JP2010004000A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備えた平板表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010004000A JP2010004000A JP2008208623A JP2008208623A JP2010004000A JP 2010004000 A JP2010004000 A JP 2010004000A JP 2008208623 A JP2008208623 A JP 2008208623A JP 2008208623 A JP2008208623 A JP 2008208623A JP 2010004000 A JP2010004000 A JP 2010004000A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- oxide semiconductor
- electrode
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 98
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 181
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 20
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- -1 InO Inorganic materials 0.000 description 5
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910005265 GaInZnO Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- HMPRYWSTSPTPFI-UHFFFAOYSA-N [Li].[F] Chemical compound [Li].[F] HMPRYWSTSPTPFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
- H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Landscapes
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上に形成され、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を提供する酸化物半導体層と、ゲート絶縁層により酸化物半導体層から絶縁されたゲート電極と、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域上に形成されたオーム接触層と、オーム接触層を介してソース領域及びドレイン領域に接続されたソース電極及びドレイン電極とを含み、オーム接触層は、ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属で形成されている。
【選択図】図1
Description
11,41 バッファ層
12,44 ゲート電極
13,43 ゲート絶縁層
14,42 酸化物半導体層
15,25,46 オーム接触層
34 保護層
45 絶縁層
100,200 表示パネル
110,120,210 基板
111 ゲート線
112 データ線
113 画素領域
114 薄膜トランジスタ
115 画素電極
116,123 偏光板
121 カラーフィルタ
122 共通電極
130 液晶層
300 有機電界発光素子
Claims (25)
- 基板と、
該基板上に形成され、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を提供する酸化物半導体層と、
ゲート絶縁層により前記酸化物半導体層から絶縁されたゲート電極と、
前記酸化物半導体層の前記ソース領域及びドレイン領域上に形成されたオーム接触層と、
該オーム接触層を介して前記ソース領域及びドレイン領域に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を含み、
前記オーム接触層は、前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属で形成されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体層は、酸化亜鉛(ZnO)を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体層に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、カドミウム(Cd)、銀(Ag)、銅(Cu)、ゲルマニウム(Ge)、ガドリニウム(Gd)、及びバナジウム(V)からなる群から少なくとも1つのイオンがドープされていることを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、カリウム(K)、及びリチウム(Li)からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、カリウム(K)、及びリチウム(Li)からなる群から選択された金属を含む合金であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記オーム接触層は、前記ソース電極及びドレイン電極と重なっていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体層の前記チャネル領域上に形成された保護層をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を含む上部にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を提供する酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層の前記ソース領域及びドレイン領域上にオーム接触層を形成する工程と、
前記オーム接触層を介して前記ソース領域及びドレイン領域に接続されるソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を含み、
前記オーム接触層は、前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記酸化物半導体層は、酸化亜鉛(ZnO)を含んでいることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記酸化物半導体層に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、カドミウム(Cd)、銀(Ag)、銅(Cu)、ゲルマニウム(Ge)、ガドリニウム(Gd)、及びバナジウム(V)からなる群から少なくとも1つのイオンがドープされることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、カリウム(K)、及びリチウム(Li)からなる群から選択されることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、カリウム(K)、及びリチウム(Li)からなる群から選択された金属を含む合金であることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記オーム接触層は、前記ソース電極及びドレイン電極と重なるように形成することを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記酸化物半導体層の前記チャネル領域上に保護層を形成する工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記酸化物半導体層の前記ソース領域及びドレイン領域にプラズマを照射する工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 複数の第1導電線と第2導電線とにより、複数の画素が画定され、各画素に供給される信号を制御する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された第1電極とが形成された第1基板と、
第2電極が形成された第2基板と、
前記第1電極と前記第2電極との間の密封された空間に注入された液晶層とを含み、
前記薄膜トランジスタは、前記第1基板上に形成され、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を提供する酸化物半導体層と、
ゲート絶縁層により前記酸化物半導体層から絶縁されたゲート電極と、
前記酸化物半導体層の前記ソース領域及びドレイン領域上に形成されたオーム接触層と、
該オーム接触層を介して前記ソース領域及びドレイン領域に接続されたソース電極及びドレイン電極とを含み、
前記オーム接触層は、前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。 - 前記酸化物半導体層は、酸化亜鉛(ZnO)を含んでいることを特徴とする請求項16に記載の薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。
- 前記酸化物半導体層に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、カドミウム(Cd)、銀(Ag)、銅(Cu)、ゲルマニウム(Ge)、ガドリニウム(Gd)、及びバナジウム(V)からなる群から少なくとも1つのイオンがドープされていることを特徴とする請求項17に記載の薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。
- 前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、カリウム(K)、及びリチウム(Li)からなる群から選択されることを特徴とする請求項16に記載の薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。
- 前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、カリウム(K)、及びリチウム(Li)からなる群から選択された金属を含む合金であることを特徴とする請求項16に記載の薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。
- 第1電極、有機薄膜層及び第2電極からなる有機電界発光素子と、該有機電界発光素子の動作を制御するための薄膜トランジスタが形成された第1基板と、
該第1基板に対向するように配置された第2基板とを含み、
前記薄膜トランジスタは、前記第1基板上に形成され、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を提供する酸化物半導体層と、
ゲート絶縁層により前記酸化物半導体層から絶縁されたゲート電極と、
前記酸化物半導体層の前記ソース領域及びドレイン領域上に形成されたオーム接触層と、
該オーム接触層を介して前記ソース領域及びドレイン領域に接続されたソース電極及びドレイン電極とを含み、
前記オーム接触層は、前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。 - 前記酸化物半導体層は、酸化亜鉛(ZnO)を含んでいることを特徴とする請求項21に記載の薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。
