JP2009302277A

JP2009302277A - Substrate processing system

Info

Publication number: JP2009302277A
Application number: JP2008154914A
Authority: JP
Inventors: Yukio Tanaka; 幸雄田中; Katsutoshi Nakada; 勝利中田
Original assignee: Sumitomo Precision Products Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority date: 2008-06-13
Filing date: 2008-06-13
Publication date: 2009-12-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing system for maintaining the concentration of surfactant contained in a processing liquid at a required concentration, even if the processing liquid is regenerated. <P>SOLUTION: The substrate processing system 1 includes a substrate processing device 12, a processing liquid regenerating device 30 and a new liquid supply device 70. The substrate processing device 12 includes a storage tank 11 for storing the processing liquid, a processing tank 13 for supplying the processing liquid onto the substrate K to process it, a conveying mechanism 14 for conveying the substrate K, and a processing liquid supply mechanism 20 for supplying the processing liquid L to the processing tank 13 to reflux the processing liquid L in the processing tank 13 to the storage tank 11. The processing liquid regenerating device 30 includes adsorbing containers 32 and 33 filled with an adsorbent for adsorbing metal components and a processing liquid circulating mechanism 34 for supplying the processing liquid to the adsorbing containers 32 and 33 to circulate it and reflux the processing liquid that has flown out to the storage tank 11. The new liquid supply device 70 is formed in such a manner that a predetermined amount of new liquid L is added to the processing liquid L in the storage tank 11 or the processing liquid L that is refluxed to the storage tank 11 from the adsorbing containers 32 and 33, whenever the substrate K is carried out from the processing tank 11. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、貯留槽に貯留された処理液を基板上に供給して当該基板を処理する基板処理装置と、貯留槽内の処理液から金属成分を除去して当該処理液を再生する処理液再生装置とを備えた基板処理システムに関する。 The present invention provides a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid stored in a storage tank onto a substrate to process the substrate, and a processing liquid for removing the metal component from the processing liquid in the storage tank and regenerating the processing liquid. The present invention relates to a substrate processing system including a reproducing apparatus.

半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板，光ディスク用基板といった各種基板を製造する工程には、これらの基板にエッチング液や現像液といった各種の処理液を供給して基板を処理する工程がある。 In the process of manufacturing various substrates such as semiconductor (silicon) wafers, liquid crystal glass substrates, glass substrates for photomasks, and substrates for optical disks, various processing solutions such as an etching solution and a developing solution are supplied to these substrates to process the substrates. There is a process to do.

例えば、エッチング液を用いた処理（エッチング処理）は、エッチング液を貯留する貯留槽と、基板をエッチングする基板処理機構と、貯留槽内のエッチング液を基板処理機構に供給し、供給したエッチング液をこの基板処理機構から回収して、貯留槽と基板処理機構との間でエッチング液を循環させるエッチング処理用循環機構とを備えたエッチング装置によって実施される（特開２０００−９６２６４号公報参照）。 For example, the processing using the etchant (etching process) includes a storage tank that stores the etchant, a substrate processing mechanism that etches the substrate, and an etchant in the storage tank that is supplied to the substrate processing mechanism. This is carried out by an etching apparatus provided with an etching processing circulation mechanism that collects the substrate from the substrate processing mechanism and circulates an etching solution between the storage tank and the substrate processing mechanism (see Japanese Patent Laid-Open No. 2000-96264). .

前記基板処理機構は、閉塞空間を備えた処理チャンバと、処理チャンバ内に配設され、基板を水平に搬送する複数の搬送ローラと、処理チャンバ内に配設され、基板の上面に向けてエッチング液を吐出する複数のノズル体とからなり、前記エッチング処理用循環機構は、貯留槽と各ノズル体とを接続する供給管と、供給管を介して各ノズル体にエッチング液を供給する供給ポンプと、処理チャンバの底部と貯留槽とを接続する回収管とからなる。 The substrate processing mechanism includes a processing chamber having a closed space, a plurality of transport rollers disposed in the processing chamber and transporting the substrate horizontally, and disposed in the processing chamber and etching toward the upper surface of the substrate. The etching circulation mechanism includes a supply pipe that connects the storage tank and each nozzle body, and a supply pump that supplies the etching liquid to each nozzle body via the supply pipe And a recovery pipe connecting the bottom of the processing chamber and the storage tank.

斯くして、このエッチング装置では、供給ポンプにより供給管を介し各ノズル体に供給された貯留槽内のエッチング液が、これら各ノズル体から吐出されて、搬送ローラにより所定方向に搬送される基板の上面に供給され、かかるエッチング液によって基板がエッチングされる。尚、基板の上面に吐出されたエッチング液は、回収管を通って処理チャンバ内から貯留槽内に回収される。 Thus, in this etching apparatus, the etching liquid in the storage tank supplied to each nozzle body via the supply pipe by the supply pump is discharged from each nozzle body and is transported in a predetermined direction by the transport roller. Then, the substrate is etched by such an etchant. Note that the etching solution discharged onto the upper surface of the substrate is recovered from the processing chamber into the storage tank through the recovery tube.

ところで、例えば、基板の上面に形成された酸化インジウムスズ膜などの金属膜に対してエッチングを行うと、この金属膜を構成するインジウムやスズといった金属がエッチング液に溶解するため、エッチング液を貯留槽と基板処理機構との間で循環させるように構成された上記エッチング装置では、貯留槽内のエッチング液に含まれる金属成分が徐々に増加して、エッチング処理を効率的に実施することができないという問題や、精度の良いエッチング形状が得られないという問題を生じる。 By the way, for example, when etching is performed on a metal film such as an indium tin oxide film formed on the upper surface of the substrate, the metal such as indium and tin constituting the metal film is dissolved in the etching liquid, so that the etching liquid is stored. In the etching apparatus configured to circulate between the tank and the substrate processing mechanism, the metal component contained in the etching solution in the storage tank gradually increases, and the etching process cannot be performed efficiently. And the problem that an accurate etching shape cannot be obtained.

このため、かかる従前のエッチング装置では、貯留槽内のエッチング液を定期的に取り替える必要があり、このエッチング液の取り替えによって、処理コストが上昇するという問題があった。 For this reason, in the conventional etching apparatus, it is necessary to periodically replace the etching solution in the storage tank, and there is a problem that the processing cost increases due to the replacement of the etching solution.

そこで、本願出願人は、エッチング液中の金属成分を除去して、当該エッチング液を再生するようにしたエッチング装置を既に提案している（特願２００７−１０１３９２号）。このエッチング装置は、上述したエッチング装置の構成に加え、エッチング液中の金属イオンを吸着するキレート材が充填された吸着塔と、貯留槽内のエッチング液を吸着塔内に供給して流通させるとともに、流出したエッチング液をこの吸着塔から回収する除去処理用循環機構とを備えている。 Therefore, the applicant of the present application has already proposed an etching apparatus in which a metal component in an etching solution is removed to regenerate the etching solution (Japanese Patent Application No. 2007-101392). In addition to the structure of the etching apparatus described above, this etching apparatus supplies an adsorbing tower filled with a chelating material that adsorbs metal ions in the etching solution, and supplies the etching liquid in the storage tank to the adsorption tower for circulation. And a removal processing circulation mechanism for recovering the outflowing etching solution from the adsorption tower.

斯くして、このエッチング装置では、吸着塔のキレート材によってエッチング液中の金属成分（エッチング液に溶解した金属イオン）が吸着，除去されるので、上述した問題を解消することができる。 Thus, in this etching apparatus, the metal component (metal ions dissolved in the etching solution) in the etching solution is adsorbed and removed by the chelating material of the adsorption tower, so that the above-described problems can be solved.

特開２０００−９６２６４号公報JP 2000-96264 A

ところが、このエッチング装置おいても未だ改善すべき点があり、エッチング液を再生することで当該エッチング液を長期にわたって使用することができ、処理コストを軽減することができるというメリットを有するものの、エッチング液を再生することで、逆に、以下に説明するような問題を生じていた。 However, there are still points to be improved in this etching apparatus, and the etching solution can be used over a long period of time by regenerating the etching solution. By regenerating the liquid, conversely, problems as described below have occurred.

即ち、通常、エッチング液には、エッチング後の基板上に残渣が生じるのを防止すべく界面活性剤が添加されているが、この場合に、エッチング液を吸着塔に供給して、当該エッチング液中に含まれる金属成分をキレート材によって吸着，除去させると、その際、金属成分のみならず界面活性剤も同時にキレート材によって吸着，除去されるという問題を生じていたのである。このため、エッチング液に含まれる界面活性剤の濃度が徐々に低下して、上記残渣の発生を抑制する効果が損なわれる結果となっていた。 That is, a surfactant is usually added to the etching solution to prevent residues on the etched substrate. In this case, the etching solution is supplied to the adsorption tower and the etching solution is added. When the metal component contained therein is adsorbed and removed by the chelating material, the problem is that not only the metal component but also the surfactant is simultaneously adsorbed and removed by the chelating material. For this reason, the concentration of the surfactant contained in the etching solution is gradually lowered, and the effect of suppressing the generation of the residue is impaired.

