JP2010030034A - 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 - Google Patents
機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010030034A JP2010030034A JP2009148013A JP2009148013A JP2010030034A JP 2010030034 A JP2010030034 A JP 2010030034A JP 2009148013 A JP2009148013 A JP 2009148013A JP 2009148013 A JP2009148013 A JP 2009148013A JP 2010030034 A JP2010030034 A JP 2010030034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- handling member
- substrate
- processed
- membrane
- edge direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49005—Acoustic transducer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49007—Indicating transducer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/4908—Acoustic transducer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明において、ハンドリング部材には、素子と固定する面に、素子と固定された状態で外部と連通する流路の一部を構成する溝が形成される。被処理基板とハンドリング部材との固定工程において、振動膜支持部のエッジ方向と、ハンドリング部材の溝のエッジ方向とが交差するように、ハンドリング部材を固定する。
【選択図】 図3
Description
本実施形態では、流路上に接着層を設けたハンドリング部材を用いた場合の機械電気変換装置の製造方法について示す。被処理基板とハンドリング部材の物理パラメーターは、以下の通りである。
(被処理基板の設定)
被処理基板の基材・・・・・・・・p−Type{100}シリコンウェハ
被処理基板の大きさ・・・・・・・4インチ(10.16cm)
キャビティの形状・大きさ・・・・1辺20μmの正方形
エレメントの形状・幅・・・・・・長方形・縦幅0.505mm、横幅6.005mm
1エレメント内のキャビティ数・・・4800個(20行、240列)
メンブレン支持部の幅(キャビティとキャビティの間隔)・・・・5μm
エレメント間の距離・・・・・・・・縦間隔5μm、横間隔5μm
1つの被処理基板内のエレメント数・・・・1240個(124行、10列)
(ハンドリング部材の設定)
ハンドリング部材の基材・・・・・合成石英基板
ハンドリング部材の大きさ・・・・直径12cm、厚さ1mm
流路凹部の幅・・・・・・・・・・200μm
流路凸部の幅・・・・・・・・・・200μm
流路深さ・・・・・・・・・・・・200μm
流路ピッチ・・・・・・・・・・・400μm
流路の本数・・・・・・・・・・・300本
(接着層の設定)
流路凹凸部へ接着層を形成
接着層の種類・・・・・・・・・・ポジレジスト
レジスト厚さ・・・・・・・・・・20μm
(1)シリコン基板の用意
図2(A)と同様に、シリコン基板12を洗浄、準備をする。その後、拡散(Diffusion)法、もしくはイオン注入(Ion Implantation)法でSi基板表面を低抵抗化する。
(2)メンブレン支持部の作製
図2(B)乃至(D)と同様に、メンブレン支持部を作製し、A基板15を得る。
(3)キャビティの作製
図2(E)と同様に、SOIウェハを用意し、(2)で作製したメンブレン支持部表面と接合する。この接合は、EVG社製EVG520等を用いて接合面の表面を室温で活性化し、150℃以下、10−3Paで行う。次に、接合されたSOI基板のハンドリング層18を数十μmの厚さが残るように研磨し、洗浄する。その後、片面エッチング治具を用いて、前記研磨された基板の裏面を保護しながら、80℃のKOH液でハンドリング層18をエッチングする。続いて、フッ酸を含む液でBOX層17をエッチングし、図2(F)に示すようにデバイス層16を露出させ、本実施形態のメンブレン4とする。
(4)電極の作製
図2(G)と同様に、メンブレン4の周縁外の付近に、メンブレン4を構成するデバイス層16をドライエッチングでパターニングする。その後、このパターニング用のフォトレジストを除去しないで、直接酸化膜13をウェットエッチングでパターニングする。前記工程により図2(G)に示すように、エッチング穴19が形成される。次に電極用のCrをスパッタリングで成膜して、ウェットエッチングでパターニングし、図2(H)に示すような上部電極5、上部電極パッド20、および下部電極パッド8を形成する。最後に、本実施形態における複数のセルを電気分離するため、デバイス層16をパターニングして、被処理基板を完成する。なお、その上に設ける電気配線の保護膜もしくは上部電極5と上部電極パッド20との電気配線などは図面に表示していない。
実施形態1で作製される被処理基板21の模式図を図11に示す。被処理基板21が有するメンブレン支持部のエッジ方向34を図11(A)に示す。図11(B)は、図11(A)の一部を拡大した図であり、エレメント6が複数個シリコン基板上に形成されているのを示している。図11(C)は、1つのエレメントの形状の模式図であり、図11(D)にキャビティ(セル)の具体的な配置を示している。また、図11(D)では、上部電極5や上部電極パッド20、下部電極パッド8などは省略している。
