JP2009221443A - 磁気記録媒体用潤滑剤および該潤滑剤を使用した磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気記録媒体表面において、表面潤滑剤とダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護膜間に高結合性を有する磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】下記式（１）、（２）、または（３）で表される磁気記録媒体用フッ素系潤滑剤に関し、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ独立に有機基であり、且つ置換基Ｒ¹およびＲ²の少なくとも一方、置換基Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ⁵およびＲ⁶の少なくとも一方がイソシアナート基を有する。本発明は、この潤滑剤を用いた磁気記録媒体に関する。
【化１】

【選択図】図１

Description

本発明は、磁気記録媒体用潤滑剤、および、磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体、特にコンピュータの外部記憶装置などに用いられる磁気記録媒体に関する。

保護層とヘッド間に生ずる摩擦力を減少させ、耐久性・信頼性を向上させる目的のため、磁気記録媒体、特に磁気ディスクに用いられる潤滑剤が開発されてきた。
例えば、磁気記録媒体表面層の潤滑特性を改良するために、従来よりダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層上に、分子内に水酸基などの有極性末端基や、環状トリホスファゼン末端基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布することが行われてきた。
ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層の表面には、カルボキシル基や水酸基、アミン基等の官能基が多数存在しており、これらの官能基には、前記潤滑剤の末端基が積極的に吸着・結合している。
しかしながら、前記官能基には、潤滑剤末端基以外にも、水分や酸性ガスなどの汚染物も積極的に吸着する特性がある。そのため、保護層表面上に潤滑剤末端基が結合していない残留官能基が存在する場合、汚染物の吸着量が増大する恐れがある。
よって、ディスク媒体表面に水分や酸性ガスなどの汚染物が吸着することを抑制するには、カーボン表面に存在する官能基と潤滑剤との結合量（結合割合）を極力高める必要がある（特許文献１、特許文献２など参照）。
特開平５−２４７２００号公報 特開２００４−２５３１１０号公報 特開平１０−１４３８３８号公報

一般に、カーボン表面へ潤滑剤を塗布した後、加熱処理を施すことにより、カーボン表面上の官能基と潤滑剤末端基の間の結合割合を高めることができる。加熱処理温度が高いほど、両者間の結合割合の増加が促進される。しかしながら、カーボン表面に存在する官能基と潤滑剤末端基との間の結合割合を高めることには、限界が伴う。具体的には、従来技術である、分子内に水酸基などの有極性末端基や、環状トリホスファゼン末端基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いた場合では、加熱温度が１００℃を超えると、ディスク表面から潤滑剤が揮発する「加熱減量」と呼ばれる現象が顕著となり、温度が高くなるほどこの現象は大きくなる。従って、高温で処理した場合、ディスク表面上に存在する潤滑剤量は、加熱処理以前に比較し、著しく減少してしまう。このため、加熱処理により結合割合を増加させるには、制約が伴う。
一般に、カーボン表面に存在する官能基と潤滑剤末端基との間の結合割合は、フッ素系溶媒による洗浄前の潤滑層膜厚に対するフッ素系溶媒による洗浄後の潤滑層膜厚の割合として表され、その百分率値は「ボンド率」と呼ばれる。

ここで、洗浄前の潤滑層膜厚は「トータル潤滑剤膜厚」、洗浄後の潤滑層膜厚は「ボンド潤滑剤膜厚」、トータル潤滑剤膜厚とボンド潤滑剤膜厚の差を「フリー潤滑剤膜厚」と呼ぶ。「ボンド潤滑剤膜厚」は、実際にカーボン表面と結合している潤滑剤の厚さ（量）を表しており、前記汚染物の抑制には、この量を増やす必要がある。
この「ボンド率」の基準によれば、フッ素系溶媒としてＶｅｒｔｒｅｌ ＸＦ（三井デュポンフロロケミカル社製）を用い、従来技術である、分子内に水酸基などの有極性末端基や、環状トリホスファゼン末端基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（例えば、Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ（ソルベイソレクシス社製））を用いた場合、上記理由により、ボンド率の上限は７０％程度となる（特許文献３）。この時、トータル潤滑剤膜厚は、現在、通常のハードディスクの潤滑剤に用いられる膜厚である１．０、１．２および１．４ｎｍの場合、ボンド潤滑剤膜厚はそれぞれ、０．７、０．８４および０．９８ｎｍとなる。
一方、近年の磁気ディスクの高密度化傾向に伴い、潤滑剤特性に対する要求が厳しくなっている。この要求に応えるには、今後、ボンド潤滑剤膜厚の上限を、さらに引き上げることが必要とされる。

