JP4692908B2 - モジュール構造体 - Google Patents
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Description
(1)前記複数のセラミックス基板上の回路同士が連結部をもって電気的に結合されている。
(2)前記連結部が回路を構成する物質と同一の物質からなる。
(3)前記放熱用金属層が前記ヒートシンクにロウ材層を介して加熱接合され、前記ロウ材が、Cu、Zn、Ge、Si、Sn及びAgからなる群から選ばれる1種以上とMgとを含有するAl合金である。
(4)前記ヒートシンクが、銅、アルミニウム、またはそれらの合金のいずれかである。
(5)前記放熱用金属層とヒートシンクとの接する部分の面積がいずれも300mm 2 以下である。
セラミックス基板として、0.635mmの厚みで、レーザーフラッシュ法による熱伝導率が180W/mK、三点曲げ強さの平均値が400MPaのAlN(窒化アルミニウム)基板を表1のサイズで各種用意した。また、回路用金属板と前記AlN基板のヒートシンクに対する面(以下、基板裏面という)に接合される放熱用金属板として0.4mm厚のJIS呼称1085のAl(アルミニウム)板を表1のサイズで2枚ずつ用意した。
2 セラミックス基板
3 放熱用金属板
4 ボンディングワイヤー
5 ヒートシンク
Claims (1)
- 一主面に回路が形成され、反対の主面に放熱用金属層が接合されたセラミックス基板を複数、一つの金属製ヒートシンクの一主面上に載置してなり、上記回路上に半導体素子を半田付けすることでモジュールを製造するためのモジュール構造体であって、下記(1)〜(5)の条件を全て満たすことを特徴とするモジュール構造体。
(1)前記複数のセラミックス基板上の回路同士が連結部をもって電気的に結合されている。
(2)前記連結部が回路を構成する物質と同一の物質からなる。
(3)前記放熱用金属層が前記ヒートシンクにロウ材層を介して加熱接合され、前記ロウ材が、Cu、Zn、Ge、Si、Sn及びAgからなる群から選ばれる1種以上とMgとを含有するAl合金である。
(4)前記ヒートシンクが、銅、アルミニウム、またはそれらの合金のいずれかである。
(5)前記放熱用金属層とヒートシンクとの接する部分の面積がいずれも300mm 2 以下である。
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JPH08195471A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Hitachi Ltd | モジュール型半導体装置 |
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