JP2009503268A - 耐引っかき性コーティングの被着方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、基材上にホウ素から作られた少なくとも1つの薄層を真空被着するための方法であって、ホウ素に関して化学的に不活性であるか又は活性である少なくとも1種のアトマイゼーションを選び、工業規模の設備内に配置される少なくとも1つのリニアイオン源を用いて、前記アトマイゼーション種を主として含む平行イオンビームを発生させ、このビームをホウ素から作られた少なくとも1つのターゲットに向けること、前記基材の少なくとも1つの表面部分を、ターゲットのイオン衝撃によってアトマイゼーションされた物質又は当該アトマイゼーションされた物質と前記アトマイゼーション種のうちの少なくとも1種との反応の結果生ずる物質が前記表面部分に被着されるように、前記ターゲットに面して配置することを特徴とする方法に関する。
Description
本発明は、基材に、特にガラス基材に、耐引っかき性又は表面強化機能を有する薄膜を被着する方法に関する。更に詳しくは、本発明は、例えば(ただし限定されるものでなく)建築用ガラスに膜を被着するための、工業的規模の(走行方向に直角な方向の寸法が1.5mより大きい、又は2mにもなる、基材のための)真空被着設備に組み込むための被着方法に関する。本発明はまた、いろいろな(日よけ、低放出率、電磁遮蔽、加熱、親水性、疎水性、光触媒)機能をもたらす多層で被覆された基材に適用するものであり、上記の膜は、能動的な(エレクトロクロミック、エレクトロルミネッセント、光起電性、圧電性、散乱性、吸収性)システムを組み込み、可視の反射レベルを変えるものである(可視又は太陽赤外領域で機能する反射防止又はミラー膜)。
これは、これら全ての基材に関して、その耐引っかき性を改善することが有利になり得るからであり、引っかき傷は次のような非常に広範な状況の結果として発生する可能性がある。
(i)ガラスよりも硬度が大きい物体との点接触による引っかき傷。すなわち、こすれたり、乱暴な行為による引っかき傷(都市型家具のガラス)、改造工程(例えば、二重グレージング又は積層工程)の際の工具やガラスホルダーなどとの接触による引っかき傷。
(ii)微細な粒子(例えば、砂)による摩耗。この場合、基材は、高レベルの微小な損傷の結果として、光の散乱によって生ずる乳白色の外観を示す。これは特に、自動車用の基材(例えば、フロントガラス)に当てはまる。
(i)ガラスよりも硬度が大きい物体との点接触による引っかき傷。すなわち、こすれたり、乱暴な行為による引っかき傷(都市型家具のガラス)、改造工程(例えば、二重グレージング又は積層工程)の際の工具やガラスホルダーなどとの接触による引っかき傷。
(ii)微細な粒子(例えば、砂)による摩耗。この場合、基材は、高レベルの微小な損傷の結果として、光の散乱によって生ずる乳白色の外観を示す。これは特に、自動車用の基材(例えば、フロントガラス)に当てはまる。
この耐引っかき性の改善は、環境と接触している又は膜(フィルム)で被覆された基材の一方又は両方の面を処理することによって達成でき、又は別の機能性(例えば、上述したものの一つなど)を付与する一つ以上の薄膜で予備被覆された基材を処理することによって達成できる。一般に、強化用の膜はその場合、厚さが非常に薄く、時間的に全ての膜の一連の被着を完了させるものであることから、「オーバーコート」と呼ばれる。
耐引っかき性機能を有する膜は、基材の裸の面の1つに直接被着されようとも、既に被着された多層にオーバーコートとして被着されようとも、プラズマ又はマグネトロンスパッタリングタイプの通常の薄膜被着方法を用いて公知の仕方で作られ、得られた薄膜は、可能性として、DLC(ダイアモンドライクカーボン)をベースとするもの(これについてはヨーロッパ特許第1177156号明細書を参照できる)、又はスズ亜鉛アンチモン混合酸化物(SnxZnySbzOw)をベースとするもの(これについてはヨーロッパ特許第1042247号明細書を参照できる)になる。多層を被着するための方法と技術的に言って調和する、機械的強化膜の被着方法を用いるのが、特に経済的である。
これらの被着技術は、このタイプの膜に関して全く満足なものであるが、それぞれ欠点があり、本発明はそれに対する解決策を提案する。
例えば、プラズマ被着技術によって得られるDLC膜は可視領域に高い吸収を有し、これは多層透過グレージングの製造には不利になり(透過で褐色になり、見栄えがしないと考えられ、そしてグレージングを透過する光量を制限する)、また可視領域で機能する多層中でこのような膜を用いることを大きく制限する。マグネトロンスパッタリングによって被着されるスズ亜鉛アンチモン混合酸化物をベースとする膜に関して言うと、これは従来技術で知られているオーバーコートに比べて優れた耐引っかき特性を有するが、この性質は窒化ホウ素をベースとする膜を被着することによって更に改善することができる。
