JP2009274920A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】石英ルツボに充填率が40〜60%で初期チャージされたシリコン原料を溶融し、さらに目標の充填量を満たすまでシリコン原料を追加チャージした後、前記石英ルツボ内に形成された融液から単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、望ましくは、目標の充填量を満たすまで少なくとも2回に亘りシリコン原料を追加チャージする。これにより、使用する石英ルツボの容積を有効に活用でき、初期チャージされるシリコン原料の溶解時間を短縮できるとともに、液面ダメージ部を新たに形成することが可能となる。この製造方法は、直径が450mmのシリコン単結晶を36インチ(914mm)〜44インチ(1118mm)の石英ルツボを用いて引き上げる場合に最適である。
【選択図】なし
Description
以下の説明で、ルツボ表面が融液の表面8aと一定の高さ位置で接触して損傷を受ける現象を「液面ダメージ」とし、融液の表面8aと接触するルツボ表面の部位を「液面ダメージ部」という。
このような問題を解消し、結晶原料となる融液の不足分を補充して所望の融液量を確保するとともに、長時間に亘る液面ダメージ部の形成を回避するため、石英ルツボへの初期チャージ後に、固形原料を追加供給する「追加チャージ」を適用することができる。
(1)CZ法により大口径のシリコン単結晶を製造する方法であって、石英ルツボに充填率が40〜60%で初期チャージされたシリコン原料を溶融し、さらに目標の充填量を満たすまでシリコン原料を追加チャージした後、前記石英ルツボ内に形成された融液から単結晶を引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。ただし、充填率は(初期チャージ量/目標の充填量)×100(%)で示す。
直径が450mmで直胴部の長さを1800mmとし、引上げ後の総重量が約800kgとなるシリコン単結晶を育成した。使用した石英ルツボは36インチ(口径が914mm、ルツボ高さが600mm)とした。36インチの石英ルツボでは高さ590mmまで融液を形成すると、結晶原料の重量は約800kgとなる。
直径が450mmで直胴部の長さを2500mmとし、引上げ後の総重量が約1100kgとなるシリコン単結晶を育成した。使用した石英ルツボは44インチ(口径が1118mm、ルツボ高さが625mm)とした。44インチの石英ルツボでは高さ563mmまで融液を形成すると、結晶原料の重量は約1100kgとなる。
1b:黒鉛ルツボ、 2:ヒーター
3:断熱材、 4:メインチャンバー
5:プルチャンバー、 6:トップチャンバー
7:支持軸、 8:融液
8a:融液表面、 9:引上げワイヤー
10:巻取り部、 10a:リール
11:種結晶、 12:シリコン単結晶
13:シリコン原料
Claims (3)
- チョクラルスキー法により大口径のシリコン単結晶を製造する方法であって、
石英ルツボに充填率が40〜60%で初期チャージされたシリコン原料を溶融し、さらに目標の充填量を満たすまでシリコン原料を追加チャージした後、前記石英ルツボ内に形成された融液から単結晶を引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
ここで、充填率は(初期チャージ量/目標の充填量)×100(%)で示す - 前記石英ルツボに初期チャージされたシリコン原料を溶融し、さらに目標の充填量を満たすまで少なくとも2回に亘りシリコン原料を追加チャージした後、前記石英ルツボ内に形成された融液から単結晶を引き上げることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 直径が450mmのシリコン単結晶を引き上げる際に、36インチ(914mm)〜44インチ(1118mm)の石英ルツボを用いることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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-
2008
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