本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、処理液の再生処理を実施しても、処理液中に含まれる界面活性剤の濃度を必要濃度に維持することができる基板処理システムの提供を、その目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a substrate processing system capable of maintaining the concentration of a surfactant contained in a processing solution at a necessary concentration even when the processing solution is regenerated. The purpose is to provide

上記目的を達成するための本発明は、
界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽と、前記基板上に前記処理液を供給して該基板を処理する工程、及び少なくとも処理後の基板上から処理液を一次除去する工程を行う処理槽と、該処理槽に基板を搬入し、搬入した基板を処理槽から搬出する搬送機構と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記処理槽に供給する一方、前記処理槽の底部に集液された処理液を前記貯留槽に還流させる処理液供給機構とを備えた基板処理装置と、
前記処理液に含まれる金属成分を吸着する吸着材が充填された吸着容器と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記吸着容器に供給して流通させ、流出した処理液を前記貯留槽に還流させる処理液循環機構とを備えた処理液再生装置と、
前記処理槽から処理後の基板が搬出される度に、予め定められた量の新しい処理液を、前記貯留槽に貯留された処理液、又は前記吸着容器から前記貯留槽に還流される処理液に添加する新液供給装置とを設けた基板処理システムに係る。 To achieve the above object, the present invention provides:
A storage tank for storing a processing liquid containing a surfactant, a process for supplying the processing liquid onto the substrate and processing the substrate, and a process for removing the processing liquid from at least the substrate after processing; A treatment tank to be performed, a transport mechanism for carrying the substrate into the treatment tank, and unloading the loaded substrate from the treatment tank, and supplying a treatment liquid stored in the storage tank to the treatment tank, A substrate processing apparatus provided with a processing liquid supply mechanism for refluxing the processing liquid collected in the storage tank;
An adsorption container filled with an adsorbent that adsorbs a metal component contained in the treatment liquid, and a treatment liquid stored in the storage tank are supplied to the adsorption container for circulation, and the discharged treatment liquid is supplied to the storage tank. A treatment liquid regenerating apparatus comprising a treatment liquid circulation mechanism for reflux;
Each time a processed substrate is unloaded from the processing tank, a predetermined amount of a new processing liquid is stored in the storage tank, or the processing liquid is refluxed from the adsorption container to the storage tank. The present invention relates to a substrate processing system provided with a new liquid supply device to be added to the substrate.

上記のように、前記基板処理装置においては、貯留槽に貯留された処理液が、処理液供給機構によって処理槽に供給され、当該処理槽内には、搬送機構によって処理対象の基板が搬入される。斯くして、処理槽内に搬入された基板上に処理液が供給され、当該処理液によって基板が処理される。 As described above, in the substrate processing apparatus, the processing liquid stored in the storage tank is supplied to the processing tank by the processing liquid supply mechanism, and the substrate to be processed is carried into the processing tank by the transport mechanism. The Thus, the processing liquid is supplied onto the substrate carried into the processing tank, and the substrate is processed by the processing liquid.

処理対象の基板は、前記搬送機構によって一枚ずつ順次処理槽内に搬入され、その上面に処理液が供給されて処理され、処理後に、基板上の処理液が一次除去され、除去後の基板が処理槽から搬出される。一次除去の態様としては、一般的に、基板を斜めに傾斜させて流し落とすといった態様が採り得る。 Substrates to be processed are sequentially carried into the processing tank one by one by the transport mechanism, the processing liquid is supplied to the upper surface of the processing tank, the processing liquid on the substrate is primarily removed after the processing, and the substrate after the removal Is carried out of the processing tank. As a mode of primary removal, generally, a mode in which the substrate is inclined and washed off can be taken.

そして、基板上から一次除去された処理液は処理槽の底部に集液され、前記処理液供給機構によって前記貯留槽に還流，回収される。尚、一次除去によっては、完全に基板上から処理液を除去することはできず、したがって、処理槽から搬出される基板上には若干の処理液が残存しており、基板の搬出によって、この若干量の処理液が系外に持ち出される。また、この一次除去の後で、エアーを吹き掛けるなどして、基板上から更に処理液を除去する二次除去処理が行われることもあるが、これによって除去される処理液は極僅かであるため、通常は、この処理液を貯留槽に還流させることはしていない。 Then, the processing liquid primarily removed from the substrate is collected at the bottom of the processing tank, and is returned to and collected in the storage tank by the processing liquid supply mechanism. It should be noted that the processing liquid cannot be completely removed from the substrate by the primary removal. Therefore, some processing liquid remains on the substrate unloaded from the processing tank. Some amount of processing liquid is taken out of the system. In addition, after this primary removal, a secondary removal process for further removing the treatment liquid from the substrate may be performed by blowing air or the like, but the treatment liquid removed by this is extremely small. Therefore, normally, this processing liquid is not refluxed to the storage tank.

一方、処理液再生装置では、処理液循環機構によって、貯留槽に貯留された処理液が吸着容器に供給され、この吸着容器内を流通した処理液が再び貯留槽に還流される。 On the other hand, in the treatment liquid regenerating apparatus, the treatment liquid stored in the storage tank is supplied to the adsorption container by the treatment liquid circulation mechanism, and the treatment liquid flowing through the adsorption container is recirculated to the storage tank.

前記基板処理装置において処理に供された処理液には、基板から溶出した金属成分（金属イオン）が含まれているので、これを貯留槽に還流させると、貯留層内の処理液に含まれる金属成分の濃度が徐々に高くなり、これが所定濃度を超えると、処理効率や処理精度が低下するという問題を生じるが、前記吸着容器内を流通させることで、処理液中の金属成分を吸着材に吸着させて除去することができるので、処理液中の金属成分濃度が上昇するのを抑えることができ、処理液の寿命を延ばすことができる。 Since the processing liquid used for processing in the substrate processing apparatus contains a metal component (metal ions) eluted from the substrate, it is included in the processing liquid in the storage layer when it is returned to the storage tank. When the concentration of the metal component gradually increases and exceeds a predetermined concentration, there arises a problem that the processing efficiency and the processing accuracy decrease. Therefore, it is possible to suppress an increase in the concentration of the metal component in the treatment liquid and to extend the life of the treatment liquid.

尚、この処理液再生装置による処理液の再生処理は、新品の処理液を用いて処理を開始した直後から行っても良いが、所定時間処理を行った後、若しくは所定枚数の基板を処理した後に、当該再生処理を行うようにしても何れでも良い。 The processing liquid regeneration processing by the processing liquid regeneration apparatus may be performed immediately after the processing is started using a new processing liquid. However, after processing for a predetermined time, or processing a predetermined number of substrates. The reproduction process may be performed later.

また、新液供給装置では、処理槽から処理後の基板が搬出される度に、予め定められた量の新しい処理液が、貯留槽に貯留された処理液、又は吸着容器から貯留槽に還流される処理液に添加される。 Further, in the new liquid supply apparatus, each time the processed substrate is carried out of the processing tank, a predetermined amount of new processing liquid is returned to the storage tank from the processing liquid stored in the storage tank or from the adsorption container. Added to the treated liquid.

前述したように、通常、処理液には基板上に残渣が生じるのを抑制すべく界面活性剤が添加されているが、前記再生処理装置によって、処理液中の金属成分を吸着材に吸着させる処理を行うと、この界面活性剤が金属成分と共に吸着材に吸着されて、その抑制効果が減少するという不都合を生じる。 As described above, a surfactant is usually added to the processing liquid to suppress the generation of residues on the substrate. However, the metal component in the processing liquid is adsorbed to the adsorbent by the regeneration processing apparatus. When the treatment is carried out, this surfactant is adsorbed on the adsorbent together with the metal component, resulting in a disadvantage that the suppression effect is reduced.

したがって、前記抑制効果を適正に維持するためには、吸着材に吸着され減少した量に相当する量の界面活性剤を再生処理後の処理液に添加して補う必要がある。 Therefore, in order to maintain the suppression effect properly, it is necessary to supplement the processing solution after the regeneration treatment by adding an amount of surfactant corresponding to the reduced amount adsorbed by the adsorbent.

そこで、本発明では、前記新液供給装置を設け、処理槽から基板が搬出される度に、予め定められた量の新しい処理液を、貯留槽に貯留された処理液、又は吸着容器から貯留槽に還流される処理液に添加するようにしている。 Therefore, in the present invention, the new liquid supply device is provided, and a predetermined amount of new processing liquid is stored from the processing liquid stored in the storage tank or the adsorption container each time the substrate is unloaded from the processing tank. It is made to add to the process liquid recirculated | refluxed to a tank.

尚、新液供給装置によって一度に添加する新液の量は、処理槽から搬出される基板によって系外に持ち出される処理液量と、略同量とするのが好ましい。持ち出される処理液量よりも多いと貯留槽がオーバフローする可能性があり、少なすぎると、界面活性剤の濃度が低下して適正な範囲を逸脱し、適正な基板処理を行うことができない可能性があるからである。 The amount of the new liquid added at a time by the new liquid supply device is preferably substantially the same as the amount of the processing liquid taken out of the system by the substrate carried out of the processing tank. If the amount of processing solution to be taken out is larger than that, the storage tank may overflow. If the amount is too small, the concentration of the surfactant may decrease and deviate from the proper range, and proper substrate processing may not be performed. Because there is.

また、前記処理液再生装置の吸着容器内を流通させる処理液の流量は、新液添加量とバランスさせるのが好ましい。即ち、当該流量を、処理槽から基板が搬出される時間間隔において、１回の新液添加によって処理液に添加される界面活性剤の量と略同量若しくはこれ以下の量の界面活性剤が吸着剤に吸着されるような流量とするのが好ましい。 Further, it is preferable that the flow rate of the processing liquid flowing through the adsorption container of the processing liquid regenerating apparatus is balanced with the amount of new liquid added. That is, the amount of the surfactant is approximately equal to or less than the amount of the surfactant added to the processing liquid by adding one new liquid at the time interval when the substrate is unloaded from the processing tank. It is preferable to set the flow rate so as to be adsorbed by the adsorbent.