(2−1)流路を設けたハンドリング部材の作製
まず、洗浄済みの合成石英基板を用意する。合成石英基板の大きさは、直径12cm、厚さ1mmである。洗浄は、中性洗剤及び純水で超音波洗浄を行い、アルカリ溶液に短時間浸した後に純水及び超純水で超音波洗浄及び流水洗浄を行う。次に、洗浄済みの合成石英基板の片面に、幅200μm、深さ200μm、の直線の流路を、流路間隔が200μmとなるようダイシング加工により作製する。ダイシング加工後、再度加工済みのハンドリング部材を洗浄することで、直線の流路が300本設けられたハンドリング部材が得られる。図12(A)は、実施形態1で作製したハンドリング部材の外観模式図である。図12(B)は図12(A)の一部を拡大した模式図である。
(2−2)接着層の形成
(2−1)で作製した流路を設けたハンドリング部材の流路凹凸部に、ポジレジストをスプレー法で塗布し、厚さ20μmの接着層を形成する。
(3−1)被処理基板とハンドリング部材の配置
(1)で作製される被処理基板が有する及びメンブレン支持部のエッジ方向34と、(2)で作製されるハンドリング部材の溝のエッジ方向32とが交差するように、両者を配置する。具体的には、溝のエッジ方向32とメンブレン支持部のエッジ方向34との角度51が30度になるよう時計回りに回転し、配置する。この角度は正確にアライメントしてもよいが、目視で±10度程度の精度で配置すれば良い。図13に、実施形態1における被処理基板とハンドリング部材との配置方向の模式図を示す。メンブレン支持部のエッジ方向34に対して、ハンドリング部材の溝のエッジ方向32が一致していない(交差している)ことがわかる。
(3−2)ハンドリング部材の固定
被処理基板とハンドリング部材とを接触させた状態のまま、115℃程度に加熱したオーブン中で30分間程度ベークし、被処理基板21にハンドリング部材を固定する。
(4−1)集積回路上へのフリップチップパッドの形成
集積回路11を用意し、フリップチップパッドとして5μmのNi/Al層をはんだバンプで形成する。次に直径80μmのSn/Pb共晶はんだ球を、フリップチップパッド上に形成する。
(5−1)バックグラインド工程
(3)でハンドリング部材が固定される被処理基板の第二の面のシリコン基板を、厚さが150μm程度残るまで研磨を行う。
(5−2)トレンチ加工
キャビティ側の熱酸化膜の層までドライエッチングを行い、各エレメントを分離するようにトレンチ部を作製する。トレンチ部の幅は5μmである。
(5−3)下部電極となる金属層の形成
第二の面の凸部にシグナルを取り出す下部電極層9を設ける為、Tiを200Å、Cuを500Å、Auを2000Å、成膜する。
(5−4)フリップチップ接合
(4)で用意される集積回路の共晶はんだ球の位置と、シグナル電極層の位置合わせを行う。その後、150℃、4g/bump位の力で両者を接合する。
(6−1)集積回路側の保護
(5)で集積回路が接合される被処理基板のハンドリング部材以外の部分を保護ケースで覆う。保護ケースは、エレメントと接触しないよう配置する。
(6−2)溶解液への浸漬
図10(a)のような、アセトン溶液を満たした容器37を用意し、(6−1)にて保護ケースで覆った被処理基板を容器37にセットする。容器37は、循環ポンプと接続されており、内部のアセトン溶液はポンプによって循環させる。ある程度時間が経過した所で、循環させているアセトン溶液の量を減少させて、接着層の溶解具合を確認する。数回目の確認で、容器37内のアセトン溶液の界面の減少と共に保護ケースに覆われた被処理基板が移動していき、ハンドリング部材から分離される。
(7−1)洗浄と保護ケースの除去
保護ケースで覆われたまま被処理基板を洗浄し、保護ケースを取り外すことで機械電気変換装置が完成する。
上記の様な作製方法により、メンブレン4が破壊する確率を低下し、集積回路11が固定された機械電気変換装置を製造することができる。
本実施形態では、流路(直線状流路+孔)上に金属層(Ge)を設けたハンドリング部材を用いた機械電気変換装置の製造方法について示す。被処理基板とハンドリング部材の物理パラメーターは、以下の通りである。
(被処理基板の設定)
被処理基板の基材・・・・・・・・・p−Type{100}シリコンウェハ
被処理基板の大きさ・・・・・・・・4インチ(10.16cm)
キャビティの形状・大きさ・・・・・1辺125μmの正六角形
エレメントの形状・大きさ・・・・・多角形・縦幅約6mm、横幅約6mm(図14参照)
1エレメント内のキャビティ数・・・780個(図14参照)
メンブレン支持部の幅(キャビティとキャビティの間隔)・・・・・・5μm
エレメント間の距離・・・・・・・・縦間隔5μm、横間隔5μm
1つの被処理基板内のエレメント数・・・・・100個(10行、10列)
(ハンドリング部材の設定)
ハンドリング部材の基材・・・・・・合成石英基板
ハンドリング部材の大きさ・・・・直径12cm、厚さ2mm
流路凹部の幅・・・・・・・・・・1mm
流路凸部の幅・・・・・・・・・・0.5mm
流路深さ・・・・・・・・・・・・0.4mm
流路ピッチ・・・・・・・・・・・1.5mm
流路の本数・・・・・・・・・・・80本
流路孔の大きさ・・・・・・・・・直径1mm
流路孔のピッチ・・・・・・・・5mm(各流路端から各流路に沿って)
(接着層の設定)
第一の面へ接着層を形成
接着層の種類・・・・・・・・・・ポジレジスト
接着層の厚さ・・・・・・・・・・20μm
(金属層の設定)
流路凹凸部全体へ形成
金属層の種類・・・・・・・・・・Ge
金属層の厚さ・・・・・・・・・・2μm
