a concentration of 1% to 2%, energized at a current density of 3 A / cm 2 using the electroless plated layer 18 as a conductive layer, and the electrolytic copper plated layer 19 is formed to a thickness of 30 μm. Formed. Further, the structure thus obtained was heat-treated at 180 ° C. for 1 hour.

本実施例で得られた電解銅メッキ層１９について、接着力（ピール強度）をピール強度テストにより測定したところ、１．１ｋｇ／ｃｍと、所望の１．０ｋｇ／ｃｍを超える接着力が実現されていることが確認された。   When the adhesive strength (peel strength) of the electrolytic copper plating layer 19 obtained in this example was measured by a peel strength test, an adhesive strength exceeding 1.1 kg / cm, which is 1.1 kg / cm, was realized. It was confirmed that

なお、本実施例において前記シランカップリング剤として、他のビニルシラン、例えばビニルトリアセトキシラン、ビニルトリス（メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アクリルトリメトキシシランなどを使った場合においても、前記電解銅メッキ層１９について１．０ｋｇ／ｃｍを上回る接着力が得られた。   In this embodiment, as the silane coupling agent, other vinyl silanes such as vinyl triacetoxy silane, vinyl tris (methoxyethoxy) silane, vinyl trimethoxy silane, vinyl triethoxy silane, vinyl triisopropoxy silane, acrylic trimethoxy silane. Even when using the above, an adhesive force exceeding 1.0 kg / cm was obtained for the electrolytic copper plating layer 19.

また前記実施例１において前記シランカップリング剤として、メタクリロキシ基を官能基とするメタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、およびアクリロキシ基を有するアクリロキシプロピルトリメトキシシランを使った場合、およびスチリル基を有するｐ−スチリルトリメトキシシランを使った場合においても、前記電解銅メッキ層１９について１．０ｋｇ／ｃｍを上回る接着力が得られた。上述のシランカップリング剤は、いずれも二重結合を含んでいる。   In Example 1, the silane coupling agent has a methacryloxypropyltrimethoxysilane having a methacryloxy group as a functional group, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, and an acryloxy group. Even when acryloxypropyltrimethoxysilane was used and when p-styryltrimethoxysilane having a styryl group was used, an adhesive force exceeding 1.0 kg / cm was obtained for the electrolytic copper plating layer 19. All of the above-mentioned silane coupling agents contain a double bond.

（比較例）
これに対し、上記実施例１に対する比較例として、上記実施例１において、前記図１Ａの構造に対し直ちに図１Ｄ〜図１Ｇのシランカップリング剤処理、パラジウム析出処理、無電解銅メッキ処理および電解銅メッキ処理を、同じ条件で行う実験を行った。 (Comparative example)
On the other hand, as a comparative example with respect to Example 1, in Example 1 above, the structure of FIG. 1A is immediately subjected to the silane coupling agent treatment, palladium deposition treatment, electroless copper plating treatment and electrolysis of FIGS. 1D to 1G. An experiment was conducted in which the copper plating treatment was performed under the same conditions.

しかしこの実験では前記無電解銅メッキ層１８が前記電着樹脂層１４表面に不均一に析出してしまい、ピール強度試験で容易に剥離してしまった。この比較例で得られた電解銅メッキ層の密着力は、０ｋｇ／ｃｍにしかならなかった。   However, in this experiment, the electroless copper plating layer 18 was deposited unevenly on the surface of the electrodeposited resin layer 14 and easily peeled off in a peel strength test. The adhesion of the electrolytic copper plating layer obtained in this comparative example was only 0 kg / cm.

