CH713453A1 - Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche. Download PDF

Info

Publication number
CH713453A1
CH713453A1 CH00166/17A CH1662017A CH713453A1 CH 713453 A1 CH713453 A1 CH 713453A1 CH 00166/17 A CH00166/17 A CH 00166/17A CH 1662017 A CH1662017 A CH 1662017A CH 713453 A1 CH713453 A1 CH 713453A1
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
layer
boron
wafer
silicon
vacuum treatment
Prior art date
Application number
CH00166/17A
Other languages
English (en)
Inventor
Voser Stephan
Original Assignee
Evatec Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Evatec Ag filed Critical Evatec Ag
Priority to CH00166/17A priority Critical patent/CH713453A1/de
Priority to PCT/EP2017/075671 priority patent/WO2017212077A2/de
Priority to TW107105161A priority patent/TW201839862A/zh
Publication of CH713453A1 publication Critical patent/CH713453A1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/067—Borides
    • H01L21/203—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C23C14/0647—Boron nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit zumindest einer, zumindest in einem Teilbereich bordotierten Oberfläche mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Substrats, das in einem vorbereitenden Schritt in eine Vakuumbehandlungsanlage eingebracht und dort, mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer borhaltigen ersten Schicht behandelt wurde; Tempern des Substrats zum Diffundieren des Bors in die Oberfläche. Wafer mit einer borhaltigen Oberfläche, hergestellt nach einem solchen Verfahren. Des Weiteren wird ein Sputterverfahren zur Abscheidung einer ersten borhaltigen Schicht oder eines Schichtsystems auf einem Substrat beansprucht, das in einer Vakuumbehandlungskammer gegenüber einem borhaltigen Träger angeordnet wird, wobei das Target eine kovalente Borverbindung umfasst und der Sputterprozess durch Anlegen einer hochfrequenten Spannung in einer Inertgas- und/oder Stickstoffatmosphäre erfolgt. Wafer mit einem auf einer ersten Oberfläche angebrachten Schichtsystem, mindestens eine borhaltige Schicht umfassend, die mit dem Sputterverfahren hergestellt wird.

Description

Beschreibung [0001] Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche entsprechend Anspruch 1, einen Wafer nach Anspruch 8 und 22, ein Sputterverfahren nach Anspruch 10 zur Abscheidung einer borhaltigen Schicht auf einem Substrat, sowie eine Vakuumbehandlungsanlage nach Anspruch 29 zur Durchführung des Sputterverfahrens.
Technischer Hintergrund [0002] Siliziumsubstrate können für eine Vielzahl von Anwendungen, beispielsweise als Siliziumsubstrate in Form eines Wafers oder für eine dünnschicht Solarzelle oder für andere elektronische Bauelemente hergestellt werden. In einem Teiloder im gesamten Bereich zumindest einer Oberfläche des Siliziumsubstrats werden dazu Bereiche oder Teilbereiche erzeugt, die sich hinsichtlich der darin eingebrachten Dotanden-Elemente und/oder Dotandenkonzentrationen von Nachbarbereichen oder von der Oberfläche weiter entfernten Bereichen unterscheiden. Hierbei können Dotanden wie z.B. Phosphor verwendet werden, die negative Ladungen, d.h. Elektronen, freisetzen (n-Typ-Dotanden). Alternativ können Dotanden wie z.B. Bor eingebracht werden, die positive Ladungen, d.h. Löcher, freisetzen (p-Typ-Dotanden). Durch die damit verbundene Ausbildung eines elektrischen Potentials können je nach Anordnung unterschiedliche gewünschte Funktionen im Substrat ausgebildet werden.
[0003] Beispielsweise umfassen Solarzellen im allgemeinen ein Siliziumsubstrat, das vordotiert sein kann (beispielsweise leicht p-dotiert), mit einem auf der Oberfläche der Vorderseite eingebrachten n-dotierten n+-Bereich. Auf der Rückseite kann dabei ein zusätzlich p-dotierter p+-Bereich vorgesehen sein.
[0004] Die Herstellung dotierter Bereiche kann beispielsweise durch Aufbringen einer phosphorpentoxidhaltigen Siliziumdioxid-Lösungen, mittels Rotationsbeschichtung (Spin-coating oderSpin-Verfahren) erfolgen, bei dem eine entsprechende Lösung zentral auf eine Oberfläche des Wafers aufgebracht und anschliessend durch Rotation verteilt wird. Im Folgenden wird das Substrat bei einer erhöhten Drehzahl und/oder thermisch getrocknet. Das Prozedere wird für die gegenüberliegende Seite mit einer komplementären, bspw. boroxidhaltigen Siliziumdioxid-Lösung wiederholt und anschliessend der beidseitig beschichtete Wafer beispielsweise bei 1010° getempert um die Diffusionsbereiche auf beiden Seiten des Wafers auszubilden. In WO 2011/061 693 A2 sowie in WO 2011/061 694 A2 wird u.a. die Herstellung einer Solarzelle mit einem wie oben beschriebenen Verfahren im Detail beschrieben. Dabei ist darauf zu achten, dass die entsprechenden Lösungen jeweils nicht Teilbereiche der gegenüberliegenden Oberfläche verunreinigen.
[0005] Entsprechende Spin-verfahren benötigen eine Vielzahl von Prozessschritten und sind bezüglich der Wahl und Einhaltung der Parameter wie Konzentrationsverhältnisse in den Lösungen, Drehgeschwindigkeit und dadurch erzeugte Schichtdicke, etc. kritisch.
Offenbarung und Ausführungsformen [0006] Ein Ziel des vorliegend Verfahren ist es somit ein gegenüber dem Stand der Technik besser reproduzierbares Verfahren zur Herstellung einer bordotierten Oberfläche eines flächigen, also im Wesentlichen zweidimensionalen Halbleitersubstrats zur Verfügung zu stellen. Des Weiteren soll damit die Anzahl der Verfahrensschritte reduziert und weitest möglich auf den Einsatz kritischer Chemikalien, insbesondere unter atmosphärischen Bedingungen, verzichtet werden.
[0007] Ein solches Verfahren zur Herstellung einer, zumindest in einem Teilbereich bordotierten Oberfläche umfasst folgende Schritte: - Bereitstellen eines Substrats, dass in einem vorbereitenden Schritt in eine Vakuumbehandlungsanlage eingebracht und dort, mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer bohrhaltigen ersten Schicht behandelt wurde, sowie - Tempern des Substrats zum Diffundieren des Bors in die Oberfläche.
[0008] Das Bereitstellen des Substrats kann dabei folgende Schritte umfassen: - Einbringen des Substrats in eine Vakuumbehandlungs-anlage und Abpumpen der Vakuumbehandlungsanlage, - Anordnen des Substrats in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage und Beschichten des Substrats mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer borhaltigen ersten Schicht in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage.
[0009] Das Tempern kann in einer Temperkammer der Vakuumbehandlungsanlage oder in einem Temperofen ausserhalb der Vakuumbehandlungsanlage vorgenommen werden.
