JP2009206200A - Substrate for mounting light emitting element, light emitting element package, and method of bonding ceramic and aluminum - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子実装用基板、発光素子実装体、セラミックとアルミニウムの接合方法に関する。 The present invention relates to a light emitting element mounting substrate, a light emitting element mounting body, and a method for joining ceramic and aluminum.
従来から、基板の一方の主面にLED素子を載置した構成の発光デバイスが、例えば光プリンタ等の用途に広く利用されている。近年、かかる発光デバイスを照明光として利用する照明装置が開発されている。かかる発光デバイスを照明装置として利用する場合、光プリンタ等に比べて、より強い発光強度が求められ、発光素子における発熱量も比較的大きくなる。 Conventionally, a light-emitting device having a configuration in which an LED element is placed on one main surface of a substrate has been widely used for applications such as an optical printer. In recent years, lighting devices that use such light-emitting devices as illumination light have been developed. When such a light emitting device is used as a lighting device, a stronger light emission intensity is required compared to an optical printer or the like, and the amount of heat generated in the light emitting element is relatively large.
下記特許文献1には、発光デバイスの発光の特性(発光の強度や発光の放射角度、および発光の強度分布等)の温度変化による変動を抑制することを目的とした、発光素子収納用パッケージが記載されている。下記特許文献1記載の発光素子収納用パッケージでは、発光素子が実装された基体の、発光素子が実装されている側と反対側の主面に、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金やCu−W合金等の金属からなる放熱板が、銀ロウ等のロウ材を介して接合されている。
上記特許文献1記載の放熱板は、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金やCu−W合金等の金属からなり、一般的にも知られているように熱伝導性は比較的低い。また、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金やCu−W合金等の金属を、銀ロウを用いてセラミック基板と充分な強度で接合するには、これら金属の表面を、予めMo−Mnなどでメタライズしておく必要がある。例えば、基体に実装された発光素子からの発光は基体の側にも進行し、セラミックからなる基体を透過して、このMo−Mnからなるメタライズ層にも到達する。例えばMo−Mnは反射率が低く、基体を透過した分の光は、このMo−Mnからなるメタライズ層で吸収される。このように、基体を透過した光はメタライズ層で反射せず、光の損失が生じる。本願はかかる課題を解決することを目的とする。 The heat radiating plate described in Patent Document 1 is made of a metal such as an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or a Cu-W alloy, and the heat conductivity is generally known. Relatively low. In order to join a metal such as iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or Cu-W alloy with a ceramic substrate using silver brazing with sufficient strength, the surface of these metals is It is necessary to metallize in advance with Mo-Mn or the like. For example, light emitted from the light emitting element mounted on the base also travels toward the base, passes through the base made of ceramic, and reaches the metallized layer made of Mo-Mn. For example, Mo-Mn has a low reflectivity, and the amount of light transmitted through the substrate is absorbed by the metallized layer made of Mo-Mn. In this way, the light transmitted through the substrate is not reflected by the metallization layer, and light loss occurs. The present application aims to solve such a problem.
上記課題を解決するために、本願発明は、一方の主面に発光素子が実装されるセラミック基板の他方の主面に、アルミニウム体が接合されており、前記アルミニウム体は前記他方の主面と当接し、前記アルミニウム体の当接面が前記他方の主面に応じた形状となっていることを特徴とする発光素子実装用基板を提供する。 In order to solve the above problems, the present invention is such that an aluminum body is joined to the other main surface of a ceramic substrate on which a light emitting element is mounted on one main surface, and the aluminum body is connected to the other main surface. Provided is a substrate for mounting a light emitting element, characterized in that the contact surface of the aluminum body has a shape corresponding to the other main surface.
なお、前記一方の主面に、前記発光素子が実装される導電パターンが設けられており、前記アルミニウム体は、前記導電パターンと対向する領域を覆って設けられていることが好ましい。 In addition, it is preferable that the one main surface is provided with a conductive pattern on which the light emitting element is mounted, and the aluminum body is provided so as to cover a region facing the conductive pattern.
また、前記セラミック基板はアルミナからなることが好ましい。 The ceramic substrate is preferably made of alumina.
本発明は、また、上述の発光素子実装用基板と、前記発光素子実装用基板の前記一方の主面に実装された発光素子と、を備えることを特徴とする発光素子実装体を併せて提供する。 The present invention also provides a light emitting element mounting body comprising the light emitting element mounting substrate described above and a light emitting element mounted on the one main surface of the light emitting element mounting substrate. To do.
また、前記発光素子は、LED素子であってもよい。 Further, the light emitting element may be an LED element.
本発明は、また、セラミック基板表面にアルミニウム基板を載置した集合体を、アルミニウムの融点より高い第1の温度範囲で第1の熱処理を施した後、400℃以下の温度まで降温させ、降温後、前記集合体をアルミニウムの融点未満の第2の温度範囲まで昇温させて第2の熱処理を施すことで、前記セラミック基板と前記アルミニウム基板とを接合することを特徴とする、セラミックとアルミニウムの接合方法を併せて提供する。 In the present invention, the assembly in which the aluminum substrate is placed on the surface of the ceramic substrate is subjected to a first heat treatment in a first temperature range higher than the melting point of aluminum, and then the temperature is lowered to 400 ° C. or lower. Thereafter, the ceramic substrate and the aluminum substrate are joined by raising the temperature of the aggregate to a second temperature range lower than the melting point of aluminum and performing a second heat treatment. The joining method is also provided.
なお、前記第1の温度範囲は660〜680℃であり、前記第2の温度範囲は600〜650℃であることが好ましい。 In addition, it is preferable that the said 1st temperature range is 660-680 degreeC, and the said 2nd temperature range is 600-650 degreeC.
なお、前記第1の温度範囲での熱処理は、真空または還元雰囲気にて行うことが好ましい。 Note that the heat treatment in the first temperature range is preferably performed in a vacuum or a reducing atmosphere.