以上により、貯留槽内の処理液に含有される界面活性剤の濃度を必要濃度に維持することができ、残渣を抑制する効果を適正に維持することができる。 As described above, the concentration of the surfactant contained in the treatment liquid in the storage tank can be maintained at a necessary concentration, and the effect of suppressing residues can be appropriately maintained.

また、処理槽から基板が搬出される度に、新しい処理液を添加するようにしているので、仮に処理液に含有される界面活性剤の濃度が変化するとしても、その変化は緩やかであり、したがって、安定した基板処理を行うことができる。 In addition, since a new processing solution is added each time the substrate is unloaded from the processing tank, even if the concentration of the surfactant contained in the processing solution changes, the change is gradual. Therefore, stable substrate processing can be performed.

尚、上記基板としては、例えば、半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板及び光ディスク用基板などを例示することができ、また、前記処理液としては、例えば、エッチング液，現像液及び洗浄液などを例示することができる。 Examples of the substrate include a semiconductor (silicon) wafer, a liquid crystal glass substrate, a photomask glass substrate, and an optical disk substrate. Examples of the processing liquid include an etching liquid and a development board. Examples thereof include liquids and cleaning liquids.

また、前記吸着材としては、例えば、キレート材やイオン交換樹脂などを例示することができ、これらの吸着材によって吸着可能な金属としては、例えば、インジウムを挙げることができる。 Examples of the adsorbent include chelate materials and ion exchange resins. Examples of metals that can be adsorbed by these adsorbents include indium.

また、前記界面活性剤としては、例えば、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びその塩，ポリスチレンスルホン酸及びその塩，リグニンスルホン酸及びその塩といったポリスルホン酸化合物、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ドデシルベンゼンスルホン酸のようなアルキルベンゼンスルホン酸及びその塩，アルキル硫酸エステル及びその塩，スルホコハク酸のジアルキルエステル及びその塩，ポリオキシエチレンアルキルエーテルスルホン酸やポリオキシエチレンアリルエーテルスルホン酸及びそれらの塩といったスルフォネート型陰イオン界面活性剤、パーフルオロアルキルエチレンオキシドやパーフルオロアルケニルエチレンオキシドといったフッ素系非イオン性界面活性剤、パーフルオロアルケニルスルホン酸及びその塩やパーフルオロアルケニルカルボン酸及びその塩といったフッ素系陰イオン性界面活性剤などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。 Examples of the surfactant include naphthalene sulfonic acid formaldehyde condensates and salts thereof, polysulfonic acid compounds such as polystyrene sulfonic acid and salts thereof, lignin sulfonic acid and salts thereof, polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymers, dodecyl. Sulfonates such as alkylbenzene sulfonic acids such as benzene sulfonic acid and salts thereof, alkyl sulfate esters and salts thereof, dialkyl esters of sulfosuccinic acid and salts thereof, polyoxyethylene alkyl ether sulfonic acids and polyoxyethylene allyl ether sulfonic acids and salts thereof Type anionic surfactants, fluorinated nonionic surfactants such as perfluoroalkylethylene oxide and perfluoroalkenyl ethylene oxide, perfluoro And the like can be mentioned Luque sulfonic acids and salts thereof and perfluoro alkenyl carboxylic acids and fluorine-containing anionic surfactant such as a salt, but is not limited thereto.

以上説明したように、本発明によれば、処理液に含まれる界面活性剤の量を適正な範囲に維持しつつ、処理液中の金属成分を除去することができるので、高い処理効率及び処理精度を維持することができ、しかも残渣を抑制する効果を適正に維持することができる。 As described above, according to the present invention, the metal component in the treatment liquid can be removed while maintaining the amount of the surfactant contained in the treatment liquid in an appropriate range, so that high treatment efficiency and treatment can be achieved. The accuracy can be maintained, and the effect of suppressing residue can be properly maintained.

以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。尚、図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置システムの概略構成を示した説明図であり、図２は、その基板処理装置を示した断面図である。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus.

図１に示すように、本例の基板処理システム１は、エッチング液Ｌを貯留する貯留槽１１と、エッチング液Ｌによって基板Ｋをエッチングする基板処理装置１２と、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌを基板処理装置１２に供給するエッチング液供給装置２０と、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌから金属成分を吸着して除去するエッチング液再生装置３０と、貯留槽１１に未使用の新しいエッチング液Ｌを補充する新液供給装置７０と、前記基板処理装置１２，エッチング液供給装置２０，エッチング液再生装置３０及び新液供給装置７０の作動を制御する制御装置２５とから構成される。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 of this example includes a storage tank 11 that stores an etching solution L, a substrate processing apparatus 12 that etches a substrate K with the etching solution L, and an etching stored in the storage tank 11. An etchant supply device 20 that supplies the liquid L to the substrate processing apparatus 12, an etchant regenerator 30 that adsorbs and removes metal components from the etchant L stored in the storage tank 11, and an unused storage tank 11. A new liquid supply device 70 for replenishing a new etching liquid L, and a control device 25 for controlling the operation of the substrate processing apparatus 12, the etching liquid supply apparatus 20, the etching liquid regenerating apparatus 30, and the new liquid supply apparatus 70 are configured. .

前記貯留槽１１には、例えば、蓚酸及び界面活性剤がそれぞれ所定濃度となるように調整されたエッチング液Ｌが貯留される。 In the storage tank 11, for example, an etching solution L adjusted so that oxalic acid and a surfactant each have a predetermined concentration is stored.

尚、界面活性剤としては、例えば、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びその塩，ポリスチレンスルホン酸及びその塩，リグニンスルホン酸及びその塩といったポリスルホン酸化合物、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ドデシルベンゼンスルホン酸のようなアルキルベンゼンスルホン酸及びその塩，アルキル硫酸エステル及びその塩，スルホコハク酸のジアルキルエステル及びその塩，ポリオキシエチレンアルキルエーテルスルホン酸やポリオキシエチレンアリルエーテルスルホン酸及びそれらの塩といったスルフォネート型陰イオン界面活性剤、パーフルオロアルキルエチレンオキシドやパーフルオロアルケニルエチレンオキシドといったフッ素系非イオン性界面活性剤、パーフルオロアルケニルスルホン酸及びその塩やパーフルオロアルケニルカルボン酸及びその塩といったフッ素系陰イオン性界面活性剤などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。 Examples of the surfactant include naphthalenesulfonic acid formaldehyde condensate and salts thereof, polysulfonic acid compounds such as polystyrene sulfonic acid and salts thereof, lignin sulfonic acid and salts thereof, polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymers, and dodecylbenzene. Sulfonate types such as alkylbenzene sulfonic acid and its salts such as sulfonic acid, alkyl sulfate and its salt, dialkyl ester and its salt of sulfosuccinic acid, polyoxyethylene alkyl ether sulfonic acid and polyoxyethylene allyl ether sulfonic acid and their salts Anionic surfactants, fluorine-based nonionic surfactants such as perfluoroalkyl ethylene oxide and perfluoroalkenyl ethylene oxide, and perfluoroalkenes And the like can be mentioned Rusuruhon acid and fluorine-containing anionic surfactant such as a salt thereof and perfluoro alkenyl carboxylic acids and salts thereof, but is not limited thereto.

図２に示すように、前記基板処理装置１２は、基板Ｋの搬送方向（矢示方向）に順次連続して並設された閉塞空間たるエッチング室１３ａ，第１液切室１３ｂ及び第２液切室１３ｃを備えた処理チャンバ１３と、前記各室１３ａ，１３ｂ，１３ｃにそれぞれ設けられた開口部１３ｄから当該各室１３ａ，１３ｂ，１３ｃに基板Ｋを搬入した後、搬出する搬送ローラ１４ａを備えた搬送装置１４とから構成される。 As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 12 includes an etching chamber 13a, a first liquid cutting chamber 13b, and a second liquid, which are closed spaces arranged successively in succession in the transport direction (arrow direction) of the substrate K. A processing chamber 13 having a cut chamber 13c, and a transport roller 14a for transporting the substrate K from the openings 13d provided in the chambers 13a, 13b, and 13c to the chambers 13a, 13b, and 13c, and then unloading the substrate K are provided. And a transport device 14 provided.

前記エッチング室１３ａ内には、その上部に、吐出管１５ａと、この吐出管１５ａの下面に固設された複数のノズル体１５ｂとから構成されるエッチング液吐出機構１５が設けられており、エッチング液Ｌが前記エッチング液供給装置２０から吐出管１５ａに供給され、前記ノズル体１５ｂからその下方に向けて吐出される。 In the etching chamber 13a, an etching solution discharge mechanism 15 including a discharge pipe 15a and a plurality of nozzle bodies 15b fixed to the lower surface of the discharge pipe 15a is provided at the upper portion thereof. The liquid L is supplied from the etching liquid supply device 20 to the discharge pipe 15a and discharged downward from the nozzle body 15b.