[0010] Zwischen dem Beschichten und Tempern kann zusätzlich in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage eine siliziumhaltige zweite Schicht mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens auf der bohrhaltigen ersten Schicht aufgebracht werden.
[0011] Das Substrat kann dabei ein Wafer insbesondere ein Siliziumwafer sein, der auf einer ersten Oberfläche beschichtet wird, wobei eine zweite, der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche während des Aufbringens der ersten oder/und der zweiten Schicht, gegen eine Beschichtung geschützt ist. Ein solcher Schutz kann in bekannterWeise durch eine Halterung einer Vakuumanlage oder bspw. durch das auffliegen der nicht zu beschichtenden Fläche des Substrats, bspw. auf einen Chuck einer Beschichtungsanlage gewährleistet sein.
[0012] Der Wafer kann dabei grundsätzlich auf der zweiten Oberfläche mit einer phosphorhaltigen dritten Schicht vorbeschichtet sein oder alternativ, vor dem Tempern nachbeschichtet werden. Grundsätzlich ist die vorhergehende Beschichtung zu bevorzugen, da in diesem Fall die Wafer bspw. auch direkt in der Vakuumbehandlungsanlage getempert werden können.
[0013] Als Verfahren zum Aufbringen der ersten oder/und der zweiten Schichte kann ein PVD-Verfahren, dabei bevorzugt ein Sputterverfahren, insbesondere ein Magnetronsputterverfahren angewendet werden.
[0014] Die Erfindung umfasst auch einen Wafer bzw. eine Solarzelle mit einer bordotierten Oberfläche die nach einem wie oben beschriebenen Verfahren hergestellt wurde. Insbesondere können damit auch sogenante Bifacial-Solarzelle hergestellt werden, die Licht sowohl auf der Vorder- als auch auf der Rückseite aufnehmen bzw. zur Stromerzeugung nutzen.
[0015] Zur Herstellung der ersten bohrhaltigen Schicht oder eines bohrhaltigen Schichtsystems auf einem flächigen Halbleitersubstrat eignet sich besonders ein Sputterverfahren bei dem das Substrat in einer Beschichtungskammer einer Va-kuumbbehandlungsanlage gegenüber einem borhaltigen Target angeordnet wird, wobei das Target eine kovalente Borverbindung umfasst und diese durch das Anlegen einer hochfrequenten Spannung in einer zumindest edelgashaltigen und/oder stickstoffhaltigen Atmosphäre abgesputtert wird. Unter kovalent wird hierbei eine Verbindung des Bors mit einem anderen Element angesehen, bei der der Unterschied in der Elektronegativität nach Pauling zwischen Bor und dem zweiten die Verbindung konstituierenden Element <1.1, insbesondere < 1 ist. Das Target besteht dabei vorteilhafterweise zumindest zu 99.0%, insbesondere zu 99,9% aus der zu sputternden Borverbindung, bspw. aus Bornitrid (BN). Mit einem solchen Sputterverfahren kann eine Bornitrid-Schicht abgeschieden werden wobei zur Einstellung des B/N-Verhältnisses ein stickstoffhaltiges Gas dabei insbesondere Stickstoff verwendet werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann dabei eine BOxNy-Schicht durch Sputtern des bor-haltigen Targets in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre abgeschieden werden. Bevorzugt enthält die Sputteratmos-phäre zur Abscheidung der BOxNy-Schicht zumindest Sauerstoff und ein Edelgas. So kann mit dem Sputterverfahren zur Herstellung eines bohrhaltigen Schichtsystems zunächst eine BN-Schicht durch Sputtern des bohrhaltigen Targets in einer zumindest edelgas- und/oder stickstoffhaltigen Atmosphäre und anschliessend eine BOxNy-Schicht durch Sputtern des borhaltigen Targets in einer sauerstoffhaltigen, bzw. zusätzlich Stickstoffstoffhaltigen Atmosphäre abgeschieden werden, wobei im letzten Schritt bevorzugt zusätzlich zu Sauerstoff ein Edelgas verwendet wird. Als Edelgase eigenen sich dabei Helium, Neon, Krypton, insbesondere aber Argon. Ein Zudosieren von Stickstoff, bspw. als N2-Gas oder NxOy-Gas (z.B. N2O, NO oder NO2) kann auch in diesem Prozesschritt zur Regelung, beispielsweise eines gradierten N/O-Verhältnisses, angewandt werden. Das Target kann dabei Bornitrid umfassen, insbesondere aber aus Bornitrid bestehen. Eine alternative Verbindung mit geringem Unterschied bezüglich der Elektronegativität ist Borcarbid (BC). Die Schichtdicke wird unabhängig vom Verfahren zwischen 1 nm und 6 nm, dabei bevorzugt zwischen 2 nm und 5 nm eingestellt, wozu sich das Sputterverfahren auf Grund der hohen Abbildungstreue der Beschaffenheit der beschichteten Oberfläche und der geringen Fehlstellenzahl besonders eignet. Durch das Einstellen der entsprechenden Schichtdicken wird auch der Flächenwiderstand nach dem Tempern eingestellt. So wird nach dem Tempern der damit beschichteten Wafer bzw. Solarzellen ein Flächenwiderstand zwischen 30 Ω bis 100 Ω eingestellt, der mit der 4-Spitzen-mess-methode (four point probe resistance measurement) gemessen wurde.
[0016] Zusätzlich zu der borhaltigen Schicht, bzw. dem ersten bor-haltigen Schichtsystem kann eine zweite siliziumhaltige Schicht, bzw. ein zweites siliziumhaltiges Schichtsystem aufgebracht werden, wobei das Substrat in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage gegenüber einem siliziumhaltigen Target angeordnet und dieses in einer zumindest edelgashaltigen und/oder reaktivgashaltigen Atmosphäre abgesputtert wird. Neben den oben genannten Reaktivgasen kann hier insbesondere Stickstoff und/oder Sauerstoff verwendet werden. Dabei kann eine Silizium-, eine Siliziumnitrid-, eine Siliziumoxyd- und/oder eine Siliziumoxynitridschicht abgeschieden werden. Bevorzugt wird eine Siliziumnitridschicht, insbesondere eine Siliziumoxydschicht abgeschieden. Als Targetmaterial kann Silizium, Siliziumnitirid oder Siliziumoxyd abgesputtert werden. Die Schichtdicke des zweiten Schichtsystems kann in einem 10 bis 20 nm umfassenden Bereich eingestellt werden.
[0017] Die Leistung zum Betreiben der Targets im Sputterverfahren kann dabei für die unterschiedlichen Targetmaterialien, beispielsweise für ein Target mit 300mm Durchmesser, in einem Bereich von 0.1 bis 10 kW dabei bevorzugt in einem Bereich von 2 bis 4 kW, eingestellt werden, woraus sich auch die pro Flächeneinheit einzustellenden Leistungen für andere Targetdimensionen ableiten lassen. Die Targets werden dabei bei einer Frequenz zwischen einschliesslich 2 bis einschliesslich 30 MHz, dabei bevorzugt zwischen einschliesslich 10 bis einschliesslich 15, besonders bevorzugt 13,56 MHz betrieben.