また、前記第1の熱処理は、前記アルミニウム基板の側から前記セラミック基板にかかる圧力を0.1〜2kPaとして行うことが好ましい。 The first heat treatment is preferably performed at a pressure applied to the ceramic substrate from the aluminum substrate side of 0.1 to 2 kPa.
また、前記第2の熱処理は、前記アルミニウム基板の側から前記セラミック基板にかかる圧力を10kPa 以上として行うことが好ましい。 The second heat treatment is preferably performed with a pressure applied to the ceramic substrate from the aluminum substrate side being 10 kPa or more.
本発明の発光素子実装用基板によれば、基板に実装された発光素子からの発光を、効率良く照射することができる。また、発光素子において発生した熱を、基板に直接接合したアルミニウムを介して効率良く放熱させることができる。本発明の発光素子実装体によれば、発光素子からの発光を効率良く照射することができ、かつ、発光素子による発熱を効率良く放熱させることができる。また、本発明のセラミックとアルミニウムの接合方法によれば、セラミック基板とアルミニウム基板とを、比較的高い接合強度で直接接合させることができる。また、本発明のセラミックとアルミニウムとの接合方法によれば、放熱性および光照射性に比較的優れた、セラミックとアルミニウムとの接合体を作製することができる。 According to the light emitting element mounting substrate of the present invention, light emitted from the light emitting element mounted on the substrate can be efficiently irradiated. In addition, heat generated in the light emitting element can be efficiently radiated through aluminum directly bonded to the substrate. According to the light emitting element mounting body of the present invention, light emitted from the light emitting element can be efficiently irradiated, and heat generated by the light emitting element can be efficiently radiated. Moreover, according to the method for bonding ceramic and aluminum according to the present invention, the ceramic substrate and the aluminum substrate can be directly bonded with a relatively high bonding strength. In addition, according to the method for bonding ceramic and aluminum according to the present invention, a bonded body of ceramic and aluminum that is relatively excellent in heat dissipation and light irradiation properties can be produced.
以下、本発明の発光素子実装体の一実施形態について、詳細に説明する。図1(a)は、本発明の発光素子実装体の一実施形態であるLED照明デバイス10について説明する概略斜視図であり、図1(b)は、図1(a)の一部を拡大して示す概略断面図である。
Hereinafter, an embodiment of a light emitting element mounting body of the present invention will be described in detail. Fig.1 (a) is a schematic perspective view explaining the
図1に示すLED照明デバイス10は、発光素子実装用基板11に、複数のLED素子16が実装されて構成されている。発光素子実装用基板11は、例えばAuからなる導体パターン18が表面に設けられたセラミック基板12と、アルミニウム層14とを備えて構成されている。
The
本実施形態のLED照明デバイス10は、所望の照射領域に向けて比較的大きな光量を照射するための、光の照射装置として用いられる。光の照射装置としてLED照明デバイスを用いる場合、LED照明デバイス10から照射される光の光量は、より大きい方が好ましい。このために、セラミック基板12の表面には、LED素子16が比較的高密度かつ比較的多数実装されている。LED照明デバイス10の有すべき特性としては、光の照射方向(本実施形態では図1の上側方向)に向けて、より大きな光量の光を照射できることが挙げられる。また、単位面積当たりに実装されるLED素子16を比較的多くし、所定面積辺りの発光を大きくした場合、所定面積当たりに投入されるエネルギー量(エネルギー密度)も大きくなり、単位面積当たりの発熱量も大きくなる。このため、LED照明デバイス10では、セラミック基板12から、発光素子16からの発熱を効率的に放射し、発光デバイスの温度上昇を抑制することも求められる。本実施形態のLED照明デバイス10は、係る特性の双方を備えるものである。
The
本実施形態では、セラミック基板12としてアルミナを主成分とする基板を用いている。セラミック基板は、例えば酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミック等を主成分とするセラミックから成る絶縁体等であってもよく、特に限定されない。導体パターン18は、例えばAuからなる導電性パターンであって、発光素子であるLED素子16を実装するための搭載部18aから配線18bが延びた形状となっている。
In the present embodiment, a substrate mainly composed of alumina is used as the
搭載部18a には、LED素子16が載置・固定されている。本実施形態のLED素子16は、例えば、サファイア基板16b表面に、発光部をなす半導体層16aや図示しない電極層等が積層されて構成されたLED素子である。サファイア基板16bの例えばc面は、GaN系の結晶相(本実施形態における半導体層16a)の気相成長に適しており、LED素子を作製する上での基体(土台基板)として好適である。
The
LED素子16は、セラミック基板12の導体パターン18の搭載部18aに、フェイスダウン方式で、金バンプまたは半田バンプ17によって接合されている。ここで、フェイスダウン方式とは、サファイア基板16bの側と発光部をなす半導体層16aの側とのうち、半導体層16aの側をセラミック基板12の側に向けて実装する方式をいう。LED素子16の、半導体層16aの側の表面には図示しない電極が設けられており、半導体層16aの電極は、金バンプまたは半田バンプ17を介して導体パターン18と電気的に接続されている。
The
LED素子16は、例えば導体パターン18を介して外部から電圧が印加され、印加された電圧に応じて、発光部である半導体層16aから発光する。LED素子16の発光部(半導体層16a )から発光された光は、LED素子16のサファイア基板16bを透過して、このサファイア基板16bの側から図1の上側に向けて照射される。
For example, a voltage is applied to the