実施形態1の(1−1)乃至(1−4)と同様に、被処理基板を用意する。なお、実施形態2で作製できる被処理基板の模式図を図14に示す。被処理基板21が有する第一のメンブレン支持部のエッジ方向46を図14(A)に示す。図14(B)は、図14(A)の一部を拡大した図であり、エレメント6が複数個シリコン基板上に形成されているのを示している。図14(C)は、1つのエレメント形状の模式図であり、図14(D)にキャビティ(セル)の具体的な様子を示している。また、図14(D)では、上部電極5や上部電極パッド20、下部電極パッド8などは省略している。図14(E)は、キャビティ形状が正六角形の場合の、メンブレン支持部のエッジ方向を示している。第一のメンブレン支持部のエッジ方向46、第二のメンブレン支持部のエッジ方向47、第三のメンブレン支持部のエッジ方向48である。
(2−1)ハンドリング部材作製工程
まず、直径12cm、厚さ2mmの洗浄済みの合成石英基板を用意する。洗浄は、中性洗剤及び純水で超音波洗浄を行い、アルカリ溶液に短時間浸した後に純水及び超純水で超音波洗浄及び流水洗浄を行う。次に、洗浄済みの合成石英基板の片面に、幅1mm、深さ0.4mm、の直線の流路を、流路間隔が1.5mmとなるように、ダイシング加工により作製する。ダイシング加工後、CO2レーザーにより、流路凹部へ貫通孔を形成する。直径1mmの貫通孔を流路凹部の端から5mm間隔で形成する。次に、再度加工済みのハンドリング部材を洗浄する事で、貫通孔を有する直線の流路が80本設けられたハンドリング部材が得られる。図15(A)は、実施形態2で作製したハンドリング部材の外観模式図である。図15(B)は、図15(A)の一部を拡大した模式図である。
(2−2)金属層の形成
(2−1)で作製されるハンドリング部材の流路凹凸部及び貫通孔壁面に、厚さ2μmのGeをスパッタ法で成膜する。
(2−3)接着層の形成
(1)で作製される被処理基板21の第一の面側に、ポジレジストをスプレー法で塗布し、厚さ20μmの接着層25を形成する。
(3−1)被処理基板とハンドリング部材の配置
(2−3)で作製される被処理基板が有する第一のメンブレン支持部のエッジ方向46と、(2−2)で作製されるハンドリング部材の溝のエッジ方向32とが交差するように、両者を配置する。具体的には、溝のエッジ方向32と第一のメンブレン支持部のエッジ方向46との角度51が30度となるよう時計回りに回転させる。この角度は正確にアライメントしてもよいが、目視で±10度程度の精度で配置すれば良い。図16に、実施形態2における被処理基板とハンドリング部材の固定方向の模式図を示す。ハンドリング部材の溝のエッジ方向32とが一致していないことがわかる。
(3−2)ハンドリング部材の固定
被処理基板にハンドリング部材が配置された状態のまま、115℃程度に加熱したオーブン中で30分間程度ベークし、被処理基板にハンドリング部材を固定する。
実施形態1の(4)と同様に、集積回路を用意する。
実施形態1の(5)と同様に、被処理基板の裏面加工を行う。
(6−1)集積回路側の保護
実施形態1の(6)と同様に、集積回路が結合した被処理基板のハンドリング部材以外の部分を保護ケース29で覆う。
(6−2)金属層の溶解液への浸漬
図10(a)のような容器37を用意し、(6−1)にて保護ケースで覆った被処理基板を容器37にセットする。容器37は、循環ポンプと接続されており、内部へ過酸化水素水を供給し、溶液をポンプによって循環させる。ある程度時間が経過した所で、循環させている過酸化水素水の量を減少させて、金属層の溶解具合を確認する。数回目の確認で、容器37内の過酸化水素水の界面の減少と共に保護ケースに覆われた被処理基板が、容器37の下側へ移動していき、ハンドリング部材から分離される。
(6−3)接着層の溶解液への浸漬
ハンドリング部材の除去後、ハンドリング部材を容器37から取り出し、容器37に蓋をする。容器37内の過酸化水素水を除去し、アセトン溶液を供給する。次いでアセトン溶液をポンプによって循環させ、第一の面に付着しているレジストを溶解させる。
(7−1)洗浄と保護ケースの除去
保護ケース29で覆われたまま加工済みの被処理基板を洗浄し、保護ケースを取り外すことで機械電気変換装置が完成する。
2 メンブレン支持部
3 キャビティ
4 メンブレン
5 上部電極
6 エレメント
9 下部電極層
10 バンプ
11 集積回路
12 シリコン基板
21 被処理基板
22 ハンドリング部材
23 流路
24 金属層
25 接着層
27 セル
28 トレンチ
32 溝の形成方向
34 メンブレン支持部の形成方向
Claims (7)
- 基板と、振動膜と、前記基板と前記振動膜との間に空隙が形成されるように前記振動膜を支持する振動膜支持部と、を備えた素子を有する機械電気変換素子の製造方法であって、
前記素子の面のうち前記振動膜側の面にハンドリング部材を固定する固定工程と、前記素子の面のうち前記振動膜側の面とは反対側の面を加工する裏面加工工程と、前記素子から前記ハンドリング部材を除去する除去工程と、を含み、
前記ハンドリング部材は、前記素子と固定する面に直線状のエッジを含む溝を有し、前記固定工程において、前記溝は前記素子と固定された状態で外部と連通する流路の一部を構成し、
前記振動膜支持部のエッジ方向と、前記ハンドリング部材の前記溝のエッジ方向とが交差するように、ハンドリング部材を固定し、
前記除去工程では、前記素子から前記ハンドリング部材を除去するための溶液を前記溝に供給することを特徴とする機械電気変換素子の製造方法。 - 前記振動膜支持部のエッジ方向と、前記ハンドリング部材の前記溝のエッジ方向とのなす角度が5度以上であることを特徴とする請求項1に記載の機械電気変換素子の製造方法。
- 前記振動膜支持部のエッジ方向と、前記ハンドリング部材の前記溝のエッジ方向とのなす角度が10度以上であることを特徴とする請求項2に記載の機械電気変換素子の製造方法。