[0018] Die vorliegende Erfindung umfasst auch einen Wafer mit einem auf einer ersten Seite des Wafers aufgebrachten Schichtsystem, dass zumindest eine borhaltige erste Schicht umfasst, die direkt auf der ersten Oberfläche abgelegt ist und entsprechend dem oben und in folgenden Beispielen beschriebenen Verfahren abgeschieden wurde. Die erste Schicht kann dabei eine Borcarbid (BC)-Schicht, bevorzugt aber eine Bornitrid(BN)-Schicht oder/und eine Boroxyd(BOxNy)-Schicht umfassen. In einer bevorzugten Ausführungsform ist das erste Schichtsystem eine BN-Schicht bzw. besteht aus einer BN-Schicht mit einer darauf abgeschiedenen BOxNy-Schicht. Der Schichtübergang im ersten Schichtsystem, d.h. zwischen BN- und BOxNy-Schicht kann dabei stufenartig oder bevorzugt gradiiert ausgebildet sein.
[0019] In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst das auf dem Wafer aufgebrachte Schichtsystem eine siliziumhaltige zweite Schicht, die auf einer dem Wafer abgewandten Aussenseite der ersten Schicht aufgebracht ist. Die zweite Schicht kann eine Siliziumschicht, bevorzugt aber eine Siliziumoxyd- oder eine Siliziumnitridschicht sein, auch die Verwendung von Mischschichten bzw. von gradierten Schichten die bspw. von einem an die borhaltige erste Schicht angrenzenden nitridischen Bereich zu einem an der Oberfläche ausgebildeten oxydischen Bereich mit einer dazwischen ausgebildeten oxydnitridischen Siliziumschicht ausgebildet ist. Die zweite Schicht kann daher auch eine Mehrlagenschicht mit zumindest einer Siliziumschicht oder/ und einer Siliziumoxydschicht oder/und einer Siliziumnitridschicht umfassen, wobei die Schichtübergänge bezüglich ihrer elementaren Zusammensetzung ineinander übergehend oder stufenartig ausgebildet sein können. Der Wafer kann dabei als eine Solarzelle, insbesondere als eine bifaciale Solarzelle ausgebildet sein.
[0020] Das abschliessende Tempern der Substrate, beispielsweise der Siliziumwafer, erfolgt dabei bei, die Grenzwerte umfassenden Temperaturen von 850° bis 1200 °C, bevorzugt bei 950° < Ttemper 1050 °C. So wurden beispielsweise wie oben beschichtete und diesbezüglich unten noch näher beschriebenen Wafer bei einer Temperatur von 1025 °C für 30 Minuten in einer Stickstoffatmosphäre behandelt. Bei entsprechenden höheren Temperaturen kann auch eine etwas geringere Beschichtungsdauer von bis ca. 20 Minuten, zumindest aber 15 Minuten gewählt werden. Soll der Vorgang besonders kontrolliert und bei möglichst geringer induzierter thermischen Spannung erfolgen, können auch Temperzeiten bis zu ca. einer Stunde bei einer entsprechend niedrigeren Temperatur vorgesehen werden.
[0021] Die vorliegende Erfindung umfasst auch eine Vakuumbehandlungsanlage, die beispielsweise als Beschichtungssystem mit mehreren Prozesskammern ausgebildet und zum Beschichten eines erfindungsgemässen Wafers und Herstellung eines er-findungsgemässen Schichtsystems geeignet ist. Eine solche Vakuumbehandlungsanlage umfasst zumindest eine Schleusenkammer zum Einführen und/oder Ausbringen eines oder mehrerer Substrate in die Vakuumbehandlungsanlage sowie zumindest eine erste Beschichtungskammer die zumindest ein Borcarbid (BC)-Target oder bevorzugt ein Bornitrid(BN)-Target umfasst. Dabei kann die Vakuumbehandlungsanlage stromabwärts der zumindest einen ersten Beschichtungskammer zumindest eine zweite Beschichtungskammer umfassen, die zumindest ein Siliziumtarget, oder zumindest ein Siliziumnitrid (SiN)-Target, ein Siliziumoxyd (SiO2)-Target insbesondere aber bevorzugt ein Silizium(Si)-Tar-get umfasst. Die bevorzugt als Mehrkammer Beschichtungssystem ausgebildete Vakuumbehandlungsanlage kann dabei bereits in der Schleusenkammer Mittel zur Vorbehandlung des Substrats, wie bspw. eine Heizung und/oder eine Ätzvorrichtung umfassen. Zusätzlich kann zwischen Schleusenkammer und der ersten Beschichtungskammer zumindest eine Vorbehandlungskammer mit einer entsprechenden Heizvorrichtung und/oder Ätzvorrichtung vorgesehen sein. Als Heizvorrichtung kommen bspw. bekannte Heizstrahler und/oder beheizte Substrathalter bzw. Auflageflächen, beispielsweise ein beheizter Chuck in Frage. Als Ätzvorrichtung kann bspw. eine mit Radiofrequenz beaufschlagte Substrathalterung dienen. Alternativ oder zusätzlich kann ein Gaseinlas für ein Ätzgas vorgesehen sein. So können um besonders kurze Taktzeiten zu erzielen bspw. in der Schleusenkammer und einer ersten Vorbehandlungskammer das oder die Substrate beheizt und somit entgast und in einer folgenden zweiten Vorbehandlungskammer das oder die Substrate geätzt werden.
[0022] In einer Ausführung der Vakuumbehandlungsanlage wird stromabwärts der Schleusenkammer zumindest eine oder zwei Vorbehandlungskammern angeordnet, gefolgt von ein oder zwei ersten Beschichtungskammern mit jeweils zumindest einem borhaltigen Target, gefolgt von ein oder zwei zweiten Beschichtungskammern mit jeweils zumindest einem silizium-haltigen Target, gefolgt von der Schleusenkammer oder einer weiteren Schleusenkammer. Die Kammern der Vakuumbehandlungsanlage sind dabei bezüglich eines Weges von der Schleusenkammer entweder linear oder um ein Anlagenzentrum umlaufend angeordnet. Bei umlaufender Anordnung und somit geschlossenem Weg von der Schleusenkammer zur Schleusenkammer zurück kann auf eine zweite Schleusenkammer zum Ausschleusen der Substrate aus der Anlage verzichtet werden, da die Schleusenkammer beide Funktionen also Ein- und Ausschleusen der Substrate übernehmen kann. Bei linearer Anordnung ist das Vorsehen einer zweiten Schleusenkammer zwingend. Das Vorsehen einer zweiten Schleusenkammer kann aber auch bei einer geschlossenen, bspw. kreisförmigen oder vieleckigen, also po-lyedrischen Anordnung der Kammern der Vakuumbehandlungsanlage vorteilhaft sein, wenn bspw. sehr kurze Taktzeiten zwischen den Kammern erreicht werden sollen. Damit kann bspw. auch die eingangsseitige Schleusenkammer während der gesamten Taktzeit für einen eventuell durch eine Heizung unterstützten Entgasungs- oder/und einen Ätzprozess genutzt werden. Zusätzlich kann das Substrat, bzw. der Wafer auch auf dem Weg zwischen den Kammern insbesondere zwischen Schleusenkammer und Vorbehandlungskammer, bzw. zwischen den Vorbehandlungskammern und der ersten Beschichtungskammer zusätzlich beheizt werden, da die Substrate durchgehend unter Vakuum gehalten sind.