アルミニウム層14は、セラミック基板12の、LED素子16が実装されている側と反対の側の主面(他方の主面)に、アルミニウム基板が直接接合されて構成されている。本実施形態のアルミニウム層14は、セラミック基板12の他方の主面にアルミニウム基板が当接された状態で、アルミニウム基板がアルミニウムの融点以上の温度(例えば約660℃)以上の温度範囲まで加熱されるとともに、セラミック基板12の側に押圧され、その後に降温されて接合されている。すなわち、アルミニウム基板の少なくとも表面が溶融した状態で、溶融アルミニウムがセラミックに押し付けられて接合されている。
The
図2は、セラミック基板12とアルミニウム層14との接合界面の部分を拡大して表す概略断面図である。アルミニウム層14は、アルミニウム基板が一旦融点以上まで加熱されて溶融され、溶融された状態でセラミック基板12に押し付けられて接合されている。このため、セラミック基板12とアルミニウム層14との接合界面の部分では、アルミニウム層14はセラミック基板12の表面の微細形状に応じた形状となっている。すなわち、アルミナを主成分とするセラミック基板12表面の微細な凹部の内部にまで、アルミニウム層14が侵入した状態となっている。このため、セラミック基板12とアルミニウム層14とは、接触面積が比較的大きくなっている。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged portion of the bonding interface between the
セラミック基板12とアルミニウム層14との接触面積が比較的大きいので、セラミック基板12とアルミニウム層14との界面における分子間力等も比較的大きい。加えて、いわゆるアンカー効果といわれる、微小な機械的係合についても、比較的大きくなっている。本実施形態のLED照明デバイス10では、セラミック基板12にアルミニウム層14が比較的強固に接合している。
Since the contact area between the
また、アルミニウムは、熱伝導率が約240(W/mK)と比較的大きいことが知られている。加えて、セラミック基板12とアルミニウム層14との接触面積が比較的大きいので、セラミック基板12からアルミニウム層14への熱エネルギーの熱伝導率も比較的大きい。また、アルミニウムは反射率が比較的高く、例えば500nmの波長の光に対する反射率が約90%となっている。
Aluminum is known to have a relatively high thermal conductivity of about 240 (W / mK). In addition, since the contact area between the
本実施形態のLED照明デバイス10では、LED素子16の発光部(半導体層16a )から発光された光の大部分は、LED素子16から上側方向すなわちサファイア基板16bを通して上方に向けて照射される。サファイア基板16bは、一般的な単結晶サファイア基板であって、例えば厚さ0.4mmの基板で、例えば450nm〜700nmの波長範囲の光に対する透過率は80〜85%となっている。また、反射防止処理をした場合など、サファイア基板16aの透過率は、透過率95%以上とより高くすることも可能である。LED素子16の半導体層16aで発光した光は、この上側(サファイア基板16bの側)へ進行するのに加えて、下側(セラミック基板12に向かう側)へも進行する。
In the
下側に向けて進行する光の一部は、半導体層16a の表面に設けられた電極(図示せず)や、セラミック基板12の表面に設けられた導体パターン18に反射され、上側(図1(b)における上側)に反射される。しかし、半導体層16aで発光した一部の光は、半導体層16a表面の電極や、セラミック基板12表面の導体パターンの間を通り、セラミック基板12表面にも入射する。
Part of the light traveling toward the lower side is reflected by an electrode (not shown) provided on the surface of the
かかる構成のLED照明デバイス10では、LED素子16の発光部(半導体層16b)から発光された光の一部は、サファイア基板16aを透過した後、セラミック基板12をも透過していく。本実施形態のLED照明デバイス10では、セラミック基板12の、LED素子16が実装されている側と反対の側にアルミニウム層14が設けられている。LED照明デバイス10では、発光素子16aから発光されて下側に進行する光のうち、セラミック基板12を透過した光は、このアルミニウム層14によって反射され、LED素子16が実装されている側に向けて進行する。
In the
上述のように、アルミニウムは反射率が比較的高く、セラミック基板12を透過した光は、アルミニウム層14によって比較的高い反射率で反射される。また、本実施形態のLED照明デバイス10では、アルミナ製のセラミック基板12表面の微細な凹部の内部にまで、アルミニウム層14が侵入した状態となっており、セラミック基板12とアルミニウム層14との接合界面部分における空洞などの欠陥も、比較的少なくされている。セラミック基板12とアルミニウム層14との界面に、空洞部等の欠陥部分が比較的大きい場合、サファイア基板16aおよびセラミック基板12を透過した光が、この空洞部分で繰り返し反射することで生じる光の損失が、比較的大きくなる。本実施形態のLED照明デバイス10では、セラミック基板12とアルミニウム層14との界面に、このような空洞が比較的少ないので、かかる界面での反射による光の損失も比較的少ない。
As described above, aluminum has a relatively high reflectance, and light transmitted through the
また、本実施形態の発光素子実装用基板11では、例えばメタライズ層やロウ材などの中間層を介することなく、セラミック基板12に対して、反射率が比較的高いアルミニウム層が直接接合されている。このため、セラミック基板12を進行した光が、接合界面の中間層等によって吸収されることもない。本実施形態の発光素子実装用基板11によれば、セラミック基板12を透過した光は、アルミニウム層14によって比較的良好に反射され、LED素子16が実装されている側に向けて進行する光の量も、比較的大きくされる。
Further, in the light emitting
このように、本実施形態のLED照明デバイス10によれば、LED素子16の発光部(半導体層16b)における発光を、所望の照射方向(すなわち、図1における上側方向)に向けて、効率良く照射することができる。
Thus, according to the
このLED照明デバイスを光の照射装置に用いる場合など、所望の照射領域に向けて比較的大きな光量を照射するために、セラミック基板12にLED素子16を、比較的高密度かつ比較的多数実装する必要がある。この場合、単位面積当たりに実装されるLED素子16を比較的多くし、所定面積辺りの発光を大きくすることができるが、一方で所定面積当たりに投入されるエネルギー量(エネルギー密度)も大きくなり、単位面積当たりの発熱量も大きくなる。このため、LED照明デバイス10では、セラミック基板12から、発光素子16からの発熱を効率的に放射し、発光デバイスの温度上昇を抑制することが好ましい。
In order to irradiate a relatively large amount of light toward a desired irradiation region, such as when this LED illumination device is used in a light irradiation apparatus, a relatively high density and a relatively large number of
本実施形態のLED照明デバイス10では、上述のように、セラミック基板12からアルミニウム層14への熱エネルギーの熱伝導率も比較的大きい。このため、LED素子16の発光にともなって発生した熱エネルギーは、LED素子16から金バンプまたは半田バンプ17を通してセラミック基板12に伝わった後、セラミック基板12からアルミニウム層14に良好に伝わり、アルミニウム層14から効率的に放射される。このため、本実施形態のLED照明デバイス10では、複数のLED素子14を比較的多数、比較的高密度に実装した場合であっても、発光デバイスの温度上昇を抑制することができ、ひいては発光デバイスの動作不良等の発生も抑制することができる。
