JP2009260173A - 熱電変換素子及び当該熱電変換素子を備えた熱電モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る熱電変換素子1は、熱電変換層11と電極層12a,12bとの間にマグネシウムシリサイドと金属材料との混合体からなるバッファ層13a,13bが形成されている。かかるバッファ層13a,13bにより、熱電変換層11と電極層12a,12bにおける線膨張係数の差が軽減され、残留熱応力を緩和することができ、また、熱電変換層11と電極層12a,12bの機械的な接合強度を向上させることができるので、耐久性に優れた熱電変換素子1となる。さらに、バッファ層13a,13bにより、両層の構成材料の違いが緩和されて、接触抵抗を低下させることができ、発生する起電力等の電気的特性が良好な熱電変換素子1となる。
【選択図】図1
Description
た実施形態に限定されるものではなく、本発明の構成を備え、目的及び効果を達成できる
範囲内での変形や改良が、本発明の内容に含まれるものであることはいうまでもない。ま
た、本発明を実施する際における具体的な構造及び形状等は、本発明の目的及び効果を達
成できる範囲内において、他の構造や形状等としても問題はない。本発明は前記した各実
施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形や改良は、本
発明に含まれるものである。
その他、本発明の実施の際の具体的な構造及び形状等は、本発明の目的を達成できる範
囲で他の構造等としてもよい。
熱電変換層11を構成する熱電変換材料としてマグネシウムシリサイド粉末、電極層12a,12bを構成する金属材料(電極材料)としてニッケル粉末を用いて、図2及び図3に示した製造装置2及び以下に示した製造方法により、図1に示した構成の、マグネシウムシリサイドからなる熱電変換層11及びニッケルからなる電極層12a,12bとの間に、マグネシウムシリサイド及びニッケルの混合体からなるバッファ層13a,13bを備えた熱電変換素子1を製造した。
図2に示すように、カーボンダイ21の空間部23の上方からカーボンパンチ22aを外して製造装置2の上方を開放状態として、電極材料であるニッケル粉末(平均粒子径 約63μm)を空間部23に投入し、上方からカーボンダイ22aで押圧して押し固めた。同様に、ニッケル粉末とマグネシウムシリサイド粉末(平均粒子径 約75μm)の混合体、マグネシウムシリサイド粉末、ニッケル粉末とマグネシウムシリサイド粉末の混合体、ニッケル粉末をこの順で投入、堆積させた後、空間部23の上方からカーボンパンチ22aを入れて材料を挟み込むようにして、図3の状態とした。
I−V測定(オーミック接触の確認):
概略構成を図7に示したカーブトレーサ52を備えた評価装置5(カーブトレーサ 370A:ソニーテクトリニクス(株)製)を用いて、実施例3及び実施例6及び比較例1のI−V特性を測定した。なお、試験方法としては、図7に示すように、評価装置5のタングステン電極51a,51bを試料の電極層12a,12bに接触させ、バイアス電圧を印加して、得られた線形の結果をオーミック接触とした。結果を図8に示す。図8に示すように、評価した熱電変換素子1の全てについて、V=IRの関係が具備する直線関係が得られ、オーミック接触が取れていることが確認できた。なお、図示は省略するが、他の実施例についてもV=IRの関係が具備する直線関係が得られ、オーミック接触が取れていることが確認できた。
ゼーベック係数及び電力因子(Power Factor)の評価:
熱電特性評価装置(ZEM−2:アルバック理工(株)製)を用いて、定常直流法によりゼーベック係数及び電力因子(Power Factor)を測定した。温度とゼーベック係数との関係を図9に、温度と電力因子との関係を図10にそれぞれ示す。
概略構成を図11に示した熱電特性評価装置6(UMTE−1000M:ユニオンマテリアル(株)製)を用いて、評価対象の熱電変換素子1の上下の電極層12a,12bに温度差を付けて、起電力及び電力を測定した。具体的には、図11において、熱電変換素子1下部(低温側)の電極層12bを100℃に固定した状態で、熱電変換素子1上部(高温側)の電極層12aを200〜600℃(ΔT=100〜500K)とした場合の起電力(開放電圧)と、1Ω及び10Ωの負荷抵抗61をかけた場合の電力(出力)を測定した。温度差と起電力(開放電圧)との関係を図12に、温度差と電力(出力)との関係を図13(負荷抵抗61=1Ω)及び図14(負荷抵抗61=10Ω)にそれぞれ示した。
11 熱電変換層
12a,12b 電極層
13a,13b バッファ層
2 製造装置
21 カーボンダイ
22a,22b カーボンパンチ
23 空間部
31 負荷
32 電極
4 熱電変換モジュール
41 熱電変換素子(p型半導体)
42 セラミック基板
5 評価装置
51a,51b タングステン電極
52 カーブトレーサ
6 熱電特性評価装置
61 負荷抵抗
Claims (4)
- マグネシウムシリサイドからなる熱電変換層の両側に、金属材料からなる一対の電極層が形成された熱電変換素子において、
前記熱電変換層と前記電極層との間に、前記マグネシウムシリサイド及び前記金属材料との混合体からなるバッファ層が形成されていることを特徴とする熱電変換素子。 - 前記バッファ層のマグネシウムシリサイドと金属材料との混合比が、マグネシウムシリサイド/金属材料=30/70〜90/10であることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換素子。
- 前記金属材料がニッケル系材料であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の熱電変換素子。
- 前記請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の熱電変換素子を備えたことを特徴とする熱電変換モジュール。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012073946A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | 学校法人東京理科大学 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
KR101386117B1 (ko) * | 2012-07-18 | 2014-04-21 | 한국전기연구원 | 버퍼층이 형성된 Mg―Si계 열전소자 |
US8728340B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-05-20 | Japan Science And Technology Agency | Method for manufacturing thermoelectric material |
WO2015031584A1 (en) * | 2013-09-01 | 2015-03-05 | Alphabet Energy, Inc. | Thermoelectric devices having reduced thermal stress and contact resistance, and methods of forming and using the same |
CN104641480A (zh) * | 2012-08-17 | 2015-05-20 | 马勒国际公司 | 热电模块 |
US9318682B2 (en) | 2012-01-25 | 2016-04-19 | Alphabet Energy, Inc | Modular thermoelectric units for heat recovery systems and methods thereof |
JP2016157843A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社リコー | 熱電変換装置 |
US20160260883A1 (en) * | 2013-12-27 | 2016-09-08 | Fujifilm Corporation | Thermoelectric conversion element and method for manufacturing thermoelectric conversion element |
KR20160115240A (ko) * | 2015-03-26 | 2016-10-06 | 한국과학기술연구원 | 열전모듈 및 그 제조방법 |
FR3040239A1 (fr) * | 2015-08-21 | 2017-02-24 | Univ De Lorraine | Element thermoelectrique ameliore et convertisseur thermoelectrique comportant un tel element. |