Figurenbeschreibung [0023] Im Folgenden wird die Erfindung an Hand von Figuren beispielhaft beschrieben. Figuren 1 bis 5 zeigen:
Fig. 1 Ein umlaufend ausgeführtes Beschichtungssystem zur Durchführung eines erfindungsgemässen Verfahrens Fig. 2 Ein lineares Inlinebeschichtungssystem zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens Fig. 3 Eine Wafer Oberfläche mit zweilagiger Schicht
Fig. 4 Einen beidseitig beschichteten Wafer Fig. 5 Einen Wafer nach dem Tempern [0024] Die in Fig. 7 schematisch gezeigte, als Beschichtungssystem ausgebildete Vakuumbehandlungsanlage I besteht aus einer Schleusenkammer S sowie sechs Prozesskammern 10 bis 60. Ein oder mehrere Substrate, insbesondere Wafer können dabei, wie durch die zwei entgegengesetzten Pfeile angedeutet, mittels einem vor oder an der Anlage I positionierten Be- und Entladesystem, bspw. von einer an der Schleussenkammer S vorbeilaufenden hier nicht dargestellten Transportlinie abgenommen, in die Schleusenkammer gebracht und dort evakuiert werden, bzw. umgekehrt in der Schleusenkammer nach Abschluss der Prozessschritte belüftet und mittels des Be- und Entladesystems wiederum auf der Transportlinie abgelegt werden. Dies kann auch statt mit einer Schleusenkammer S mit zwei jeweils nur für das ein-bzw. ausschleusen ausgebildeten Schleusenkammern S', S" geschehen. In der Schleusenkammer kann neben dem Abpumpen bei Bedarf auch ein erstes Erwärmen des Wafers zur beschleunigten Entgasung erfolgen, der anschliessend, bspw. mittels eines Karussells 7 entlang des Transportwegs 7s1, in die erste Prozesskammer 10 übergeführt wird, in der in einem ersten oder zweiten Heizschritt der Wafer weiter behandelt wird. Analog wird der Wafer entlang der Transportwege 712 bis 76s über die einzelnen Prozesskammern zurück an die Schleusenkammer S, bevorzugt getaktet weiter transportiert, anschliessend ausgeschleust und wieder auf der Transportlinie abgelegt.
[0025] Alternativ kann die Anlage I mit einem zentralen Handling-System 8 ausgebildet sein, welches die Substrate über den alternativen Transportweg 8SZ aus der Schleusenkammer S übernimmt und nach einer entsprechenden, im gezeigten Fall einer siebtel Drehung über den Transportweg 8zi in die erste Kammer übergeben werden. Das Handling-System kann dabei so ausgebildet sein, dass es auch zwei oder mehrere Substrate gleichzeitig aus Schleusen- bzw. Prozesskammern entlang der alternativen Transportwege 8SZ, 8Z-|... 86z, 8ZS entnehmen und/ oder zurückgeben kann. Eine solche alternative Anordnung hat den Vorteil, dass einzelne Kammern bzw. Prozessstationen einfacher übersprungen werden können, ist jedoch bzgl. Der Mechanik und Steuerung aufwendiger, insbesondere wenn bspw. alle Prozesskammern und Schleusenkammern gleichzeitig be- oder entladen werden sollen. In beiden Varianten werden die Substrate ab dem Einschleusen bis zum Ausschleusen immer unter Vakuum gehalten. Vorteilhafterweise können sowohl Schleusenkammer 5 als auch einzelne Prozesskammern 10-60 und Karussell 7 oder Handling-System 8, bzw. die entsprechenden das Karussell oder Handlingsystem enthaltenden hier nicht näher dargestellten Kammern separat abgepumpt werden.
[0026] Prozesskammer 10 und 20 können als Vorbehandlungskammern ausgeführt sein, in denen eine Entgasung der Substrate bei, bspw. durch zusätzliche Heizelemente erzeugte, höheren Temperaturen durchgeführt wird. Zusätzlich kann in beiden oder nur einer Kammer ein Ätzschritt, bspw. durch eine jeweils in den Kammern angeordnete Ätzvorrichtung, ausgeführt werden. Prozesskammern 30 bis 60 sind als Beschichtungskammern mit jeweils einem oder mehreren Sput-tertargets 5, 6 ausgeführt sein, wobei Prozesskammer 30 und 40 im vorliegend Fall zumindest mit einem borhaltigen, bspw. Bornitridtarget 5 und Prozesskammern 50 und 60 jeweils mit zumindest einem siliziumhaltigen, bspw. Siliziumoxydtarget 6 zum Sputterbeschichten der Substrate ausgerüstet sind. Derart konfigurierte Beschichtungssysteme sind für besonders kurze Zyklus- bzw. Taktzeiten geeignet. So können mit einer Behandlungszeit zwischen 1 bis 3 Sekunden in den Prozesskammern 10 bis 60 und einer dazwischenliegenden Transferzeit von ca. einer Sekunde, zum Überführen der jeweiligen Substrate von einer Kammer (Schleusenkammer oder Prozesskammer) zur nächsten Kammer, beispielsweise Durchsätze von 900, 1200 bis 1800 Wafer pro Stunde erreicht werden. Durch die hier für Vorbehandlungsungsschritte und Beschichtungsschritte jeweils doppelt ausgeführten Prozesskammern, können auch bspw. thermisch empfindliche Substrate mit entsprechend grossem Durchsatz beschichtet werden. Alternativ können, wie dem Fachmann ohne weiteres ersichtlich, auch Anlagen mit mehr, bspw. 8, 9 etc., oder weniger, bspw. nur 3 Prozesskammern, konfiguriert sein, um die einzelnen Prozessschritte, bei gleichbleibendem Durchsatz mit einer noch geringeren oder grösseren pro Prozessschritt eingebrachten Leistung (Heiz-, Ätz-, Sputterleistung) durchzuführen.
