JP2011095484A - 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理膜Fが形成されたウェハW上にレジスト液を塗布して第1のレジスト膜R1を形成する(図7(b))。その後、第1のレジスト膜R1を選択的に露光し、現像して第1のレジストパターンP1を形成する(図7(c))。その後、第1のレジストパターンP1の表面P1aにエーテル類の表面改質剤を塗布し、当該表面P1aを改質する(図7(d))。その後、第1のレジストパターンP1が形成されたウェハW上にレジスト液を塗布して第2のレジスト膜R2を形成する(図7(e))。その後、第2のレジスト膜R2を選択的に露光し、現像して、第1のレジストパターンP1と同じ層に第2のレジストパターンP2を形成する(図7(f))。
【選択図】図7
Description
20、21、22 レジスト塗布装置
120 スピンチャック
133 レジスト液ノズル
140 表面改質剤ノズル
200 制御部
F 被処理膜
R1 第1のレジスト膜
R2 第2のレジスト膜
P レジストパターン
P1 第1のレジストパターン
P1a 表面
P1b 表層
P2 第2のレジストパターン
W ウェハ
Claims (7)
- 基板上にレジストパターンを形成する基板の処理方法であって、
基板上にレジスト液を塗布して第1のレジスト膜を形成した後、当該第1のレジスト膜を選択的に露光し、現像して第1のレジストパターンを形成する第1のパターニング工程と、
その後、前記第1のレジストパターンの表面にエーテル類の表面改質剤を塗布し、当該表面を改質する表面改質工程と、
その後、前記第1のレジストパターンが形成された基板上にレジスト液を塗布して第2のレジスト膜を形成した後、当該第2のレジスト膜を選択的に露光し、現像して、前記第1のレジストパターンと同じ層に第2のレジストパターンを形成する第2のパターニング工程と、を有することを特徴とする、基板の処理方法。 - 前記表面改質工程において、前記表面改質剤によって、前記第1のレジストパターンの表層を除去し、かつ新たに露出した前記第1のレジストパターンの表面を改質することを特徴とする、請求項1に記載の基板の処理方法。
- 前記第2のパターニング工程において、前記第2のレジスト膜は、基板を静止させた状態で当該基板の中心部にレジスト液を供給した後、基板を回転させて前記レジスト液を基板全面に拡散させて形成されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板の処理方法。
- 前記表面改質剤は、メチルイソブチルカルビノールであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記表面改質剤は、プロピレングリコールブチルエーテルであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の基板の処理方法を基板処理装置によって実行させるために、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項6に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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