加えて、近年のハードディスクドライブは、これまでの屋内で使用されるパソコン用途から、携帯機器やカーナビゲーションシステムなど屋外環境において用いられるケースが増大している。特に、高温高湿環境において、磁気ヘッドスライダが浮上しにくくなる現象が存在し、これは高湿度空気に含まれる水分の凝着現象によるものと考えられている。そのため、磁気ディスク表面へ凝着する水分量を減少させること、すなわち、ディスク表面の疎水化が大きな課題となっている。
この疎水化には、ボンド潤滑剤膜厚の増加が必要であるが、ボンド率の上限が規定される場合、その量を増加させるには、単純にはトータル潤滑剤膜厚を増加させれば良いことになる。しかしながら、単純に膜厚を増加させた場合、浮上スライダへの潤滑剤ピックアップ現象が生じやすくなり、スライダの浮上不安定性を生じさせる恐れがある。
そのため、トータル潤滑剤膜厚を増加させる手法ではなく、トータル潤滑剤膜厚を変化させることなく、従来手法に比較して潤滑剤とカーボン表面との結合割合を高める手法が必要とされる。
従って、本発明は、前述の問題点を改善するために、従来技術に比較し、潤滑剤とダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層表面間の高吸着性を有する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の一形態は、フッ素系潤滑剤に関する。この潤滑剤は、下記式（１）、（２）、または（３）で表される磁気記録媒体用フッ素系潤滑剤である。この潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，およびＲ⁶は、それぞれ独立に有機基であり、且つ置換基Ｒ¹およびＲ²の少なくとも一方、置換基Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ⁵およびＲ⁶の少なくとも一方がイソシアナート基を有する。

（ただし、ｐおよびｑはそれぞれ正の整数である。）

（ただし、ｒは正の整数である。）

（ただし、ｓは正の整数である。）
本発明の別の形態は、上記潤滑剤を使用した磁気記録媒体である。具体的には、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層を含み、この潤滑層が上記式（１）、（２）、または（３）で表される潤滑剤を含むこと特徴とする。
上記の各形態において、末端部分の置換基Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，およびＲ⁶は、それぞれ独立に、飽和または不飽和の炭化水素、芳香族炭化水素、芳香族アミン、複素環、複素環アミン、および、これらの組み合わせからなる群より選択される骨格を有する。

本発明における潤滑剤をダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層上に塗布することにより、従来技術に比較し、潤滑剤とダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層表面間の高結合性を有する磁気記録媒体を提供することが可能となる。

本発明の一形態は、磁気記録媒体用潤滑剤に関する。この潤滑剤は、下記式（１）、（２）、または（３）で表される磁気記録媒体用フッ素系潤滑剤である。

（ただし、ｐおよびｑはそれぞれ正の整数であり、好ましくは、Ｐ＝３〜６０、ｑ＝３〜６０である。）

（ただし、ｒは正の整数であり、好ましくは、ｒ＝３〜６０である。）

（ただし、ｓは正の整数であり、好ましくはｓ＝３〜１００である。）
末端部分の置換基Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，およびＲ⁶は、それぞれ独立に有機基である。具体的には、これらの基は、独立に、炭素数１から５０、好ましくは１から２０の飽和または不飽和の炭化水素、または芳香族炭化水素、芳香族アミン、複素環、複素環アミンからなる群から選択されることが好ましい。また、これらのうちいずれか一つまたは複数の組み合わせた骨格を有していてもよい。本発明では、これら置換基Ｒ¹およびＲ²の少なくとも一方、置換基Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ⁵およびＲ⁶の少なくとも一方がさらにイソシアナート基を含有している。
上記式（１）から（３）で示される本発明による潤滑剤は、各種手段（例えば、ディップ法、スピンコート法など）により磁気記録媒体（磁気ディスク）表面に適用することができる。本発明の潤滑剤は、潤滑剤の分子末端置換基と保護層表面に多数存在するカルボキシル基やヒドロキシル基、アミン基などの官能基との結合性を高めることができる。本発明による潤滑剤では、主鎖構造としてパーフルオロポリエーテル系化合物であるＤｅｍｎｕｍ（ダイキン工業社製）を用いることが好ましく、末端部分の置換基にイソシアネート基を有することを特徴とする。