[0027] Eine alternative, bezüglich der funktionellen Abfolge der einzelnen Prozesskammern aber analoge Anordnung für ein lineares Beschichtungssystem II zeigt Fig. 2. Ein solches lineares Beschichtungssystem II kann direkt in eine Fertigungsstrasse eingebaut werden, wobei die Wafer in der Schleusenkammer S' eingeschleust anschliessend die Prozesskammern 10 bis 60 entsprechend getaktet durchlaufen und anschliessend in der Schleusenkammer S" wieder ausgeschleust werden. Auch hier können analog zu oben Erwähntem, je nach Bedarf zusätzliche Kammern hinzugefügt oder Kammer weggelassen werden. Wenn auch prinzipiell alle Beschichtungsschritte in einer Prozesskammer durchgeführt werden können, ist es jedoch aus Gründen der Prozessökonomie vorteilhaft wenn ein Minimalsystem mit mindestens einer Schleusenkammer und zwei Beschichtungskammern, jeweils mit einem Bornitrid bzw. einem Siliziumtarget ausgestattet, vorgesehen werden. Dies dann, wenn ein Entgasen und evtl. Ätzen der Substrate in ausreichend kurzer Zeit bereits in der Schleusenkammer möglich ist. Anderenfalls sollte zumindest eine Vorbehandlungskämmer vorgesehen werden.
[0028] Zum Herstellen der in Fig. 3 abgebildeten Schicht wurde ein handelsübliches Beschichtungssystem der Firma Evatec mit der Bezeichnung Solaris S151, dass analog der in Fig. 1 abgebildeten Vakuumbehandlungsanlage I, aufgebaut ist verwendet. Dazu wurde in den Beschichtungskammern 30 und 40 jeweils ein BN-Target mit einem Durchmesser von 300 mm und 6 mm Dicke, in den Beschichtungskammern 50 und 60 jeweils ein entsprechendes Target aus Silizium, Siliziumoxid bzw. SiN eingebaut. Auch entsprechende Versuche mit unterschiedlichen Targets in Kammern 50 und 60, beispielsweise einem Si-Target oder einem SiN-Target in Kammer 50 und einem Si-Target oder einem SiO2-Target in Kammer 60 wurden durchgeführt.
[0029] Dabei wurden zu Abscheidung der borhaltigen Schichten folgende Parameter eingestellt:
Leistung der 13,56 MHz RF-Versorgung für die Sputterquelle bei 4 kW;
Ar-Prozess- und Spülfluss (d.h. Fluss Argon im Stand-By-Betrieb) jeweils 68 sccm;
Sauerstofffluss für BOxNy-Schichten: 5-20 sccm (= 10-40%)
Die dabei erzielten Sputterraten waren für BN: 0,56-0,63 nm/s und für BOxNy: 1,28 nm/s.
[0030] Die Sputterzeit wurde einerseits über In-Situ Messung der Schichtdicke bestimmt, andererseits entsprechend der einmal bestimmten Raten eingestellt.
[0031] Die Parameter für die Abscheidung eine siliziumhalten Schicht von einem Siliziumtarget waren dabei wie folgt: Leistung der DC-Puls-Versorgung (100 kHz, 1.6 us Tastrate) für die Sputterquelle bei 6.5 kW;
Ar-Prozess- und Spülfluss (d.h. Fluss Argon im Stand-By-Betrieb) jeweils 40 sccm;
Stickstofffluss für SiN-Schichten: 45 sccm (45%) Die dabei erzielten Sputterraten waren für SiN: 3,2 nm/s.
[0032] Als Substrate wurden 5" (Zoll/Inch) n-vordotierte (n-type) Siliziumwafer verwendet von deren Oberfläche zunächst je 10 um Material abgetragen. Beide Oberflächen wurden anschliessen beidseitig poliert und mit einem sogenannten RCA-Prozess (2-stufiges wässriges Reinigungsverfahren der Radio Corporation of America) gereinigt. Unmittelbar vor der Beschichtung wurden die Substrate mit 1%-iger Flussäure geätzt mit Dl-Wasser gespült und mit Stickstoff trocken geblasen.
[0033] In Fig. 3 ist eine erfindungsgemässe Oberfläche eines Wafer W mit darauf abgelegten Schichtsystem A, mit einer ersten borhaltigen Schicht 1 und einer zweiten silizium-haltigen Schicht 2 dargestellt. Die erste Schicht 1 kann dabei als eine Bornitrid (BN), oder eine Boroxynitrid (BON) Schicht ausgebildet sein, bzw. entsprechende Misch- oder Gradientenschichten umfassen. So kann bspw. nach dem Abscheiden einer Bornitridschicht auf der Oberfläche des Wafers anschliessend durch Zugabe von Sauerstoff zum Prozessgas eine entsprechende Schicht mit einem höheren Sauerstoffgehalt abgeschieden werden, wodurch bereits ein gewisser Schutz gegen eine Schichtdegradation durch atmosphärischen Sauerstoff erreicht werden kann. Die mögliche Zwei- oder Merhlagigkeit einer solcherart ausgebildeten ersten Schicht wird in der Zeichnung durch eine strichlierte Linie dargestellt. Anschliessend wird die zweite siliziumhaltige Schicht in einer oder mehreren Prozesskammern des Beschichtungssystems aufgebracht, indem von einem Silizium-, einem Siliziumoxyd- oder einem Siliziumnitridtarget Material abgesputtert und auf die erste Schicht abgelegt wird. Auch diese kann zwei- oder mer-hlagig ausgeführt sein. Die Abscheidung kann in bekannter Weise unter Zugabe von Sauerstoff-, Stickstoff- oder/und Inertgas geschehen, um eine gewünschte Schichtzusammensetzung zu erzielen. Wiewohl es grundsätzlich möglich ist eine durch das anschliessende Tempern zu erzielende Bordotierung auch lediglich mit einem borhaltigen Schichtsystem 1 ohne zusätzliche siliziumhaltige Schicht bzw. Schichtsystem 2 zu erzielen, ist das Vorsehen der zweiten Schicht insbesondere dann von Vorteil, wenn die Oberfläche der Schicht bzw. des Schichtsystems nach dem Beschichtungsprozess für eine längere Zeit der Atmosphäre ausgesetzt ist, bspw. wenn zwischen Beschichtungsprozess und Temperprozess ein längerer Zeitraum verstreichen sollte, da sich sehr dünne borhaltige, bspw. Bornitridschichten als sehr empfindlich gegenüber atmosphärischen Einflüssen herausgestellt haben und beispielsweise nach einigen Tagen Lagerung unter Luft oft nicht mehr nachweisbar sind. Die siliziumhaltige Schicht wirkt in diesem Zusammenhang als Schutzschicht bspw. gegen Oxydation, Ablösung oder andere atmosphärisch bedingte Degradation der Bornitridschicht. Beide Schichten bilden hier das Schichtsystem A zur späteren Herstellung des p+-Bereichs in der Diffusionszone D1. Dabei haben SiN und SiO2-Schichten besonders gute Schutzeigenschaften als Deckschicht (capping layer) gezeigt. Die zweite Oberfläche des Wafers kann dabei analog zum folgenden Beispiel vorbeschichtet sein.