このように、本実施形態によれば、基板を覆う樹脂層１４の表面に第１の金属粒子１５を析出し、前記樹脂層１４の表面および前記第１の金属粒子１５の表面を、紫外光励起オゾンに曝露して親水性に変化させ、前記親水性に変化した樹脂層１４の表面および第１の金属粒子１５の表面を、ビニル基やスチリル基やメタクリロキシ基やアクリロキシ基を有するシランカップリング剤１６で処理し、前記シランカップリング剤で処理した前記樹脂層１４の表面および第１の金属粒子の表面に、パラジウムよりなる第２の金属粒子１７を析出することにより、シランカップリング剤に結合しているビニル基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基により、前記第２の金属粒子１７が、前記樹脂層１４の表面および前記第１の金属粒子１５の表面に効率よく補足され、その後で、前記シランカップリング剤で処理した前記樹脂層１４の表面および前記第１の金属粒子の表面１５、および前記第２の金属粒子１７の表面を覆って、無電解メッキにより銅層１８を形成する際に、大量に補足されたパラジウムよりなる第２の金属粒子１７が触媒となり、前記無電解銅メッキ層１８が前記第２の金属粒子１７を包み込むことにより、あるいは前記無電解銅メッキ層１８中の銅原子が前記第２の金属粒子１７を置換することにより、前記無電解銅メッキ層１８と前記樹脂層１７との間に強固な結合が生じる。その結果、本実施形態によれば、フィラーを含まない樹脂層１４上においても無電解銅メッキ層を高い接着力で形成することが可能となる。   Thus, according to the present embodiment, the first metal particles 15 are deposited on the surface of the resin layer 14 covering the substrate, and the surface of the resin layer 14 and the surface of the first metal particles 15 are excited by ultraviolet light. Silane coupling agent having a vinyl group, a styryl group, a methacryloxy group, or an acryloxy group on the surface of the resin layer 14 and the surface of the first metal particles 15 that have been changed to hydrophilicity by exposure to ozone. The second metal particles 17 made of palladium are deposited on the surface of the resin layer 14 and the surface of the first metal particles treated with the silane coupling agent 16 and bonded to the silane coupling agent. Due to the vinyl group, the styryl group, the methacryloxy group, and the acryloxy group, the second metal particles 17 are formed on the surface of the resin layer 14 and the first metal particles 1. Then, the surface of the resin layer 14 treated with the silane coupling agent, the surface 15 of the first metal particles, and the surface of the second metal particles 17 are covered. When the copper layer 18 is formed by electroless plating, the second metal particles 17 made of palladium supplemented in large quantities serve as a catalyst, and the electroless copper plating layer 18 encloses the second metal particles 17. Alternatively, when the copper atoms in the electroless copper plating layer 18 replace the second metal particles 17, a strong bond is generated between the electroless copper plating layer 18 and the resin layer 17. As a result, according to the present embodiment, it is possible to form the electroless copper plating layer with high adhesive force even on the resin layer 14 that does not contain the filler.

なお本実施形態において、前記樹脂層１４が電着樹脂層である必要はなく、例えば図４に示すようにコア基板１１を単に溶融樹脂、例えば溶融エポキシ樹脂中に浸漬し、引き上げることにより形成した樹脂層であってもよい。この場合にも、前記図１Ｂ〜図１Ｇで説明したプロセスを実行することにより、接着力の大きい無電解及び電解銅メッキ層１８，１９を得ることができる。   In the present embodiment, the resin layer 14 need not be an electrodeposited resin layer. For example, as shown in FIG. 4, the core substrate 11 is formed by simply immersing and pulling up the core substrate 11 in a molten resin, for example, a molten epoxy resin. It may be a resin layer. Also in this case, the electroless and electrolytic copper plating layers 18 and 19 having a large adhesive force can be obtained by executing the processes described in FIGS. 1B to 1G.

［第２の実施形態］
次に第２の実施形態による配線基板の製造方法を、図５および図６Ａ〜図６Ｄを参照しながら説明する。ただし図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。 [Second Embodiment]
Next, a method of manufacturing a wiring board according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6A to 6D. However, in the figure, the same reference numerals are assigned to portions corresponding to the portions described above, and description thereof is omitted.

図５は、前記図１Ｃで説明した工程に対応し、前記電着樹脂層１４および第１の金属粒子１５の露出表面を親水性に変化させているが、本実施形態ではＵＶオゾン処理の代わりに、酸素プラズマ照射を行う。   FIG. 5 corresponds to the process described with reference to FIG. 1C, and the exposed surfaces of the electrodeposition resin layer 14 and the first metal particles 15 are changed to be hydrophilic. In this embodiment, instead of UV ozone treatment, FIG. Next, oxygen plasma irradiation is performed.

酸素プラズマは、例えば空気中にマイクロ波を供給することにより発生され、前記電着樹脂層１４および第１の金属粒子１５の露出表面に作用して、前記露出表面に水酸基やカルボキシル基、カルボニル基などを結合させる。その結果、前記露出表面はこれら水酸基やカルボキシル基、カルボニル基などの作用により、親水性を示す。先にも説明したように、特に金属粒子１５の露出表面における親水化の進行は顕著で、金属粒子１５が前記電着樹脂層１４の表面に存在することで、前記電着樹脂層１４だけの場合に比べ、露出表面全体の親水性化がより進行し、水に対する接触角がさらに減少する。このため、図１Ｃの工程に引き続いて行われるシランカップリング剤処理の際の、シランカップリング剤に対する密着性を向上させることが可能となる。   The oxygen plasma is generated, for example, by supplying microwaves into the air, and acts on the exposed surfaces of the electrodeposition resin layer 14 and the first metal particles 15, so that hydroxyl groups, carboxyl groups, and carbonyl groups are formed on the exposed surfaces. And so on. As a result, the exposed surface exhibits hydrophilicity by the action of these hydroxyl groups, carboxyl groups, carbonyl groups, and the like. As described above, the progress of hydrophilization is particularly remarkable on the exposed surface of the metal particles 15, and the presence of the metal particles 15 on the surface of the electrodeposited resin layer 14 allows only the electrodeposited resin layer 14 to be present. Compared to the case, the entire exposed surface becomes more hydrophilic, and the contact angle with water is further reduced. For this reason, it becomes possible to improve the adhesiveness with respect to a silane coupling agent in the case of the silane coupling agent process performed following the process of FIG. 1C.

ところで本実施形態では、このような親水化処理を酸素プラズマ処理により行っている。例えばかかる酸素プラズマ処理は、前記図１Ａの状態のコア積層板１１を大気中あるいは酸素雰囲気中に保持し、市販の酸素プラズマ照射装置を駆動することにより実行される。   By the way, in this embodiment, such hydrophilic treatment is performed by oxygen plasma treatment. For example, such oxygen plasma treatment is performed by holding the core laminate 11 in the state shown in FIG. 1A in the air or in an oxygen atmosphere and driving a commercially available oxygen plasma irradiation apparatus.

このような酸素プラズマ照射の結果、前記電着樹脂層１４は部分的にエッチングされ、その際、前記第１の金属粒子１５がマスクとなり、前記電着樹脂層１４の表面には図６Ａの拡大図に示すように凹部１４Ａが、典型的には０．１μｍ〜１μｍ程度深さに形成される。なお図６Ａの例では、前記第１の金属粒子１５が前記電着樹脂層１４の表面において、径が０．１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の島状金属パターン１５Ａを形成している。前記電着樹脂層１４の酸素プラズマによるエッチングは略等方的に進行し、前記凹部１４Ａは隣接する金属パターン１５Ａの下部に部分的に食い込んだ形状になっている。   As a result of the oxygen plasma irradiation, the electrodeposition resin layer 14 is partially etched, and the first metal particles 15 serve as a mask, and the surface of the electrodeposition resin layer 14 is enlarged as shown in FIG. 6A. As shown in the figure, the recess 14A is typically formed to a depth of about 0.1 μm to 1 μm. In the example of FIG. 6A, the first metal particles 15 form an island-shaped metal pattern 15A having a diameter of about 0.1 nm to 100 nm on the surface of the electrodeposited resin layer 14. Etching of the electrodeposited resin layer 14 with oxygen plasma proceeds substantially isotropically, and the recess 14A has a shape that partially bites into the lower part of the adjacent metal pattern 15A.

そこで、図６Ａの構造を、前記図１Ｄの構造に関連して説明した工程に対応して図６Ｂの拡大図に示すようにシランカップリング剤１６の浴中に浸漬し、さらに前記図１Ｅの構造に関連して説明した工程に対応して、図６Ｃの拡大図に示すように、前記図６Ｂの構造上にパラジウムよりなる第２の金属粒子１７を析出させる。   Therefore, the structure of FIG. 6A is immersed in a bath of silane coupling agent 16 as shown in the enlarged view of FIG. 6B corresponding to the process described in relation to the structure of FIG. Corresponding to the steps described in relation to the structure, as shown in the enlarged view of FIG. 6C, the second metal particles 17 made of palladium are deposited on the structure of FIG. 6B.

さらに前記図１Ｆで説明した工程に対応して前記図６Ｃの構造上に無電解メッキにより、無電解銅メッキ層１８を、前記第２の金属粒子１７を触媒にして析出させる。その際、図６Ｄの拡大図に示されるように、前記無電解銅メッキ層１８が前記第２の金属粒子１７を包み込むように、あるいは前記第２の金属粒子１７をＣｕ原子で置換するように析出させる。このようにして形成された無電解銅メッキ層１８は、前記凹部１４Ａを充填するように形成されており、その結果、アンカー効果により、前記電着樹脂層１４に対し優れた接着力を示す。   Further, corresponding to the process described with reference to FIG. 1F, an electroless copper plating layer 18 is deposited on the structure of FIG. 6C by electroless plating using the second metal particles 17 as a catalyst. At that time, as shown in the enlarged view of FIG. 6D, the electroless copper plating layer 18 encloses the second metal particles 17 or the second metal particles 17 are replaced with Cu atoms. Precipitate. The electroless copper plating layer 18 thus formed is formed so as to fill the concave portion 14A, and as a result, exhibits an excellent adhesive force to the electrodeposited resin layer 14 due to the anchor effect.