本発明による潤滑剤を磁気記録媒体表面に塗布することで、従来潤滑剤に比較し、潤滑剤と保護層間で高い結合性を有する磁気記録媒体を実現できる。
次に、本発明の磁気記録媒体について説明する。本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも磁性層、保護層および潤滑層が含まれる。一例を示せば、図１に示されるような構造を有する。すなわち、非磁性基板１００上に、磁性層１０２、保護層１０４および潤滑層１０６を有する。
非磁性基板は、磁気記録媒体に従来から用いられているものであれば特に限定されない。例えば、図１に示したような従来から汎用的に使用されているアルミ合金などの基板１１０上に無電解メッキによりＮｉ−Ｐなどの非磁性金属層（メッキ層）１２０を形成したものであってよく、あるいは、ガラス、セラミック、プラスチックなどの材料から構成されていてもよい。
本発明の磁気記録媒体では、必要に応じて、非磁性基板と磁性層との間に、非磁性下地層、軟磁性層、シード層、中間層などを設けてもよい。
任意選択的に設けてもよい非磁性下地層は、Ｔａ、Ｔｉ、またはＣｒＴｉ合金のようなＣｒを含む非磁性材料を用いて形成することができる。

任意選択的に設けてもよい軟磁性層は、ＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などの結晶性材料；ＦｅＴａＣ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＰなどの微結晶性材料；またはＣｏＺｒＮｄ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を用いて形成することができる。軟磁性層の膜厚は、磁性層に垂直方向磁界を集中させるための層であり、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
任意選択的に設けてもよいシード層は、面心立方格子構造を有する金属または合金や、ＴａあるいはＴａ合金を用いて形成することができる。面心立方格子構造を有する金属または合金としては、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉまたはこれらのうち１つ以上を含む合金；ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＣｒ、ＮｉＦｅＳｉ、ＮｉＦｅＢなどのようなパーマロイ系材料；ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅＮｂ、ＣｏＮｉＦｅＣｒ、ＣｏＮｉＦｅＳｉ、ＣｏＮｉＦｅＢなどのようなパーマロイ系材料にＣｏを更に添加した材料；Ｃｏ；あるいはＣｏＢ、ＣｏＳｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＦｅのようなＣｏ基合金等を用いることができる。シード層は、磁性層の結晶構造を制御するのに充分な膜厚を有することが望ましく、通常の場合、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。

任意選択的に設けても良い中間層は、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とする合金、またはＣｏ、もしくはＣｏを主成分とする合金を用いて形成することができる。また、これらの金属または合金を積層して用いることもできる。中間層は、通常０．１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有する。このような範囲内の膜厚とすることによって、磁性層の磁気特性や電磁変換特性を劣化させることなしに、高密度記録に必要な特性を磁性層に付与することが可能となる。
前述の非磁性下地層、軟磁性層、シード層および中間層の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。
磁性層は、好適には、少なくともＣｏとＰｔを含む合金の強磁性材料を用いて形成することができる。垂直磁気記録を行うためには、磁性層の材料の磁化容易軸（六方最密充填（ｈｃｐ）構造のｃ軸）が、記録媒体表面（すなわち磁気記録媒体用基板の主表面）に垂直方向に配向していることが必要である。磁性層は、たとえばＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどの合金材料を用いて形成することができる。磁性層の膜厚は、特に限定されるものではない。しかしながら、生産性および記録密度向上の観点から、磁性層は、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以下の膜厚を有する。磁性層の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。