斯くして、前記ノズル体１５ｂから吐出されたエッチング液Ｌは、前記搬送ローラ１４ａによって搬送される基板Ｋ上に供給され、このエッチング液Ｌによって基板Ｋ上面がエッチングされる。尚、基板Ｋ上から溢れ落ちたエッチング液Ｌは、当該エッチング室１３ａ内の底部に集液される。 Thus, the etchant L discharged from the nozzle body 15b is supplied onto the substrate K transported by the transport roller 14a, and the upper surface of the substrate K is etched by the etchant L. The etchant L overflowing from the substrate K is collected at the bottom of the etching chamber 13a.

また、前記第１液切室１３ｂ内には、搬送ローラ１４ａ上の基板Ｋを斜めに傾斜させる傾斜機構が設けられており、上面にエッチング液Ｌが供給された状態でエッチング室１３ａから搬出され、第１液切室１３ｂに搬入された基板Ｋが、この傾斜機構（図示せず）によって傾斜せしめられ、この傾斜によって、基板Ｋ上のエッチング液Ｌが流し落とされる。尚、基板Ｋ上から流し落とされたエッチング液Ｌは、第１液切室１３ｂ内の底部に集液される。 In addition, an inclination mechanism for inclining the substrate K on the transport roller 14a is provided in the first liquid draining chamber 13b, and the substrate is carried out of the etching chamber 13a with the etching liquid L supplied to the upper surface. The substrate K carried into the first liquid draining chamber 13b is tilted by the tilt mechanism (not shown), and the etchant L on the substrate K is caused to flow down by the tilt. Note that the etchant L that has flowed off from the substrate K is collected at the bottom of the first liquid drain chamber 13b.

また、第２液切室１３ｃ内には、その上部に、吐出管１６ａと、この吐出管１６ａの下面に固設された複数のノズル体１６ｂとを備えた圧縮空気吐出機構１６が設けられており、この吐出管１６ａに、切換弁１６ｄが介装された供給管１６ｃを介して、図示しない圧縮空気供給源から圧縮空気が供給され、供給された圧縮空気がノズル体１６ｂからその下方に向けて吐出される。 In addition, a compressed air discharge mechanism 16 including a discharge pipe 16a and a plurality of nozzle bodies 16b fixed to the lower surface of the discharge pipe 16a is provided in the second liquid cutting chamber 13c. The discharge pipe 16a is supplied with compressed air from a compressed air supply source (not shown) via a supply pipe 16c having a switching valve 16d interposed therein, and the supplied compressed air is directed downward from the nozzle body 16b. Discharged.

斯くして、第１液切室１３ｂから搬出され、第２液切室１３ｃに搬入された基板Ｋは、その搬送過程で、ノズル体１６ｂから吐出される圧縮空気によって噴き付けられ、これにより、その上面に残存したエッチング液Ｌが吹き飛ばされ、基板Ｋ上から除去される。尚、吹き飛ばされたエッチング液Ｌは第２液切室１３ｃ内の底部に集液される。 Thus, the substrate K carried out from the first liquid cutting chamber 13b and carried into the second liquid cutting chamber 13c is sprayed by the compressed air discharged from the nozzle body 16b in the transfer process, The etching solution L remaining on the upper surface is blown off and removed from the substrate K. The etchant L blown off is collected at the bottom of the second liquid draining chamber 13c.

前記エッチング液供給装置２０は、一端が貯留槽１１に接続し、他端が前記吐出管１５ａに接続した供給管２１と、この供給管２１を介して前記吐出管１５ａにエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ２２と、一端が前記貯留槽１１に接続し、他端が２つに分岐して、その一方が前記エッチング室１３ａの底部に接続し、他方が前記第１液切室１３ｂの底部に接続した回収管２４ａとから構成される。尚、供給管２１には、切換弁２３が設けられている。 The etching liquid supply device 20 supplies the etching liquid L to the discharge pipe 15a via the supply pipe 21 having one end connected to the storage tank 11 and the other end connected to the discharge pipe 15a. The supply pump 22 has one end connected to the storage tank 11, the other end branched into two, one connected to the bottom of the etching chamber 13a, and the other connected to the bottom of the first liquid draining chamber 13b. And a connected collection pipe 24a. The supply pipe 21 is provided with a switching valve 23.

前記エッチング液再生装置３０は、エッチング液Ｌに含まれる金属成分（インジウムイオンやスズイオン）を吸着する吸着機構３１と、貯留槽１１と吸着機構３１との間でエッチング液Ｌを循環させる循環機構３４と、吸着機構３１によって吸着された金属成分を溶離させるための溶離液を供給する溶離液供給機構４２と、溶離液を吸着機構３１から回収する溶離液回収機構４８と、吸着機構３１を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給機構５４と、洗浄液を吸着機構３１から回収する洗浄液回収機構５８とからなる。 The etchant regenerator 30 has an adsorption mechanism 31 that adsorbs metal components (indium ions and tin ions) contained in the etchant L, and a circulation mechanism 34 that circulates the etchant L between the storage tank 11 and the adsorption mechanism 31. The eluent supply mechanism 42 for supplying an eluent for eluting the metal component adsorbed by the adsorption mechanism 31, the eluent recovery mechanism 48 for recovering the eluent from the adsorption mechanism 31, and the adsorption mechanism 31. The cleaning liquid supply mechanism 54 supplies a cleaning liquid for the cleaning, and the cleaning liquid recovery mechanism 58 recovers the cleaning liquid from the adsorption mechanism 31.

前記吸着機構３１は、前記金属成分を吸着する吸着材としてのキレート材（図示せず）が内部に充填された２つの吸着容器（第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３）を備える。 The adsorption mechanism 31 includes two adsorption containers (a first adsorption container 32 and a second adsorption container 33) filled with a chelating material (not shown) as an adsorbent that adsorbs the metal component.

尚、キレート材（図示せず）とは、一般的には、有機系のアミノカルボン酸塩を総称したものであり、金属成分を吸着する一方、吸着した金属を特定の溶液によって溶離することができるという性質を備えたものである。具体的には、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸），ＮＴＡ（ニトリロ三酢酸），ＤＴＰＡ（ジエチレントリアミン五酢酸），ＧＬＤＡ（Ｌ−グルタミン酸二酢酸），ＨＥＤＴＡ（ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸），ＧＥＤＴＡ（グリコールエーテルジアミン四酢酸），ＴＴＨＡ（トリエチレンテトラミン六酢酸），ＨＩＤＡ（ヒドロキシエチルイミノ二酢酸）及びＤＨＥＧ（ヒドロキシエチルグリシン）などが一例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。 The chelating material (not shown) is a general term for organic aminocarboxylates, and adsorbs the metal component while eluting the adsorbed metal with a specific solution. It has the property of being able to do it. Specifically, EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid), NTA (nitrilotriacetic acid), DTPA (diethylenetriaminepentaacetic acid), GLDA (L-glutamic acid diacetic acid), HEDTA (hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid), GEDTA (glycol ether diamine tetraacetic acid) Acetic acid), TTHA (triethylenetetramine hexaacetic acid), HIDA (hydroxyethyliminodiacetic acid), DHEG (hydroxyethylglycine) and the like can be mentioned as examples, but are not limited thereto.

前記循環機構３４は、一端が貯留槽１１に接続し、他端が分岐して各吸着容器３２，３３の一方端に接続したエッチング液供給管３５と、エッチング液供給管３５を介して各吸着容器３２，３３の内部にエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ３６と、一端が貯留槽１１に接続し、他端が分岐して各吸着容器３２，３３の他方端に接続したエッチング液回収管３７と、エッチング液供給管３５の前記他端側にそれぞれ設けられた第１供給切換弁３８及び第２供給切換弁３９と、エッチング液回収管３７の前記他端側にそれぞれ設けられた第１排出切換弁４０及び第２排出切換弁４１とからなる。 The circulation mechanism 34 has one end connected to the storage tank 11, the other end branched and connected to one end of each adsorption vessel 32, 33, and each adsorption via the etchant supply pipe 35. A supply pump 36 that supplies the etching solution L to the inside of the containers 32 and 33, and an etching solution recovery pipe 37 that has one end connected to the storage tank 11 and the other end branched and connected to the other ends of the adsorption vessels 32 and 33. A first supply switching valve 38 and a second supply switching valve 39 provided on the other end side of the etching solution supply pipe 35, and a first discharge provided on the other end side of the etching solution recovery pipe 37, respectively. It consists of a switching valve 40 and a second discharge switching valve 41.

前記溶離液供給機構４２は、例えば、塩酸や硫酸あるいは苛性ソーダからなる溶離液を供給する溶離液供給部４３と、一端が溶離液供給部４３に接続し、他端が分岐して各吸着容器３２，３３の前記他方端に接続した溶離液供給管４４と、溶離液供給管４４の前記一端側に設けられた溶離液供給弁４５と、溶離液供給管４４の前記他端側にそれぞれ設けられた第１供給切換弁４６及び第２供給切換弁４７とからなる。 The eluent supply mechanism 42 includes, for example, an eluent supply unit 43 that supplies an eluent composed of hydrochloric acid, sulfuric acid, or caustic soda, and one end connected to the eluent supply unit 43 and the other end branched to each adsorption vessel 32. 33, the eluent supply pipe 44 connected to the other end of the eluent 33, the eluent supply valve 45 provided on the one end side of the eluent supply pipe 44, and the other end side of the eluent supply pipe 44, respectively. And a first supply switching valve 46 and a second supply switching valve 47.