これは、窒化ホウ素の膜が以下のような特定の相、すなわち、
・平凡な硬度と推測されるが、摩擦係数の小さい、六方晶又はグラファイト相(ホウ素のsp2混成)、及び
・高い硬度(50GPa)の立方晶相、
で結晶化したときに有利な機械的性質を示すことができることが知られているからである。
・平凡な硬度と推測されるが、摩擦係数の小さい、六方晶又はグラファイト相(ホウ素のsp2混成)、及び
・高い硬度(50GPa)の立方晶相、
で結晶化したときに有利な機械的性質を示すことができることが知られているからである。
窒化ホウ素をベースとする膜には、上述したような機械的性質が、可視領域(例えばおよそ4〜6eV)における良好な透明度及び他のところで薄膜として被着された物質と相性のよい屈折率(結晶学的な相に応じて1.6〜2.2)と組み合わされているという普通に見られない特徴がある。
六方晶構造及び立方晶構造は、特に高温における酸化に関して、化学的に非常に不活性である。例えば、グラファイト構造は1200℃まで耐性があり、特に、平板ガラスで行われる成形、曲げ、及び強化処理のための通常の温度である700℃まで耐性がある。
しかし、大きな基材(臨界寸法>1.5m)上でのこのようなBN薄膜(cBNで表される立方晶構造及びhBNで表される六方晶構造の)の工業的生産には次のようにいくつか難点がある。
・用いることができるターゲットは電気絶縁性であり(ホウ素、無定形窒化ホウ素、六方晶窒化ホウ素)、その結果RF(高周波)のバイアス(例えば、13.56MHz)をかけることが必要になるが、これは上記の臨界基材寸法と全く相性がよくない。これは、マグネトロンスパッタリングは、バイアスが、例えば正弦波又はパルスでのバイアスが、陰極の長さに比べて対応する波長が非常に長い周波数でかけられる場合を除き、長さが2メートルより大きい陰極で(同様の特定寸法の基材への被着について)一様な仕方では使用できないからである。従って、長さが3mを超える陰極を用いて、高周波数のスパッタリング(約13.56MHz)によって一様な被着を行うことは、周知のとおり難しい。
・PECVD(プラズマ化学気相成長)法の使用も難しい。と言うのは、RFバイアスの必要は別にしても、被着した膜の厚さの一様性を十分な精度(数Å又は数nm)で制御することができないからである。
従って、本発明の目的は、ホウ素をベースとする薄膜を被着するのを可能にする相性のよい被着方法を提案することによって、マグネトロンスパッタリングによる被着方法の欠点を解消することである。
このために、基材上にホウ素をベースとする少なくとも1つの薄膜を真空被着するための方法は、
・ホウ素に関して化学的に不活性又は活性である少なくとも1種のスパッタリング種を選ぶこと、
・工業規模の設備内に配置される少なくとも1つのリニアイオン源を用いて、主に前記スパッタリング種を含むイオンの平行ビームを発生させること、
・前記ビームをホウ素をベースとする少なくとも1つのターゲットに向けること、及び、
・前記ターゲットに面する前記基材の少なくとも1つの表面部分を、ターゲットのイオン衝撃によってスパッタされる前記物質又は当該スパッタされた物質と前記スパッタリング種のうちの少なくとも1種との反応から生ずる物質が前記表面部分に被着されるように配置すること、
を特徴とする。
・ホウ素に関して化学的に不活性又は活性である少なくとも1種のスパッタリング種を選ぶこと、
・工業規模の設備内に配置される少なくとも1つのリニアイオン源を用いて、主に前記スパッタリング種を含むイオンの平行ビームを発生させること、
・前記ビームをホウ素をベースとする少なくとも1つのターゲットに向けること、及び、
・前記ターゲットに面する前記基材の少なくとも1つの表面部分を、ターゲットのイオン衝撃によってスパッタされる前記物質又は当該スパッタされた物質と前記スパッタリング種のうちの少なくとも1種との反応から生ずる物質が前記表面部分に被着されるように配置すること、
を特徴とする。
これらの構成によって、一方においては、カチオンのうちの少なくとも1種が導電性又は絶縁性のターゲットに含まれる化合物材料の薄膜を得ることが可能になり、他方においては、真空で動作する工業規模の薄膜被着設備で基材の表面部分に主にホウ素を含む少なくとも1つの薄膜を被着することが可能になる。
本発明を実施する好ましい方法では、以下の構成のうちの1つ以上をオプションとして採用することもできる。
・イオン被着源と基材との相対運動を生じさせる操作を行うこと。
・リニアイオン源が、エネルギーが0.2keVと10keVの間、好ましくは1keVと5keVの間、特に約1.5keVである平行イオンビームを発生すること。
・設備内の圧力を10-5torrと8×10-3torrの間の範囲にするための操作を行うこと。
