JP2009246347A5 - - Google Patents
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- 機能回路と、第1の抵抗素子と、第2の抵抗素子と、第3の抵抗素子と、N(Nは自然数)段のダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1の抵抗素子の第1の端子は、第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記1段目のダイオードのアノードは、前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記K(Kは2乃至N−1のいずれか一)段目のダイオードのアノードは、前記K−1段目のダイオードのカソードと電気的に接続され、
前記N段目のダイオードのアノードは、前記N−1段目のダイオードのカソードと電気的に接続され、
前記N段目のダイオードのカソードは、第2の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第2の抵抗素子の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第2の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第3端子は、前記1段目乃至K段目のダイオードのいずれか一のカソードと電気的に接続され、
前記第3の抵抗素子の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子は、前記第3の抵抗素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第3の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第3の端子は、前記第1のトランジスタの第2の端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第1の端子は、前記第3の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第2の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 機能回路と、第1の抵抗素子と、第2の抵抗素子と、第3の抵抗素子と、第4の抵抗素子と、第5の抵抗素子と、N(Nは自然数)段のダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、
前記第1の抵抗素子は、第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記1段目のダイオードのアノードは、前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記K(Kは2乃至N−1のいずれか一)段目のダイオードのアノードは、前記K−1段目のダイオードのカソードと電気的に接続され、
前記N段目のダイオードのアノードは、前記N−1段目のダイオードのカソードと電気的に接続され、
前記N段目のダイオードのカソードは、第2の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第2の抵抗素子の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、前記第2の電位供給線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第2の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第3の端子は、前記1段目乃至K段目のダイオードのいずれか一のカソードと電気的に接続され、
前記第3の抵抗素子の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子は、前記第3の抵抗素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第3の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第3の端子は、前記第1のトランジスタの第2の端子と電気的に接続され、
前記第4の抵抗素子の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第2の端子は、前記第4の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第3の端子は、前記第1のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第5の抵抗素子の第1の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの第1の端子は、前記第5の抵抗素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの第2の端子は、前記第5の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタの第3の端子は、前記第3のトランジスタの第2の端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第1の端子は、前記第3の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第2の端子は、前記第5の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 機能回路と、第1の抵抗素子と、第2の抵抗素子と、第3の抵抗素子と、N(Nは自然数)段のダイオードと、トランジスタと、を有し、
前記第1の抵抗素子の第1の端子は、第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記1段目のダイオードのアノードは、前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記K(Kは2乃至N−1のいずれか一)段目のダイオードのアノードは、前記K−1段目のダイオードのカソードと電気的に接続され、
前記N段目のダイオードのアノードは、前記N−1段目のダイオードのカソードと電気的に接続され、
前記N段目のダイオードのカソードは、第2の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第2の抵抗素子の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第3の抵抗素子の第1の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続され、
前記トランジスタの第1の端子は、前記第2の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタの第2の端子は、前記第3の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタの第3の端子は、前記1段目乃至K段目のダイオードのいずれか一のカソードと電気的に接続され、
前記機能回路の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第2の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 分圧回路と、制御回路と、機能回路と、抵抗素子と、スイッチング素子と、を有し、
前記分圧回路は、第1の電位供給端子と第2の電位供給端子との間の電圧を分圧し、分圧した電圧に応じた第1の電位を生成する機能を有し、
前記制御回路は、前記第1の電位に応じて、前記スイッチング素子のオン状態又はオフ状態を制御するための第2の電位を生成する機能を有し、
前記抵抗素子の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記スイッチング素子の第1の端子は、前記抵抗素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記スイッチング素子の第2の端子は、前記抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第1の端子は、前記抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第2の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 分圧回路と、機能回路と、第1の抵抗素子と、第2の抵抗素子と、スイッチング素子と、を有し、
前記分圧回路は、第1の電位供給端子と第2の電位供給端子との間の電圧を分圧し、分圧した電圧に応じて、前記スイッチング素子のオン状態又はオフ状態を制御するための第1の電位を生成する機能を有し、
前記第1の抵抗素子の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記第2の抵抗素子の第1の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続され、
前記スイッチング素子の第1の端子は、前記第1の抵抗素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記スイッチング素子の第2の端子は、前記第2の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第1の端子は、前記第1の電位供給端子と電気的に接続され、
前記機能回路の第2の端子は、前記第2の電位供給端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記機能回路は、光電変換素子と、第6の抵抗素子と、第5のトランジスタと、複数の第6のトランジスタと、を有し、
前記光電変換素子のカソードは、前記機能回路の第1の端子と電気的に接続され、
前記第6の抵抗素子の第1の端子は、前記機能回路の第2の端子と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第1の端子は、前記光電変換素子のアノードと接続され、
前記第5のトランジスタの第2の端子は、前記第6の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第3の端子は、前記第5のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記複数の第6のトランジスタの第1の端子のそれぞれは、前記機能回路の第1の端子と電気的に接続され、
前記複数の第6のトランジスタの第2の端子のそれぞれは、前記第6の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記複数の第6のトランジスタの第3の端子のそれぞれは、前記第5のトランジスタの第3の端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
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