前記溶離液回収機構４８は、溶離液を回収する溶離液回収部４９と、一端が溶離液回収部４９に接続し、他端が分岐して各吸着容器３２，３３の前記他方端に接続した溶離液回収管５０と、溶離液回収管５０の前記他端側にそれぞれ設けられた第１排出切換弁５１及び第２排出切換弁５２と、溶離液回収管５０の前記一端側に設けられた溶離液回収弁５３とからなる。 The eluent recovery mechanism 48 includes an eluent recovery unit 49 that recovers the eluent, one end connected to the eluent recovery unit 49, and the other end branched to connect to the other ends of the adsorption containers 32 and 33. The eluent recovery pipe 50, the first discharge switching valve 51 and the second discharge switching valve 52 provided on the other end side of the eluent recovery pipe 50, and the one end side of the eluent recovery pipe 50, respectively. And an eluent recovery valve 53.

前記洗浄液供給機構５４は、例えば、純水からなる洗浄液を供給する洗浄液供給部５５と、一端が洗浄液供給部５５に接続し、他端が溶離液供給管４４の分岐部と溶離液供給弁４５との間に接続して、この溶離液供給管４４を介し各吸着容器３２，３３に接続した洗浄液供給管５６と、この洗浄液供給管５６に設けられた洗浄液供給弁５７とを備えてなり、前記第１供給切換弁４６及び第２供給切換弁４７は、当該洗浄液供給機構５４としても機能する。 The cleaning liquid supply mechanism 54 includes, for example, a cleaning liquid supply unit 55 that supplies a cleaning liquid made of pure water, one end connected to the cleaning liquid supply unit 55, and the other end connected to a branch portion of the eluent supply pipe 44 and an eluent supply valve 45. A cleaning liquid supply pipe 56 connected to each of the adsorption containers 32 and 33 via the eluent supply pipe 44, and a cleaning liquid supply valve 57 provided in the cleaning liquid supply pipe 56. The first supply switching valve 46 and the second supply switching valve 47 also function as the cleaning liquid supply mechanism 54.

また、前記洗浄液回収機構５８は、洗浄液を回収する洗浄液回収部５９と、一端が洗浄液回収部５９に接続し、他端が溶離液回収管５０の分岐部と溶離液回収弁５３との間に接続して、この溶離液回収管５０を介し各吸着容器３２，３３に接続した洗浄液回収管６０と、洗浄液回収管６０に設けられた洗浄液回収弁６１とを備えてなり、前記第１排出切換弁５１及び第２排出切換弁５２は、当該洗浄液回収機構５８としても機能する。 The cleaning liquid recovery mechanism 58 includes a cleaning liquid recovery part 59 for recovering the cleaning liquid, one end connected to the cleaning liquid recovery part 59, and the other end between the branch of the eluent recovery pipe 50 and the eluent recovery valve 53. The first discharge switching unit includes a cleaning liquid recovery pipe 60 connected to the adsorption containers 32 and 33 via the eluent recovery pipe 50 and a cleaning liquid recovery valve 61 provided in the cleaning liquid recovery pipe 60. The valve 51 and the second discharge switching valve 52 also function as the cleaning liquid recovery mechanism 58.

前記新液供給装置７０は、未使用の新しいエッチング液Ｌが貯留された補助貯留槽７１と、一端が補助貯留槽７１に接続し、他端が貯留槽１１に接続した供給管７３と、供給管７３を介して前記補助貯留槽７１内のエッチング液Ｌを貯留槽１１に供給する供給ポンプ７２と、供給ポンプ７２と貯留槽１１との間の供給管７３に設けられた流量制御弁７４とから構成される。 The new liquid supply device 70 includes an auxiliary storage tank 71 in which an unused new etching liquid L is stored, a supply pipe 73 having one end connected to the auxiliary storage tank 71 and the other end connected to the storage tank 11, and a supply A supply pump 72 that supplies the etching solution L in the auxiliary storage tank 71 to the storage tank 11 via a pipe 73, and a flow control valve 74 provided in the supply pipe 73 between the supply pump 72 and the storage tank 11; Consists of

また、前記貯留槽１１には、槽内のエッチング液Ｌの全量を交換するための装置であって、図示しない新液供給源に接続された新液供給管２６の一端が接続され、この新液供給管２６には前記制御装置２５によってその作動が制御される切換弁２８が介装されている。また、前記供給管２１には、これから分岐する回収管２７が設けられており、回収管２７には、前記制御装置２５によってその作動が制御される切換弁２９が介装されている。 The storage tank 11 is an apparatus for exchanging the entire amount of the etching liquid L in the tank, and is connected to one end of a new liquid supply pipe 26 connected to a new liquid supply source (not shown). A switching valve 28 whose operation is controlled by the control device 25 is interposed in the liquid supply pipe 26. The supply pipe 21 is provided with a recovery pipe 27 branched from the supply pipe 21, and a switching valve 29 whose operation is controlled by the control device 25 is interposed in the recovery pipe 27.

更に、前記貯留槽１１には、エッチング液Ｌの液面位置を検出する２つの液面検出センサ６６，６７が上下に間隔を隔てて設けられており、液面検出センサ６６は高位の限界レベルを設定し、液面検出センサ６７は低位の限界レベルを設定する。 Further, the storage tank 11 is provided with two liquid level detection sensors 66 and 67 for detecting the liquid level position of the etching liquid L with an interval in the vertical direction, and the liquid level detection sensor 66 has a high limit level. And the liquid level detection sensor 67 sets a lower limit level.

また、前記制御装置２５は、供給ポンプ２２，３６，７２、搬送装置１４、傾斜機構（図示せず）、切換弁１６ｄ，２３，２８，２９，３８，３９，４０，４１，４５，４６，４７，５１，５２，５３，５７，６１、流量制御弁７４、溶離液供給部４３及び洗浄液供給部５５の作動を制御する。 The control device 25 includes supply pumps 22, 36, 72, a transport device 14, a tilting mechanism (not shown), switching valves 16d, 23, 28, 29, 38, 39, 40, 41, 45, 46, 47, 51, 52, 53, 57, 61, the flow control valve 74, the eluent supply unit 43, and the cleaning liquid supply unit 55 are controlled.

以上のように構成された本例の基板処理システム１によれば、以下の処理が行われる。 According to the substrate processing system 1 of this example configured as described above, the following processing is performed.

（エッチング液交換処理）
制御装置２５は、まず、切換弁２３を閉じ、切換弁２９を開いた状態で、供給ポンプ２２を駆動して、貯留槽１１内のエッチング液Ｌの全量を、回収管２７から回収し、ついで、切換弁２９を閉じ、供給ポンプ２２を停止させた後、切換弁２８を開いて、新液供給源（図示せ）から新液供給管２６を通して、新しいエッチング液Ｌを液面検出センサ６６によってその液面が検出されるまで貯留槽１１内に供給する。以上の操作によって、貯留槽１１内の使用済みのエッチング液Ｌの全量を新しいエッチング液Ｌと交換する。尚、液面検出センサ６７が液面を検出した場合にも、同様に、新液供給管２６を通して、新しいエッチング液Ｌが貯留槽１１内に供給される。 (Etch solution exchange process)
First, the control device 25 closes the switching valve 23 and opens the switching valve 29 to drive the supply pump 22 to recover the entire amount of the etching solution L in the storage tank 11 from the recovery pipe 27. The switching valve 29 is closed, the supply pump 22 is stopped, the switching valve 28 is opened, and a new etching solution L is supplied from the new solution supply source (not shown) through the new solution supply pipe 26 by the liquid level detection sensor 66. It supplies in the storage tank 11 until the liquid level is detected. Through the above operation, the entire amount of the used etching solution L in the storage tank 11 is replaced with a new etching solution L. Even when the liquid level detection sensor 67 detects the liquid level, the new etching liquid L is similarly supplied into the storage tank 11 through the new liquid supply pipe 26.

（エッチング処理） (Etching process)

前記制御装置２５は、まず、基板処理装置１２の搬送装置１４を駆動して、基板Ｋを順次エッチング室１３ａ，第１液切室１３ｂ，第２液切室１３ｃに搬送するとともに、切換弁２９を閉じ、切換弁２３を開いた状態で供給ポンプ２２を駆動し、同時に、切換弁１６ｄを開いた状態にする。 The control device 25 first drives the transfer device 14 of the substrate processing apparatus 12 to sequentially transfer the substrate K to the etching chamber 13a, the first liquid cutting chamber 13b, and the second liquid cutting chamber 13c, and the switching valve 29. Is closed and the supply pump 22 is driven with the switching valve 23 opened, and at the same time, the switching valve 16d is opened.

供給ポンプ２２が駆動されると、貯留槽１１内のエッチング液Ｌがエッチング液吐出機構１５の吐出管１５ａに供給され、ノズル体１５ｂからその下方に向けて吐出される。そして、ノズル体１５ｂから吐出されたエッチング液Ｌは、搬送ローラ１４ａによって搬送される基板Ｋ上に供給され、このエッチング液Ｌによって当該基板Ｋ上面がエッチングされる。 When the supply pump 22 is driven, the etching liquid L in the storage tank 11 is supplied to the discharge pipe 15a of the etching liquid discharge mechanism 15, and is discharged downward from the nozzle body 15b. The etching liquid L discharged from the nozzle body 15b is supplied onto the substrate K transported by the transport roller 14a, and the upper surface of the substrate K is etched by the etching liquid L.