[0034] Fig. 4 zeigt einen Wafer W der eine auf der zweiten Oberfläche aufgebrachte Vorbeschichtung mit einer phosphorhaltigen dritten Schicht 3, zur späteren Herstellung des n+-Bereich der Diffusionszone D2, aufweist. Zusätzlich ist im borhaltigen Schichtsystem A’ zwischen der ersten und zweiten Schicht noch eine Mischschicht M vorgesehen, die eine in Richtung senkrecht zur Oberfläche des Wafers bzw. des Schichtsystems unterschiedliche Zusammensetzung bspw. der Stickstoff- bzw. Sauerstoffkonzentrationen oder/und des Bor- und Siliziumgehalts aufweist. Eine solche Mischschicht M kann beispielsweise in Kammer 40 oder 50 hergestellt werden, wenn bspw. die entsprechenden Reaktivgasflüsse geändert oder/und gleichzeitig von einem Bor und einem siliziumhaltigen Target co-gesputtert wird. Alternativ kann auch in einer der Beschichtungskammern 40 oder 50 von einem sowohl bor- als auch siliziumhaltigen Target, bspw. einem Borsiliziumtarget gesputtert werden. Auch hier kann der Übergang zwischen der borhaltigen ersten Schicht und der siliziumhaltigen zweiten Schicht gradiert oder stufenweise erfolgen. Um einen ausreichenden Schutz der borhaltigen Schicht gegenüber atmosphärischen Einflüssen sicherzustellen, kann die siliziumhaltige Schicht dicker als die sehr dünne borhaltige Schicht abgeschieden werden. Wird die Schichtdicke der borhaltigen Schicht zwischen 1 und 6 nm eingestellt, kann die siliziumhaltige Schicht zwischen 10 und 20 nm eingestellt werden, wobei die fakultative Mischschicht bspw. zwischen 0 und 10 nm eingestellt werden kann. Grundsätzlich können erstes und zweites Schichtsystem 1,2 sowie eine evtl, zusätzliche Mischschicht M neben dem Sputterverfahren auch durch paCVD-Verfahren hergestellt werden. Dazu kann der Wafer in einer der Beschichtungskammern bspw. auf einem RF-Chuck mit einer RF-Spannung beaufschlagt werden, während gleichzeitig Prozessgas in die Kammer eingelassen wird. Auf Grund der teilweise toxischen und/oder explosiven Eigenschaften der dafür geeigneten Prozessgase wie Borane oder Silane sind hier jedoch besondere Vorsichtsmassnahmen zu treffen. Die
Vorbeschichtung der zweiten Oberfläche des Wafers mit der dritten phosphorhaltigen Schicht 3 kann dabei analog mittels paCVD-Beschichtung, bspw. unter Verwendung phosphorhaltiger Gase in der Vorbehandlungskammer 20 oder einer zwischen Vorbehandlungskammer 20 und Beschichtungskammer 30 zusätzlich vorgesehenen hier nicht weiter ausgeführten Vorbeschichtungskammer erfolgen. Da jedoch auch die diesbezüglich verwendeten phosphorhaltigen Gase kritisch bezüglich Toxizität und/oder Brennbarkeit sind, können hier auch in bekannter Weise ausserhalb des Beschichtungssystems 1,11 bspw. mittels Spin-Coating vorbeschichtete Wafer verwendet werden. Grundsätzlich ist auch eine entsprechende Nachbeschichtung möglich, bei der dann auch nicht vakuumtaugliche Spin-Coating-Schichten verwendet werden können.
[0035] Fig. 5 zeigt einen Wafer der entsprechend Fig. 3 oder Fig. 4 beschichtet, bzw. vorbeschichtet wurde nach einem Temperschritt zur Erzeugung der Diffusionszonen D1 und D2. Dabei wurde die erste und zweite Schicht durch Diffusion in den oberflächennahen Bereich des Wafers in eine mit bordotierte erste p+-Diffusionszone D1 umgewandelt. Überraschenderweise bildet dabei das Bor unabhängig von der zusätzlichen Siliziumschicht und evtl, vorhanden Mischschicht ein ausreichendes Diffusionsprofil aus, ohne irgendwelche weiteren Rückstände auf der ersten Oberfläche des Wafers zu hinterlassen. Dies im Gegensatz zu bekannten herkömmlichen Spin-Beschichtungen, bei denen häufig eine zusätzliche Bearbeitung der Oberfläche, bspw. durch einen Polierschritt notwendig ist.
[0036] Im selben Temperschritt wird auch im oberflächennahen Bereich der zweiten Oberfläche die phosphorhaltige zweite n+-Diffusionszone D2 erzeugt. Um im Temperschritt eines Temperofens oder einer hier nicht dargestellten, bspw. zwischen letzter Beschichtungskammer 60 und Schleusenkammer S, S" angeordneten Temperkammer der Vakuumbehand-lungs-anlage I, II möglichst viele Wafer gleichzeitig tempern zu können werden diese vorteilhafterweise abwechselnd mit der ersten Oberfläche oben bzw. unten aufeinandergestapelt, sodass sich jeweils nur identisch beschichtete Oberflächen berühren, wodurch eine unerwünschte Diffusion des Phosphors in den D1-Bereich, bzw. des Bors in den D2-Bereich vermieden werden kann.
[0037] Wenngleich in der vorliegenden Beschreibung und Figuren das Prinzip der Erfindung anhand unterschiedlicher Beispiele und Merkmale beschrieben wurde, umfasst die Erfindung auch alle hier offenbarten Einzelmerkmale in Kombination mit Beispielen und Ausführungsformen zu denen diese Merkmale nicht explizit genannt wurden, sofern eine solche Kombination nicht, wie vom Fachmann ohne weiteres zu erkennen, von vornherein als sinnwidrig erscheint.
Bezugszeichenliste [0038] 1 erste Schicht, p-Dopand-haltig, bspw. borhaltig 2 zweite Schicht, substratelementhaltig, bspw. siliziumhaltig 3 dritte Schicht, n-Dopand-haltig, bspw. phosphorhaltig 5, 6 Target, im Speziellen: 5 borhaltiges Target 6 siliziumhaltiges Target Target 7 Karussell 7si, 712... 756, 76s durch Karussell 7 bediente Transportwege 8 Handlingsystem (Alternative zu Karussell 7) 8zi, 8SZ, 8z1... 86z, 8zs durch Handlingsystem 8 bediente alternative Transportwege 10-60 Behandlungskammern, Prozesskammern im Speziellen: 10,20 Vorbehandlungskammer 30, 40 erste Beschichtungskammer 50, 60 zweite Beschichtungskammer I Beschichtungssystem mit umlaufend angeordneten Kammern II Beschichtungssystem mit linear angeordneten Kammern
A, A' Schichtsystem auf erster Oberfläche von W S Schleusenkammer

Claims (34)

  1. W Substrat, Wafer Patentansprüche
    1. Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit zumindest einer, zumindest in einem Teilbereich bordotierten Oberfläche mit folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Substrats, das in einem vorbereitenden Schritt in eine Vakuumbehandlungsanlage eingebracht und dort, mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer borhaltigen ersten Schicht behandelt wurde, -Tempern des Substrats zum Diffundieren des Bors in die Oberfläche.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bereitstellen des Substrats folgende Schritte umfasst: - Einbringen des Substrats in eine Vakuumbehandlungsanlage und Anlegen eines Vakuums; - Anordnen des Substrats in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage und Beschichten des Substrats mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens mit einer borhaltigen ersten Schicht in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage.