さらに図１Ｇで説明したように前記図６Ｄの構造上に、図示は省略するが前記電解銅メッキ層１９を形成する。その際、前記電解銅メッキ層１９の成膜を、レジストパターンをマスクに使って実行し、露出している無電解銅メッキ層１８をエッチングで除去することにより、図１Ｈで説明したように、銅配線パターン１９Ａを有する配線基板１０を得ることができる。   Further, as described in FIG. 1G, the electrolytic copper plating layer 19 is formed on the structure of FIG. At that time, the electrolytic copper plating layer 19 is formed using a resist pattern as a mask, and the exposed electroless copper plating layer 18 is removed by etching, as described in FIG. The wiring board 10 having the copper wiring pattern 19A can be obtained.

このように本実施形態では、前記電着樹脂層１４がフィラーを含まないにもかかわらず、前記電着樹脂層１４中にアンカー効果を生じる凹部１４Ａが形成され、前記無電解銅メッキ層１８、およびその上に形成される電解銅メッキ層１９について、優れた接着力が実現される。   Thus, in this embodiment, although the electrodeposition resin layer 14 does not contain a filler, a recess 14A that generates an anchor effect is formed in the electrodeposition resin layer 14, and the electroless copper plating layer 18, And the outstanding adhesive force is implement | achieved about the electrolytic copper plating layer 19 formed on it.

実施例２では、前記実施例１において、親水性化処理をＵＶオゾン処理から酸素プラズマ照射処理に変更し、無電解銅メッキ層１８の形成を行った。上記以外は、実施例１と同じである。   In Example 2, the hydrophilization treatment in Example 1 was changed from UV ozone treatment to oxygen plasma irradiation treatment, and the electroless copper plating layer 18 was formed. Other than the above, the second embodiment is the same as the first embodiment.

ピール強度試験の結果、本実施例で得られた電解銅メッキ層１９は、前記電着樹脂層１４に対して１．３ｋｇ／ｃｍの接着力（ピール強度）を有していることが確認された。これは実施例１のものよりも大きく、上記のアンカー効果が実際に得られていることを示している。またこのようなアンカー効果が得られることから、前記電着樹脂層１４の表面において前記第１の金属粒子１５を構成する金属原子は、前記無電解銅メッキ層１８が前記凹部１４Ａにおいて効果的に把持されるように、径が０．１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の島状金属パターン１５Ａを形成していることが推察される。   As a result of the peel strength test, it was confirmed that the electrolytic copper plating layer 19 obtained in this example had an adhesive force (peel strength) of 1.3 kg / cm with respect to the electrodeposited resin layer 14. It was. This is larger than that of Example 1, indicating that the anchor effect is actually obtained. Also, since such an anchor effect is obtained, the metal atoms constituting the first metal particles 15 on the surface of the electrodeposited resin layer 14 are effectively separated by the electroless copper plating layer 18 in the recess 14A. It is inferred that the island-shaped metal pattern 15A having a diameter of about 0.1 nm to 100 nm is formed so as to be gripped.

以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。   As mentioned above, although this invention was described about preferable embodiment, this invention is not limited to this specific embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the summary described in the claim.