・イオンビームとターゲットが90°と30°の間、好ましくは60°と45°の間の角度αをなすこと。
・少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタしようとする材料を基材の2つの異なる表面部分に同時に又は相次いで被着させること。
・少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタされた材料を基材の少なくとも1つの裸の表面部分に被着させること。
・少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタされた材料を少なくとも1つの他の膜で少なくとも部分的に被覆された少なくとも1つの基材部分に被着させること。
・前記スパッタリング種を補完するものとして追加の種を導入し、この追加の種は前記スパッタされた材料に関して化学的に活性であること。
・前記追加の種を、例えば基材の近くへ、当該追加の種を取り入れたガスを注入することによって得ること。
・注入される追加の種が窒素又はアルゴンを、それだけで使用されるものとして、又は場合によっては小さな割合のCH4及び/又はH2との混合物として、含むこと。
・次の群、すなわち、無定形ホウ素、立方晶の形に結晶化したホウ素、六方晶の形に結晶化したホウ素、アルミニウム、ケイ素、無定形窒化ホウ素、六方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、立方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び少なくともこれらの物質の混合窒化物、の群から選ばれた材料を含むターゲットを用い、この材料はそれだけで又は混合物として用いられること。
・ターゲットにスパッタリング種のエネルギーを調整するようにバイアスをかけること。
・バイアスをかけるターゲットを陰極マグネトロンに取り付けること。
・イオン中和デバイスを近くに配置し、それは場合により近くに配置した陰極マグネトロン、又は電子インジェクタ(例えば、フィラメントの形の熱イオン放出デバイス)からなること。
・イオンビームを基材上に集中させる第二のイオン源を用いること。
・リニアイオン源が、エネルギーが0.2keVと10keVの間、好ましくは1keVと5keVの間、特に約1.5keVである平行イオンビームを発生すること。
・設備内の圧力を10-5torrと8×10-3torrの間の範囲にするための操作を行うこと。
・イオンビームとターゲットが90°と30°の間、好ましくは60°と45°の間の角度αをなすこと。
・少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタしようとする材料を基材の2つの異なる表面部分に同時に又は相次いで被着させること。
・少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタされた材料を基材の少なくとも1つの裸の表面部分に被着させること。
・少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタされた材料を少なくとも1つの他の膜で少なくとも部分的に被覆された少なくとも1つの基材部分に被着させること。
・前記スパッタリング種を補完するものとして追加の種を導入し、この追加の種は前記スパッタされた材料に関して化学的に活性であること。
・前記追加の種を、例えば基材の近くへ、当該追加の種を取り入れたガスを注入することによって得ること。
・注入される追加の種が窒素又はアルゴンを、それだけで使用されるものとして、又は場合によっては小さな割合のCH4及び/又はH2との混合物として、含むこと。
・次の群、すなわち、無定形ホウ素、立方晶の形に結晶化したホウ素、六方晶の形に結晶化したホウ素、アルミニウム、ケイ素、無定形窒化ホウ素、六方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、立方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び少なくともこれらの物質の混合窒化物、の群から選ばれた材料を含むターゲットを用い、この材料はそれだけで又は混合物として用いられること。
・ターゲットにスパッタリング種のエネルギーを調整するようにバイアスをかけること。
・バイアスをかけるターゲットを陰極マグネトロンに取り付けること。
・イオン中和デバイスを近くに配置し、それは場合により近くに配置した陰極マグネトロン、又は電子インジェクタ(例えば、フィラメントの形の熱イオン放出デバイス)からなること。
・イオンビームを基材上に集中させる第二のイオン源を用いること。