上面にエッチング液Ｌが供給された基板Ｋはエッチング室１３ａから第１液切室１３ｂに搬出されるが、この第１液切室１３ｂに基板Ｋが搬入されると、制御装置２５は、傾斜機構（図示せず）を駆動して基板Ｋを傾斜させて、基板Ｋ上のエッチング液Ｌを流し落とした後、再び、基板Ｋを水平に戻して、第２液切室１３ｃに向けて搬出する。 The substrate K supplied with the etching liquid L on the upper surface is carried out from the etching chamber 13a to the first liquid cutting chamber 13b. When the substrate K is carried into the first liquid cutting chamber 13b, the control device 25 is inclined. The mechanism (not shown) is driven to incline the substrate K, and after the etchant L on the substrate K is poured off, the substrate K is returned to the horizontal again and carried out toward the second liquid drain chamber 13c. To do.

尚、エッチング室１３ａにおいて基板Ｋ上から溢れ落ちたエッチング液Ｌ、及び第１液切室１３ｂにおいて基板Ｋ上から流し落とされたエッチング液Ｌは、それぞれ各室１３ａ，１３ｂの底部に集液され、回収管２４ａから貯留槽１１に還流，回収される。 The etching solution L overflowing from the substrate K in the etching chamber 13a and the etching solution L flowing from the substrate K in the first liquid draining chamber 13b are collected at the bottoms of the chambers 13a and 13b, respectively. Then, it is refluxed and collected from the collection pipe 24a to the storage tank 11.

前記第２液切室１３ｃでは、圧縮空気吐出機構１６の吐出管１６ａから圧縮空気が吐出されており、第１液切室１３ｂから搬入された基板Ｋは、その搬送過程で、ノズル体１６ｂから吐出される圧縮空気によって噴き付けられ、これにより、その上面に残存したエッチング液Ｌが吹き飛ばされ、基板Ｋ上から除去される。尚、吹き飛ばされたエッチング液Ｌは第２液切室１３ｃ内の底部に集液され、回収管２４ｂから廃棄される。 In the second liquid cut chamber 13c, compressed air is discharged from the discharge pipe 16a of the compressed air discharge mechanism 16, and the substrate K carried in from the first liquid cut chamber 13b is transferred from the nozzle body 16b in the transfer process. It is sprayed by the discharged compressed air, whereby the etching liquid L remaining on the upper surface is blown off and removed from the substrate K. The blown away etchant L is collected at the bottom of the second liquid drain chamber 13c and discarded from the recovery tube 24b.

以上にようにして、順次搬送される基板Ｋは、エッチング室１３ａにおいて上面にエッチング液Ｌが供給されて、その上面がエッチングされ、ついで、第１液切室１３ｂにおいて傾斜されて、基板Ｋ上からエッチング液Ｌが流し落とされ、最後に、第２液切室１３ｃにおいて、基板Ｋ上面に残存したエッチング液Ｌが、圧縮空気によって吹き飛ばされ、除去される。 As described above, the substrate K that is sequentially transported is supplied with the etching solution L on the upper surface in the etching chamber 13a, and the upper surface is etched, and then tilted in the first liquid cutting chamber 13b, and is Then, the etchant L is poured off, and finally, the etchant L remaining on the upper surface of the substrate K is blown off by the compressed air in the second liquid drain chamber 13c and removed.

（再生処理）
上述したように、基板Ｋのエッチングに供されたエッチング液Ｌは、回収管２４ａを介して貯留槽１１に還流，回収されるが、エッチング処理後のエッチング液Ｌ中には、エッチング処理によって基板Ｋ上の酸化インジウムスズ膜が溶出するため、貯留層１１内のエッチング液Ｌに含まれる金属成分の濃度が徐々に高くなり、これが所定濃度を超えると、エッチング効率やエッチングによる形状精度が低下するという問題を生じる。 (Reproduction processing)
As described above, the etching solution L used for etching the substrate K is refluxed and collected in the storage tank 11 through the collection tube 24a. Since the indium tin oxide film on K elutes, the concentration of the metal component contained in the etching liquid L in the reservoir layer 11 gradually increases, and when this exceeds a predetermined concentration, the etching efficiency and the shape accuracy due to etching decrease. This causes a problem.

そこで、本例の基板処理システム１では、基板処理装置１２によるエッチングを開始後、所定時間が経過した後、又は、所定枚数の基板Ｋをエッチングした後、貯留層１１内に貯留されたエッチング液Ｌをエッチング液再生装置３０により処理して、当該エッチング液Ｌに含有される金属成分を除去して、再生するようにしている。 Therefore, in the substrate processing system 1 of this example, the etching solution stored in the storage layer 11 after a predetermined time has elapsed after the etching by the substrate processing apparatus 12 has been started, or after a predetermined number of substrates K have been etched. L is processed by the etchant regenerator 30 to remove the metal component contained in the etchant L and regenerate it.

具体的には、制御装置２５は、先ず、例えば、循環機構３０の第１供給切換弁３８及び第１排出切換弁４０を開き、第２供給切換弁３９及び第２排出切換弁４１を閉じた状態で供給ポンプ３６を駆動して、貯留槽１１内のエッチング液Ｌを第１吸着容器３２に供給し、同第１吸着容器３２内を流通させた後、エッチング液回収管３７を介して同貯留槽１１内に還流，回収する。 Specifically, the control device 25 first opens, for example, the first supply switching valve 38 and the first discharge switching valve 40 of the circulation mechanism 30 and closes the second supply switching valve 39 and the second discharge switching valve 41. In this state, the supply pump 36 is driven to supply the etching liquid L in the storage tank 11 to the first adsorption container 32 and circulate in the first adsorption container 32, and then through the etching liquid recovery pipe 37. Reflux and collect in the storage tank 11.

これにより、第１吸着容器３２内に充填されたキレート材（図示せず）によって、エッチング液Ｌ中の金属成分が吸着，除去され、当該エッチング液Ｌが再生される。 Thereby, the metal component in the etching liquid L is adsorbed and removed by the chelating material (not shown) filled in the first adsorption container 32, and the etching liquid L is regenerated.

そして、エッチング液Ｌを所定量、又は所定時間だけ第１吸着容器３２内を流通させると、当該第１吸着容器３２内に充填したキレート材（図示せず）が吸着限界に達して、その吸着性能が低下するため、制御装置２５は、エッチング液Ｌを所定量、又は所定時間だけ流通させた後、前記第１供給切換弁３８及び第１排出切換弁４０を閉じ、第２供給切換弁３９及び第２排出切換弁４１を開いて、エッチング液Ｌを供給する対象を第１吸着容器３２から第２吸着容器３３に切り換える。 Then, when the etching solution L is circulated in the first adsorption container 32 for a predetermined amount or for a predetermined time, the chelating material (not shown) filled in the first adsorption container 32 reaches the adsorption limit, and the adsorption is performed. Since the performance deteriorates, the control device 25 causes the etching solution L to flow for a predetermined amount or a predetermined time, and then closes the first supply switching valve 38 and the first discharge switching valve 40, and the second supply switching valve 39. Then, the second discharge switching valve 41 is opened, and the target to which the etching solution L is supplied is switched from the first adsorption vessel 32 to the second adsorption vessel 33.

斯くして、以後、エッチング液Ｌは第２吸着容器３３に供給され、その内部に充填されたキレート材（図示せず）により金属成分が吸着，除去されて、再生される。 Thus, thereafter, the etching solution L is supplied to the second adsorption vessel 33, and the metal component is adsorbed and removed by the chelating material (not shown) filled therein, and is regenerated.

一方、エッチング液Ｌの供給が停止された第１吸着容器３２では、制御装置２５によって溶離液供給弁４５，第１供給切換弁４６，第１排出切換弁５１及び溶離液回収弁５３が開かれ、溶離液が溶離液供給部４３から溶離液供給管４４を介して第１吸着容器３２に供給され、当該第１吸着容器３２内を流通した後、溶離液回収管５０を介して溶離液回収部４９に回収される。 On the other hand, in the first adsorption container 32 in which the supply of the etchant L is stopped, the control device 25 opens the eluent supply valve 45, the first supply switching valve 46, the first discharge switching valve 51, and the eluent recovery valve 53. The eluent is supplied from the eluent supply unit 43 to the first adsorption container 32 through the eluent supply pipe 44 and flows through the first adsorption container 32, and then recovered through the eluent recovery pipe 50. Collected in part 49.

これにより、第１吸着容器３２内のキレート材は、吸着した金属成分が溶離液に溶出して再生され、再び金属成分を吸着可能な状態となる。 Thereby, the chelate material in the first adsorption container 32 is regenerated by adsorbing the adsorbed metal component into the eluent, and the metal component can be adsorbed again.

そして、このようにしてキレート材から金属成分が除去されると、次に、制御装置２５は、前記第１供給切換弁４６及び第１排出切換弁５１をそのまま開いた状態にして、溶離液供給弁４５及び溶離液回収弁５３を閉じ、洗浄液供給弁５７及び洗浄液回収弁６１を開いて、洗浄液供給部４９から洗浄液供給管５６及び溶離液供給管４４を介して第１吸着容器３２に洗浄液を供給し、当該第１吸着容器３２内を流通させた後、溶離液回収管５０及び洗浄液回収管６０を介して洗浄液回収部５９に回収する。 When the metal component is removed from the chelate material in this way, the control device 25 then opens the first supply switching valve 46 and the first discharge switching valve 51 as they are, and supplies the eluent. The valve 45 and the eluent recovery valve 53 are closed, the cleaning liquid supply valve 57 and the cleaning liquid recovery valve 61 are opened, and the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply unit 49 to the first adsorption container 32 via the cleaning liquid supply pipe 56 and the eluent supply pipe 44. After being supplied and circulated through the first adsorption container 32, it is recovered in the cleaning liquid recovery unit 59 via the eluent recovery pipe 50 and the cleaning liquid recovery pipe 60.

