JP2009184860A - 基板およびエピタキシャルウェハ - Google Patents
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Abstract
【課題】GaN系半導体素子の製造に用いるのに適した、六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のC面単結晶基板と、その基板の上にGaN系半導体結晶をエピタキシャル成長させてなるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のC面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第1の割り溝および第2の割り溝とを有し、該第1の割り溝および第2の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のM面とA面とがなす角を二等分する平面に平行である。
【選択図】図7
【解決手段】六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のC面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第1の割り溝および第2の割り溝とを有し、該第1の割り溝および第2の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のM面とA面とがなす角を二等分する平面に平行である。
【選択図】図7
Description
本発明は、GaN系半導体素子の製造に用いるのに適した、六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のC面単結晶基板と、その基板の上にGaN系半導体結晶をエピタキシャル成長させてなるエピタキシャルウェハに関する。
GaN系半導体は、化学式AlaInbGa1−a−bN(0≦a≦1、0≦b≦1、0≦a+b≦1)で表される化合物半導体であり、3族窒化物半導体、窒化物半導体などとも呼ばれる。GaN系半導体を用いた種々の半導体素子の研究開発が盛んであるが、最も早く実用化されたのは発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)などの発光素子である。GaN系半導体発光素子は、ウェハサイズの単結晶基板上にpn接合型の発光素子構造を備えたGaN系半導体結晶薄膜をエピタキシャル成長させることにより製造される。単結晶基板としては六方晶構造を取るサファイア、SiC、GaNなどからなるC面基板が主に使用される。
サファイア基板を用いたGaN系LED素子の場合、ウェハからチップ状の素子(ダイスともいう)を切り出す方法として、スクライバーを用いてサファイア基板の表面に割り溝を形成したうえ、外力を加えてこの割り溝を起点としてウェハを破断する方法が主流である。それに対して、GaN系半導体結晶をエピタキシャル成長させる前の基板にウェットエッチングにより割り溝を形成する方法が提案されている(特許文献1)。ウェットエッチングによれば1枚の基板に多数本の割り溝をいちどに形成できるだけでなく、多数枚の基板を一括処理することも可能なので、割り溝の形成工程に費やされる時間を大幅に短縮することができる。
特開平7−169715号公報
特開2002−164296号公報
国際公開第2005/62392号パンフレット
特許文献1に開示された発明では、基板に形成する割り溝の方向についての特段の考慮はなされていない。しかし、本発明者らが研究したところ、C面基板の表面に平面形状矩形の半導体チップを切り出すための割り溝を形成したとき(割り溝を、直交格子状パターンをなすように形成したとき)、その方向を考慮しないと、格子をなす二種類の割り溝(縦方向の割り溝と横方向の割り溝)の方向が結晶学的に等価でなくなるために、それぞれの割り溝の近傍での結晶のエピタキシャル成長態様が著しく相違することが分かってきた。そのような場合、両方の割り溝の近傍に好ましい性質を備えた結晶が形成されるエピタキシャル成長条件を見出すのには多大な労力が必要となる。また、それぞれの割り溝の近傍に形成される結晶の膜厚や表面形状が異なるために、最終的に得られる素子が形状の対称性の低いものとなり、目的によっては不都合が発生する。
そこで、本発明は上記従来技術の問題を解決して、平面形状矩形の半導体チップを切り出すための割り溝を表面に有しながら、割り溝近傍での結晶のエピタキシャル成長態様が割り溝の方向によって異なることのないC面基板を提供することを主な目的とする。本発明は、また、このようなC面基板の上にGaN系半導体結晶を成長させてなるエピタキシャルウェハを提供することを目的とする。