In the
このように、本実施形態のLED照明デバイス10によれば、発光素子からの発光を、所望の照射方向に向けて比較的効率的に照射することができ、かつ、LED素子16で発生した熱エネルギーを、アルミニウム層14から比較的高い効率で放射して、LED素子16ひいてはLED照明デバイス10の温度上昇を比較的低減させることができる。
Thus, according to the
本実施形態のLED照明デバイス10では、発光素子実装用基板11の表面に複数のLED素子16が実装されているが、発光素子実装用基板表面に実装されるLED素子は1つでもよく、LED素子の数は特に限定されない。また、発光素子実装用基板11表面に実装される発光素子は、LD素子などであってもく、特に限定されない。
In the
本実施形態の半導体素子実装用基板11は、例えば以下の方法によって作製すればよい。従来、セラミックとアルミニウムとを、充分な強度で直接接合することができる具体的手段は知られていなかった。下記の接合方法は、セラミックとアルミニウムとを充分な強度で接合し、かつ熱伝導率および反射率を低減させ得る構成について、本願発明者が鋭意検討するとともに種々の試行錯誤を行った結果、見出された方法である。
What is necessary is just to produce the board |
図3は、本発明のセラミックとアルミニウムの接合方法の、一実施形態について説明する概略断面図である。図4は、本発明のセラミックとアルミニウムの接合方法の一実施形態のフローチャート図である。 FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating an embodiment of the method for joining ceramic and aluminum according to the present invention. FIG. 4 is a flow chart of one embodiment of the ceramic and aluminum joining method of the present invention.
本実施形態では、セラミック基板の一例であるアルミナ基板12と、アルミニウム層14の前駆体であるアルミニウム基板14´とを接合し、例えばLED素子16を実装するための発光素子実装用基板11を作製する。
In the present embodiment, an
まず、アルミニウム基板14´と、セラミック基板の一例であるアルミナ基板12とおもり26とを準備する(図3(a)、ステップS102)。本実施形態では、アルミニウム基板14´として、例えば、アルミニウム純度が99.5%、基板面の大きさが約45mm×約45mm、厚さが約0.3mmの基板を準備する。また、アルミナ基板12として、例えば、アルミナ純度が99%、基板面の大きさが約50mm×約50mm、厚さが約0.4mmの基板を準備する。なお、本実施形態のアルミナ基板12の一方の基板面には、タングステン(W)、Mo、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)のいずれかよりなる導体パターン18(図3においては図示せず)が予め設けられている。
First, an aluminum substrate 14 ', an
導体パターン18が例えばタングステン(W)からなる場合、同時焼成技術により、アルミナなどのグリーンシートにタングステン厚膜ペーストを印刷して、水素雰囲気中で約1600℃で焼成して作製すればよい。また導体パターン18がモリブデン(Mo)からなる場合、Mo−Mnメタライズ技術により、アルミナなどのセラミックス基板にMo−Mnペーストを印刷し、水素雰囲気、約1400℃で焼成して作製すればよい。また、導体パターン18が例えばAuまたはAgからなる場合、厚膜ペーストをセラミックス基板に印刷し、大気雰囲気で約900℃にて焼成して作製すればよい。また、導体パターン18がCuからなる場合、厚膜のCuペーストをセラミックス基板に印刷し、窒素雰囲気、約800℃で焼成して作製すればよい。また、導体パターン18がAuとAlとからなる場合、真空蒸着やスパッタリングなどの薄膜技術を用いて作製することができる。また、これらの導体パターン18の表面には、LED素子16の半田付のために、ニッケルめっきや錫めっきなどは適宜施されていてもよい。
When the
次に、これらセラミック基板12とアルミニウム基板14´とが重ねられた集合体20を真空炉内に配置し、アルミニウム基板14´の上面におもり26を載置する(図4(b)、ステップS104)。真空炉内では、セラミック基板12を真空炉内の所定のステージ上に載置し、このセラミック基板12の上面に、アルミニウム基板14´とおもり26とを載置する。なお、セラミック基板12は、図示しない導体パターン18と上記ステージとが当接するよう(すなわち、導体パターン18が設けられている側の基板面を下向きにして)、ステージ上に配置する。セラミック基板12とアルミニウム基板14と´(集合体20)とおもり26とを真空炉(図示せず)に載置する際、真空炉内の温度は室温(約20℃)とする。なお、このおもり26の重さは、アルミニウム基板14´の側からセラミック基板12の側にかかる圧力が0.1〜2kPaとなるよう調整されている。
Next, the
次に、真空炉内の温度を制御することで、ステージ上に載置した集合体20に対して第1の熱処理を行う(ステップS106)。真空炉内には、セラミック製もしくはカーボン製のステージが備えられており、このステージは、同じく真空炉内に配置された円筒状のステンレスチャンバ内に配置されている。ステンレスチャンバの周囲には、モリブデン(Mo)ヒーターが配置されており、このMoヒーターが昇温することで、ステージに載置された集合体20が加熱される。第1の熱処理では、まず、真空炉内を真空引き(すなわち排気)し、真空炉内を比較的低圧力とする。例えば、真空炉を、10−2Pa以下の圧力になるまで排気する。第1の熱処理では、真空炉内を10−2Pa以下の圧力とした状態で、集合体20が660〜680℃の温度となるよう、真空炉内の温度を制御する。本実施形態に用いる真空炉では、ステージの上に載置された集合体20の近傍に配置された温度センサと、このセンサによる計測値に応じて上記Moヒーターによる加熱を制御する制御手段と、を備えている。センサによる計測値は、集合体20の温度と略一致することが確認されている。具体的には、上記ステージには、集合体20が載置される側と反対側の面に、熱電対型の温度センサが設けられている。熱電対による計測温度は、同時刻におけるステージの温度および集合体20の温度と、高い精度で一致している。本実施形態では、上記温度センサの時系列の温度プロファイルを制御することで、集合体20の温度を時系列に制御する。
Next, a first heat treatment is performed on the
本実施形態では、例えば室温から10℃/分の温度プロファイルで昇温させ、660℃〜680℃の範囲で約60分保持させた後、アルミニウムの融点未満の温度で、かつ取り扱い可能な温度(例えば400℃以下)まで自然冷却させる。本実施形態では、例えば室温まで自然冷却させる。 In the present embodiment, for example, the temperature is raised from room temperature to a temperature profile of 10 ° C./min, held in the range of 660 ° C. to 680 ° C. for about 60 minutes, and then at a temperature lower than the melting point of aluminum and a handleable temperature ( For example, it is naturally cooled to 400 ° C. or less. In this embodiment, it is naturally cooled to room temperature, for example.