- 前記固定工程では、接着層を介して前記ハンドリング部材を前記素子に固定し、前記除去工程では、前記素子から前記ハンドリング部材を除去するための前記溶液として前記接着層を溶解する溶解液を前記流路に供給することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の機械電気変換素子の製造方法。
- 前記固定工程では、金属層と接着層を介して前記ハンドリング部材を前記素子に固定し、前記除去工程では、前記素子から前記ハンドリング部材を除去するための前記溶液として金属層を溶解する溶解液を前記流路に供給することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の機械電気変換素子。
- 前記固定工程では、前記振動膜が前記空隙側に撓んでいる事を特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の機械電気変換素子の製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の機械電気変換素子の製造方法を用い、前記裏面加工工程において、前記反対側の面に集積回路を固定することを特徴とする機械電気変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009148013A JP5350092B2 (ja) | 2008-06-24 | 2009-06-22 | 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008165067 | 2008-06-24 | ||
JP2008165067 | 2008-06-24 | ||
JP2009148013A JP5350092B2 (ja) | 2008-06-24 | 2009-06-22 | 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010030034A true JP2010030034A (ja) | 2010-02-12 |
JP5350092B2 JP5350092B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=41429760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009148013A Expired - Fee Related JP5350092B2 (ja) | 2008-06-24 | 2009-06-22 | 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8099854B2 (ja) |
JP (1) | JP5350092B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013070112A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Canon Inc | 電気機械変換装置の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5309626B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2013-10-09 | 株式会社ニコン | 振動アクチュエータ、振動子の製造方法及び振動アクチュエータの製造方法 |
US8087153B2 (en) * | 2008-06-24 | 2012-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of an electromechanical transducer |
JP2012080165A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Yamaha Corp | コンデンサマイクロホンアレイチップ |
KR102126033B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2020-06-23 | 삼성전자주식회사 | 초음파 변환기 및 이를 채용한 초음파 진단장치 |
JP2018019024A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | キヤノン株式会社 | 振動を発生させる振動部品が実装されるプリント基板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005295553A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | General Electric Co <Ge> | センサ・アレイの素子を絶縁する方法及び手段 |
JP2006032716A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Topcon Corp | メンブレンチップ製造方法 |
JP2007188967A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Sony Corp | 基板支持体、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5408935B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換素子及びその製造方法 |
US8087152B2 (en) * | 2008-06-24 | 2012-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of an electromechanical transducer |