- 前記酸化物半導体層に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、カドミウム(Cd)、銀(Ag)、銅(Cu)、ゲルマニウム(Ge)、ガドリニウム(Gd)、及びバナジウム(V)からなる群から少なくとも1つのイオンがドープされていることを特徴とする請求項22に記載の薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。
- 前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、カリウム(K)、及びリチウム(Li)からなる群から選択されることを特徴とする請求項21に記載の薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。
- 前記ソース電極及びドレイン電極よりも仕事関数の低い金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、カリウム(K)、及びリチウム(Li)からなる群から選択された金属を含む合金であることを特徴とする請求項21に記載の薄膜トランジスタを備えた平板表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2008-0057250 | 2008-06-18 | ||
KR1020080057250A KR100958006B1 (ko) | 2008-06-18 | 2008-06-18 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010004000A true JP2010004000A (ja) | 2010-01-07 |
JP5274147B2 JP5274147B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=41066684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008208623A Active JP5274147B2 (ja) | 2008-06-18 | 2008-08-13 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを備えた平板表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090315026A1 (ja) |
EP (1) | EP2136406B1 (ja) |
JP (1) | JP5274147B2 (ja) |
KR (1) | KR100958006B1 (ja) |
CN (1) | CN101609843A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011171287A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器、及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
JP2011171288A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器、照明装置、及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
WO2011111781A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011233882A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ |
JP2012089831A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-05-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
JP2013077812A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2014520396A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-08-21 | シーブライト・インコーポレイテッド | 改善されたソース/ドレイン接点を有する金属酸化物薄膜トランジスタ |
US8884291B2 (en) | 2011-03-02 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor display panel and manufacturing method thereof |
JP2014239216A (ja) * | 2010-06-21 | 2014-12-18 | 株式会社アルバック | 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法 |
JP2015519745A (ja) * | 2012-05-09 | 2015-07-09 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | 金属酸化物半導体層の電気伝導性を増加させる方法 |
JP2015130538A (ja) * | 2010-12-28 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9365770B2 (en) | 2011-07-26 | 2016-06-14 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching solution for copper/molybdenum-based multilayer thin film |
JP2016136261A (ja) * | 2010-07-02 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器及びテレビジョン装置 |
JP2017028314A (ja) * | 2010-07-02 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018133597A (ja) * | 2010-02-05 | 2018-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7935964B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
TWI489628B (zh) * | 2009-04-02 | 2015-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
SG177332A1 (en) | 2009-07-10 | 2012-02-28 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102246529B1 (ko) | 2009-09-16 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101820973B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
TWI467770B (zh) * | 2009-10-26 | 2015-01-01 | Prime View Int Co Ltd | 顯示器及其薄膜電晶體陣列基板與薄膜電晶體 |
KR101523358B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2015-05-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101842413B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011096286A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor and semiconductor device |
KR101117737B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2012-02-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101293130B1 (ko) | 2010-05-28 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
KR101108175B1 (ko) | 2010-06-09 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 디스플레이 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR101182232B1 (ko) | 2010-06-30 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
CN101976685B (zh) * | 2010-09-03 | 2012-10-03 | 友达光电股份有限公司 | 具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法 |
CN102446913A (zh) * | 2010-09-30 | 2012-05-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
KR101763414B1 (ko) * | 2010-10-01 | 2017-08-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그것을 구비한 평판 표시 장치 |
TWI570809B (zh) * | 2011-01-12 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8680627B2 (en) * | 2011-01-14 | 2014-03-25 | International Rectifier Corporation | Stacked half-bridge package with a common conductive clip |
US8674497B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-03-18 | International Business Machines Corporation | Stacked half-bridge package with a current carrying layer |
US8426952B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-04-23 | International Rectifier Corporation | Stacked half-bridge package with a common conductive leadframe |
KR101913207B1 (ko) * | 2011-10-12 | 2018-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법 |
TWI567985B (zh) | 2011-10-21 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101868069B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2018-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막트랜지스터 및 이의 제조방법 |
TWI451575B (zh) | 2012-02-16 | 2014-09-01 | E Ink Holdings Inc | 薄膜電晶體 |
US20130240875A1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102683422B (zh) * | 2012-03-21 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 |
US10861978B2 (en) | 2012-04-02 | 2020-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
CN103489918A (zh) * | 2012-06-08 | 2014-01-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管和阵列基板及其制造方法 |
JP5951442B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN102955312B (zh) * | 2012-11-14 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR102207063B1 (ko) * | 2012-12-12 | 2021-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 |
KR102148850B1 (ko) * | 2013-01-21 | 2020-08-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 표시 장치 |
KR102196949B1 (ko) | 2013-03-29 | 2020-12-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 |
KR20150007000A (ko) * | 2013-07-10 | 2015-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
US9685509B2 (en) | 2013-07-30 | 2017-06-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Finfet devices including high mobility channel materials with materials of graded composition in recessed source/drain regions |
US9917158B2 (en) | 2013-07-30 | 2018-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device contact structures including heterojunctions for low contact resistance |
CN103474340A (zh) * | 2013-09-28 | 2013-12-25 | 复旦大学 | 一种利用双层绝缘层释放费米能级钉扎的方法 |
KR102180511B1 (ko) * | 2014-02-10 | 2020-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
JP6050414B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-12-21 | 日本写真印刷株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタ |
CN104766892A (zh) * | 2015-04-03 | 2015-07-08 | 北京大学 | 一种掺钙氧化锌薄膜晶体管及其制备方法 |
CN104934330A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 |
CN104947072B (zh) * | 2015-05-14 | 2017-12-05 | 昆山龙腾光电有限公司 | 在基板上制作氧化硅薄膜的方法以及薄膜晶体管阵列基板的制作方法 |
WO2017071660A1 (zh) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | 陆磊 | 一种显示器面板及制造方法 |
CN105489618B (zh) * | 2016-01-22 | 2019-04-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法 |
JP2017188508A (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置、表示装置 |
JP2018022879A (ja) * | 2016-07-20 | 2018-02-08 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム |
CN106206612A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制作方法及显示面板、显示装置 |
CN106298887B (zh) * | 2016-09-30 | 2023-10-10 | 中山大学 | 一种高阈值电压高迁移率凹槽栅mosfet的制备方法 |
CN107195641B (zh) | 2017-06-30 | 2020-05-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
TWI714979B (zh) * | 2018-03-19 | 2021-01-01 | 日商理光股份有限公司 | 無機電致發光元件、顯示元件、影像顯示裝置及系統 |
JP7496194B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2024-06-06 | 株式会社リコー | 無機el素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
CN108538920B (zh) * | 2018-03-21 | 2022-07-29 | 湘潭大学 | 一种柔性铁电薄膜晶体管及其制备方法 |
KR102620754B1 (ko) * | 2021-08-25 | 2024-01-04 | 재단법인대구경북과학기술원 | 신축 가능한 멀티 발광체 및 이의 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013433A (ja) * | 2004-05-24 | 2006-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2006165532A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス |
JP2007150156A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | トランジスタおよびその製造方法 |
JP2007158146A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2008040343A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5135808A (en) * | 1990-09-27 | 1992-08-04 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
US5612254A (en) * | 1992-06-29 | 1997-03-18 | Intel Corporation | Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate |
JP2701738B2 (ja) * | 1994-05-17 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子 |
US5435608A (en) * | 1994-06-17 | 1995-07-25 | General Electric Company | Radiation imager with common passivation dielectric for gate electrode and photosensor |
SG119187A1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-02-28 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and manufacturing method therefor |
JP4166105B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005110539A (ja) | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Sony Corp | 一本鎖核酸の伸長方法と一本鎖核酸伸長装置及びdnaチップ |
KR20050104513A (ko) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR101080353B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2011-11-07 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
US7211824B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-05-01 | Nitto Denko Corporation | Organic semiconductor diode |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
TWI467702B (zh) * | 2005-03-28 | 2015-01-01 | Semiconductor Energy Lab | 記憶裝置和其製造方法 |
KR101136165B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2012-04-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR101141534B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2012-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100729043B1 (ko) * | 2005-09-14 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
EP1770788A3 (en) * | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
KR101103374B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
US7355254B2 (en) * | 2006-06-30 | 2008-04-08 | Intel Corporation | Pinning layer for low resistivity N-type source drain ohmic contacts |