比較的高純度のアルミニウム基板14´の融点は、ほぼ660℃である。この第1の熱処理では、熱処理温度がアルミニウムの融点である660℃より高いために、アルミニウム基板14´が溶融し、表面の酸化皮膜が破れ、酸化皮膜ではなく溶融したアルミニウムがセラミック表面に接触する。このため、本実施形態では、アルミニウム原子とセラミック(アルミナ)表面の酸素イオンとが結合し、アルミニウム基板14´の表面とセラミック基板12との表面が、比較的強固に接合する。この際、溶融したアルミニウムが、セラミック基板12の表面の空孔や、比較的小さな凹凸の表面にまで浸透し、固化する。このため、アルミニウム基板14の表面とセラミック基板12との表面との接合部において、比較的強固なアンカー効果が生じ、セラミック基板12の表面とアルミニウム基板14´の表面とが比較的強固に結合する。
The melting point of the relatively high
また、本実施形態では、第1の熱処理の際の熱処理温度を660℃〜680℃、圧力を0.1〜2kPaに設定している。第1の熱処理の際の熱処理温度を、アルミニウムの融点温度以上である660℃以上とすることで、セラミック基板12とアルミニウム基板14´の表面とを、比較的強固に接合することができる。また、第1の熱処理の際の熱処理温度を680℃未満とすることで、溶融したアルミニウム(アルミニウム基板14´の表面)とセラミック基板12表面との濡れ性は比較的良好にし、セラミック基板12表面に一様に分布したアルミニウム層が形成される。また、アルミニウム基板14´の側からセラミック基板12の側にかかる圧力の大きさを、0.1kPa以上2kPa未満とすることで、熱処理後のアルミニウム層の平坦性を比較的良好にすることができる。
Moreover, in this embodiment, the heat processing temperature in the case of 1st heat processing is set to 660 degreeC-680 degreeC, and the pressure is set to 0.1-2 kPa. By setting the heat treatment temperature in the first heat treatment to 660 ° C. which is higher than the melting point temperature of aluminum, the
また、熱処理温度が680℃より高いと溶融したアルミニウムとセラミックス基板との濡れ性が悪くなり、連続したアルミニウムの皮膜が得られない。また、荷重が0.1kPa未満では溶融したアルミニウムが表面張力によって丸みを帯び、表面の平坦性が低下する。荷重が2kPaを超えると荷重によって溶融したアルミニウムが基板の外側に押し出されてしまう。 On the other hand, if the heat treatment temperature is higher than 680 ° C., the wettability between the molten aluminum and the ceramic substrate deteriorates, and a continuous aluminum film cannot be obtained. On the other hand, when the load is less than 0.1 kPa, the molten aluminum is rounded by the surface tension, and the flatness of the surface is lowered. When the load exceeds 2 kPa, aluminum melted by the load is pushed out of the substrate.
尚、荷重に使用するおもりとしては特に限定されないが、アルミニウムに直接接する面には、炭素(C)を主成分とするカーボン板が望ましい。例えばカーボン板とは、主成分として炭素(C)を80%以上含む基板である。カーボン板の場合、アルミニウムと接して起こる化学反応も比較的少なく、アルミニウムを溶融して冷却した後、アルミニウムからカーボン板を比較的容易に除去することができる。また、第1の熱処理における雰囲気を、真空もしくは水素ガスなどを含んだ還元雰囲気とすると、アルミニウムを溶融させるだけでアルミニウム表面の酸化皮膜を除去することができる。 In addition, although it does not specifically limit as a weight used for a load, The carbon plate which has carbon (C) as a main component is desirable for the surface which touches aluminum directly. For example, a carbon plate is a substrate containing 80% or more of carbon (C) as a main component. In the case of a carbon plate, there are relatively few chemical reactions that occur in contact with aluminum, and after melting and cooling aluminum, the carbon plate can be removed from aluminum relatively easily. Further, when the atmosphere in the first heat treatment is a reducing atmosphere containing vacuum or hydrogen gas, the oxide film on the aluminum surface can be removed simply by melting aluminum.
