JP2009282322A - 振幅型回折格子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造負担を軽減させた振幅型回折格子の製造方法を提供する。
【解決手段】マスクとなるクロム層１２で表面１１ｆを覆われるガラス基板１１の裏面１１ｒから露光するフォトリソグラフィー法で、クロム層１２上のドライフィルム１４に溝部ＤＨを形成し、その溝部ＤＨに金１５を埋める。さらに、この金１５とドライフィルム１４の残部から成るパターン含有層ＰＬをマスクとし、ガラス基板１１の裏面１１ｒから露光するフォトリソグラフィー法で、このパターン含有層ＰＬ上のドライフィルム１４に溝部ＤＨを形成し、さらに金１５でその溝部ＤＨを埋める。
【選択図】図１

Description

本発明は、振幅型回折格子、例えば、Ｘ線タルボ干渉計に用いられる振幅型回折格子の製造方法に関する。

昨今、Ｘ線を用いたタルボ干渉計が開発されている（特許文献１等）。このＸ線タルボ干渉計は、波面のそろう可干渉光（Ｘ線）が周期的物体（回折格子）を透過して特定の距離だけ伝播した場合、周期的物体と同じ自己像が形成されるタルボ効果を利用する。

つまり、Ｘ線タルボ干渉計は、Ｘ線出射光源と回折格子（位相型回折格子）との間に被検体を置き、位相型回折格子の表面からタルボ距離（タルボ効果が現れる距離）離れたところに、被検体の透過位相情報を反映した縞模様の像を出現させる。

ただし、タルボ効果を生じさせるために要する位相型回折格子の格子パターンのピッチは、Ｘ線の波長よりも大きくなければならない。しかし、ピッチが大きすぎると、Ｘ線タルボ干渉計としての分解能が上がりづらい。そのため、位相型回折格子のピッチは数μｍ〜数百ｎｍ程度である。

また、タルボ効果によって現れる縞模様の像（自己像）のピッチは、位相型回折格子の格子パターンのピッチと同程度になり、簡易なＸ線画像検出器では検出しにくい。そこで、この自己像の現れるところに、自己像自身のピッチと同程度の格子パターンピッチを有する２枚目の回折格子（振幅型回折格子）が置かれる。

この振幅型回折格子は、自己像のＸ線を部分的に吸収することで、意図的にモアレ縞を引き起こす。そして、このモアレ縞の周期は、振幅型回折格子の格子パターンのピッチよりも大きくなって現れるので、簡易なＸ線画像検出器で簡単に検出される。すなわち、Ｘ線タルボ干渉計は、意図的に形成された周期の比較的大きなモアレ縞を検出することで、簡易に被検体の内部情報を得られる。

ところで、振幅型回折格子は、自己像にモアレ縞を生じさせるために、確実にＸ線を吸収しなくてはならない。そのため、振幅型回折格子においてＸ線を吸収する部分は、原子量の重い金（Ａｕ）で形成される。その上、より確実にＸ線を吸収するために、Ｘ線を吸収する部分は、Ｘ線の進行方向に対して比較的大きな厚みを有するとよい。

そのため、いわゆるアスペクト比（Ｘ線を吸収する部分における厚みを幅で除算した値）の高い振幅型回折格子がＸ線タルボ干渉計に必要とされる。そして、このようなアスペクト比の高い振幅型回折格子の製造方法の開発も進んでいる。

例えば、特許文献２に記載される製造方法では、図６の断面図に示すように、Ｘ線を透過する部分１１４とＸ線を吸収する部分１１５とを含むブロックＢＫを積み重ねていくことで、アスペクト比の高い振幅型回折格子１０１を製造する。
ＷＯ２００４／０５８０７０ Ａ１ 特開２００６−２５９２６４号公報