これにより、第１吸着容器３２内のキレート材は、洗浄液によって洗浄され、再び、再生処理を行うことができる状態となる。 As a result, the chelate material in the first adsorption container 32 is cleaned by the cleaning liquid and can be regenerated again.

斯くして、エッチング液Ｌを所定量、又は所定時間だけ第２吸着容器３３内を流通させると、次に、エッチング液Ｌを供給する対象を第２吸着容器３３から第１吸着容器３２に切り換えて、第１吸着容器３２内のキレート材によってエッチング液Ｌを再生させるとともに、第２吸着容器３３に溶離液及び洗浄液を順次供給して、第２吸着容器３３内のキレート材を再生させる。 Thus, when the etching liquid L is circulated in the second adsorption container 33 for a predetermined amount or for a predetermined time, the target for supplying the etching liquid L is then switched from the second adsorption container 33 to the first adsorption container 32. Then, the etching liquid L is regenerated by the chelating material in the first adsorption container 32, and the elution liquid and the cleaning liquid are sequentially supplied to the second adsorption container 33 to regenerate the chelating material in the second adsorption container 33.

具体的には、制御装置２５は、まず、前記第２供給切換弁３９及び第２排出切換弁４１を閉じ、第１供給切換弁３８及び第１排出切換弁４０を開いて、第１吸着容器３２にエッチング液Ｌが供給されるようにする。 Specifically, the control device 25 first closes the second supply switching valve 39 and the second discharge switching valve 41, opens the first supply switching valve 38 and the first discharge switching valve 40, and opens the first adsorption container. The etching solution L is supplied to 32.

これと同時に、制御装置２５は、洗浄液供給弁５７及び洗浄液回収弁６１、並びに第１供給切換弁４６及び第１排出切換弁５１を閉じ、溶離液供給弁４５，第２供給切換弁４７，第２排出切換弁５２及び溶離液回収弁５３を開いて、溶離液を第２吸着容器３３に供給して、当該第２吸着容器３３内を流通させた後、溶離液回収部４９に回収する。 At the same time, the control device 25 closes the cleaning liquid supply valve 57 and the cleaning liquid recovery valve 61, the first supply switching valve 46 and the first discharge switching valve 51, and the eluent supply valve 45, the second supply switching valve 47, the second 2 The discharge switching valve 52 and the eluent recovery valve 53 are opened, the eluent is supplied to the second adsorption container 33 and circulated through the second adsorption container 33, and then recovered in the eluent recovery unit 49.

そして、上記溶離処理後、前記第２供給切換弁４７及び第２排出切換弁５２をそのまま開いた状態にして、溶離液供給弁４５及び溶離液回収弁５３を閉じ、洗浄液供給弁５７及び洗浄液回収弁６１を開いて、洗浄液を第２吸着容器３３に供給して、当該第２吸着容器３３内を流通させた後、洗浄液回収部５９に回収する。 After the elution process, the second supply switching valve 47 and the second discharge switching valve 52 are opened as they are, the eluent supply valve 45 and the eluent recovery valve 53 are closed, and the cleaning liquid supply valve 57 and the cleaning liquid recovery are closed. The valve 61 is opened, the cleaning liquid is supplied to the second adsorption container 33, circulated through the second adsorption container 33, and then collected in the cleaning liquid collection unit 59.

以上により、第１吸着容器３２によってエッチング液Ｌを再生するとともに、第２吸着容器３３内のキレート材を再生する。 As described above, the etching solution L is regenerated by the first adsorption container 32 and the chelate material in the second adsorption container 33 is regenerated.

以後、第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３に対して交番的にエッチング液Ｌが供給されて、当該エッチング液Ｌが再生され、同様に、第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３に対して交番的に溶離液及び洗浄液が順次供給されて、その内部に充填されたキレート材が再生される。 Thereafter, the etching liquid L is alternately supplied to the first adsorption container 32 and the second adsorption container 33, and the etching liquid L is regenerated. Similarly, the etching liquid L is supplied to the first adsorption container 32 and the second adsorption container 33. On the other hand, the eluent and the cleaning solution are alternately supplied sequentially, and the chelate material filled therein is regenerated.

（新液補充処理）
前述したように、通常、基板上に残渣が生じるのを抑制すべく、エッチング液には界面活性剤が添加されているが、前記エッチング液再生装置３０によって、エッチング液中の金属成分を吸着，除去すると、金属成分とともに界面活性剤もキレート材に吸着されて除去されるため、その抑制効果が減少するという問題を生じる。 (New liquid replenishment processing)
As described above, a surfactant is usually added to the etching solution in order to suppress the generation of residues on the substrate, but the etching solution regenerator 30 adsorbs the metal components in the etching solution. When removed, the surfactant as well as the metal component is adsorbed and removed by the chelating material, resulting in a problem that the suppression effect is reduced.

したがって、抑制効果を適正に維持するためには、キレート材に吸着され減少した界面活性剤の相当量分を再生処理後のエッチング液に添加して補う必要がある。 Therefore, in order to maintain the suppression effect properly, it is necessary to supplement the etching solution after the regeneration treatment by adding a considerable amount of the surfactant adsorbed and reduced by the chelating material.

また、第１液切室１３ｂでの処理を終え、第２液切室１３ｃに搬出された基板Ｋに付着したエッチング液Ｌは、貯留槽１１には還流されず、系外に持ち出されるようになっている。したがって、この基板Ｋとともに系外に持ち出されるエッチング液に相当する量を、貯留槽１１に補充する必要がある。 In addition, the etching liquid L attached to the substrate K carried out in the second liquid cutting chamber 13c after finishing the processing in the first liquid cutting chamber 13b is not returned to the storage tank 11 but is taken out of the system. It has become. Therefore, it is necessary to replenish the storage tank 11 with an amount corresponding to the etching solution taken out of the system together with the substrate K.

そこで、本例の基板処理システム１では、第２液切室１３ｃから基板Ｋが搬出されるたびに、新液供給装置７０によって、所定量の新しいエッチング液Ｌを貯留槽１１に補充するようにしている。 Therefore, in the substrate processing system 1 of this example, every time the substrate K is carried out from the second liquid cutting chamber 13c, a predetermined amount of new etching liquid L is replenished to the storage tank 11 by the new liquid supply device 70. ing.

具体的には、制御装置２５は、基板処理装置１２の動作状態から基板Ｋが搬出されるタイミングを認識し、基板Ｋが１枚搬出されるたびに、供給ポンプ７２を駆動して所定量の新しいエッチング液Ｌを貯留槽１１に補充する。 Specifically, the control device 25 recognizes the timing at which the substrate K is unloaded from the operation state of the substrate processing apparatus 12, and drives the supply pump 72 every time one substrate K is unloaded to drive a predetermined amount. A new etching solution L is replenished to the storage tank 11.

貯留槽１１に補充されるエッチング液Ｌの補充量（添加量）は、基板Ｋとともに系外に持ち出されるエッチング液Ｌの量と略同量とするのが好ましく、このような量となるように流量制御弁７４によって、補充量が制御される。補充量を持ち出し量よりも多くすると貯留槽１１がオーバフローする可能性があり、逆に少なすぎると、界面活性剤の濃度が低下して適正な範囲を逸脱するため、適正なエッチングを行うことができない可能性があるからである。 The replenishment amount (addition amount) of the etching solution L that is replenished to the storage tank 11 is preferably substantially the same as the amount of the etching solution L taken out of the system together with the substrate K, and is such an amount. The replenishment amount is controlled by the flow control valve 74. If the replenishment amount is larger than the carry-out amount, the storage tank 11 may overflow. On the other hand, if the replenishment amount is too small, the concentration of the surfactant decreases and deviates from the appropriate range. This is because it may not be possible.

尚、上述した再生処理において、第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３内を流通させるエッチング液Ｌの流量は、新液の補充量を考慮して設定するのが好ましい。即ち、当該流量を、第２液切室１３ｃから基板Ｋが搬出される時間間隔において、１回の新液添加によってエッチング液Ｌに添加される界面活性剤の量と略同量若しくはこれ以下の量の界面活性剤がキレート材に吸着されるような流量とするのが好ましい。そして、このような流量は、実験的な経験値を基に設定される。 In the regeneration process described above, it is preferable that the flow rate of the etching solution L flowing through the first adsorption vessel 32 and the second adsorption vessel 33 is set in consideration of the replenishment amount of the new solution. That is, the flow rate is approximately equal to or less than the amount of the surfactant added to the etching solution L by one addition of the new solution in the time interval when the substrate K is unloaded from the second liquid cutting chamber 13c. The flow rate is preferably such that an amount of surfactant is adsorbed on the chelating material. And such a flow volume is set based on an experimental experience value.

以上詳述したように、本例の基板処理システム１によれば、エッチング処理によってエッチング液中に溶出した金属成分を、エッチング液再生装置３０によって吸着，除去するようにしているので、エッチング液Ｌの寿命を延ばすことができ、エッチング処理に要する費用を軽減することができる。 As described in detail above, according to the substrate processing system 1 of the present example, the metal component eluted in the etching solution by the etching process is adsorbed and removed by the etching solution regenerating device 30, so that the etching solution L The lifetime of the film can be extended and the cost required for the etching process can be reduced.