上記課題は、以下の発明により解決することができる。
(1)六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のC面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第1の割り溝および第2の割り溝とを有し、該第1の割り溝および第2の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のM面とA面とがなす角を二等分する平面に平行である、ことを特徴とする基板。
(2)前記第1の割り溝および第2の割り溝がウェットエッチングにより形成されたV溝である、前記(1)に記載の基板。
(3)前記第1の割り溝および第2の割り溝の壁面上にGaN系半導体結晶の成長を阻害するマスクが形成されている、前記(1)または(2)に記載の基板。
(4)前記エピタキシャル成長用の面が、前記第1の割り溝および第2の割り溝が形成されていない領域に、加工により凹凸面とされた領域を有している、前記(1)〜(3)のいずれかに記載の基板。
(5)サファイア基板である、前記(1)〜(4)のいずれかに記載の基板。
(6)前記(1)〜(5)のいずれかに記載の基板と、該基板の前記エピタキシャル成長用の面上にエピタキシャル成長したGaN系半導体結晶と、を有するエピタキシャルウェハ。
(1)六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のC面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第1の割り溝および第2の割り溝とを有し、該第1の割り溝および第2の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のM面とA面とがなす角を二等分する平面に平行である、ことを特徴とする基板。
(2)前記第1の割り溝および第2の割り溝がウェットエッチングにより形成されたV溝である、前記(1)に記載の基板。
(3)前記第1の割り溝および第2の割り溝の壁面上にGaN系半導体結晶の成長を阻害するマスクが形成されている、前記(1)または(2)に記載の基板。
(4)前記エピタキシャル成長用の面が、前記第1の割り溝および第2の割り溝が形成されていない領域に、加工により凹凸面とされた領域を有している、前記(1)〜(3)のいずれかに記載の基板。
(5)サファイア基板である、前記(1)〜(4)のいずれかに記載の基板。
(6)前記(1)〜(5)のいずれかに記載の基板と、該基板の前記エピタキシャル成長用の面上にエピタキシャル成長したGaN系半導体結晶と、を有するエピタキシャルウェハ。
本発明により提供されるC面基板は、表面に形成された第1の割り溝と第2の割り溝とが相互に直交するものでありながら、その伸長方向が結晶学的に等価であるために、第1の割り溝の近傍と第2の割り溝の近傍とで結晶のエピタキシャル成長態様が略同じとなる。よって、両方の割り溝の近傍に好ましい性質を備えた結晶が形成されるエピタキシャル成長条件を見出すための労力が軽減される。また、それぞれの割り溝の近傍に形成される結晶の膜厚や表面形状が略同じとなるので、最終的に得られる素子が形状の対称性の低いものとなるという問題が解決される。
本発明により提供されるエピタキシャルウェハは、第1の割り溝の近傍と第2の割り溝の近傍に略同じ態様でGaN系半導体結晶がエピタキシャル成長したものとなる。よって、ウェハから素子を切り出す工程において、それぞれの割り溝に沿ったウェハの破断のし方も略同じとなるために、この工程における条件の最適化が容易である。
[参考実験例]
片面がエピタキシャル成長用に鏡面仕上げされたC面サファイア基板の、その鏡面仕上げされた面上に、エッチングマスクとして厚さ0.5μmのSiO2膜をプラズマCVD法により形成した。そして、このSiO2膜にフォトリソグラフィ技法を用いて、ストライプ状の窓部を設けた。窓部の方向はサファイアのM軸方向およびA軸方向とし、窓部の幅は設計値を5μmとした。エッチング液として、H2SO4:H3PO4=4:1(体積比)の割合で混合した硫酸/リン酸の混酸を300℃に加熱したものを用いて、SiO2膜の窓部に露出したサファイア表面をエッチング(ウェットエッチング)した。
エッチングにより、サファイアのM軸方向に形成した窓部には、サファイアのM軸方向に伸びる、対称なV字型の断面を有するV溝(以下「M軸方向のV溝」ともいう)が形成された。このV溝の2つの壁面の傾斜は60度/60度であった。一方、サファイアのA軸方向に形成した窓部には、サファイアのA軸方向に伸びる、非対称なV字型の断面を有するV溝(以下「A軸方向のV溝」ともいう)が形成された。このV溝の2つの壁面の傾斜は67度/40度であった。