別法として、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散されているグラニュラー構造を有する材料を用いて、磁性層を形成してもよい。用いることができるグラニュラー構造を有する材料は、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ₂、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ
２、ＣｏＣｒＰｔＯ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂、ＣｏＣｒＰｔ−Ａｌ₂Ｏ₃、ＣｏＰｔ−Ａ
ｌＮ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｓｉ₃Ｎ₄などを含むが、これらに限定されるものではない。グラニュラー構造を有する材料を用いた場合、磁性層内で近接する磁性結晶粒間の磁気的分離を促進し、ノイズの低減、ＳＮＲの向上および記録分解能の向上といった磁気記録特性の改善を図ることができる。
保護層は、カーボン（ダイヤモンドカーボン、アモルファスカーボンなど）、あるいは磁気記録媒体保護層用の材料として知られている種々の薄層材料を用いて形成することができる。保護層は、その下にある磁性層以下の各構成層を保護するための層である。保護層は、一般的にスパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
潤滑層は、記録／読み出し用ヘッドが磁気記録媒体に接触している際の潤滑を付与するための層であり、上述の本発明に係る潤滑剤を使用して形成することができる。潤滑層は、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。

以下に本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、これらの実施例は、本発明を限定することを意図したものではない。
１．本発明の潤滑剤の合成方法
末端にイソシアネート基を有する本発明のフッ素系潤滑剤（化合物（Ａ））の合成について述べる。
［合成例］
末端にイソシアネート基を有するフッ素系潤滑剤（化合物（Ａ））を以下のように合成した。

末端にヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するパーフルオロポリエーテルであるダイキン工業社製Ｄｅｍｎｕｍ ＳＡ（５０．０ｇ）（Ｒｆ＝ＣＦ₃ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−（ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n−ＣＦ₂ＣＦ₂−）およびヘキサメチレンジイソシアネート（２２．７ｇ）を、ｍ−キシレンヘキサフルオリド（２００ｇ）中に溶解させた。この溶液を９０℃まで加熱した後、１、４−ジアザビシクロ［２、２、２］オクタン（７６ｍｇ）を添加した。この反応混合物の温度を１３０℃に保持し、３時間にわたって攪拌した。ＮＭＲにより反応の終点を確認した。得られた反応混合物について、ｍ−キシレンヘキサフルオリドを減圧留去し、濃縮液にジエチルエーテルを加えて撹拌した。静置後分層した下層を取り、減圧留去して目的とする末端にイソシアネート基を有するパーフルオロポリエーテル（化合物（Ａ））（３６．６ｇ）を得た。
Ｉ．磁気記録媒体（サンプル）の作製
本実施例および比較例では、磁気記録媒体の、プラズマＣＶＤ法により形成したダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層上に、上記各合成方法により合成した化合物（Ａ）（平均分子量３８００）を用いて潤滑層を形成した。
非磁性基板（材料ＡＬ合金からなる直径９５ｍｍの磁気ディスク用基板）の主面上に、スパッタ法用いて、膜厚２ｎｍのＣｒＴｉからなる非磁性下地層、膜厚５０ｎｍのＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性層、膜厚５ｎｍのＣｏＮｉＦｅＳｉからなるシード層、膜厚１０ｎｍのＲｕからなる中間層、膜厚１６ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２とＣｏＣｒＰｒＢからなる磁性層を順次形成した。