第１の実施形態による配線基板の製造方法を示す図（その１）である。It is a figure (the 1) which shows the manufacturing method of the wiring board by 1st Embodiment. 第１の実施形態による配線基板の製造方法を示す図（その２）である。FIG. 8 is a diagram (part 2) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 第１の実施形態による配線基板の製造方法を示す図（その３）である。FIG. 8 is a diagram (part 3) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 第１の実施形態による配線基板の製造方法を示す図（その４）である。FIG. 8 is a diagram (part 4) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 第１の実施形態による配線基板の製造方法を示す図（その５）である。FIG. 8 is a diagram (No. 5) for illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 第１の実施形態による配線基板の製造方法を示す図（その６）である。FIG. 6 is a view (No. 6) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 第１の実施形態による配線基板の製造方法を示す図（その７）である。FIG. 7 is a view (No. 7) for explaining the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 第１の実施形態による配線基板の製造方法を示す図（その８）である。FIG. 8 is a view (No. 8) for illustrating a method of manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 二重結合を有するシランカップリング剤の作用を示す概略図である。It is the schematic which shows the effect | action of the silane coupling agent which has a double bond. シランカップリング剤の存在を示すＸＰＳスペクトル図である。It is an XPS spectrum figure which shows presence of a silane coupling agent. 第１の実施形態の一変形例を示す図である。It is a figure which shows one modification of 1st Embodiment. 第２の実施形態による配線基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the wiring board by 2nd Embodiment. 第２の実施形態による配線基板の製造方法を示す拡大図（その１）である。It is an enlarged view (the 1) which shows the manufacturing method of the wiring board by 2nd Embodiment. 第２の実施形態による配線基板の製造方法を示す拡大図（その２）である。It is an enlarged view (the 2) which shows the manufacturing method of the wiring board by 2nd Embodiment. 第２の実施形態による配線基板の製造方法を示す拡大図（その３）である。It is an enlarged view (the 3) which shows the manufacturing method of the wiring board by 2nd Embodiment. 第２の実施形態による配線基板の製造方法を示す拡大図（その４）である。It is an enlarged view (the 4) which shows the manufacturing method of the wiring board by 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１１ コア樹脂基板
１１Ａ，１１Ｂ スルーホール
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ 積層板構成樹脂層
１２ 炭素繊維
１３ 銅層
１４ 電着樹脂層
１４Ａ 凹部
１５ 第１の金属粒子
１５Ａ 島状金属層パターン
１６ シランカップリング剤
１７ 第２の金属粒子（パラジウム原子）
１８ 無電解銅メッキ層
１９ 電解銅メッキ層
１９Ａ 銅配線パターン
１４１ 樹脂層 11 Core resin substrate 11A, 11B Through hole 11a, 11b, 11c Laminated plate constituting resin layer 12 Carbon fiber 13 Copper layer 14 Electrodeposition resin layer 14A Recess 15 First metal particle 15A Insular metal layer pattern 16 Silane coupling agent 17 Second metal particle (palladium atom)
18 Electroless copper plating layer 19 Electrolytic copper plating layer 19A Copper wiring pattern 141 Resin layer

Claims (5)

基板を覆う樹脂層の表面に第１の金属粒子を析出する工程と、
前記樹脂層の表面および前記第１の金属粒子の表面を、紫外光励起オゾンあるいは酸素プラズマに曝露することにより、親水性に変化させる工程と、
前記親水性に変化した樹脂層の表面および第１の金属粒子の表面を、ビニル基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基のいずれかを有するシランカップリング剤で処理する工程と、
前記シランカップリング剤で処理した前記樹脂層の表面および第１の金属粒子の表面に、パラジウムよりなる第２の金属粒子を析出する工程と、
前記シランカップリング剤で処理した前記樹脂層の表面および前記第１の金属粒子の表面、および前記第２の金属粒子の表面を覆って、無電解メッキにより銅層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 Depositing first metal particles on the surface of the resin layer covering the substrate;
Changing the surface of the resin layer and the surface of the first metal particles to hydrophilicity by exposing them to ultraviolet light-excited ozone or oxygen plasma; and
Treating the surface of the resin layer changed to hydrophilic and the surface of the first metal particles with a silane coupling agent having any of a vinyl group, a styryl group, a methacryloxy group, and an acryloxy group;
Depositing second metal particles made of palladium on the surface of the resin layer and the surface of the first metal particles treated with the silane coupling agent;
Covering the surface of the resin layer treated with the silane coupling agent, the surface of the first metal particles, and the surface of the second metal particles, and forming a copper layer by electroless plating;
A method for manufacturing a wiring board, comprising: 前記第１の金属粒子は、ニッケル、パラジウム、スズおよび金よりなる群から選ばれる原子であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。   2. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the first metal particles are atoms selected from the group consisting of nickel, palladium, tin, and gold. 前記第１の金属粒子は前記樹脂層の表面に無電解メッキにより析出されることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板の製造方法。   3. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the first metal particles are deposited on the surface of the resin layer by electroless plating. 前記樹脂層の表面を親水性に変化させる工程は、前記樹脂層の表面および前記第１の金属粒子の表面を酸素プラズマに曝露することにより実行され、前記樹脂層の表面に前記第１の金属粒子をマスクに凹形状を形成することを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。   The step of changing the surface of the resin layer to hydrophilic is performed by exposing the surface of the resin layer and the surface of the first metal particles to oxygen plasma, and the surface of the resin layer is exposed to the first metal. 4. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein a concave shape is formed by using particles as a mask. 前記樹脂層はフィラーを含まないことを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。   The said resin layer does not contain a filler, The manufacturing method of the wiring board as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
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