JPH09188573A - アルミニウム−セラミックス複合基板の製造方法 - Google Patents
アルミニウム−セラミックス複合基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH09188573A JPH09188573A JP30868896A JP30868896A JPH09188573A JP H09188573 A JPH09188573 A JP H09188573A JP 30868896 A JP30868896 A JP 30868896A JP 30868896 A JP30868896 A JP 30868896A JP H09188573 A JPH09188573 A JP H09188573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- substrate
- contact
- ceramic
- composite substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
板を接合できるアルミニウム−セラミックス複合基板の
製造方法を提供する。 【構成】 セラミックス基板1としてAlN基板(62
mm×112mm×0.635mm厚)を加熱炉中にて850
℃の一定温度に40分間保持した後、AlN基板の底面
にアルミニウム平板(52mm×102mm×1.0mm厚)
を配置し、一方、AlN基板の上面には予め図1の形状
に成形してある回路状アルミニウム板2を4組配置して
N2 ガス雰囲気下で5分間接触させる。次いでこれらの
接触体をプレスに平行移動させ、10g/mm2 の圧力をか
けて、接触面の酸化膜を破り、純アルミニウム溶体を接
触面に沿って拡散させ、接合体を得る。接合後の強度は
市販の基板と同程度であり、従来法に比べて生産コスト
を大幅に低下させる効果がある。
Description
ックス複合基板の製造方法に関し、更に詳しくはアルミ
ニウム板を簡易な手法でセラミックス基板に接合させる
事に特徴を有するものである。
縁性、高硬度などの特性と、金属の高強度、高靭性、易
加工性、導電性などの特性を生かした金属−セラミック
ス複合部材は自動車、電子装置などに広く用いられ、そ
の代表的な例として、大電力電子素子実装用の基板およ
びパッケージが挙げられる。
製造方法としては、接着、めっき、メタライズ、鋳ぐる
み、ろう接や直接接合法等がよく知られている。
銅を用いる接合法として、特開平7−193358号公
報「セラミックス電子回路基板の製造方法」に開示する
方法、すなわち金属溶湯の中を直接セラミックス基板を
通過させることによって、該基板表面にこれらの金属を
凝固接合する製造法を提供し、相当な効果を上げること
ができた。
8号公報「半導体装置用軽量基板」に開示されるよう
に、セラミックス基板とアルミニウム基板を、両者の間
にAl−Si系ろう材を介して加熱接合する接合法も知
られている。
属溶湯中を通過させて接合する方法は、連続製造に適し
ているものの、装置にコストがかかり、一方、Al−S
i系ろう材を用いる方法はろう材調整や接合条件が難し
いとの欠点を有していた。
ミックス基板を接合できる方法の開発が望まれており、
本発明法はこれを解決することを目的とするものであ
る。
を解決するために鋭意研究したところ、アルミニウムの
溶解域を利用することによって簡易な手法で接合が可能
であることを見い出し、本発明を提供することができ
た。
め660℃以上に加熱せしめる第一工程と、次いで不活
性ガス雰囲気中で加熱されたセラミックス基板の少なく
とも一面にアルミニウム板を接触させて該接触面の一部
を溶解させた後、アルミニウムの酸化被膜を破るために
加圧接合する第二工程とから成ることを特徴とするアル
ミニウム−セラミックス複合基板の製造方法である。
予め660℃以上に加熱せしめる第一工程と、次いで不
活性ガス雰囲気中で加熱されたセラミックス基板の少な
くとも一面にアルミニウム板を接触させてアルミニウム
面を溶解させた後、アルミニウムの酸化被膜を破るため
に加圧接合する第二工程と、得られた接合体上面のアル
ミニウム材表面に電子回路パターン状にレジスト膜を塗
布した後、エッチング処理を行って所望の電子回路を形
成する第三工程とから成ることを特徴とするアルミニウ
ム−セラミックス複合基板の製造方法である。
660℃以上に加熱せしめる第一工程と、次いで不活性
ガス雰囲気中で加熱されたセラミックス基板の上面に回
路状に形成したアルミニウム板を、下面にアルミニウム
平板をそれぞれ接触させてこれらの接触面を溶解させた
後、アルミニウムの酸化被膜を破るために加圧接合させ
る第二工程とから成ることを特徴とするアルミニウム−
セラミックス複合基板の製造方法である。
ては、Al2O3基板のような酸化物基板や、AlN基板
のような窒化物基板が好ましいが、基板自体を660℃
以上に加熱することから、この温度以上に耐える素材で
あれば上記以外の基板でも構わない。
のは、接合する金属板としてのアルミニウム板の接触面