エッチング後、バッファーフッ酸(buffered HF)を用いてSiO2膜を除去した。
片面がエピタキシャル成長用に鏡面仕上げされたC面サファイア基板の、その鏡面仕上げされた面上に、エッチングマスクとして厚さ0.5μmのSiO2膜をプラズマCVD法により形成した。そして、このSiO2膜にフォトリソグラフィ技法を用いて、ストライプ状の窓部を設けた。窓部の方向はサファイアのM軸方向およびA軸方向とし、窓部の幅は設計値を5μmとした。エッチング液として、H2SO4:H3PO4=4:1(体積比)の割合で混合した硫酸/リン酸の混酸を300℃に加熱したものを用いて、SiO2膜の窓部に露出したサファイア表面をエッチング(ウェットエッチング)した。
エッチングにより、サファイアのM軸方向に形成した窓部には、サファイアのM軸方向に伸びる、対称なV字型の断面を有するV溝(以下「M軸方向のV溝」ともいう)が形成された。このV溝の2つの壁面の傾斜は60度/60度であった。一方、サファイアのA軸方向に形成した窓部には、サファイアのA軸方向に伸びる、非対称なV字型の断面を有するV溝(以下「A軸方向のV溝」ともいう)が形成された。このV溝の2つの壁面の傾斜は67度/40度であった。
エッチング後、バッファーフッ酸(buffered HF)を用いてSiO2膜を除去した。
V溝の形成に続いて、V溝の壁面上に膜厚が0.5μm〜1μm程度のSiO2膜を、GaN系半導体の成長を阻害する成長阻害マスクとして形成した。成長阻害マスクはサブトラクティブ法によりパターニングした。即ち、SiO2膜を基板表面全体を覆うように形成した後、V溝の壁面上に形成された部分を除く部分を、CF4ガスを用いたRIEにより除去した。このときV溝の壁面上のSiO2膜の保護に用いたフォトレジスト膜の残渣の除去は、後述するPSS領域の形成の際にエッチングマスクとして用いたフォトレジスト膜の残渣の除去と同時に行った。このフォトレジスト膜の残渣除去は酸素プラズマへの暴露により行った。
V溝の形成とその壁面上への成長阻害マスクの形成を行った後、V溝が形成された領域(下記の「WSライン」)とその両側のそれぞれ幅5μmの領域(下記の「WSスペース」)を除く基板表面を加工して、GaN系半導体結晶のファセット構造成長(特許文献2)が可能な凹凸面とした。具体的には、凸部として残すべき部分を除いて基板の表面から1μmの部分をRIE(反応性イオンエッチング)によって除去し、図1にSEM像を示すように、上面の直径2μm、高さ1μmの円錐台状凸部を、各凸部が最近接する6個の凸部を有するパターンが構成されるように規則的に配置してなる凹凸面を形成した。なお、最近接する凸部の上面の中心間の距離は4μmとした。
以下では、基板表面において上記V溝が形成された領域を「WSライン」と呼び、上記RIE加工により凹凸面を形成した領域を「PSS領域」と呼ぶ。また、基板表面においてWSラインとPSS領域とに挟まれた未加工領域を「WSスペース」と呼ぶ。また、表面にWSラインとPSS領域を形成した基板を「WSPSS」と呼ぶ。
図2にWSPSSの模式断面図を示す。
以下では、基板表面において上記V溝が形成された領域を「WSライン」と呼び、上記RIE加工により凹凸面を形成した領域を「PSS領域」と呼ぶ。また、基板表面においてWSラインとPSS領域とに挟まれた未加工領域を「WSスペース」と呼ぶ。また、表面にWSラインとPSS領域を形成した基板を「WSPSS」と呼ぶ。
図2にWSPSSの模式断面図を示す。
上記作製したWSPSSのV溝を形成した側の面上に、MOVPE法を用いてpn接合型のLED構造が構成されるように複数のGaN系半導体結晶層をエピタキシャル成長させて積層し、総膜厚約8μmのGaN系半導体膜を形成した。詳しくは、まず、AlGaN低温バッファ層を介して、アンドープのGaN層を表面が平坦となるように成長させた。このGaN層の形成過程ではファセット構造成長を発生させて、PSS領域の凹部がGaN結晶で充填されるようにした。ファセット構造成長を発生させるためには、成長途中でPSS領域の凸部上に六角錐状のGaN結晶が形成される程度に、成長温度を低く設定すればよい。
アンドープGaN層の形成に続けて、Si添加GaNコンタクト層、InGaN/GaN多重量子井戸活性層、Mg添加AlGaNクラッド層、Mg添加AlGaNコンタクト層を順次成長させて積層した。
アンドープGaN層の形成に続けて、Si添加GaNコンタクト層、InGaN/GaN多重量子井戸活性層、Mg添加AlGaNクラッド層、Mg添加AlGaNコンタクト層を順次成長させて積層した。