次に、真空炉を大気開放して、ステージ上の集合体20の上面(アルミニウム基板14´の上面)に、おもり28を載置する(図3(c)、ステップS108)。この段階では、上述のように、アルミニウム基板14´とセラミック基板12とが、表面で接合されている(本明細書では、この接合された状態についても、引き続き集合体20と称する)。本実施形態では、例えば、基板面の大きさが約50mm×50mmで厚さが約10mmのSUS304製の基板を、おもり28として用いる。本実施形態では、アルミニウム基板14´の上面に加わる圧力、ひいては、アルミニウム基板14´とセラミック基板12との接合界面にかかる圧力は10kPa以上とする。この圧力は、おもり28の質量で制御することができる。尚、荷重に使用するおもりとしては特に限定されないが、アルミニウムに直接接する面には、炭素(C)を主成分とするカーボン板が望ましい。
Next, the vacuum furnace is opened to the atmosphere, and the
次に、おもり28が載置された集合体20に対して、第2の熱処理を行う(ステップS110)。第2の熱処理でも、第1の熱処理と同様、まず、真空炉内を真空引き(すなわち排気)し、真空炉内を比較的低圧力とする。例えば、真空炉を、10−2Pa以下の圧力になるまで排気する。第2の熱処理では、真空炉内を10−2Pa以下の圧力とした状態で、集合体10が600℃〜650℃の温度となるよう、真空炉内の温度を制御する。第2の熱処理も、第1の熱処理と同様、例えば室温から10℃/分の速さで昇温させ、600℃〜650℃の範囲で1時間以上保持した後、室温まで自然冷却させることで行う。この第2の熱処理では、基板全体に10kPa以上の荷重を加えながら、600〜650℃で1時間以上、再熱処理する。第2の熱処理では、ステージ上の集合体20をアルミニウムの融点(約660℃)未満の温度まで加熱するとともに、アルミニウム基板14´からセラミック基板12に向けて圧力を印加する。これにより、第1の熱処理において生じた集合体20の反りを、低減させることができる。
Next, a second heat treatment is performed on the aggregate 20 on which the
アルミニウムの熱膨張率は23ppm/Kであり、セラミックの熱膨張率である5〜7ppm/Kと大きく異なっている。第1の熱処理によって比較的強固に接合された集合体20では、この熱膨張率の相違に起因した反りが発生することもある。本実施形態では、第2の熱処理を実施することで、第1の熱処理によって発生した反りを低減させることができる。 The thermal expansion coefficient of aluminum is 23 ppm / K, which is very different from 5-7 ppm / K, which is the thermal expansion coefficient of ceramic. In the aggregate 20 bonded relatively firmly by the first heat treatment, warping due to this difference in thermal expansion coefficient may occur. In the present embodiment, the warpage generated by the first heat treatment can be reduced by performing the second heat treatment.
なお、本実施形態では、アルミニウム基板14´の厚みは、セラミックス基板12の厚みよりも小さいことが好ましい。この場合、第1の熱処理および第2の熱処理の後に生じている接合体20の反りの量を、比較的小さくすることができる。接合体20の反りの量が比較的小さい場合、例えばLED素子を実装する際、半田ボイドの発生やチップ割れといった不具合の発生を比較的抑制することができる。
In the present embodiment, the thickness of the
最後に、真空炉内から、アルミニウム基板14´とセラミック基板12とが接合した接合体20と、おもり28とを取り出す(ステップS112)。上述のように、おもり28と接合体20とは接合しておらず、おもり28を取り除くことで、セラミック基板12の表面にアルミニウム層14が接合された半導体素子実装用基板11が得られる(図1(d))。半導体素子実装用基板11は、上述のように、絶縁体であるセラミック基板12と、伝熱性が比較的高いアルミニウム基板14´と、が比較的強固に結合された基板である。また、半導体素子実装用基板11は、反り等も比較的小さい。また、上述のように、第1の熱処理工程において、溶融したアルミニウムが、セラミック基板12の表面の空孔や、比較的小さな凹凸の表面にまで浸透し固化している。このため、ミクロンオーダーやサブミクロンオーダーより小さなオーダーまで考慮した場合、セラミック基板12の表面と、アルミニウム基板14´との表面との接触面積が比較的大きい。このため、半導体素子実装用基板11は、セラミック基板12から、アルミニウム基板14´への熱の伝導効率も比較的高い。
Finally, the joined
以下、図3および図4に示す作製方法によって作製した、アルミニウム基板とセラミック基板との接合処理の結果を示す。下記表1は、図4に示すフローに沿って行った、アルミニウム基板とセラミック基板と、の接合処理の結果を示している。下記表1には、各実験例1〜19それぞれにおける条件それぞれと、第1の熱処理工程(図4におけるステップS104)における接合結果、および第2の熱処理工程(図4におけるステップS110)における処理結果、とをそれぞれ示している。 Hereinafter, the result of the bonding process between the aluminum substrate and the ceramic substrate manufactured by the manufacturing method shown in FIGS. 3 and 4 is shown. Table 1 below shows the result of the joining process between the aluminum substrate and the ceramic substrate performed along the flow shown in FIG. Table 1 below shows the conditions in each of Experimental Examples 1 to 19, the bonding result in the first heat treatment step (step S104 in FIG. 4), and the treatment result in the second heat treatment step (step S110 in FIG. 4). , And.
なお、セラミック基板には、純度99%のアルミナ基板(50mm×50mm)を、アルミニウム(Al)板は、純度99.5%の板(45mm×45mm)を用いた。表1における「熱処理の雰囲気」は、真空炉内の雰囲気を示し、「熱処理の雰囲気」が「真空」とは、真空炉内を10−2Pa程度の低圧力雰囲気としたことを示す。また、「熱処理の雰囲気」がH2とは、雰囲気炉内を水素(H2)雰囲気としたことを示し、「熱処理の雰囲気」がN2とは、雰囲気炉内を窒素(N2)雰囲気としたことを示している。また、第1の熱処理の昇温速度は10℃/分、保持時間は1時間でおこなった。第2の熱処理の昇温速度は10℃/分、保持時間は40〜80分でおこなった。第2の熱処理の荷重には、おもりとして50mm×50mm、厚み3mmのSUS304を用いた。 Note that a 99% pure alumina substrate (50 mm × 50 mm) was used as the ceramic substrate, and a 99.5% pure plate (45 mm × 45 mm) was used as the aluminum (Al) plate. The “heat treatment atmosphere” in Table 1 indicates the atmosphere in the vacuum furnace, and the “heat treatment atmosphere” “vacuum” indicates that the vacuum furnace is in a low pressure atmosphere of about 10 −2 Pa. “Heat treatment atmosphere” means H 2 indicates that the atmosphere furnace is in a hydrogen (H 2 ) atmosphere, and “heat treatment atmosphere” means N 2 means that the atmosphere furnace is in a nitrogen (N 2 ) atmosphere. It shows that. The temperature increase rate of the first heat treatment was 10 ° C./min, and the holding time was 1 hour. The temperature increase rate of the second heat treatment was 10 ° C./min, and the holding time was 40 to 80 minutes. As a load for the second heat treatment, SUS304 having a weight of 50 mm × 50 mm and a thickness of 3 mm was used.
なお、本実施例では、第1の熱処理の後ピーリング試験を行って、アルミニウムとセラミックスとの接合強度は充分か否かを判定した。ピーリング試験は、2mm巾の銅板をエポキシ接着剤でAlに接着し、銅板を引き剥がしたときの強度が10N以上を合格とした。表1における「接合不良」は、このピーリング試験の結果が不良であること、すなわち、アルミニウムとセラミックスとの接合強度が比較的低いことを示している。また、表1における「欠陥あり」とは、セラミックスの表面においてアルミニウムが凝集しており、アルミニウム基板の側にセラミックス基板の一部が表れている状態を示している。また、本実施例では、第2の熱処理の後、基板の反り量の測定を行い、反りが充分に小さいか否かの判定を行った。この反りについては、50mm×50mmの基板の対角線長さ方向に高さゲージで測定して、500μm以下を合格とした。 In this example, a peeling test was performed after the first heat treatment to determine whether the bonding strength between aluminum and ceramics was sufficient. In the peeling test, a 2 mm wide copper plate was bonded to Al with an epoxy adhesive, and the strength when the copper plate was peeled off was 10 N or more. “Bad joint failure” in Table 1 indicates that the result of the peeling test is poor, that is, the joint strength between aluminum and ceramics is relatively low. Further, “with defects” in Table 1 indicates a state in which aluminum is aggregated on the surface of the ceramic and a part of the ceramic substrate appears on the aluminum substrate side. In this example, the amount of warpage of the substrate was measured after the second heat treatment, and it was determined whether the warpage was sufficiently small. About this curvature, it measured with the height gauge in the diagonal length direction of the board | substrate of 50 mm x 50 mm, and made 500 micrometers or less into the pass.
実験例1〜6を比較してわかるように、第1の熱処理温度が650℃以下の場合、アルミニウムとセラミックスとの接合強度は比較的小さくなっている。また、第1の熱処理温度が690℃以上の場合、第1の熱処理の最中に、アルミニウムの溶融の程度が大きくなり過ぎ、アルミニウムに欠陥が生じている。一方、第1の熱処理温度が、660℃〜680℃の範囲にある場合、アルミニウムとセラミックスとの接合強度を、充分に大きくすることができる。また、第1の熱処理における雰囲気を窒素(N2)とした実験例7では、第1の熱処理の後の、セラミックスとアルミニウムとの接合強度は比較的小さくなった。一方、第1の熱処理における雰囲気を、還元性雰囲気である水素(H2)とした実験例8では、第1の熱処理の後の、セラミックスとアルミニウムとの接合強度を、充分に大きくすることができた。 As can be seen by comparing Experimental Examples 1 to 6, when the first heat treatment temperature is 650 ° C. or lower, the bonding strength between aluminum and ceramics is relatively small. Further, when the first heat treatment temperature is 690 ° C. or higher, the degree of melting of the aluminum becomes too large during the first heat treatment, and the aluminum has a defect. On the other hand, when the first heat treatment temperature is in the range of 660 ° C. to 680 ° C., the bonding strength between aluminum and ceramics can be sufficiently increased. In Experimental Example 7 where the atmosphere in the first heat treatment was nitrogen (N 2 ), the bonding strength between the ceramic and aluminum after the first heat treatment was relatively small. On the other hand, in Experimental Example 8 in which the atmosphere in the first heat treatment is hydrogen (H 2 ), which is a reducing atmosphere, the bonding strength between the ceramic and aluminum after the first heat treatment can be sufficiently increased. did it.
また、実験例9〜12を比較してわかるように、第2の熱処理温度が590℃以下の場合、アルミニウムとセラミックスとの接合体の反り量を、充分に小さくすることができない。また、第1の熱処理温度が660℃以上の場合、アルミニウムが溶融してしまうためにアルミニウムの結晶が成長せず、接合体の反りを小さくすることができない。一方、第2の熱処理温度が、600℃〜650℃の範囲にある場合、アルミニウムとセラミックスとの接合体の反り量を、充分に小さくすることができる。また、実験例20〜23に示されるように、0.1〜2kPaの範囲にある場合、表面状態の良好な基板が得られる。 Further, as can be seen by comparing Experimental Examples 9 to 12, when the second heat treatment temperature is 590 ° C. or lower, the warpage amount of the joined body of aluminum and ceramics cannot be sufficiently reduced. Further, when the first heat treatment temperature is 660 ° C. or higher, aluminum melts, so that aluminum crystals do not grow, and the warpage of the bonded body cannot be reduced. On the other hand, when the second heat treatment temperature is in the range of 600 ° C. to 650 ° C., the warpage amount of the joined body of aluminum and ceramics can be sufficiently reduced. Moreover, as shown in Experimental Examples 20 to 23, when the thickness is in the range of 0.1 to 2 kPa, a substrate having a good surface state is obtained.
表1における第1の熱処理結果、および表2における第2の熱処理結果の双方が○である各実験例で得られた、アルミニウム基板とセラミック基板との接合体は、接合強度および熱特性の双方が比較的高いとともに、表面の平坦性も比較的高く、半導体素子実装用基板として特に好適に使用できるものである。なお、上記表1、2に示す各例では、セラミック基板としてアルミナを用いたが、本願発明者は、セラミック基板として窒化アルミニウム基板を用いても、上記表1、2に示す結果と同様の結果が得られることを確認している。 The joined body of the aluminum substrate and the ceramic substrate obtained in each experimental example in which both the first heat treatment result in Table 1 and the second heat treatment result in Table 2 are ◯ has both bonding strength and thermal characteristics. Is relatively high and the surface flatness is also relatively high, and can be used particularly suitably as a substrate for mounting semiconductor elements. In each of the examples shown in Tables 1 and 2, alumina was used as the ceramic substrate. However, even if the inventor used an aluminum nitride substrate as the ceramic substrate, the results similar to those shown in Tables 1 and 2 were used. Is confirmed to be obtained.
以上、本発明の発光素子実装用基板、発光素子実装体、セラミックとアルミニウムの接合方法について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。 As described above, the light emitting element mounting substrate, the light emitting element mounting body, and the ceramic and aluminum bonding method of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and does not depart from the gist of the present invention. Of course, various improvements and modifications may be made.
10 集合体
12 アルミニウム基板
14 アルミナ基板
16、16‘ おもり
10
Claims (10)
アルミニウム体が接合されており、
前記アルミニウム体は前記他方の主面と当接し、前記アルミニウム体の当接面が前記他方の主面に応じた形状となっていることを特徴とする発光素子実装用基板。 On the other main surface of the ceramic substrate on which the light emitting element is mounted on one main surface,
Aluminum body is joined,
The aluminum body is in contact with the other main surface, and the contact surface of the aluminum body has a shape corresponding to the other main surface.
前記アルミニウム体は、前記導電パターンと対向する領域を覆って設けられていることを特徴とする請求項1記載の発光素子実装用基板。 A conductive pattern on which the light emitting element is mounted is provided on the one main surface,
The light-emitting element mounting substrate according to claim 1, wherein the aluminum body is provided so as to cover a region facing the conductive pattern.
前記発光素子実装用基板の前記一方の主面に実装された発光素子と、
を備えることを特徴とする発光素子実装体。 The light emitting element mounting substrate according to any one of claims 1 to 3,
A light emitting element mounted on the one main surface of the light emitting element mounting substrate;
A light emitting element mounting body comprising:
降温後、前記集合体をアルミニウムの融点未満の第2の温度範囲まで昇温させて第2の熱処理を施すことで、前記セラミック基板と前記アルミニウム基板とを接合することを特徴とする、セラミックとアルミニウムの接合方法。 The assembly in which the aluminum substrate is placed on the surface of the ceramic substrate is subjected to a first heat treatment in a first temperature range higher than the melting point of aluminum, and then the temperature is lowered to 400 ° C. or lower.
After the temperature is lowered, the assembly is heated to a second temperature range below the melting point of aluminum and subjected to a second heat treatment to join the ceramic substrate and the aluminum substrate; Aluminum joining method.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187660A (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Hiroshi Ninomiya | Bare chip mounting surface emitter and method of manufacturing the same |
WO2011142097A1 (en) | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | Mounting board, method for manufacturing same, light emitting module, and illuminating apparatus |
JP2012044040A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Holding substrate for led light emitting device and led light emitting device |
JP2012089551A (en) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Lighting device |
WO2013065414A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | シャープ株式会社 | Light-emitting device, illumination device, and method for manufacturing light-emitting device |
WO2014034131A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | パナソニック株式会社 | Light-emitting apparatus |
WO2014083777A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | パナソニック株式会社 | Substrate, light emitting apparatus, lighting light source, and substrate manufacturing method |
JP2014107369A (en) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Citizen Holdings Co Ltd | Semiconductor light-emitting device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09142948A (en) * | 1995-11-21 | 1997-06-03 | Dowa Mining Co Ltd | Method for joining ceramic structure |
JPH09188573A (en) * | 1995-11-06 | 1997-07-22 | Dowa Mining Co Ltd | Production of aluminum-ceramic composite substrate |
JP2004296619A (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Dowa Mining Co Ltd | Circuit board, manufacturing method and power module using the same |
JP2005235778A (en) * | 2001-08-09 | 2005-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led lighting fixture and card type led lighting light source |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008045088A patent/JP5078666B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09188573A (en) * | 1995-11-06 | 1997-07-22 | Dowa Mining Co Ltd | Production of aluminum-ceramic composite substrate |
JPH09142948A (en) * | 1995-11-21 | 1997-06-03 | Dowa Mining Co Ltd | Method for joining ceramic structure |
JP2005235778A (en) * | 2001-08-09 | 2005-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led lighting fixture and card type led lighting light source |
JP2004296619A (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Dowa Mining Co Ltd | Circuit board, manufacturing method and power module using the same |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187660A (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Hiroshi Ninomiya | Bare chip mounting surface emitter and method of manufacturing the same |
US8541805B2 (en) | 2010-05-13 | 2013-09-24 | Panasonic Corporation | Mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting module and illumination device |
WO2011142097A1 (en) | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | Mounting board, method for manufacturing same, light emitting module, and illuminating apparatus |
EP2804227A1 (en) | 2010-05-13 | 2014-11-19 | Panasonic Corporation | Mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting module and illumination device |
JP2012044040A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Holding substrate for led light emitting device and led light emitting device |
JP2012089551A (en) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Lighting device |
WO2013065414A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | シャープ株式会社 | Light-emitting device, illumination device, and method for manufacturing light-emitting device |
JPWO2013065414A1 (en) * | 2011-10-31 | 2015-04-02 | シャープ株式会社 | Light emitting device, lighting device, and method of manufacturing light emitting device |
US9857059B2 (en) | 2011-10-31 | 2018-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, illuminating device and method of manufacturing light emitting device |
WO2014034131A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | パナソニック株式会社 | Light-emitting apparatus |
US9680075B2 (en) | 2012-08-31 | 2017-06-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2014107369A (en) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Citizen Holdings Co Ltd | Semiconductor light-emitting device |
WO2014083777A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | パナソニック株式会社 | Substrate, light emitting apparatus, lighting light source, and substrate manufacturing method |
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Publication number | Publication date |
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