を溶解させるためであり、これはアルミニウムの融点が
660℃であることによる(第一工程)。
ウム材の接触は、セラミックス基板が加熱炉から出たら
直ぐに行うが、これは基板上の温度の低下を防止しなが
ら接触させるためである。この場合、接触させるときの
雰囲気は、N2 ガスやArガスのような不活性ガス雰囲
気で行う必要がある。これはアルミニウム材の接触面の
酸化の進行を防ぐためである。
ミックス基板の熱を受け、徐々に溶解し始めるが、この
場合、アルミニウムに圧力をかけてこの酸化膜を破って
純アルミニウムの部分で接触させるようにする(第二工
程)。
のプレスにて数g/mm2 の圧力でよいが、好ましい接合を
得るために本実施例では10g/mm2 の圧力をかけた。
板形状のものか、あるいは予め電子回路形状に製造した
ものを用いる。平板形状の場合には、接合後に電子回路
パターン状にレジスト膜を塗布して、エッチング液によ
りアルミニウムの不用部分を除去して所望の電子回路を
形成し、電子回路基板を得る(第三工程)。
シンクの作用を果たすアルミニウム平板を接合するが、
この接合方法は上述のような接合法でもよいし、あるい
は公知の、ろう材を用いて接合する方法でも構わない。
説明するが、本発明法の範囲はこれらに限定されるもの
ではない。
mm×0.635mm厚のアルミナ基板を加熱炉中にて85
0℃の一定温度に30分間保持したものに、52mm×1
02mm×1mm厚のアルミニウム板をN2 ガス雰囲気下で
接触させて5分間保持し、アルミニウム接触面を溶解さ
せた。
ス基板にプレスで10g/mm2 の圧力をかけ、接触面に生
じたアルミニウムの酸化膜を破って純アルミニウム溶体
を拡散させ、これによってアルミニウム板とアルミナ基
板との接合強度の大きい接合体を得た。
板に、図1に示した回路形状のレジスト膜2を塗布した
後、エッチング処理を施し、不用部分のアルミニウムを
除去して目的とする電子回路を形成した。
は、Al−Si系ろう材を介してアルミニウム平板をヒ
ートシンク体として接合した。得られた複合基板のピー
ル強度を調べたところ5kg/cmであった。
mm×0.635mm厚のAlN基板を加熱炉中にて850
℃の一定温度に40分間保持した後、AlN基板の底面
にアルミニウム平板(52mm×102mm×1.0mm厚)
を配置し、一方、AlN基板の上面には予め図1の形状
に成形してある回路状アルミニウム板2を4組配置して
N2 ガス雰囲気下で5分間接触させた。
させ、10g/mm2 の圧力をかけて、接触面の酸化膜を破
り、純アルミニウム溶体を接触面に沿って拡散させ、接
合体を得た。得られた複合基板のピール強度を調べたと
ころ5kg/cmであった。
る接合方法であるが、接合後の強度も市販の基板と同等
であり、従来法に比較すると生産コストダウンに大幅に
寄与し得る効果を有している。
ックス複合基板の平面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 セラミックス基板を予め660℃以上に
加熱せしめる第一工程と、次いで不活性ガス雰囲気中で
加熱されたセラミックス基板の少なくとも一面にアルミ
ニウム板を接触させて、該接触面の一部を溶解させた
後、アルミニウムの酸化被膜を破るために加圧接合させ
る第二工程とから成ることを特徴とするアルミニウム−
セラミックス複合基板の製造方法。 - 【請求項2】 セラミックス基板を予め660℃以上に
加熱せしめる第一工程と、次いで不活性ガス雰囲気中で
加熱されたセラミックス基板の少なくとも一面にアルミ
ニウム板を接触させて、該接触面の一部を溶解させた
後、アルミニウムの酸化被膜を破るために加圧接合させ
る第二工程と、得られた接合体上面のアルミニウム材表
面に電子回路パターン状にレジスト膜を塗布した後、エ
ッチング処理して所望の電子回路を形成する第三工程と
から成ることを特徴とするアルミニウム−セラミックス
複合基板の製造方法。 - 【請求項3】 セラミックス基板を予め660℃以上に
加熱せしめる第一工程と、次いで不活性ガス雰囲気中で
加熱されたセラミックス基板の上面に回路状に形成した
アルミニウム板を、下面にアルミニウム平板をそれぞれ
接触させてこれらの接触面を溶解させた後、アルミニウ
ムの酸化被膜を破るために加圧接合させる第二工程とか
ら成ることを特徴とするアルミニウム−セラミックス複
合基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30868896A JP3859280B2 (ja) | 1995-11-06 | 1996-11-05 | アルミニウム−セラミックス複合基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31162495 | 1995-11-06 | ||
JP7-311624 | 1995-11-06 | ||
JP30868896A JP3859280B2 (ja) | 1995-11-06 | 1996-11-05 | アルミニウム−セラミックス複合基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09188573A true JPH09188573A (ja) | 1997-07-22 |