  3. 3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Tempern in einer Temperkammer der Vakuumbehandlungsanlage oder in einem Temperofen ausserhalb der Vakuumbehandlungsanlage vorgenommen wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Beschichten und Tempern, in einer Beschichtungskammer der Vakuumbehandlungsanlage, eine siliziumhaltige zweite Schicht mittels eines PVD- oder eines paCVD-Verfahrens auf der ersten Schicht aufgebracht wird.
  5. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein Wafer, insbesondere ein Siliziumwafer ist der auf einer ersten Oberfläche beschichtet wird, wobei eine zweite, der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche während des Aufbringens der ersten oder/und der zweiten Schicht, gegen eine Beschichtung geschützt ist.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer auf der zweiten Oberfläche mit einer phosphorhaltigen dritten Schicht vorbeschichtet ist.
  7. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren zum Aufbringen der ersten oder/und der zweiten Schicht ein PVD-Verfahren, dabei bevorzugt ein Sputterverfahren, insbesondere ein Magnetronsputterverfahren ist.
  8. 8. Wafer mit einer bordotierten Oberfläche, hergestellt mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7.
  9. 9. Wafer nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer eine Solarzelle, dabei bevorzugt eine Bifacial-So-larzelle ist.
  10. 10. Sputterverfahren zur Abscheidung einer ersten borhaltigen Schicht oder eines borhaltigen Schichtsystems auf einem Substrat, wobei das Substrat in einer Beschichtungskammer einer Vakuumbehandlungsanlage gegenüber einem borhaltigen Target angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Target eine kovalente Borverbindung umfasst und dieses durch das Anlegen einer hochfrequenten Spannung in einer zumindest inertgashaltigen oder/und stickstoffhaltigen Atmosphäre abgesputtert wird.
  11. 11. Sputterverfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine BN-Schicht abgeschieden wird.
  12. 12. Sputterverfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein stickstoffhaltiges Gas, insbesondere Stickstoff verwendet wird um ein B/N-Verhältnis einzustellen.
  13. 13. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass allein oder zusätzlich eine BOxNySchicht durch Sputtern des borhaltigen Targets in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre abgeschieden wird.
  14. 14. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung eines borhaltigen Schichtsystems zunächst eine BN-Schicht durch Sputtern des borhaltigen Targets in einer zumindest inertgashaltigen und/oder stickstoffhaltigen Atmosphere, und anschliessend eine BOxNy-Schicht durch Sputtern des borhaltigen Targets in einer zusätzlich sauerstoffhaltigen Atmosphere abgeschieden wird.
  15. 15. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Target Bornitrid umfasst, insbesondere aus Bornitrid besteht.
  16. 16. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der borhaltigen Schicht, bzw. des borhaltigen Schichtsystems zwischen 1 nm und 6 nm, insbesondere zwischen 2nm und 5nm abgeschieden wird.
  17. 17. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich zu der ersten borhaltigen Schicht bzw. dem ersten borhaltigen Schichtsystem eine zweite siliziumhaltige Schicht oder ein zweites siliciumhaltiges Schichtsystem aufgebracht wird, wobei das Substrat in einer Beschichtungskammer der Vakuumbe handlungsanlage gegenüber einem siliziumhaltigen Target angeordnet und dieses in einer zumindest inertgashaltigen und/oder reaktivgashaltigen Atmosphere abgesputtert wird.
  18. 18. Sputterverfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass eine Silizium-, eine Siliziumnitrid-, eine Siliziumoxid- und/oder eine Siliziumoxinitridschicht abgeschieden wird. {bevorzugt eine SiO2-, insbesondere eine SiN-Schicht}
  19. 19. Sputterverfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass ein Siliziumnitrid-, ein Siliziumoxid-, bevorzugt ein Siliziumtarget abgesputtert wird.
  20. 20. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht, bzw. das zweites Schichtsystem mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 10 bis 20 nm abgeschieden wird.
  21. 21. Sputterverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Target mit einer Frequenz zwischen einschliesslich 2 bis einschliesslich 30 MHz, bevorzugt zwischen einschliesslich 10 bis einschliesslich 15 MHz, insbesondere 13,56 MHz betrieben wird.
  22. 22. Wafer mit einem auf einer ersten Oberfläche aufgebrachten Schichtsystem umfassend zumindest eine borhaltige erste Schicht, hergestellt nach einem Sputterverfahren gemäss einem der Ansprüche 10 bis 21.
  23. 23. Wafer nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht eine BN- oder/und eine BOxNy-Schicht ist.
  24. 24. Wafer nach einem der Ansprüche 22 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht eine BN- und eine BOxNy-Schicht umfasst.
  25. 25. Wafer nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer eine siliziumhaltige zweite Schicht auf einer Aussenseite der ersten Schicht umfasst.
  26. 26. Wafer nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht eine Siliziumschicht, bevorzugt eine Siliziumoxid- oder eine Siliziumnitridschicht ist.
  27. 27. Wafer nach einem der Ansprüche 25 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht eine Mehrlagenschicht umfassend eine Siliziumschicht, eine Siliziumoxid- oder/und eine Siliziumnitridschicht ist, wobei die Schichtübergänge bezüglich ihrer elementaren Zusammensetzung ineinander übergehen oder stufenartig ausgebildet sein können.
  28. 28. Wafer nach einem der Ansprüche 22 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer eine Solarzelle, bevorzugt eine bifaciale Solarzell ist.
  29. 29. Vakuumbehandlungsanläge mit einer Schleusenkammer zum Einführen und/oder Ausbringen zumindest eines Wafers in die Vakuumbehandlungsanlage und zumindest einer ersten Beschichtungskammer, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Beschichtungskammer ein BN-Target umfasst.
  30. 30. Vakuumbehandlungsanlage nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbehandlungsanlage stromabwärts der ersten Beschichtungskammer zumindest eine zweite Beschichtungskammer umfasst und diese ein Silizium-Target, bevorzugt ein SiO2-Target, ein SiN-Target, bevorzugt aber ein Si-Target umfasst.
  31. 31. Vakuumbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Schleusenkammer eine Heizvorrichtung zum Beheizen und/oder eine Ätzvorrichtung zum Behandeln des zumindest einen Wafers umfasst.
  32. 32. Vakuumbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Schleusenkammer und der ersten Beschichtungskammer zumindest eine Vorbehandlungskammer mit einer Heizvorrichtung zum Beheizen und/oder einer Ätzvorrichtung zum Behandeln des zumindest einen Wafers vorgesehen ist.
