JP2009206200A - 発光素子実装用基板、発光素子実装体、セラミックとアルミニウムの接合方法。 - Google Patents
発光素子実装用基板、発光素子実装体、セラミックとアルミニウムの接合方法。 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】一方の主面に発光素子が実装されるセラミック基板の他方の主面に、アルミニウム体が接合されており、前記アルミニウム体は前記他方の主面と当接し、前記アルミニウム体の当接面が前記他方の主面に応じた形状となっていることを特徴とする発光素子実装用基板を提供する。
【選択図】図2
Description
12 アルミニウム基板
14 アルミナ基板
16、16‘ おもり
Claims (10)
- 一方の主面に発光素子が実装されるセラミック基板の他方の主面に、
アルミニウム体が接合されており、
前記アルミニウム体は前記他方の主面と当接し、前記アルミニウム体の当接面が前記他方の主面に応じた形状となっていることを特徴とする発光素子実装用基板。 - 前記一方の主面に、前記発光素子が実装される導電パターンが設けられており、
前記アルミニウム体は、前記導電パターンと対向する領域を覆って設けられていることを特徴とする請求項1記載の発光素子実装用基板。 - 前記セラミック基板はアルミナからなることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子実装用基板。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の発光素子実装用基板と、
前記発光素子実装用基板の前記一方の主面に実装された発光素子と、
を備えることを特徴とする発光素子実装体。 - 前記発光素子は、LED素子であることを特徴とする請求項4記載の発光素子実装体。
- セラミック基板表面にアルミニウム基板を載置した集合体を、アルミニウムの融点より高い第1の温度範囲で第1の熱処理を施した後、400℃以下の温度まで降温させ、
降温後、前記集合体をアルミニウムの融点未満の第2の温度範囲まで昇温させて第2の熱処理を施すことで、前記セラミック基板と前記アルミニウム基板とを接合することを特徴とする、セラミックとアルミニウムの接合方法。 - 前記第1の温度範囲は660〜680℃であり、前記第2の温度範囲は600〜650℃であることを特徴とする請求項6記載のセラミックとアルミニウムの接合方法。
- 前記第1の温度範囲での熱処理は、真空または還元雰囲気にて行うことを特徴とする請求項6または7記載のセラミックとアルミニウムの接合方法。
- 前記第1の熱処理は、前記アルミニウム基板の側から前記セラミック基板にかかる圧力を0.1〜2kPaとして行うことを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載のセラミックとアルミニウムの接合方法。
- 前記第2の熱処理は、前記アルミニウム基板の側から前記セラミック基板にかかる圧力を10kPa 以上として行うことを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載のセラミックとアルミニウムの接合方法。
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