JP2017191816A (ja) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | 学校法人東京理科大学 | 導電膜付き柱状インゴット基板及びその製造方法、シリサイド系熱電変換素子及びその製造方法、熱電変換モジュール、並びにシリサイド系熱電変換素子の電極層形成用組成物 |
US9842979B2 (en) | 2012-08-17 | 2017-12-12 | Mahle International Gmbh | Thermoelectric device |
US10074790B2 (en) | 2012-08-17 | 2018-09-11 | Mahle International Gmbh | Thermoelectric device |
KR20180135555A (ko) * | 2017-06-13 | 2018-12-21 | 한국과학기술원 | 3차원 밀도 구배 접합 구조를 갖는 열전 모듈 및 그 제조 방법 |
KR20200125255A (ko) * | 2019-04-26 | 2020-11-04 | 한국과학기술연구원 | 열전소자 및 그 제조방법 |
JP2020188272A (ja) * | 2018-03-30 | 2020-11-19 | 国立大学法人茨城大学 | フォトダイオードおよび光感応デバイス |
US11937505B2 (en) | 2020-01-07 | 2024-03-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Thermoelectric device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9257627B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-02-09 | Alphabet Energy, Inc. | Method and structure for thermoelectric unicouple assembly |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209508A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Toshiba Corp | 熱電変換素子及びその製造方法 |
JP2000269559A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-29 | Yazaki Corp | 熱電素子およびその製造方法 |
JP2001210879A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高出力多孔質熱電変換素子 |
-
2008
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209508A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Toshiba Corp | 熱電変換素子及びその製造方法 |
JP2000269559A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-29 | Yazaki Corp | 熱電素子およびその製造方法 |
JP2001210879A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高出力多孔質熱電変換素子 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5881066B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2016-03-09 | 学校法人東京理科大学 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
WO2012073946A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | 学校法人東京理科大学 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
US8728340B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-05-20 | Japan Science And Technology Agency | Method for manufacturing thermoelectric material |
US9318682B2 (en) | 2012-01-25 | 2016-04-19 | Alphabet Energy, Inc | Modular thermoelectric units for heat recovery systems and methods thereof |
KR101386117B1 (ko) * | 2012-07-18 | 2014-04-21 | 한국전기연구원 | 버퍼층이 형성된 Mg―Si계 열전소자 |
US10074790B2 (en) | 2012-08-17 | 2018-09-11 | Mahle International Gmbh | Thermoelectric device |
US9842979B2 (en) | 2012-08-17 | 2017-12-12 | Mahle International Gmbh | Thermoelectric device |
CN104641480A (zh) * | 2012-08-17 | 2015-05-20 | 马勒国际公司 | 热电模块 |
US9735333B2 (en) | 2012-08-17 | 2017-08-15 | Mahle International Gmbh | Thermoelectric module |
US9065017B2 (en) | 2013-09-01 | 2015-06-23 | Alphabet Energy, Inc. | Thermoelectric devices having reduced thermal stress and contact resistance, and methods of forming and using the same |
WO2015031584A1 (en) * | 2013-09-01 | 2015-03-05 | Alphabet Energy, Inc. | Thermoelectric devices having reduced thermal stress and contact resistance, and methods of forming and using the same |
US9608188B2 (en) | 2013-09-01 | 2017-03-28 | Alphabet Energy, Inc. | Thermoelectric devices having reduced thermal stress and contact resistance, and methods of forming and using the same |
US20160260883A1 (en) * | 2013-12-27 | 2016-09-08 | Fujifilm Corporation | Thermoelectric conversion element and method for manufacturing thermoelectric conversion element |
JP2016157843A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社リコー | 熱電変換装置 |
KR20160115240A (ko) * | 2015-03-26 | 2016-10-06 | 한국과학기술연구원 | 열전모듈 및 그 제조방법 |
KR101670229B1 (ko) * | 2015-03-26 | 2016-10-28 | 한국과학기술연구원 | 열전모듈 및 그 제조방법 |
US10658561B2 (en) | 2015-08-21 | 2020-05-19 | Universite De Lorraine | Thermoelectric element and thermoelectric converter including at least one such element |
WO2017032943A1 (fr) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | Universite De Lorraine | Élément thermoélectrique améliore et convertisseur thermoélectrique comportant au moins un tel élément |
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