JP2009505375A - 質量分析装置 - Google Patents
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Abstract
Description
イオンを発生するイオン源と、
イオンを質量電荷比に応じて分離する質量分析器と、
そのイオン源と質量分析器との間のイオン通過経路上に位置し、イオンを収束させて質量分析器に導入するためのイオン光学系と、
を備え、さらに、
前記イオン光学系に少なくとも高周波電圧を印加するための電圧発生手段と、
前記イオン光学系により輸送されるイオンの質量電荷比に応じて前記電圧発生手段により印加する高周波電圧の周波数を変化させる制御手段と、
を備えることを特徴としている。
分析対象のイオンの質量電荷比とそれに応じた高周波電圧の周波数との関係を示す情報を記憶しておく記憶手段と、
質量電荷比が既知である成分を含む試料を用い、前記イオン光学系に印加する高周波電圧の周波数を変化させながら質量分析を実行した結果に基づいて、前記情報を作成して前記記憶手段に記憶させる事前情報取得手段と、
をさらに備え、前記制御手段は目的試料の分析を行う際に前記記憶手段に記憶されている情報に基づいて高周波電圧の周波数を制御する。
2…ノズル
3…脱溶媒パイプ
4…第1中間真空室
5…第1イオンレンズ
51、52、53、54…
511、521、531、541、521、522、523、524…レンズ電極
6…スキマー
7…オリフィス
8…第2中間真空室
9…第2イオンレンズ
10…隔壁
11…分析室
12…四重極質量フィルタ
13…イオン検出器
14…ロータリポンプ
15、16…ターボ分子ポンプ
20…中央制御部
21…電圧制御部
22…電圧制御データ記憶部
23…可変直流電圧発生部
24…可変高周波電圧発生部
25…加算部
26…電圧源
Claims (15)
- イオンを発生するイオン源と、
イオンを質量電荷比に応じて分離する質量分析器と、
そのイオン源と質量分析器との間のイオン通過経路上に位置し、イオンを収束させて質量分析器に導入するためのイオン光学系と、
を備え、さらに、
前記イオン光学系に少なくとも高周波電圧を印加するための電圧発生手段と、
前記イオン光学系により輸送されるイオンの質量電荷比に応じて前記電圧発生手段により印加する高周波電圧の周波数を変化させる制御手段と、
を備えることを特徴とする、質量分析装置。 - 前記制御手段は、輸送するイオンの質量電荷比に応じて高周波電圧の周波数と振幅との両方を変化させることを特徴とする、請求項1に記載の質量分析装置。
- 前記電圧発生手段は高周波電圧のほかに直流電圧も発生し、直流電圧に高周波電圧を重畳した電圧を前記イオン光学系に印加することを特徴とする、請求項2に記載の質量分析装置。
- 前記高周波電圧は矩形波信号であることを特徴とする、請求項3に記載の質量分析装置。
- 前記イオン光学系は、その垂線がイオン光軸と平行である面上でイオン光軸を取り囲むように配列されたN枚の薄い板状電極を1組とするM組の電極が、イオン光軸方向に互いに分離して配設されて成る多段構造を有し、Mは2以上の整数で、Nは4以上の偶数であることを特徴とする、請求項3に記載の質量分析装置。
- 前記電圧発生手段は、イオン光軸方向に互いに分離して配設され多段構造であるM組の電極に、少なくとも2種以上の直流電圧を印加することにより、イオンを加速させることを特徴とする、請求項5に記載の質量分析装置。
- 前記イオン光学系は、イオン光軸と平行に延伸したN本のロッド電極が該イオン光軸を取り囲むように配設されて成り、Nは4以上の偶数であることを特徴とする、請求項3に記載の質量分析装置。
- 前記電圧発生手段は、前記N本の電極の前段及び/又は後段に印加されている直流電圧とは値の異なる直流電圧を該4本の電極に印加することにより、イオンを加速させることを特徴とする、請求項7に記載の質量分析装置。
- 前記イオン光学系は、前記N本のロッド電極を1組として、複数組の電極がイオン光軸に沿って配置されたものであり、前記電圧発生手段は、各組の電極に異なる直流電圧を印加することにより、イオンを加速させることを特徴とする、請求項7に記載の質量分析装置。
- 分析対象のイオンの質量電荷比とそれに応じた高周波電圧の周波数との関係を示す情報を記憶しておく記憶手段と、
質量電荷比が既知である成分を含む試料を用い、前記イオン光学系に印加する高周波電圧の周波数を変化させながら質量分析を実行した結果に基づいて、前記情報を作成して前記記憶手段に記憶させる事前情報取得手段と、
をさらに備え、前記制御手段は、目的試料の分析を行う際に前記記憶手段に記憶されている情報に基づいて高周波電圧の周波数を制御することを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の質量分析装置。 - 試料を大気圧雰囲気中でイオン化するイオン源と、
高真空雰囲気であって質量分析器が配置される分析室と、
そのイオン源と分析室との間に位置し隔壁で隔てられた1乃至複数の中間真空室と、
をさらに備え、その中間真空室の少なくとも1つの内部に前記イオン光学系が配置されていることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の質量分析装置。 - 前記イオン源の次段の中間真空室の内部に前記イオン光学系が配置されていることを特徴とする、請求項11に記載の質量分析装置。
- 前記イオン源から次段の中間真空室へと加熱された細管を通してイオンが輸送され、該細管を通して輸送されてきたイオンが該中間真空室の内部で前記イオン光学系に導入されることを特徴とする、請求項12に記載の質量分析装置。
- 前記イオン光学系の後方には円錐曲線の頂部に形成された孔を有するスキマーが配設され、該イオン光学系を通過したイオンはそのスキマーの孔を通して次の中間真空室又は分析室に送られることを特徴とする、請求項11〜13のいずれかに記載の質量分析装置。
- 前記イオン光学系は、前記スキマーの孔付近に焦点を有することを特徴とする、請求項14に記載の質量分析装置。
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