JP3859280B2 JP3859280B2 (ja) | 2006-12-20 |
Family
ID=26565651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30868896A Expired - Fee Related JP3859280B2 (ja) | 1995-11-06 | 1996-11-05 | アルミニウム−セラミックス複合基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3859280B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206200A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | 発光素子実装用基板、発光素子実装体、セラミックとアルミニウムの接合方法。 |
-
1996
- 1996-11-05 JP JP30868896A patent/JP3859280B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206200A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | 発光素子実装用基板、発光素子実装体、セラミックとアルミニウムの接合方法。 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3859280B2 (ja) | 2006-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH08255973A (ja) | セラミックス回路基板 | |
KR100374379B1 (ko) | 기판 | |
JP2642574B2 (ja) | セラミックス電子回路基板の製造方法 | |
JPS6032343A (ja) | パワ−半導体モジユ−ル基板 | |
JPH09188573A (ja) | アルミニウム−セラミックス複合基板の製造方法 | |
EP0833383B1 (en) | Power module circuit board | |
JPH09315876A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
JP3635379B2 (ja) | 金属−セラミックス複合基板 | |
JP3157520B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
JP2002164425A (ja) | ウエハ支持部材 | |
JPH1087385A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
JPS61121489A (ja) | 基板製造用Cu配線シ−ト | |
JPH107480A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
JP3687250B2 (ja) | 金属−セラミックス複合部材の保持治具の製造方法及び保持治具用塗布剤 | |
JPH01301866A (ja) | 窒化アルミニウム表面に金属層を形成する方法 | |
JPH09315874A (ja) | Al−セラミックス複合基板 | |
JPH059396B2 (ja) | ||
JPH01201085A (ja) | 電子部品用銅張りセラミック基板の製造方法 | |
JPH046179A (ja) | セラミックス基板と銅板との接合体 | |
JPH09286681A (ja) | 金属−セラミックス複合基板 | |
JP2001274534A (ja) | セラミックス銅回路基板およびその製造方法 | |
JPH04206897A (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
JPS60145972A (ja) | セラミックス−金属接合体 | |
JPH04206893A (ja) | セラミックス基板の製造方法 | |
JPH0264081A (ja) | 窒化アルミニュームのメタライズ法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040206 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060919 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120929 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130929 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |