JP2009099931A - 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、基板上に形成された多層反射膜と、多層反射膜上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された吸収体層と、を備え、吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
【選択図】図1
Description
2 反射多層膜
3 バッファ層
4 吸収体層
3a バッファ層パターン
4a 吸収体層パターン
5a レジストパターン
10 反射型フォトマスクブランク
20 反射型フォトマスク
Claims (17)
- 基板と、
前記基板上に形成された多層反射膜と、
前記多層反射膜上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された吸収体層と、を備え、
前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - 前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)の他に、タンタル(Ta)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 錫(Sn)と酸素(O)とを含む比率を1としたとき、タンタル(Ta)を0.05〜0.15を含む合金とすることを特徴とする請求項2に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記吸収体層の膜厚は、35nm以上45nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の反射型フォトマスクブランク。
- 基板、多層反射膜、バッファ層、吸収体層を順次形成し、
前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランクの製造方法。 - 前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)の他に、タンタル(Ta)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする請求項5に記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法。
- 錫(Sn)と酸素(O)とを含む比率を1としたとき、タンタル(Ta)を0.05〜0.15を含む合金とすることを特徴とする請求項6に記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法。
- 前記吸収体層の膜厚は、35nm以上45nm以下であることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法。
- 前記吸収体層は、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか一に記載の反射型フォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一に記載の反射型フォトマスクブランクにおける吸収体層及びバッファ層にパターンが形成されたことを特徴とする反射型フォトマスク。
- 基板、多層反射膜、バッファ層、吸収体層を順次形成し、
前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)を含む化合物材料を有する薄膜を形成し、
前記吸収体層上にレジストパターンを形成し、
前記吸収体層及び前記バッファ層にパターンを形成し、
前記レジストパターンを剥離することを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。 - 前記吸収体層は、錫(Sn)及び酸素(O)の他に、タンタル(Ta)を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする請求項11に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 錫(Sn)と酸素(O)とを含む比率を1としたとき、タンタル(Ta)を0.05〜0.15を含む合金とすることを特徴とする請求項12に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 前記吸収体層は、ドライエッチングを用いてパターニングされることを特徴とする請求項11乃至13のいずれかに記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 前記吸収体層は、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする請求項11乃至14のいずれかに記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 前記吸収体層の膜厚は、35nm以上45nm以下であることを特徴とする請求項11乃至15のいずれかに記載の反射型フォトマスクの製造方法。
- 請求項10に記載の反射型フォトマスクに極端紫外光を照射し、
前記反射型フォトマスクの前記多層反射膜に反射した反射光を半導体基板上に設けられた極端紫外光用レジスト層に露光し、
前記極端紫外光用レジスト層に前記反射型フォトマスクの前記吸収体層のパターンを転写することを特徴とする半導体素子の製造方法。
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