-
2008
- 2008-06-18 KR KR1020080057250A patent/KR100958006B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-13 JP JP2008208623A patent/JP5274147B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-13 US US12/352,819 patent/US20090315026A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-19 CN CNA2009100056985A patent/CN101609843A/zh active Pending
- 2009-05-21 EP EP09251375.3A patent/EP2136406B1/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013433A (ja) * | 2004-05-24 | 2006-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2006165532A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス |
JP2007150156A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | トランジスタおよびその製造方法 |
JP2007158146A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2008040343A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9000443B2 (en) | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, lighting apparatus, and method of manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
JP2011171288A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器、照明装置、及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
JP2011171287A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器、及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
US9000442B2 (en) | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
JP2018133597A (ja) * | 2010-02-05 | 2018-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2011111781A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9401407B2 (en) | 2010-04-07 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
JP2011233882A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ |
JP2014239216A (ja) * | 2010-06-21 | 2014-12-18 | 株式会社アルバック | 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法 |
JP2017028314A (ja) * | 2010-07-02 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN106057144A (zh) * | 2010-07-02 | 2016-10-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及驱动液晶显示装置的方法 |
JP2016136261A (ja) * | 2010-07-02 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器及びテレビジョン装置 |
JP2012089831A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-05-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
US9911858B2 (en) | 2010-12-28 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2015130538A (ja) * | 2010-12-28 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9219085B2 (en) | 2011-03-02 | 2015-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor display panel and manufacturing method thereof |
US8884291B2 (en) | 2011-03-02 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor display panel and manufacturing method thereof |
JP2014520396A (ja) * | 2011-06-08 | 2014-08-21 | シーブライト・インコーポレイテッド | 改善されたソース/ドレイン接点を有する金属酸化物薄膜トランジスタ |
US9365770B2 (en) | 2011-07-26 | 2016-06-14 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching solution for copper/molybdenum-based multilayer thin film |
JP2017183731A (ja) * | 2011-09-13 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2013077812A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2015519745A (ja) * | 2012-05-09 | 2015-07-09 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | 金属酸化物半導体層の電気伝導性を増加させる方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2136406A1 (en) | 2009-12-23 |
JP5274147B2 (ja) | 2013-08-28 |
EP2136406B1 (en) | 2013-08-28 |
US20090315026A1 (en) | 2009-12-24 |
CN101609843A (zh) | 2009-12-23 |
KR100958006B1 (ko) | 2010-05-17 |
KR20090131402A (ko) | 2009-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5274147B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを備えた平板表示装置 | |
JP7058724B2 (ja) | Tft基板とその製造方法、及びoledパネルの製造方法 | |
EP2207206B1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
JP5368381B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
JP5542352B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置 | |
TWI524514B (zh) | 有機發光顯示裝置之製造方法 | |
JP6004308B2 (ja) | 薄膜デバイス | |
US9991319B2 (en) | Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor | |
TW201413977A (zh) | 半導體裝置 | |
JP5285024B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びこれを備えた有機電界発光表示装置 | |
KR20090124527A (ko) | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 | |
KR101901251B1 (ko) | 산화물 반도체 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
JP2011155061A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、電子機器 | |
JP6208418B2 (ja) | 酸化物半導体、これを含む薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタ表示板 | |
KR100962989B1 (ko) | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 | |
JP2018110184A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010205932A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
KR20150079249A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판을 구비한 표시장치 및 그 제조방법 | |
WO2023155091A1 (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 | |
KR20150000929A (ko) | 어레이기판 및 이의 제조방법 | |
KR20130040342A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120511 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121003 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121009 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130205 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130514 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5274147 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |