JP2009283629A - 炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化した後に仕上げ研磨(ポリッシュ)で表面の酸化膜を除去することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。
【選択図】なし
Description
(1)機械研磨により荒研磨した炭化珪素単結晶ウェハの表面を酸化し、形成された酸化膜を仕上げ研磨によって除去することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法、
(2)炭化珪素単結晶ウェハの酸化が熱酸化である(1)に記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法、
(3)炭化珪素単結晶ウェハの熱酸化が、水分を含んだ酸素ガス雰囲気下での熱酸化である(2)に記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法、
(4)荒研磨により炭化珪素単結晶ウェハの表層部に形成された加工変質層を酸化し、酸化された加工変質層を仕上げ研磨によって除去する(1)〜(3)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法、
(5)仕上げ研磨で用いる研磨剤が、酸化珪素と炭化珪素の間のヌープ硬度を有する研磨剤である(1)〜(4)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法、
(6)前記研磨剤が、シリカ、ガーネット、ジルコニア及びアルミナから選ばれた1種又は2種以上である(5)記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法、
である。
先ず、コロイダルシリカスラリーを用いて本発明を実施した例を説明する。SiCウェハは、直径4インチ(100mm)の4H-SiC単結晶ウェハで、ウェハ表面の方位は、Si(0001)面から(1-210)方向に4°傾いている。
これらの比較から本発明方法の優位性は明らかである。
Claims (6)
- 機械研磨により荒研磨した炭化珪素単結晶ウェハの表面を酸化し、形成された酸化膜を仕上げ研磨によって除去することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法。
- 炭化珪素単結晶ウェハの酸化が熱酸化である請求項1に記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法。
- 炭化珪素単結晶ウェハの熱酸化が、水分を含んだ酸素ガス雰囲気下での熱酸化である請求項2に記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法。
- 荒研磨により炭化珪素単結晶ウェハの表層部に形成された加工変質層を酸化し、酸化された加工変質層を仕上げ研磨によって除去する請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法。
- 仕上げ研磨で用いる研磨剤が、酸化珪素と炭化珪素の間のヌープ硬度を有する研磨剤である請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法。
- 前記研磨剤が、シリカ、ガーネット、ジルコニア及びアルミナから選ばれた1種又は2種以上である請求項5記載の炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法。
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