次に、プラズマＣＶＤ法で膜厚３．０ｎｍのＤＬＣ保護層を形成した。この保護層で覆われた磁気ディスク基板に対し、上記合成法により合成された化合物（Ａ）の潤滑剤溶液をディップ法により塗布した。具体的には、ディスク基板を溶媒としてＶｅｒｔｒｅｌ ＸＦを用いた潤滑剤溶液に１８０秒間浸漬させ、磁気ディスクを１．５ｍｍ／ｓｅｃの速度で引上げ、その後、室温２２℃で乾燥させた。
また、比較のため、従来から用いられているＺ−ｔｅｔｒａｏｌ（ソルベイ・ソレクシス社製）潤滑剤も、同手法のディップ法により基板上に塗布した。
上記手法によりサンプルを作成する際の潤滑剤の濃度は表１に示した。
ＩＩ．磁気記録媒体の評価
ＩＩ−１．ボンド率
上記Ｉ．により作製したサンプルについて、洗浄前と洗浄後の潤滑層の膜厚（トータル潤滑剤膜厚およびボンド潤滑剤膜厚）を測定し、ボンド率を算出した。結果を表１に示す。なお、潤滑層の膜厚は、フーリエ変換式赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定した。
また、潤滑剤に対する洗浄用フッ素系溶媒としては、Ｖｅｒｔｒｅｌ ＸＦ（三井デュポンフロロケミカル社製）を用いることが一般的であり、本評価においてもこの溶媒を用いている。洗浄は、上記フッ素系溶媒を各サンプルにディップ法により、２２℃、５分適用することによって行った。

表１より、塗布工程を経た時点で、従来潤滑剤よりも厚いボンド潤滑剤膜厚が実現できることが分かる。例えば、比較例１と実施例２を比較した場合、トータル潤滑剤膜厚はほぼ同一であるものの、従来潤滑剤を用いた比較例１よりも本発明の潤滑剤を用いた実施例２の方が、ボンド潤滑剤膜厚で２．６倍の差が生じることが分かる。
ＩＩ−２．加熱減量評価
上記Ｉ．で調製したと同じサンプルに対し、トータル潤滑剤膜厚の測定前に、加熱炉により１１０℃環境で６０分間の加熱処理を実施した。加熱処理後のトータル潤滑剤膜厚、ボンド潤滑剤膜厚、およびボンド率の各評価結果を表２に示す。なお、膜厚の測定および洗浄方法は上記ＩＩ−１と同様である。

表１および表２の結果から、加熱処理により、各サンプルともボンド潤滑剤膜厚並びにボンド率が上昇したことが分かる。しかしながら、本プロセス条件の下では、従来の潤滑剤を用いた場合（比較例２）には、ボンド潤滑剤膜厚が０．６４３ｎｍ、ボンド率が５２％までしか上昇しなかったのに対し、上記潤滑剤を用いた場合では、例えば、加熱前のトータル潤滑剤膜厚と同程度のトータル潤滑剤膜厚を示した実施例４において、ボンド潤滑剤膜厚が１．１６７ｎｍ、ボンド率が８６％まで増加し、いずれも従来の潤滑剤を上回る結果となっている。
また、比較例１と比較例２、並びに、実施例２と実施例４のトータル潤滑剤膜厚を比較すると、比較例では、加熱前後で潤滑層のトータル潤滑剤膜厚が０．１４６ｎｍ減少するのに対し、上記潤滑剤を使用した実施例では、加熱前後で０．０３ｎｍしか減少しない。このことは、本発明の潤滑剤では、加熱時の減量が生じにくいことを示している。
ＩＩ−３．Ｓｐｉｎ−Ｏｆｆ評価
前述のＩＩ−２．のプロセスにより作製した表２に示した各サンプル（潤滑剤塗布後に加熱処理をしたサンプル）に対し、Ｓｐｉｎ−Ｏｆｆと呼ばれる試験を実施した。Ｓｐｉｎ−Ｏｆｆ試験とは、ディスクサンプルを高速回転数で長時間回転させ、回転後の潤滑層の移動状態を測定する試験のことである。この試験では、開店の際に、潤滑層は遠心力により内周側から外周側へと移動することとなる。潤滑剤とカーボン保護膜の結合が強いほど、移動が抑制されることになる。

