JP2009230106A - 半導体装置の製造方法及びレジスト塗布・現像処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下地層1上にレジスト層3を形成する工程と、レジスト層3に可溶層3a及び不溶層3bのパターンからなる露光パターンを得る工程と、露光パターンが形成されたレジスト層3から可溶層3aを除去し、レジストパターン3cを形成する工程と、レジストパターン3cから中間露光領域3dを除去する工程と、中間露光領域3dが除去されたレジストパターン3cに、このレジストパターン3cを可溶化させる可溶化物質を発生させる反応物質を導入し、中間露光領域3dが除去されたレジストパターン3cの表面に新たな可溶層3eを形成する工程と、レジストパターン3cから新たな可溶層3eを除去する工程と、を具備する。
【選択図】図1
Description
(1)パターンに新たな層を組み合わせて、デンスパターンを形成する
(2)パターン形成を2回に分けて、デンスパターンを形成する
等の手法が検討されている。
図1A乃至図1Fは、この発明の第1の実施形態に係るレジストパターンのスリミング方法の一例を示す断面図である。
第1の実施形態では、新たな可溶層3eを、中間露光領域3dが除去されたレジストパターン3cの表面からレジストパターン3c内に形成した。このようにして形成された新たな可溶層3eは、レジストパターン3cの側面から上面にかけて、レジストパターン3cの表面全体に形成される。このため、レジストパターン3cは、幅方向及び高さ方向の双方で、等方的にスリム化される。等方的なスリム化では、レジストパターン3eの上面の部分も除去されることになるから、レジストパターン3eの高さを、不用意に低くしてしまう。レジストパターン3eには、ある程度の高さを維持したい場合もある。例えば、レジストパターン3eを、下地層1をエッチング加工する際のマスクとして利用する場合等である。
第3の実施形態は、上述したスリミング方法を利用した半導体装置の製造方法の一例に関する例である。
中間露光領域3dの除去は、図1Dを参照して説明した方法と同様の方法にて行えば良い。次いで、中間露光領域3dが除去されたレジストパターン3cに、新たな可溶層3eを形成する。新たな可溶層3eの形成は、例えば、図1Eを参照して説明した方法と同様の方法にて行えば良い。
第4の実施形態は、上述したスリミング方法を利用した半導体装置の製造方法の他例に関する例である。
第5の実施形態は、上述したスリミング方法を実施できる半導体製造装置の一例に関する例である。
Claims (19)
- 下地層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に可溶層及び不溶層のパターンからなる露光パターンを得る工程と、
前記露光パターンが形成されたレジスト層から可溶層を除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンから中間露光領域を除去する工程と、
前記中間露光領域が除去されたレジストパターンに、このレジストパターンを可溶化させる可溶化物質を発生させる反応物質を導入する工程と、
前記反応物質が導入されたレジストパターンの表面に新たな可溶層を形成する工程と、
前記レジストパターンから新たな可溶層を除去する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記反応物質が酸であり、
前記レジスト層中のレジストが、前記酸を発生させる光酸発生剤を含有し、発生した酸を触媒成分として、前記レジスト層中のアルカリ不溶保護基をアルカリ可溶基に変化させる化学増幅型レジストであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記中間露光領域を除去する工程が現像工程であり、
前記現像工程に用いる現像液の温度が23℃以上70℃以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記中間露光領域を除去する工程が現像工程であり、
前記現像工程に用いる現像液の濃度が2.38%以上15%以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記中間露光領域を除去する工程が現像工程であり、
前記現像工程の時間が1sec以上300sec以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記レジストパターンから新たな可溶層を除去する工程が現像工程であり、
前記現像工程に用いる現像液の温度が23℃以上70℃以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記レジストパターンから新たな可溶層を除去する工程が現像工程であり、
前記現像工程に用いる現像液の濃度が2.38%以上15%以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記レジストパターンから新たな可溶層を除去する工程が現像工程であり、
前記現像工程の時間が1sec以上300sec以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記反応物質を導入する工程の後、
前記反応物質が導入されたレジストパターンの上面から、前記反応物質の前記レジストパターンを可溶化させる性質を消す工程を、さらに具備し、
前記反応物質の前記レジストパターンを可溶化させる性質を消す工程が、
前記反応物質が導入されたレジストパターンの上面から、前記反応物質の前記レジストパターンを可溶化させる性質を消す物質を導入する工程であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記反応物質が導入されたレジストパターン間を埋め込み材料を用いて、前記レジストパターンの上面が露出した状態で埋め込み、
前記露出したレジストパターンの上面から、前記反応物質の前記レジストパターンを可溶化させる性質を消す物質を導入することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記レジストパターンを可溶化させる性質を消す物質が、中和物質であることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記中和物質が、前記レジストパターン上面に、気相拡散にて拡散されることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記新たな可溶層が除去されたレジストパターンの側壁に、側壁膜を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去し、前記側壁膜を残す工程と、
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記残された側壁膜をエッチングのマスクに用いて、前記下地層をエッチングする工程を、さらに具備することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 下地層上に第1のレジスト層を形成する工程と、
前記第1のレジスト層に可溶層及び不溶層のパターンからなる露光パターンを得る工程と、
前記露光パターンが形成された第1のレジスト層から可溶層を除去し、第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンから中間露光領域を除去する工程と、
前記中間露光領域が除去された第1のレジストパターンに、この第1のレジストパターンを可溶化させる可溶化物質を発生させる反応物質を導入する工程と、
前記反応物質が導入された第1のレジストパターンの表面に新たな可溶層を形成する工程と、
前記第1のレジストパターンから新たな可溶層を除去する工程と、
前記新たな可溶層が除去された第1のレジストパターンが形成された前記下地層上に、第2のレジスト層を形成する工程と、
前記第2のレジスト層に可溶層及び不溶層のパターンからなる露光パターンを得る工程と、
前記露光パターンが形成された第2のレジスト層から可溶層を除去し、第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンから中間露光領域を除去する工程と、
前記中間露光領域が除去された第2のレジストパターンに、この第2のレジストパターンを可溶化させる可溶化物質を発生させる反応物質を導入する工程と、
前記反応物質が導入された第2のレジストパターンの表面に新たな可溶層を形成する工程と、
前記第2のレジストパターンから新たな可溶層を除去する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記新たな可溶層が形成された前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンをエッチングのマスクに用いて、前記下地層をエッチングする工程を、さらに具備することを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記新たな可溶層が除去された前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンの側壁に、側壁膜を形成する工程と、
前記第1、第2のレジストパターンを除去し、前記側壁膜を残す工程と、
をさらに具備することを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記残された側壁膜をエッチングのマスクに用いて、前記下地層をエッチングする工程を、さらに具備することを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- レジストを塗布する塗布ユニットと、
前記塗布されたレジストをプリベークするプリベークユニットと、
前記プリベークされたレジストを露光する露光ユニットと、
前記露光されたレジストをポスト露光ベークする第1のポスト露光ベークユニットと、
前記ポスト露光ベークされたレジストを現像する第1の現像ユニットと、
前記現像されたレジストをポストベークするポストベークユニットと、
前記ポストベークされた現像済みレジストを第2回現像する第2の現像ユニットと、
前記第2回現像されたレジストに、このレジストを可溶化させる可溶化物質を発生させる反応物質を導入する反応物質導入ユニットと、
前記反応物質が導入されたレジストを第2回ポスト露光ベークする第2のポスト露光ベークユニットと、
前記第2回ポスト露光ベークされたレジストを第3回現像する第3の現像ユニットと、
を具備することを特徴とするレジスト塗布・現像処理システム。
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