本発明の別の側面によれば、これはまた、少なくとも1つの表面部分が、次の群、すなわち、無定形窒化ホウ素、六方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、立方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び少なくともこれらの物質の混合窒化物、の群から選択される材料であって、それだけで又は混合物として用いられる材料をベースとする、少なくとも1つの膜を含む薄膜多層で被覆されている基材、特にガラス基材にも関する。
本発明は、説明のための非限定的な例についての以下の詳細な説明を読み、そして添付された単一の図を検討することによって、更によく理解される。
この単一の図は、工業規模のチャンバにおけるイオン被着源を示している。参照数字6で表される基材がチャンバを通り抜け、詳しく言うと、この基材がターゲット1への平行イオンビーム6によるスパッタリングの結果生ずるスパッタされた材料8で被覆される。イオン源には、陰極3、4、陽極5、及びイオンビームを局限するのを可能にする磁石2が設けられる。
本発明による処理を実施するための好ましい方法は、基材に薄膜を被着するための工業規模のライン(典型的には幅が約3.5mのライン)に、少なくとも1つのリニアイオン被着源を挿入するというものである(図を参照)。本発明の目的上、「工業規模の」という表現は、その規模が、一方において連続に運転するように設計され、他方において特徴的な寸法の一つが、例えば基材の進行方向に対して直角な幅が、少なくとも1.5mである基材を処理するように設計される生産ラインを意味すると理解される。
本発明の目的上、「イオン被着源」という表現は、リニアイオン源とターゲット及びターゲットホルダを一体にしたデバイスとを統合したシステム一式を意味すると理解される。
このリニアイオン被着源は処理チャンバ内に配置され、その作業圧力は0.1mtorr(約133×10-4Pa)未満まで、実際には1×10-5〜5×10-3torrまで、容易に下げることができる。この作業圧力は一般に、マグネトロンスパッタリングラインの最低作業圧力よりも2〜50倍低いが、リニアイオン被着装置は通常のマグネトロンプロセスの被着圧力で動作することもできる。
図に示されたようなイオン源を使用し、そして以下の被着条件、すなわち、
・hBNで作られた40.0cmのターゲット、被着圧力0.75mtorr、ガス流量10sccmのArと2sccmのN2、イオン源パワー70W、
という条件を用いて、hBN材料を裸の基材(Planiluxという商標で出願人が市販しているガラスであり、このガラスの厚さは2mm)上にスパッタし、例1の多層を得た。
・hBNで作られた40.0cmのターゲット、被着圧力0.75mtorr、ガス流量10sccmのArと2sccmのN2、イオン源パワー70W、
という条件を用いて、hBN材料を裸の基材(Planiluxという商標で出願人が市販しているガラスであり、このガラスの厚さは2mm)上にスパッタし、例1の多層を得た。
例1:ガラス(2mm)/hBN(10nm)
下記に例2として示す多層は、出願人の会社からの低放出率タイプの標準的な多層に相当していた。
例2:ガラス/Si3N4/ZnO/NiCr Ag/ZnO/Si3N4
例1と同様の被着条件を使用して、hBN膜を例2の多層の上に、例3の多層構造を得るよう被着させた。
例3:ガラス/Si3N4/ZnO/NiCr/Ag/ZnO/Si3N4/hBN(4nm)
下記の表は光学的特性を示す。
この表に見られるように、窒化ホウ素は光学的性質をほとんど変化させず、TL(%)、RL(%)、及び吸収率(%)の値は、一方では基準例を例1と比較したとき、そして他方では例2と例3の値を比較したとき、変化しないか又はごくわずかに変化するだけである。
下記の表に示された摩擦係数の測定値が示すように、hBN膜は潤滑性である(摩擦係数は、一方では基準例と例1とで、そして他方では例2と例3とで、実質的に1/2減少している)。
摩擦係数は、直線往復摩擦計を用いて測定した。接触はピン−オン−ディスク型で、走行スピードは10μm/sと10mm/sの間(好ましくはおよそ1mm/s程度)、加えられる法線方向の力は0.1Nと20Nの間(好ましくは3N)であった。測定値は、空気中周囲温度で得られた。
どの例においても、少なくとも1つのリニアイオン被着源が用いられており、その動作原理は以下のとおりである。
リニアイオン源は、きわめて概略的に言うと、陽極、陰極、磁気デバイス及びガス注入源を含む。このタイプの源の例は、特にRU 2030807、US 6002208、及びWO 02/093987に記載されている。陽極がDC電源によって正の電位に上げられ、陽極と陰極との電位差によって近くに注入されたガスがイオン化される。この場合、注入されるガスは、酸素、アルゴン、窒素、ヘリウム又は希ガス、例えばネオンなど、をベースとするガスの混合物、あるいはこれらのガスの混合物でよい。