しかしながら、このような特許文献２の製造方法であると、ブロックＢＫ同士の接合の場合に、高精度の位置あわせが必要になる。そのため、この製造方法は極めて煩わしい。

本発明は、上記の状況を鑑みてなされたものである。そして、本発明の目的は、製造負担を軽減させた振幅型回折格子の製造方法を提供することにある。

振幅型回折格子は、紫外線およびＸ線等の光を透過させる透過型基板を含む。また、この透過型基板は、対向する第１面および第２面を含む。そして、振幅型回折格子の製造では、透過型基板の第１面に、第１透過領域および第１遮光領域の混在するパターン層を重ねるとともに、そのパターン層上にネガレジスト材料層を形成する（なお、このネガレジスト材料層は、透過型基板同様に、紫外線およびＸ線等の光を透過させる）。

その後、パターン層をマスクとし、透過基板の第２面からの露光を用いるフォトリソグラフィー法で、ネガレジスト材料層の残部を第２透過領域とするとともに、そのネガレジスト材料層の溝部に第２遮光領域となる埋込材を埋め込む。すると、第２透過領域および第２遮光領域の混在するパターン含有層がパターン層上に形成される。

さらに、形成された（既成の）パターン含有層上に、新たなネガレジスト材料層を形成する。そして、既成のパターン含有層をマスクとし、透過基板の第２面からの露光を用いるフォトリソグラフィー法で、新たなネガレジスト材料層の残部を第２透過領域とするとともに、その新たなネガレジスト材料層の溝部に第２遮光領域となる埋込材を埋め込む。すると、既成のパターン含有層上に、新たなパターン含有層が重なる。

なお、このようなパターン含有層の積み重ねる工程は、適宜、繰り返される。その結果、積み重なったパターン含有層における第２透過領域および第２遮光領域を格子パターンとする振幅型回折格子が完成する。

以上のような振幅型回折格子の製造方法では、透過型基板の第１面に最も近いパターン含有層（最下層のパターン含有層）の形成に、パターン層をマスクとしたフォトリソグラフィー法が用いられ、さらに、最下層のパターン含有層を除いた他のパターン含層の形成に、直下のパターン含有層をマスクとしたフォトリソグラフィー法が用いられる。すなわち、この振幅型回折格子の製造方法は、自己整合的に、パターン含有層を形成する。そのため、例えばマスクの位置合わせは不要になり、製造負担が軽減される。

なお、パターン含有層の重なる方向を重なり方向、第２透過領域と上記第２遮光領域との並ぶ方向を並び方向とするとともに、パターン含有層の重なりにより重なる埋込材の有する重なり方向に沿う長さをＴ、並び方向に沿う長さをＷとする。すると、以上のような振幅型回折格子の製造方法は、ＴをＷで除算した値であるアスペクト比を、６以上６０以下にすると望ましい。

なぜなら、この振幅型回折格子の製造方法は、自己整合的に、格子パターンとなる第２透過領域および第２遮光領域を簡単に積み上げられるので、容易に高いアスペクト比を達成できるためである。つまり、この製造方法は、アスペクト比の高い振幅型回折格子を製造する場合に適している。

また、ネガレジスト材料層は、ドライフィルムであると望ましい。このようなドライフィルムであれば、取り扱いが容易なためである。

なお、埋込材の材質は特に限定されるものではない。例えば、埋込材は、金、鉛、白金、タンタル、またはタングステンであってもよいし、金、鉛、白金、タンタル、またはタングステンを含む化合材料であってもよいし、さらには、金、鉛、白金、タンタル、およびタングステンの少なくとも２つの材料を混ぜた混合材料であってもよい。

また、埋込材をネガレジスト材料層の溝部に埋め込む方法も限定されるものではない。例えば、パターン層の第１遮光領域は導電材であれば、電鋳法によって、ネガレジスト材料層の溝部の底から露出する導電材に、埋込材を析出させてもよい。

また、化学気相成長法によって、埋込材を溝部に堆積させてもよいし、ペースト状の埋込材を溝部に入れ込み、熱によって溶融後に固化させてもよい。

また、溶融状態の埋込材に、第１面を浸漬させることで、溝部に上記埋込材を入れ込み、その後に固化させてもよい。

本発明の振幅型回折格子の製造方法によれば、自己整合的に、振幅型回折格子の格子パターンになる第２透過領域および第２遮光領域が積み重なる。そのため、第２透過領域同士の位置合わせ、および第２遮光領域同士の位置合わせが不要になり、製造負担が軽減する。

［実施の形態１］
実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、便宜上、部材符号・ハッチングを省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。

図５はＸ線タルボ干渉計９の概略図である。この図５に示すように、Ｘ線タルボ干渉計は、Ｘ線出射光源２と、位相型回折格子３と、振幅型回折格子１と、Ｘ線画像検出器４と、を並べて配置する（ただし、図５は位相型回折格子３・振幅型回折格子１の格子パターンのみ図示）。

そして、これら部材の並列方向をＺ方向とすると、Ｘ線出射光源２はＺ方向に沿うようにしてＸ線を出射する。また、Ｚ方向を一方向とした３次元直交座標系を規定し、残りの一方向であるＸ方向を格子パターンの並び方向とし、残りの他方向をＹ方向とする。なお、このＸ線タルボ干渉計９では、被検体２１は、Ｘ線出射光源２と位相型回折格子３との間に位置する。

そして、このＸ線タルボ干渉計９では、Ｘ線出射光源２からのＸ線の波は、被検体２１を通過することで位相差を有する。さらに、この位相差を有するＸ線の波は、位相型回折格子３を通過する。すると、位相型回折格子３から一定距離（タルボ距離）離れた位置に、被検体２１における屈折率と透過光路長とから決定される被検体２１の透過位相情報を反映した縞模様の像が現れる。

そして、この縞模様の像の現れる位置に振幅型回折格子１が配置されると、縞模様の像を構成するＸ線の波が、振幅型回折格子１を通過し、モアレ縞の画像（タルボ干渉像）を出現させる。このタルボ干渉像は、通常、位相型回折格子３のピッチとほぼ同じ縞模様であるので、非常に高い空間分解能を有するＸ線画像検出器が必要になる。

そこで、タルボ干渉像の縞模様の位相を人為的に変化させるべく、振幅型回折格子１の回折パターンが、タルボ干渉像の縞パターンに対して若干傾けられる。このようになっていれば、モアレ縞の位相が、位相型回折格子３のピッチに比べて大きくなる。すると、一般的なＸ線画像検出器４であっても、タルボ干渉像を検出できる。

以上のようにして、Ｘ線タルボ干渉計９は、被検体２１の内部情報を示すタルボ干渉像を検出できるが、そのためには、振幅型回折格子１が、Ｘ線を十分に吸収しなくてはならない。すると、振幅型回折格子１の斜視図である図１に示すように、Ｘ線を吸収する部分（Ｘ線吸収部１５）が比較的厚い厚みＴを有すると望ましいことになる。

そこで、このような望ましい振幅型回折格子１の製造方法について、図２Ａ〜図２Ｆ、図３Ｇ〜図３Ｊ、図４Ｋ〜図４Ｎを用いて説明する。なお、これらの図は、図１のＸ方向およびＺ方向で規定されるＸＺ面に沿う断面である。また、便宜上、材料自体と層になった材料にも同じ部材番号を付す。

まず、図２Ａに示すように、振幅型回折格子１の土台になるガラス基板１１の表面（第１面）１１ｆに、導電性材料であるクロム（Ｃｒ）１２が、蒸着されて層（膜）となる［導電性材料層形成工程］。

続いて、図２Ｂに示すように、クロム層１２を覆うようにして、レジスト（感光性材料）１３が塗布され、さらに、レジスト１３に含まれる有機溶剤を蒸発させるべく、その塗布されたレジスト１３はプリベークされる［レジスト層形成工程］。なお、レジスト１３はポジ型またはネガ型のいずれであってもかまわないが、図中のレジスト１３はポジ型である。

その後、図２Ｃに示すように、ピッチＰを２μｍ以上２０μｍ以下にした縞模様のマスク２２を介して、紫外線（ＵＶ）等の光がレジスト層１３に照射される［レジスト層露光工程］。さらに、図２Ｄに示すように、現像液によって、レジスト層１３にて光照射された部分が除去される［レジスト層現像除去工程］。なお、マスク２２に合わせてパターン化したレジスト層１３は、クロム層１２との密着度を高めるべくポストベークされる。

次に、図２Ｅに示すように、パターン化したレジスト層１３をマスクとして、クロム層１２に対してエッチングが行われる［導電材料層エッチング工程］。なお、ここでのエッチングは、ドライエッチングであってもウエットエッチングであってもかまわない。そして、エッチングされることでパターン化したクロム層（パターン層）１２を覆うレジスト１３は、図２Ｆに示すように、有機溶剤によって溶融除去される［レジスト層除去工程］。

ここまでの工程を経ることで、ガラス基板１１の表面に、クロム層１２の存在しない第１透過領域ＰＡ１と、クロム層１２の位置する第１遮光領域ＳＡ１とが交互に並ぶ。つまり、縞模様にパターン化された（第１透過領域ＰＡ１および第１遮光領域ＳＡ１の混在する）クロム層１２が形成されることになる。

そして、このパターン化されたクロム層１２の上に、図３Ｇに示すように、ネガ型のドライフィルム１４が被せられる［ネガレジスト材料層形成工程］。なお、このドライフィルム（ネガレジスト材料層）１４は、レジスト１３同様の感光材料であり、Ｘ線を透過させる。

ドライフィルム１４は、図３Ｈに示すように、ガラス基板１１の裏面（第２面）１１ｒから、紫外線等の光を受ける［ネガレジスト材料層露光工程］。すると、光はガラス基板（透過型基板）１１を通過するものの、パターン化したクロム層１２によって一部を遮られる。一方で、遮られなかった光はドライフィルム１４に到達する。その結果、ドライフィルム１４は、図３Ｈに示すように、クロム層１２の間隙を通過してくる光によって露光される（つまり、パターン化したクロム層１２がマスクの役割を果たす）。

ドライフィルム１４はネガ型である。そのため、図３Ｉに示すように、露光されなかったドライフィルム１４の部分、すなわちクロム層１２に重畳するドライフィルム１４の部分は、現像液によって除去される［ネガレジスト材料層現像除去工程］。すると、ドライフィルム１４には、除去部分（溝部ＤＨ）が並列することで、パターンが形成される。

このようなパターン化されたドライフィルム１４では、溝部ＤＨの底にクロム層１２が位置する。そこで、このクロム層１２を電極とする電鋳法が可能になる。例えば、図３Ｉに示すような、ガラス基板１１、クロム層１２、およびドライフィルム１４の積層するユニットが、金メッキ液に浸されて電鋳法が行われると、図３Ｊに示すように、溝部ＤＨの底に位置するクロム層１２上に、金（埋込材）１５が析出する［溝部埋め工程］。そして、そのまま金（Ａｕ）が析出していくと、溝部ＤＨが金で埋まる。

すると、クロム層１２上に、紫外線やＸ線を透過させるドライフィルム１４の一片（第２透過領域ＰＡ２）と、逆に紫外線やＸ線を吸収する金１５の一片（第２遮光領域ＳＡ２）とが交互に並ぶ。特に、これらの一片同士が線状になっていると、このようなドライフィルム１４の一片と金１５の一片との混在する層は縞模様のパターンになる。そこで、この層を以降では、パターン含有層ＰＬと称する。

このようなパターン含有層ＰＬは、比較的薄い層である。そこで、以降のような工程が行われることで、パターン含有層ＰＬが積み重なっていく。まず、図４Ｋに示すように、パターン含有層ＰＬ上に、新たなドライフィルム１４が被せられる［ネガレジスト材料層形成工程］。その後、図４Ｌに示すように、ガラス基板１１の裏面１１ｒから紫外線等の光が照射される［ネガレジスト材料層露光工程］。

すると、光はガラス基板１１を通過するものの、パターン含有層ＰＬの金１５によって一部を遮られる。一方で、遮られなかった光はパターン含有層ＰＬ上のドライフィルム１４に到達する。つまり、このドライフィルム１４は、パターン含有層ＰＬに含まれるドライフィルム１４を通過してくる光によって露光される（つまり、パターン含有層ＰＬがマスクの役割を果たす）。

そして、パターン含有層ＰＬ上のドライフィルム１４にて、露光されなかった部分、すなわち金１５に重畳するドライフィルム１４の部分は、図４Ｍに示すように、現像液によって除去される［ネガレジスト材料層現像除去工程］。すると、パターン含有層ＰＬ上のドライフィルム１４に、溝部ＤＨが並列する。その上、その溝部ＤＨの底には、金１５が位置する。

ここで、この金１５によって覆われるクロム層１２を電極とする電鋳法が可能になる。例えば、ガラス基板１１、クロム層１２、パターン含有層ＰＬ、および、ドライフィルム１４の積層するユニットが、金メッキ液に浸されて電鋳法が行われると、図４Ｎに示すように、溝部ＤＨの底に位置する金１５の上に、さらに金１５が析出する［溝部埋め工程］。そして、そのまま金１５が析出していくと、溝部ＤＨが金で埋まる。すると、新たなパターン含有層ＰＬが、最初のパターン含有層ＰＬに積み重なる。

このパターン含有層ＰＬを積み重ねる工程は、適宜、繰り返される。すると、図１に示すように、多層化したパターン含有層ＰＬを含む振幅型回折格子１が製造される。特に、パターン含有層ＰＬが積み重なっていくことで、振幅型回折格子１における金１５部分のアスペクト比は比較的高くなり、例えば、６以上６０以下のアスペクト比が容易に確保される。

なお、ここでのアスペクト比は、パターン含有層ＰＬの重なる方向を重なり方向、振幅型回折格子１における格子パターンの並び方向第２透過領域と第２遮光領域との並ぶ方向を並び方向とし、パターン含有層ＰＬの重なりにより積み重なる金１５の有する重なり方向に沿う長さをＴ（高さＴ）を、金１５の有する並び方向に沿う長さをＷ（幅Ｗ）で除算することで求められる値（Ｔ／Ｗ）である。

以上のよう振幅型回折格子１の製造方法では、以下のようなことがいえる。すなわち、あるパターン含有層ＰＬに新たなパターン含有層ＰＬが積み重なっていく過程で、あるパターン含有層ＰＬに含まれる金１５およびドライフィルム１４と、新たなパターン含有層ＰＬに含まれる金１５およびドライフィルム１４とが、ずれることなく積み重なる。

なぜなら、新たなパターン含有層ＰＬが形成される場合、その新たなパターン含有層ＰＬの直下のパターン含有層ＰＬがマスクとなるので、新たなパターン含有層ＰＬに含まれるドライフィルム１４（現像除去によって残存するドライフィルム１４）は、直下のパターン含有層ＰＬに含まれるドライフィルム１４に重畳するためである。そして、このように新たなパターン含有層ＰＬに含まれるドライフィルム１４と、直下のパターン含有層ＰＬに含まれるドライフィルム１４とが重畳すれば、新たなパターン含有層ＰＬに含まれる金１５も、直下のパターン含有層ＰＬに含まれる金に重畳する。

つまり、この振幅型回折格子１の製造方法では、積み重なるパターン含有層ＰＬにて、自己整合的に、振幅型回折格子１のＸ線吸収部となる金１５同士が積み重なるとともに、Ｘ線透過部となるドライフィルム１４の残部同士も積み重なっていく。そのため、例えば、マスクの位置合わせは不要になり、製造負荷は軽くなる。

また、この振幅型回折格子１の製造方法では、ドライフィルム１４でも比較的薄いものしか用いない。そのため、そのドライフィルム１４に溝部ＤＨが形成されたとしても、スティッキング（溝部ＤＨにて対向する壁面同士が接触する現象）は起きづらい。その上、溝部ＤＨの深さが浅いため、溝部ＤＨにて金１５が析出する過程で、ボイド（気泡）が発生しにくい。したがって、この製造方法は、安定して、振幅型回折格子１を製造できる。

さらに、この振幅型回折格子１の製造方法では、一般的に使用されるフォトリソグラフィープロセスが使用可能であるために、製造負担は軽く、さらにコストも安い。例えば、この振幅型回折格子１の製造方法は、Ｘ線を用いないため、ＬＩＧＡ（Lithographie，Galvanoformung，Abformung）のような製造方法に比べて、簡単かつ安価である。

また、この振幅型回折格子１の製造方法では、高価なシリコン（Ｓｉ）基板を用いず、安価なガラス基板１１が使用可能である。シリコン基板が使用される場合に、高価かつ材料の特性ゆえに、例えば径３００ｍｍ程度のシリコンウエハしか使えない場合もある。かかる場合、振幅型回折格子１もシリコンウエハと似通ったサイズにならざるをえない。しかしながら、安価であるガラス基板１１であれば、大サイズ（例えば、Ａ４サイズ程度）の振幅型回折格子１が簡単かつ安価に製造できる。

ところで、以上の振幅型回折格子１の製造方法では、振幅型回折格子１におけるＸ線透過部に、ドライフィルム１４を用いていた。しかし、これに限定されるものではない。例えば、パターン化されたクロム層１２上に、液状のネガ型感光材料がスピンナー等で塗布されることで、層状になっていてもよい。ただし、ドライフィルム１４のほうが、取り扱いの面で簡易といえる。

また、Ｘ線を吸収する材料は、金に限定されるものではなく、例えば、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、またはタングステン（Ｗ）であってもよい。あるいは、Ｘ線を吸収する材料は、金、鉛、白金、タンタル、またはタングステンを含む化合材料（化合物）であってもよいし、金、鉛、白金、タンタル、およびタングステンの少なくとも２つの材料を混ぜた混合材料であってもよい。要は、Ｘ線を吸収する材料であればよい。

ただし、金、鉛、白金、タンタル、およびタングステンの中では、金が最も効率よくＸ線を吸収する。そのため、金であれば、厚みが比較的薄くても十分にＸ線を吸収する振幅型回折格子１が製造される。

［その他の実施の形態］
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

例えば、実施の形態１では、振幅型回折格子１にて、金１５から成るＸ線吸収部は、電鋳法によって形成されていた。しかし、この電柱法に限定されるものではない。

一例をあげるとすると、化学気相成長法（ＣＶＤ法）が挙げられる。すなわち、ドライフィルム１４に生じた溝部ＤＨに、化学気相成長法を用いて、金１５が堆積してもよい。また、ペースト状の金１５が、ドライフィルム１４に生じた溝部ＤＨに入れ込まれ、熱によって溶融後に固化してもよい（金１５がリフローしてもよい）。また、あらかじめ溶融状態にある金１５に、溝部ＤＨを含むドライフィルム１４に覆われたガラス基板１１を漬けることで（浸漬させることで）、金１５が溝部ＤＨに入れ込まれ、その後に固化してもよい。なお、浸漬とは、ガラス基板１１全体を溶融状態の金１５に漬ける、または、ガラス基板１１にて処理したい表面１１ｆのみを溶融状態１５の金１５に接触させることである。

以上のいずれも場合であっても、ドライフィルム１４の溝部ＤＨは、直下のパターン含有層ＰＬをマスクとした露光・現像によって生じる。そのため、あるパターン含有層ＰＬに含まれる金１５およびドライフィルム１４と、あるパターン含有層ＰＬに重なるパターン含有層ＰＬに含まれる金１５およびドライフィルム１４とが、ずれることなく積み重なる。したがって、いずれも場合であっても、実施の形態１同様に、製造負荷は軽いといえる。

は、振幅型回折格子の斜視図である。 では、（Ａ）は導電性材料層形成工程を示す断面図であり、（Ｂ）はレジスト層形成工程を示す断面図であり、（Ｃ）はレジスト層露光工程を示す断面図であり、（Ｄ）はレジスト層現像除去工程を示す断面図であり、（Ｅ）は導電材料層エッチング工程を示す断面図であり、（Ｆ）はレジスト層除去工程を示す断面図である。 では、（Ｇ）は１回目のネガレジスト材料層形成工程を示す断面図であり、（Ｈ）は１回目のネガレジスト材料層露光工程を示す断面図であり、（Ｉ）は１回目のネガレジスト材料層現像除去工程を示す断面図であり、（Ｊ）は１回目の溝部埋め工程を示す断面図である。 では、（Ｋ）は２回目のネガレジスト材料層形成工程を示す断面図であり、（Ｌ）は２回目のネガレジスト材料層露光工程を示す断面図であり、（Ｍ）は２回目のネガレジスト材料層現像除去工程を示す断面図であり、（Ｎ）は２回目の溝部埋め工程を示す断面図である。 は、Ｘ線タルボ干渉計の概略斜視図である。 は、従来の振幅型回折格子の製造方法を示す断面図である。

符号の説明

１ 振幅型回折格子
２ Ｘ線出射光源
３ 位相型回折格子
４ Ｘ線画像検出器
９ Ｘ線タルボ干渉計
１１ ガラス基板（透過型基板）
１１ｆ ガラス基板の表面（第１面）
１１ｒ ガラス基板の裏面（第２面）
１２ クロム層（パターン層）
１３ レジスト層
１４ ドライフィルム（ネガレジスト材料層）
ＤＨ 溝部
１５ 金（埋込材）
ＰＬ パターン含有層
ＰＡ１ 第１透過領域
ＳＡ１ 第１遮光領域
ＰＡ２ 第２透過領域
ＳＡ２ 第２遮光領域

Claims (8)

1. 透過型基板にて対向する第１面および第２面の一方である上記第１面上に、
   （１） 第１透過領域および第１遮光領域の混在するパターン層を重ねるとともに、
   上記パターン層上にネガレジスト材料層を形成し、
   （２） 上記透過基板の第２面からの露光を用いるフォトリソグラフィー法で、上記 ネガレジスト材料層の残部を第２透過領域とするとともに、上記ネガレジスト
   材料層の溝部に第２遮光領域となる埋込材を埋め込むことで、上記の第２透過
   領域および第２遮光領域の混在するパターン含有層を形成し、
   （３） 形成された上記パターン含有層上に、新たなネガレジスト材料層を形成し、 そのネガレジスト材料に対して、上記（２）の工程をさらに行うことで、形成 されたパターン含有層上に、新たなパターン含有層を重ねていく、
   振幅型回折格子の製造方法。
2. 上記パターン含有層の重なる方向を重なり方向、上記第２透過領域と上記第２遮光領域との並ぶ方向を並び方向とするとともに、上記パターン含有層の重なりにより重なる上記埋込材の有する上記重なり方向に沿う長さをＴ、上記並び方向に沿う長さをＷとすると、
   ＴをＷで除算した値であるアスペクト比を、６以上６０以下にする請求項１に記載の振幅型回折格子の製造方法。
3. 上記ネガレジスト材料層は、ドライフィルムである請求項１または２に記載の振幅型回折格子の製造方法。
4. 上記埋込材は、
   金、鉛、白金、タンタル、またはタングステン、
   あるいは、
   金、鉛、白金、タンタル、またはタングステンを含む化合材料、
   あるいは、
   金、鉛、白金、タンタル、およびタングステンの少なくとも２つの材料を混ぜた混合材料、
   である請求項１〜３のいずれか１項に記載の振幅型回折格子の製造方法。
5. 上記パターン層の第１遮光領域は導電材であり、電鋳法によって、上記ネガレジスト材料層の溝部の底から露出する上記導電材に、上記埋込材を析出させる請求項１〜４のいずれか１項に記載の振幅型回折格子の製造方法。
6. 化学気相成長法によって、上記埋込材を上記溝部に堆積させる請求項１〜４のいずれか１項に記載の振幅型回折格子の製造方法。
7. ペースト状の上記埋込材を上記溝部に入れ込み、熱によって溶融後に固化させる請求項１〜４のいずれか１項に記載の振幅型回折格子の製造方法。
8. 溶融状態の上記埋込材に、上記第１面を浸漬させることで、上記溝部に上記埋込材を入れ込み、その後に固化させる請求項１〜４のいずれか１項に記載の振幅型回折格子の製造方法。

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