また、第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３に対して交番的にエッチング液Ｌを供給して再生させるようにしているので、エッチング液Ｌの再生を連続的に行うことができ、当該再生処理を断続的に行う場合に比べて、エッチング液Ｌ中の金属成分濃度を一定に維持することができ、安定した精度のエッチング処理を実現することができる。 In addition, since the etching liquid L is alternately supplied to the first adsorption container 32 and the second adsorption container 33 to be regenerated, the etching liquid L can be regenerated continuously, and the regeneration is performed. Compared to the case where the processing is performed intermittently, the metal component concentration in the etching liquid L can be kept constant, and the etching processing with stable accuracy can be realized.

また、エッチング液の寿命を延ばすことで、廃棄するエッチング液の総量を低減することができ、環境保護に貢献することができる。 Further, by extending the life of the etching solution, the total amount of the etching solution to be discarded can be reduced, which can contribute to environmental protection.

また、エッチング液の再生処理により、金属成分とともに界面活性剤もキレート材に吸着されて除去されるため、そのまま放置すると、界面活性剤による抑制効果が減少するという問題を生じるが、本例では、基板処理装置１２から１枚の基板Ｋが搬出されるたびに、その間にキレート材に吸着される界面活性剤に相当する量を含んだ新しいエッチング液Ｌを貯留槽１１に補充するようにしているので、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれる界面活性剤の量を適正な範囲に維持することができ、残渣を抑制する効果を適正に維持することができる。 In addition, since the surfactant is also adsorbed and removed by the chelating material together with the metal component by the regeneration treatment of the etching solution, if left as it is, there is a problem that the suppression effect by the surfactant is reduced. Each time one substrate K is unloaded from the substrate processing apparatus 12, the storage tank 11 is replenished with a new etching solution L containing an amount corresponding to the surfactant adsorbed by the chelating material during that time. Therefore, the amount of the surfactant contained in the etching solution L in the storage tank 11 can be maintained in an appropriate range, and the effect of suppressing residues can be properly maintained.

また、基板処理装置１２から基板Ｋが搬出される度に、新しいエッチング液Ｌを添加するようにしているので、仮にエッチング液Ｌに含有される界面活性剤の濃度が変化するとしても、その変化は緩やかであり、したがって、安定した基板処理を行うことができる。 In addition, since a new etching solution L is added each time the substrate K is unloaded from the substrate processing apparatus 12, even if the concentration of the surfactant contained in the etching solution L changes, the change occurs. Therefore, stable substrate processing can be performed.

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, the specific aspect which this invention can take is not limited to this at all.

例えば、上例の新液供給装置７０では、供給管７３を貯留槽１１に接続させた構成としたが、これに限るものではなく、当該供給管７３を前記循環機構３４のエッチング液回収管３７に接続させ、このエッチング液回収管３７よって貯留槽１１に還流されるエッチング液Ｌに対して新液を添加するように構成しても良い。 For example, in the above-described new liquid supply apparatus 70, the supply pipe 73 is connected to the storage tank 11. However, the present invention is not limited to this, and the supply pipe 73 is connected to the etching liquid recovery pipe 37 of the circulation mechanism 34. The new solution may be added to the etching solution L refluxed to the storage tank 11 through the etching solution recovery pipe 37.

また、上記の例では、エッチング液再生装置３０を所謂インラインに（システムの一部として）設けたが、このエッチング液再生装置３０の内、キレート材の再生に係る溶離液供給機構４２、溶離液回収機構４８、洗浄液供給機構５４及び洗浄液回収機構５８（以下、これらを「キレート材再生装置」という）については、これらを基板処理システム１の外部に設けることもできる。 In the above example, the etchant regenerator 30 is provided in a so-called in-line (as a part of the system). Among the etchant regenerators 30, the eluent supply mechanism 42 for regenerating the chelate material, the eluent The recovery mechanism 48, the cleaning liquid supply mechanism 54, and the cleaning liquid recovery mechanism 58 (hereinafter referred to as “chelating material recycling device”) can be provided outside the substrate processing system 1.

この場合、前記第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３を着脱自在な構成とし、これらの内のどちらか一方の容器にエッチング液を供給して再生している間に、他方の容器を取り外し、これを外部に設けたキレート材再生装置に搬送，装着して、その内部に充填されたキレート材を再生処理するようにする。そして、再生処理後の容器を再び基板処理システム１に戻して、エッチング液の再生処理に供する。 In this case, the first adsorbing vessel 32 and the second adsorbing vessel 33 are configured to be detachable, and the other vessel is removed while supplying the etching solution to one of these vessels and regenerating it. Then, this is transported to and mounted on a chelate material regenerating apparatus provided outside, and the chelate material filled therein is regenerated. Then, the container after the regeneration process is returned to the substrate processing system 1 again and used for the regeneration process of the etching solution.

尚、吸着容器は２個に限られず、これを３個以上用意し、運用しても良い。即ち、順次基板処理システム１に装着してエッチング液の再生処理に供し、キレート材の吸着限界に達したときに、順次他のものと交換し、エッチング液再生処理後の吸着容器が所定数溜まった段階で、これらの吸着容器を前記キレート材再生装置に搬送し、バッチ処理的に、キレート材の再生処理を行うようにしても良い。 The number of adsorption containers is not limited to two, and three or more adsorption containers may be prepared and operated. That is, the substrate is sequentially attached to the substrate processing system 1 to be used for the etching solution regeneration process. When the adsorption limit of the chelating material is reached, it is sequentially replaced with another, and a predetermined number of adsorption containers after the etching solution regeneration process are accumulated. At this stage, these adsorption containers may be transported to the chelating material regenerating apparatus, and the chelating material may be regenerated in a batch process.

以上の構成とすれば、例えば、製造ラインに複数の基板処理システム１が設けられている場合に、各基板処理システム１において再生処理が必要となるキレート材を、一つのエッチング液再生装置３０で処理することができるので、処理コストを低減し、且つ処理効率を高めることができる。 With the above configuration, for example, when a plurality of substrate processing systems 1 are provided in a production line, a chelating material that needs to be regenerated in each substrate processing system 1 can be obtained with one etching solution regenerator 30. Since it can process, processing cost can be reduced and processing efficiency can be improved.

本発明は、各種処理液を用いた、半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板，光ディスク用基板といった各種基板の処理に、好適に適用することができる。 The present invention can be suitably applied to the processing of various substrates such as a semiconductor (silicon) wafer, a liquid crystal glass substrate, a photomask glass substrate, and an optical disk substrate using various processing solutions.

本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed schematic structure of the substrate processing system which concerns on one Embodiment of this invention. 本実施形態に係る基板処理装置を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the substrate processing apparatus which concerns on this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１基板処理システム
１１貯留槽
１２基板処理装置
２０エッチング液供給装置
２２供給ポンプ
２５制御装置
３０エッチング液再生装置
３２第１吸着容器
３３第２吸着容器
３５エッチング液供給管
３６供給ポンプ
３７エッチング液回収管
７０新液供給装置
Ｋ基板
Ｌエッチング液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing system 11 Reservoir 12 Substrate processing apparatus 20 Etching liquid supply apparatus 22 Supply pump 25 Control apparatus 30 Etching liquid regeneration apparatus 32 1st adsorption container 33 2nd adsorption container 35 Etching liquid supply pipe 36 Supply pump 37 Etching liquid collection pipe 70 New liquid supply device K Substrate L Etching liquid

Claims

界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽と、前記基板上に前記処理液を供給して該基板を処理する工程、及び少なくとも処理後の基板上から処理液を一次除去する工程を行う処理槽と、該処理槽に基板を搬入し、搬入した基板を処理槽から搬出する搬送機構と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記処理槽に供給する一方、前記処理槽の底部に集液された処理液を前記貯留槽に還流させる処理液供給機構とを備えた基板処理装置と、
前記処理液に含まれる金属成分を吸着する吸着材が充填された吸着容器と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記吸着容器に供給して流通させ、流出した処理液を前記貯留槽に還流させる処理液循環機構とを備えた処理液再生装置と、
前記処理槽から処理後の基板が搬出される度に、予め定められた量の新しい処理液を、前記貯留槽に貯留された処理液、又は前記吸着容器から前記貯留槽に還流される処理液に添加する新液供給装置とを設けて構成したことを特徴とする基板処理システム。 A storage tank for storing a processing liquid containing a surfactant, a process for supplying the processing liquid onto the substrate and processing the substrate, and a process for removing the processing liquid from at least the substrate after processing; A treatment tank to be performed, a transport mechanism for carrying the substrate into the treatment tank, and unloading the loaded substrate from the treatment tank, and supplying a treatment liquid stored in the storage tank to the treatment tank, A substrate processing apparatus provided with a processing liquid supply mechanism for refluxing the processing liquid collected in the storage tank;
An adsorption container filled with an adsorbent that adsorbs a metal component contained in the treatment liquid, and a treatment liquid stored in the storage tank are supplied to the adsorption container for circulation, and the discharged treatment liquid is supplied to the storage tank. A treatment liquid regenerating apparatus comprising a treatment liquid circulation mechanism for reflux;
Each time a processed substrate is unloaded from the processing tank, a predetermined amount of a new processing liquid is stored in the storage tank, or the processing liquid is refluxed from the adsorption container to the storage tank. A substrate processing system comprising a new liquid supply device to be added to the substrate.