  33. 33. Vakuumbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbehandlungsanlage stromabwärts der Schleusenkammer (S, S') ein oder zwei Vorbehandlungskammer gefolgt von ein oder zwei Beschichtungskammern mit jeweils zumindest einem borhaltigen Target gefolgt von ein oder zwei Beschichtungskammern mit jeweils zumindest einem siliziumhaltigen Target, gefolgt von der Schleusenkammer (S) oder einer weiteren Schleusenkammer (S") umfasst.
  34. 34. Vakuumbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 29 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Kammern der Anlage linear, kreisförmig oder polyedrisch angeordnet sind.
CH00166/17A 2017-02-13 2017-02-13 Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche. CH713453A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00166/17A CH713453A1 (de) 2017-02-13 2017-02-13 Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche.
PCT/EP2017/075671 WO2017212077A2 (de) 2017-02-13 2017-10-09 Verfahren zur herstellung eines substrates mit einer bordotierten oberfläche
TW107105161A TW201839862A (zh) 2017-02-13 2018-02-13 製造具硼摻雜表面之基板的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00166/17A CH713453A1 (de) 2017-02-13 2017-02-13 Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH713453A1 true CH713453A1 (de) 2018-08-15

Family

ID=60083969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH00166/17A CH713453A1 (de) 2017-02-13 2017-02-13 Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche.

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH713453A1 (de)
TW (1) TW201839862A (de)
WO (1) WO2017212077A2 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
CN114672775A (zh) * 2020-12-24 2022-06-28 中国科学院微电子研究所 溅射装置以及晶圆镀膜方法
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US12002668B2 (en) 2021-06-25 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool
CN114765234B (zh) * 2022-03-23 2024-04-02 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种p型晶硅双面电池退火增强背钝化方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1197847A (zh) * 1998-01-21 1998-11-04 吉林大学 纳米晶立方氮化硼薄膜及其制备方法
WO2006024386A2 (de) * 2004-09-02 2006-03-09 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Schichtverbund mit kubischen bornitrid
EP1976022A2 (de) * 2007-03-29 2008-10-01 Applied Materials, Inc. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Antireflexionsschicht oder einer Passivierungsschicht für Solarzellen
US20090017314A1 (en) * 2005-08-01 2009-01-15 Saint-Gobain Glass France Method for deposition of an anti-scratch coating
US20100173439A1 (en) * 2009-01-03 2010-07-08 Lawrence Chung-Lai Lei Methods and systems of transferring a substrate to minimize heat loss
EP2243857A1 (de) * 2008-02-18 2010-10-27 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Verfahren zur herstellung von kubisches bornitrid enthaltenden filmen
US20110020976A1 (en) * 2008-04-25 2011-01-27 Ulvac, Inc. Solar cell, and method and apparatus for manufacturing the same
CN103603053A (zh) * 2013-11-15 2014-02-26 中电电气（南京）光伏有限公司 一种制备晶体硅太阳能电池的方法
US20140255286A1 (en) * 2013-03-05 2014-09-11 Korea Institute Of Science And Technology Method for manufacturing cubic boron nitride thin film with reduced compressive residual stress and cubic boron nitride thin film manufactured using the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000331948A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Hitachi Denshi Ltd ほう素拡散用プレート
CN102754215A (zh) 2009-11-18 2012-10-24 太阳能和风能科技公司 制造光伏电池的方法、由该方法制造的光伏电池及其应用
CN102560346A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 硬质薄膜、具备硬质薄膜的产品及该产品的制作方法
CN104981893B (zh) * 2013-02-06 2018-01-30 松下生产工程技术株式会社 太阳能电池单元的制造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1197847A (zh) * 1998-01-21 1998-11-04 吉林大学 纳米晶立方氮化硼薄膜及其制备方法
WO2006024386A2 (de) * 2004-09-02 2006-03-09 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Schichtverbund mit kubischen bornitrid
US20090017314A1 (en) * 2005-08-01 2009-01-15 Saint-Gobain Glass France Method for deposition of an anti-scratch coating
EP1976022A2 (de) * 2007-03-29 2008-10-01 Applied Materials, Inc. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Antireflexionsschicht oder einer Passivierungsschicht für Solarzellen
EP2243857A1 (de) * 2008-02-18 2010-10-27 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Verfahren zur herstellung von kubisches bornitrid enthaltenden filmen
US20110020976A1 (en) * 2008-04-25 2011-01-27 Ulvac, Inc. Solar cell, and method and apparatus for manufacturing the same
US20100173439A1 (en) * 2009-01-03 2010-07-08 Lawrence Chung-Lai Lei Methods and systems of transferring a substrate to minimize heat loss
US20140255286A1 (en) * 2013-03-05 2014-09-11 Korea Institute Of Science And Technology Method for manufacturing cubic boron nitride thin film with reduced compressive residual stress and cubic boron nitride thin film manufactured using the same
CN103603053A (zh) * 2013-11-15 2014-02-26 中电电气（南京）光伏有限公司 一种制备晶体硅太阳能电池的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201839862A (zh) 2018-11-01
WO2017212077A2 (de) 2017-12-14
WO2017212077A3 (de) 2018-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH713453A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche.
DE10208450B4 (de) Verfahren zum Abscheiden dünner Schichten mittels ALD/CVD-Prozessen in Verbindung mit schnellen thermischen Prozessen
CN101944482B (zh) 形成介电膜的方法
DE112017006152T5 (de) Solarzellenherstellung
CN101471254B (zh) 形成介电膜的方法
CN101971298A (zh) 表面处理设备和表面处理方法
DE112011101329T5 (de) Multi-layer SiN für funktional und optische abgestufte Arc-Schichten auf kristallinen Solarzellen
EP2521804B1 (de) Inline-beschichtungsanlage
US20050006221A1 (en) Method for forming light-absorbing layer
WO2006069774A2 (de) Vakuumbeschichtungssystem
EP1304748B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
DE10255688A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Durchführen von sequentiellen Verfahren, die verschiedene Zeitdauern erfordern, bei der Herstellung von Halbleitervorrichtung
DE102006047472A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur oberflächennahen Behandlung von flächigen Substraten
DE102018004086A1 (de) Durchlaufanlage und Verfahren zum Beschichten von Substraten
DE60035557T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung dünner filme
DE69123807T2 (de) Verfahren zum Verbessern der Eigenschaften einer Dünnschicht auf einem Substrat
WO2021191285A9 (de) Verfahren und anlage zur herstellung eines ausgangsmaterials für eine siliziumsolarzelle mit passivierten kontakten
WO2020069700A1 (de) Solarzellen-beschichtungsanlage
JPH10149984A (ja) 多結晶シリコンの形成方法及び形成装置
DE60108078T2 (de) Heizungsanlage und Verfahren zur Heizung für einen Reaktor
CN101471256B (zh) 形成介电膜的方法
DE69025252T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer abgeschiedenen Schicht und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE3855165T2 (de) Durchsichtige, elektrisch leitende halbleiterfenster und herstellungsverfahren
DE202009018759U1 (de) Beschichtungsanlage
EP1415332B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen dünner epitaktischer Halbleiterschichten

Legal Events

Date Code Title Description
AZW Rejection (application)