本試験では、温度４０℃、湿度８０％の環境下、ディスクサンプルを７２００ｒｐｍにて１４日間回転させた後の潤滑層移動量を、ＯＳＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ：走査型エリプソメータ）により測定した。測定結果として、試験後の潤滑層分布を図２から４に示す。
図２（比較例２）と、図３（実施例３）および図４（実施例４）の比較から明らかなように、従来の潤滑剤を塗布したサンプルでは、外周側での膜厚の増加が見られ、潤滑剤が移動している様子が観測された。これに対し、本発明の潤滑剤を塗布したサンプルでは、遠心力による潤滑剤の移動がほとんど見られないことが分かる。
上記結果より、本発明の潤滑剤は、従来の潤滑剤に比べ、カーボン保護層と強く結合していると言える。
ＩＩ−４．接触角評価
ディスク表面の親水性を評価するため、水による接触角評価を実施した。サンプルとしては、上記ＩＩ−２（潤滑剤塗布後に加熱処理をしたサンプル）のディスクを採用した。測定結果を、ボンド潤滑剤膜厚と対応させた図として、図５に示す。図中、１は従来の潤滑剤Ｚ−ｔｅｔｒａｏｌを用いた場合（比較例２）の結果であり、２は本発明の潤滑剤（実施例３）の結果であり、３は本発明の潤滑剤（実施例４）の結果である。

図５より、接触角はボンド潤滑剤膜厚と対応しており、ボンド潤滑剤膜厚が厚いほど水の接触角が高い、すなわち疎水性表面となることが分かる。
本発明の潤滑剤を使用した場合、同プロセス条件であれば、従来潤滑剤に比較して高いボンド潤滑剤膜厚が得られるため、従来技術に比べ、疎水性表面を実現することが可能となる。
また、化合物（Ａ）において、Ｒｆが下記に示す（Ａ）'、（Ａ）"においても、化合物（Ａ）とほぼ同様の特性を示すことを付記しておく。

本発明の磁気記録媒体の例示的な層構造を示す概略図である。 従来の潤滑剤を用いた磁気記録媒体（比較例２）のＳｐｉｎ−Ｏｆｆ試験後の潤滑層分布を示す図である。 本発明の潤滑剤を用いた磁気記録媒体（実施例３）のＳｐｉｎ−Ｏｆｆ試験後の潤滑層分布を示す図である。 本発明の潤滑剤を用いた磁気記録媒体（実施例４）のＳｐｉｎ−Ｏｆｆ試験後の潤滑層分布を示す図である。 従来の潤滑剤を用いた磁気記録媒体（比較例２）と、本発明の潤滑剤を用いた磁気記録媒体（実施例３および実施例４）の表面における水の接触角、並びに、各例におけるボンド潤滑剤膜厚の関係を示す図である。

符号の説明

１００ 基板
１０２ 磁性層
１０４ 保護層
１０６ 潤滑層
１１０ 非磁性基板
１２０ メッキ層

Claims (4)

1. 下記式（１）、（２）、または（３）で表される磁気記録媒体用フッ素系潤滑剤であって、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，およびＲ⁶はそれぞれ独立に有機基であり、且つ置換基Ｒ¹およびＲ²の少なくとも一方、置換基Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ⁵およびＲ⁶の少なくとも一方がイソシアナート基を有すること特徴とするフッ素系潤滑剤。
   

   

   （ただし、ｐおよびｑはそれぞれ正の整数である。）
   

   

   （ただし、ｒは正の整数である。）
   

   

   （ただし、ｓは正の整数である。）
2. 前記末端部分の置換基Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，およびＲ⁶が、それぞれ独立に、飽和または不飽和の炭化水素、芳香族炭化水素、芳香族アミン、複素環、複素環アミンおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される骨格を有することを特徴とする請求項１に記載の潤滑剤。
3. 非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層を含む磁気記録媒体であって、前記潤滑層が下記式（１）、（２）、または（３）で表される潤滑剤を含み、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，およびＲ⁶は有機基であり、且つ置換基Ｒ¹およびＲ²の少なくとも一方、置換基Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ⁵
   およびＲ⁶の少なくとも一方がイソシアナート基を有すること特徴とする磁気記録媒体。
   

   

   （ただし、ｐおよびｑはそれぞれ正の整数である。）
   

   

   （ただし、ｒは正の整数である。）
   

   

   （ただし、ｓは正の整数である。）
4. 前記末端部分の置換基Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，およびＲ⁶が、それぞれ独立に、飽和または不飽和の炭化水素、または芳香族炭化水素、芳香族アミン、複素環、複素環アミンおよびこれらの組み合わせからなる群より選択される骨格を有することを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
   

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