次に、ガスプラズマを磁場(永久磁石又は非永久磁石によって発生される)にさらして、イオンビームを加速し集束させる。イオンはこうして平行にされ、それでスパッタさせることが求められる少なくとも1つの、オプションとしてバイアスされた、ターゲットに向けて源から加速される。ビーム電流は、源の形状寸法、ガス流量、ガスの性質、及び陽極に印加する電圧、に特に依存する。詳しく言うと、イオン被着源の動作パラメーターは、平行にされたイオンに伝えられるエネルギーと加速度が、その質量とスパッタリング断面によって、ターゲットを構成する材料の集合体をスパッタするのに十分であるように適合される。
イオン源(単数又は複数)とターゲットのそれぞれの方位は、源から放出されるイオンビーム(単数又は複数)が1つ以上の予め定められた平均角度(90°と30°の間の、好ましくは60°と45°の間の)でターゲットをスパッタするようにものである。スパッタされた原子の蒸気は、幅が少なくとも1メートル(1.5mが臨界サイズであり、それを超えると設備は工業設備と呼ばれることがある)の移動中の基材に到達できなければならない。別の態様として、ターゲットはマグネトロンスパッタリング装置と一体化させてもよい。
オプションとして、ガス注入装置を用いて、基材の近くに、ターゲットから来るスパッタされた又はボンバードされた材料に関して化学的に活性な第二の種をガス又はプラズマの形で注入することが可能である。
いくつかの源を一つの生産ライン内に統合することが可能であり、それらの源は、同時に又は相次いで、基材の同じ側で操作すること又は基材の両側で操作すること(例えば、スパッタアップ/スパッタダウンラインで)が可能である。
このように、平行イオンを発生するリニアイオン源を、スパッタアップ様式(上からのスパッタリング)及び/又はスパッタダウン様式(下からのスパッタリング)で運転することができる通常の処理(マグネトロンスパッタリング)チャンバに導入してもよい。
ガラスの前面にスパッタダウンすることにより多様な機能を有する多層を製造し、そして被着プロセスの最後に、耐引っかき性の膜を(例1における被着と同様に)ガラスの背面に作り、この背面が天候にさらされなければならない面になるように、スパッタアップ陰極の代わりにイオン源が導入される。また、ここで説明した処理と同時に、スパッタダウン法により前面に多層を被着された後にホウ素をベースとする保護オーバーコートを被着することも可能である(特に例3)。
膜の機械的に強化する耐引っかき特性は、当該膜の潤滑性の結果として生じる。
リニアイオン被着源にイオン中和手段(例えばフィラメントの形をした、熱電子放出源)を装備して、ターゲットが耐電するのと被着チャンバ内にアークが出現するのを防ぐようにすることも可能である。この手段は、例えば近くで動作する陰極マグネトロンからやって来る、プラズマで構成されてもよい。
好ましくは、表面に上述の薄膜が被着される基材は透明であり、平らなものであれ湾曲したものであれ、ガラス又はプラスチック(PMMA、PCなど)から作られる。
更に一般的には、本発明による方法は、当該方法によって被着された(基材の裸の面に、又は基材に予め被着された薄膜多層上に)膜であって、その耐引っかき性がマグネトロンスパッタリングによって被着された保護膜に比べて改善されている少なくとも1つの膜を含む薄膜多重層を、少なくとも一方の面に有する基材、特にガラス基材を、工業規模のチャンバにおいて製造することを可能にする。
要約すると、本発明による方法は、ガラスの機能を有する基材の少なくとも裸の表面に、又は基材の少なくとも1つの部分に既に被着された多様な機能の多層上に、潤滑機能を有する膜を被着することを可能にする。
基材の第一のタイプによれば、特にガラス基材は、n個の機能層Aと(n+1)個のコーティングBが、機能性の各膜Aが二つのコーティングBの間に配置されるような仕方で、一つおきになったものを含む薄膜多層によって、少なくとも1つの表面部分を被覆され、ここではn≧1であり、機能層Aは特に銀をベースとして、赤外領域で及び/又は太陽放射領域において反射特性を有し、コーティングBは誘電体、特に窒化ケイ素、又はケイ素とアルミニウムの混合物、又は酸窒化ケイ素、又は酸化亜鉛、又は酸化スズ、又は酸化チタンをベースとする誘電体で作られる膜又は膜を重ね合わせたものを含み、前記多層はまた、可視領域における少なくとも一つの金属層C、特にチタン、ニッケル−クロム、又はジルコニウムをベースとするものをも含み、前記膜は場合により窒化物又は酸化物の形であって、前記機能性の膜の上及び/又は下に位置し、この場合多層の末端の膜は耐引っかき性機能をもたらす膜によって覆われる。
基材の第二のタイプによれば、特にガラス基材は、少なくとも1つの表面部分を、可視領域又は太陽赤外領域で機能する反射防止又はミラーコーティングで被覆され、このコーティングは、交互に高い屈折率と低い屈折率を有する誘電体で作られた薄膜の多層(A)から作られ、この場合多層の末端の膜は耐引っかき性機能をもたらす膜によって覆われる。
このように被覆されたこれらの基材は、自動車産業用途向けのグレージングアセンブリ、特に自動車のサンルーフ、サイドウインドー、フロントガラス、リアウインドー、ウイングミラーや、又はバックミラー、あるいは建物用の単一又は二重グレージングユニット、特に建物の屋内及び屋外の窓、又はショーケース、場合により湾曲した、商店のカウンターや、あるいは絵画タイプの物品を保護するためのグレージングや、あるいはコンピュータの防眩スクリーン、ガラス調度品、ガラスパラペット、又は汚れ防止システムなどを形成する。
Claims (19)
- 基材上にホウ素をベースとする少なくとも1つの薄膜を真空被着するための方法であって、
・ホウ素に関して化学的に不活性又は活性である少なくとも1種のスパッタリング種を選ぶこと、
・工業規模の設備内に配置される少なくとも1つのリニアイオン源を用いて、主に前記スパッタリング種を含むイオンの平行ビームを発生させること、
・前記ビームをホウ素をベースとする少なくとも1つのターゲットに向けること、及び、
・前記ターゲットに面する前記基材の少なくとも1つの表面部分を、ターゲットのイオン衝撃によってスパッタされる前記物質又は当該スパッタされた物質と前記スパッタリング種のうちの少なくとも1種との反応から生ずる物質が前記表面部分に被着されるように配置すること、
を特徴とする真空被着方法。 - 前記イオン被着源と前記基材との相対運動を生じさせる操作を行うことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記リニアイオン源が、エネルギーが0.2keVと10keVの間、好ましくは1keVと5keVの間、特に約1.5keVである平行イオンビームを発生することを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記設備内の圧力を10-5torrと8×10-3torrの間の範囲にするための操作を行うことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1つに記載の方法。
- 前記イオンビームと前記ターゲットとがなす角度αが90°と30°の間、好ましくは60°と45°の間にあることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1つに記載の方法。
- 少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタしようとする材料を基材の2つの異なる表面部分に同時に又は相次いで被着させることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1つに記載の方法。
- 少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタされた材料を基材の少なくとも1つの裸の表面部分に被着させることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1つに記載の方法。
- 少なくとも前記リニアイオン被着源を用いてスパッタされた材料を少なくとも1つの他の膜で少なくとも部分的に被覆された少なくとも1つの基材部分に被着させることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1つに記載の方法。
- 前記スパッタリング種を補完するものとして追加の種を導入し、この追加の種は前記スパッタされた材料に関して化学的に活性であり、当該追加の種を、例えば基材の近くへ、当該追加の種を取り入れたガスを注入することによって得ることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1つに記載の方法。
- 注入される追加の種が窒素又はアルゴンを、それだけで使用されるものとして、又は場合によっては小さな割合のCH4及び/又はH2との混合物として、含むことを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1つに記載の方法。
- 次の群、すなわち、無定形ホウ素、立方晶の形に結晶化したホウ素、六方晶の形に結晶化したホウ素、アルミニウム、ケイ素、無定形窒化ホウ素、六方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、立方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び少なくともこれらの物質の混合窒化物、の群から選ばれた材料を含むターゲットを使用し、この材料をそれだけで又は混合物として用いることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記ターゲットに前記スパッタリング種のエネルギーを調整するようにバイアスをかけることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1つに記載の方法。
- 前記バイアスをかけるターゲットを陰極マグネトロンに取り付けることを特徴とする、請求項11又は12に記載の方法。
- イオン中和デバイスを近くに配置し、それは場合により近くに配置した陰極マグネトロンからなることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1つに記載の方法。
- イオンビームを前記基材の方へ向ける第二のイオン源を用いることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか1つに記載の方法。
- n個の機能層Aと(n+1)個のコーティングBが、機能性の各膜Aが二つのコーティングBの間に配置されるような仕方で、一つおきになったものを含む薄膜多層によって、少なくとも1つの表面部分を被覆された基材であり、ここではn≧1であり、機能層Aは特に銀をベースとして、赤外領域で及び/又は太陽放射領域において反射特性を有し、コーティングBは誘電体、特に窒化ケイ素、又はケイ素とアルミニウムの混合物、又は酸窒化ケイ素、又は酸化亜鉛、又は酸化スズ、又は酸化チタンをベースとする誘電体で作られる膜又は膜を重ね合わせたものを含み、前記多層はまた、可視領域における少なくとも一つの金属層C、特にチタン、ニッケル−クロム、又はジルコニウムをベースとするものをも含み、前記膜は場合により窒化物又は酸化物の形であり前記機能性の膜の上及び/又は下に位置している基材、特にガラス基材であって、前記多層の最終の膜が、次の群、すなわち、無定形窒化ホウ素、六方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、立方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び少なくともこれらの物質の混合窒化物、の群から選択される材料であって、それだけで又は混合物として用いられる材料をベースとする、少なくとも1つの最終膜で被覆されていて、当該最終膜が請求項1〜15のいずれか1つに記載の方法により被着されていることを特徴とする基材。
- 交互に高い屈折率と低い屈折率を有する誘電体で作られた薄膜の多層(A)から作られた、可視領域又は太陽赤外領域で機能する反射防止又はミラーコーティングで、少なくとも1つの表面部分を被覆された基材、特にガラス基材であって、前記多層の最終の膜が、次の群、すなわち、無定形窒化ホウ素、六方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、立方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び少なくともこれらの物質の混合窒化物、の群から選択される材料であって、それだけで又は混合物として用いられる材料をベースとする、少なくとも1つの最終膜で被覆されていて、当該最終膜が請求項1〜15のいずれか1つに記載の方法により被着されていることを特徴とする基材。
- 基材、特にガラス基材であって、次の群、すなわち、無定形窒化ホウ素、六方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、立方晶の形に結晶化した窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び少なくともこれらの物質の混合窒化物、の群から選択される材料であって、それだけで又は混合物として用いられる材料をベースとする少なくとも1つの膜を含み、当該膜が請求項1〜15のいずれか1つに記載の方法により被着されていることを特徴とする基材。
- 自動車産業用の基材、特に自動車のサンルーフ、サイドウインドー、フロントガラス、リアウインドー、ウイングミラーや、又はバックミラーである、あるいは建物用の単一又は二重グレージングユニット、特に建物用の屋内又は屋外窓である、あるいはショーケース、場合により湾曲した、商店のカウンター、あるいは絵画タイプの物品を保護するためのグレージング、あるいは防眩スクリーン、場合により光起電性システムを取り入れているガラス調度品、ガラスパラペット、又は汚れ防止システムであることを特徴とする、請求項16〜18のいずれか1つに記載の基材。
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