US8087153B2 (en) * | 2008-06-24 | 2012-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of an electromechanical transducer |
-
2009
- 2009-06-22 US US12/488,588 patent/US8099854B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-22 JP JP2009148013A patent/JP5350092B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005295553A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | General Electric Co <Ge> | センサ・アレイの素子を絶縁する方法及び手段 |
JP2006032716A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Topcon Corp | メンブレンチップ製造方法 |
JP2007188967A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Sony Corp | 基板支持体、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013070112A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Canon Inc | 電気機械変換装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8099854B2 (en) | 2012-01-24 |
JP5350092B2 (ja) | 2013-11-27 |
US20090313808A1 (en) | 2009-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5430245B2 (ja) | 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 | |
JP5594986B2 (ja) | 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 | |
JP5350092B2 (ja) | 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 | |
JP4559993B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5408935B2 (ja) | 電気機械変換素子及びその製造方法 | |
JP6337026B2 (ja) | 基板貫通ビア(tsv)を備えた容量性微細加工超音波トランスデューサ(cumt)デバイス | |
CN107812691B (zh) | 压电超声换能器及其制备方法 | |
JP5408937B2 (ja) | 電気機械変換素子及びその製造方法 | |
WO2011132636A1 (ja) | 強誘電体デバイス | |
US8790936B2 (en) | Method for manufacturing optical deflector for forming dicing street with double etching | |
JP2017103316A (ja) | 貫通配線基板の製造方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2013138411A (ja) | 静電容量型トランスデューサの製造方法 | |
JP2006247833A (ja) | Mems素子パッケージ及びその製造方法 | |
JP2016122759A (ja) | 貫通配線を有する電子デバイスの作製方法 | |
JP5627279B2 (ja) | 振動発電デバイスおよびその製造方法 | |
KR100703043B1 (ko) | 검사용 프로브 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2017112187A (ja) | 貫通配線を有する基板に素子を設けたデバイス及びその製造方法 | |
JP2011166633A (ja) | 電気機械変換装置及びその作製方法 | |
JP2011177824A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP2007043233A (ja) | 圧電式音波センサ | |
WO2016084343A1 (en) | Electronic device and manufacturing method for same | |
JP2011182298A (ja) | Memsトランスデューサおよび超音波パラメトリックアレイスピーカー。 | |
Tang et al. | Micromachined piezoelectric ultrasonic transducer based on dome-shaped diaphragm supported by flat square diaphragm | |
JP2015115425A (ja) | 貫通電極を備える構造体の製造方法 | |
JP2013081022A (ja) | 水晶振動子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130716 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130821 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |