JP7096434B2 - 構造化格子コンポーネント、撮像システム及び製造方法 - Google Patents
構造化格子コンポーネント、撮像システム及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7096434B2 JP7096434B2 JP2021525550A JP2021525550A JP7096434B2 JP 7096434 B2 JP7096434 B2 JP 7096434B2 JP 2021525550 A JP2021525550 A JP 2021525550A JP 2021525550 A JP2021525550 A JP 2021525550A JP 7096434 B2 JP7096434 B2 JP 7096434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trench
- filling
- substrate
- ray
- nanostructure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 53
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 39
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 24
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 16
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 16
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 4
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013526 supercooled liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- -1 single-walled CNTs Chemical compound 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00555—Achieving a desired geometry, i.e. controlling etch rates, anisotropy or selectivity
- B81C1/00619—Forming high aspect ratio structures having deep steep walls
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1838—Diffraction gratings for use with ultraviolet radiation or X-rays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1866—Transmission gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
- G21K1/025—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using multiple collimators, e.g. Bucky screens; other devices for eliminating undesired or dispersed radiation
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/067—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators using surface reflection, e.g. grazing incidence mirrors, gratings
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/48—Diagnostic techniques
- A61B6/484—Diagnostic techniques involving phase contrast X-ray imaging
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/05—Arrays
- B81B2207/056—Arrays of static structures
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/067—Construction details
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2207/00—Particular details of imaging devices or methods using ionizing electromagnetic radiation such as X-rays or gamma rays
- G21K2207/005—Methods and devices obtaining contrast from non-absorbing interaction of the radiation with matter, e.g. phase contrast
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Pathology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
基板上に格子パターンを有する触媒を提供するステップと、
格子パターンに基づいて壁部及びトレンチを形成するように触媒上にナノ構造を成長させるステップと、
X線吸収材料を使用してナノ構造の壁部の間のトレンチを充填するステップと
を有する。
バインダ物質に埋め込まれた金属粉末によってトレンチを充填するステップと、
トレンチの固体充填を達成するためにバインダ物質を焼成するステップと
を有する。
少なくとも導電性表面を有する基板を提供するステップと、
基板上に触媒を蒸着するステップと、
リソグラフィ及びエッチングを使用して、触媒上に格子パターンを作り出すステップと
を有する。
基板と、
基板上の格子パターンを有する触媒と、
格子パターンに基づいて壁部及びトレンチを形成する基板上のナノ構造と、
ナノ構造の壁部の間のトレンチを充填するX線吸収材料と
を備え、
ナノ構造はカーボンナノチューブ(CNT)を含む。
Claims (14)
- 構造化格子を製造する方法であって、前記方法は、
基板上に、格子パターンを有する触媒を提供するステップと、
前記格子パターンに基づいて壁部及びトレンチを形成するために前記触媒上にナノ構造を成長させるステップと、
X線吸収材料を使用して前記ナノ構造の前記壁部の間の前記トレンチを充填するステップと
を有する、方法。 - 前記ナノ構造は、前記X線吸収材料よりも低いX線吸収度を有する材料を使用して、成長する、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造は、カーボンナノチューブを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記X線吸収材料を使用して前記トレンチを充填するステップの前に、不活性化層を付与するステップを更に有する、請求項1に記載の方法。
- 前記不活性化層を付与するステップは、化学蒸着法を有する、請求項4に記載の方法。
- 前記不活性化層は、前記基板から規定の距離に付与され、前記規定の距離は、2μm未満である、請求項4に記載の方法。
- 前記トレンチを充填するステップは、電気めっき法を有する、請求項4に記載の方法。
- 前記トレンチを充填するステップは、
機械的充填ステップであって、機械的応力及び高温度を使用した加圧下での機械的充填ステップ、
バインダ物質に埋め込まれた金属粉末によって前記トレンチを充填するステップ及び前記トレンチの固体充填を達成するために前記バインダ物質を焼成するステップ、並びに、
成長した前記ナノ構造を使用して格子構造を刻印するステップ
のうちの少なくとも1つを有する、請求項1に記載の方法。 - X線源のコーンビームへと格子構造を調節するために、前記格子構造を屈曲させるステップを更に有する、請求項1に記載の方法。
- 基板と、
前記基板上の格子パターンを有する触媒と、
前記格子パターンに基づいて壁部及びトレンチを形成する前記基板上のナノ構造と、
前記ナノ構造の前記壁部の間の前記トレンチに充填されたX線吸収材料と
を備え、
前記ナノ構造はカーボンナノチューブを含む、構造化格子コンポーネント。 - 前記X線吸収材料と前記ナノ構造との間に配置された不活性化層を更に備える、請求項10に記載の構造化格子コンポーネント。
- 前記基板は、前記X線吸収材料と直接接触する、請求項10に記載の構造化格子コンポーネント。
- 前記ナノ構造は、2つの隣り合う壁部を接合する支持要素を備え、前記支持要素は、前記壁部の2つの対向する側部に、長手方向の異なる位置にそれぞれ設けられる、請求項10に記載の構造化格子コンポーネント。
- 請求項10に記載の構造化格子コンポーネントを備える、撮像システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18205877.6 | 2018-11-13 | ||
EP18205877.6A EP3654075A1 (en) | 2018-11-13 | 2018-11-13 | Structured grating component, imaging system and manufacturing method |
PCT/EP2019/080772 WO2020099280A1 (en) | 2018-11-13 | 2019-11-11 | Structured grating component, imaging system and manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022507133A JP2022507133A (ja) | 2022-01-18 |
JP7096434B2 true JP7096434B2 (ja) | 2022-07-05 |
Family
ID=64308594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021525550A Active JP7096434B2 (ja) | 2018-11-13 | 2019-11-11 | 構造化格子コンポーネント、撮像システム及び製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11189391B2 (ja) |
EP (2) | EP3654075A1 (ja) |
JP (1) | JP7096434B2 (ja) |
CN (1) | CN112513687B (ja) |
RU (1) | RU2754640C1 (ja) |
WO (1) | WO2020099280A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002526354A (ja) | 1998-09-28 | 2002-08-20 | ザイデックス コーポレイション | Memsデバイスの機能的要素としてのカーボンナノチューブを製造するための方法 |
JP2009282322A (ja) | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 振幅型回折格子の製造方法 |
JP2011069818A (ja) | 2009-08-31 | 2011-04-07 | Canon Inc | X線撮像装置に用いる格子の製造方法 |
JP2012047688A (ja) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影用グリッド及びその製造方法、並びに放射線画像撮影システム |
JP2012530270A (ja) | 2009-06-16 | 2012-11-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 傾けられた格子及び傾けられた格子の製造方法 |
JP2013513414A (ja) | 2009-12-10 | 2013-04-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 移動可能x線検出器要素を有する位相コントラスト画像化装置及び方法 |
JP2015178683A (ja) | 2010-01-08 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 金属吸収格子及びタルボ干渉計 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6355198B1 (en) * | 1996-03-15 | 2002-03-12 | President And Fellows Of Harvard College | Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding |
DE19729596A1 (de) * | 1997-07-10 | 1999-01-14 | Siemens Ag | Streustrahlenraster |
US6860956B2 (en) * | 2003-05-23 | 2005-03-01 | Agency For Science, Technology & Research | Methods of creating patterns on substrates and articles of manufacture resulting therefrom |
WO2005003826A1 (en) * | 2003-07-04 | 2005-01-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical diffraction element |
US8069782B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-12-06 | Nanoink, Inc. | Stamps with micrometer- and nanometer-scale features and methods of fabrication thereof |
WO2007081381A2 (en) * | 2005-05-10 | 2007-07-19 | The Regents Of The University Of California | Spinodally patterned nanostructures |
WO2009009630A1 (en) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Clemson University | Photoluminescent materials for multiphoton imaging |
EP2195860A4 (en) * | 2007-09-28 | 2010-11-24 | Univ Brigham Young | X-RAY WINDOW WITH CARBON NANOTUBE FRAME |
CN102113060B (zh) * | 2008-08-08 | 2015-02-25 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 格栅和制造用于选择性透射电磁辐射特别是x-射线辐射的格栅的方法 |
US20130051530A1 (en) | 2011-08-30 | 2013-02-28 | Fujifilm Corporation | High Aspect Ratio Grid for Phase Contrast X-ray Imaging and Method of Making the Same |
CN102664054B (zh) | 2012-05-10 | 2014-10-01 | 深圳大学 | X射线吸收光栅的制作方法及其填充装置 |
JP2016221684A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 金属充填構造体及びその製造方法 |
EP3312300B1 (en) | 2015-06-22 | 2019-12-18 | Tohoku University | Method for manufacturing molded material and a molded material comprising a diffraction grating |
WO2017036729A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | Paul Scherrer Institut | Method for fabricating high aspect ratio gratings for phase contrast imaging |
WO2018111170A1 (en) | 2016-12-14 | 2018-06-21 | Scint-X Ab | X-ray absorbing gratings for phase contrast imaging |
CN106957051B (zh) * | 2017-01-20 | 2019-04-09 | 中国科学院物理研究所 | 一种超长单壁碳纳米管水平阵列、制备方法及反应装置 |
-
2018
- 2018-11-13 EP EP18205877.6A patent/EP3654075A1/en not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-11-11 EP EP19801845.9A patent/EP3844536B1/en active Active
- 2019-11-11 RU RU2020137693A patent/RU2754640C1/ru active
- 2019-11-11 WO PCT/EP2019/080772 patent/WO2020099280A1/en unknown
- 2019-11-11 JP JP2021525550A patent/JP7096434B2/ja active Active
- 2019-11-11 CN CN201980042491.7A patent/CN112513687B/zh active Active
- 2019-11-11 US US15/734,238 patent/US11189391B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002526354A (ja) | 1998-09-28 | 2002-08-20 | ザイデックス コーポレイション | Memsデバイスの機能的要素としてのカーボンナノチューブを製造するための方法 |
JP2009282322A (ja) | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 振幅型回折格子の製造方法 |
JP2012530270A (ja) | 2009-06-16 | 2012-11-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 傾けられた格子及び傾けられた格子の製造方法 |
JP2011069818A (ja) | 2009-08-31 | 2011-04-07 | Canon Inc | X線撮像装置に用いる格子の製造方法 |
JP2013513414A (ja) | 2009-12-10 | 2013-04-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 移動可能x線検出器要素を有する位相コントラスト画像化装置及び方法 |
JP2015178683A (ja) | 2010-01-08 | 2015-10-08 | キヤノン株式会社 | 金属吸収格子及びタルボ干渉計 |
JP2012047688A (ja) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影用グリッド及びその製造方法、並びに放射線画像撮影システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022507133A (ja) | 2022-01-18 |
US11189391B2 (en) | 2021-11-30 |
US20210313086A1 (en) | 2021-10-07 |
CN112513687A (zh) | 2021-03-16 |
WO2020099280A1 (en) | 2020-05-22 |
EP3844536A1 (en) | 2021-07-07 |
EP3654075A1 (en) | 2020-05-20 |
CN112513687B (zh) | 2022-10-14 |
RU2754640C1 (ru) | 2021-09-06 |
EP3844536B1 (en) | 2022-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9228961B2 (en) | Method for producing structure | |
JP6296062B2 (ja) | X線用金属格子、x線用金属格子の製造方法、x線用金属格子ユニットおよびx線撮像装置 | |
US8908274B2 (en) | Microstructure manufacturing method and microstructure | |
WO2015060093A1 (ja) | 湾曲型格子の製造方法、湾曲型格子、格子ユニット、及びx線撮像装置 | |
CN105280263A (zh) | 结构体、其制造方法和塔尔博干涉仪 | |
JP5508533B2 (ja) | 光吸収基板の製造方法、及びそれを製造するための成形型の製造方法 | |
CN104541155A (zh) | 表面增强拉曼散射元件 | |
EP2884264A1 (en) | Surface-enhanced raman scattering element, and method for producing same | |
JP6593017B2 (ja) | 高アスペクト比構造物の製造方法 | |
EP3508916B1 (fr) | Methode de fabrication d'un micromoule multi-niveaux pour electroformage | |
JP6312376B2 (ja) | 表面増強ラマン散乱素子、及び、表面増強ラマン散乱素子を製造する方法 | |
JP7096434B2 (ja) | 構造化格子コンポーネント、撮像システム及び製造方法 | |
JP2012127685A (ja) | 金属格子の製造方法および金属格子ならびにこの金属格子を用いたx線撮像装置 | |
JP2013505848A (ja) | 三次元のマイクロ構造体、少なくとも2つの三次元のマイクロ構造体を備えたアッセンブリ、マイクロ構造体を製作するための方法およびマイクロ構造体の使用 | |
Snigirev et al. | High energy X-ray nanofocusing by silicon planar lenses | |
JPH1050576A (ja) | 微細構造体製造用金型の製造方法および微細構造体の製造方法 | |
JP2020118676A (ja) | 時計部品の製造方法 | |
JP2005173120A (ja) | 低反射構造体および低反射構造体の作製方法 | |
JP2008168396A (ja) | 微細構造体及びその製造方法、ラマン分光用デバイス、ラマン分光装置 | |
CN110291426A (zh) | X射线用金属网格、x射线摄像装置及x射线用金属网格的制造方法 | |
RU2655651C1 (ru) | Способ получения нанолитографических рисунков с кристаллической структурой со сверхразвитой поверхностью | |
US10533960B2 (en) | Method for manufacturing high aspect ratio structure, a method for manufacturing ultrasonic probe, high aspect ratio structure, and X-ray imaging apparatus | |
Tiginyanu et al. | Template assisted formation of metal nanotubes | |
WO2021141064A1 (ja) | 表面増強ラマン分光法用基板、固定治具、および表面増強ラマン分光法用基板の製造方法 | |
EP4092687A1 (en) | Structured x-ray attenuators |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210908 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210908 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210908 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20211028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20211029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7096434 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |