JP2009302231A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
半導体基板に貫通配線を形成する貫通配線形成工程と、貫通配線と電気的に接続する表金属バンプを形成する表金属バンプ形成工程と、半導体基板の主裏面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜の一部を除去して、主裏面まで貫通した貫通配線を露出させる開口部形成工程と、開口部から露出した貫通電極と電気的に接続する裏金属バンプを形成する裏金属バンプ形成工程と、半導体基板を切り分けるダイシング工程と、を有し、開口部形成工程において、開口部の形成と同時に、ダイシングの被ダイシング領域に対応する保護膜の領域に開口溝を形成する。
【選択図】図5
Description
33 貫通配線
35 素子配線
36 主表面保護膜
37 開口部
38 開口溝
39 表金属バンプ
40 支持基板
41 主裏面保護膜
42 開口部
43 開口溝
44 裏金属バンプ
45 ダイシングテープ
46 半導体装置
61 金属壁
Claims (9)
- 半導体基板を準備する工程と、
半導体基板の主表面から内部に伸びる貫通配線を形成する貫通配線形成工程と、
前記貫通配線と電気的に接続する表金属バンプを形成する表金属バンプ形成工程と、
前記半導体基板の主裏面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜の一部を除去して、前記主裏面まで貫通した前記貫通配線を露出させる開口部形成工程と、
前記開口部から露出した前記貫通電極と電気的に接続する裏金属バンプを形成する裏金属バンプ形成工程と、
前記半導体基板の主裏面側からのダイシングによって前記半導体基板を切り分けるダイシング工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記開口部形成工程において、前記開口部の形成と同時に、前記ダイシングの被ダイシング領域に対応する前記保護膜の領域に開口溝を形成すること特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口溝の幅は、前記ダイシングにおけるダイシングブレードの幅よりも広いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口溝の幅は、50μmから70μmであることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記裏金属バンプ形成工程において、前記裏金属バンプ形成と同時に、前記半導体装置に対応する領域の外周端に、前記外周端に沿った金属壁を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属壁が、前記開口溝を隔てて互いに離間しかつ対向して形成されることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属壁は、前記半導体装置に対応する領域を取り囲むことを特徴とする請求項4又は5に記載された半導体装置の製造方法。
- 前記金属壁が、前記半導体装置の外周端及び前記開口溝にまたがって形成されていることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1に記載された半導体装置の製造方法。
- 前記金属壁の間隔は、前記ダイシングブレードの幅よりも広いことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属壁の間隔は、50μmから70μmであることを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1に記載の半導体装置の製造方法。
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