上記のようにしてWSPSS上にGaN系半導体膜をエピタキシャル成長させることにより得られたエピタキシャルウェハのSEM像を図3ないし図6に示す。
図3はM軸方向のV溝に略直交する断面を露出させたエピタキシャルウェハを斜め方向から観察したSEM像であり、図4はこれを倍率を拡大して観察したものである。
図5はA軸方向のV溝に略直交する断面を露出させたエピタキシャルウェハを斜め方向から観察したSEM像であり、図6はこれを倍率を拡大して観察したものである。
図3と図5との比較、および、図4と図6との比較から、M軸方向のV溝の近傍とA軸方向のV溝の近傍とでは、GaN系半導体結晶のエピタキシャル成長態様が全く異なっていることが分かる。
図3はM軸方向のV溝に略直交する断面を露出させたエピタキシャルウェハを斜め方向から観察したSEM像であり、図4はこれを倍率を拡大して観察したものである。
図5はA軸方向のV溝に略直交する断面を露出させたエピタキシャルウェハを斜め方向から観察したSEM像であり、図6はこれを倍率を拡大して観察したものである。
図3と図5との比較、および、図4と図6との比較から、M軸方向のV溝の近傍とA軸方向のV溝の近傍とでは、GaN系半導体結晶のエピタキシャル成長態様が全く異なっていることが分かる。
[実施例]
前述の参考実験例においてはM軸方向のV溝とA軸方向のV溝を有するWSPSSを作成したが、本実施例ではそれに代えて、サファイアのM面とA面とがなす角を二等分する平面に平行なV溝のみからなる直交格子状の割り溝パターンを有するWSPSSを作成した。このWSPSSの表面におけるV溝の方向を図7に模式的に示す。図7はC面サファイア基板の表面上におけるV溝の方向を示すものであり、実線からなる両矢印で示すのが本実施例のWSPSSにおけるV溝の方向であり、破線からなる両矢印で示すのが参考実験例のWSPSSにおけるV溝の方向である。
WSPSSの表面におけるV溝の方向をこのように変えたことを除き、参考実験例と同様にしてエピタキシャルウェハを作製した。
前述の参考実験例においてはM軸方向のV溝とA軸方向のV溝を有するWSPSSを作成したが、本実施例ではそれに代えて、サファイアのM面とA面とがなす角を二等分する平面に平行なV溝のみからなる直交格子状の割り溝パターンを有するWSPSSを作成した。このWSPSSの表面におけるV溝の方向を図7に模式的に示す。図7はC面サファイア基板の表面上におけるV溝の方向を示すものであり、実線からなる両矢印で示すのが本実施例のWSPSSにおけるV溝の方向であり、破線からなる両矢印で示すのが参考実験例のWSPSSにおけるV溝の方向である。
WSPSSの表面におけるV溝の方向をこのように変えたことを除き、参考実験例と同様にしてエピタキシャルウェハを作製した。
本実施例に係るエピタキシャルウェハのSEM像を図8ないし図11に示す。
図8はひとつのV溝に略直交する断面を露出させたエピタキシャルウェハを斜め方向から観察したSEM像であり、図9はこれを倍率を拡大して観察したものである。
図10は図8に示す断面に略直交する断面を露出させたエピタキシャルウェハを斜め方向から観察したSEM像であり、図11はこれを倍率を拡大して観察したものである。
図9および図11からは、相互に直交するV溝のそれぞれが、参考実験例におけるA軸方向のV溝に類似した非対称なV字型の断面を有するV溝となっていることが分かる。
そして、図8と図10との比較、および、図9と図11との比較からは、相互に直交するV溝のそれぞれの近傍において、GaN系半導体結晶のエピタキシャル成長態様が極めて類似したものとなっていることが分かる。
SEM観察から明らかとなったこれらの結果は、それぞれのV溝の方向が結晶学的に等価であることに起因するものであると考えられる。
図8はひとつのV溝に略直交する断面を露出させたエピタキシャルウェハを斜め方向から観察したSEM像であり、図9はこれを倍率を拡大して観察したものである。
図10は図8に示す断面に略直交する断面を露出させたエピタキシャルウェハを斜め方向から観察したSEM像であり、図11はこれを倍率を拡大して観察したものである。
図9および図11からは、相互に直交するV溝のそれぞれが、参考実験例におけるA軸方向のV溝に類似した非対称なV字型の断面を有するV溝となっていることが分かる。
そして、図8と図10との比較、および、図9と図11との比較からは、相互に直交するV溝のそれぞれの近傍において、GaN系半導体結晶のエピタキシャル成長態様が極めて類似したものとなっていることが分かる。
SEM観察から明らかとなったこれらの結果は、それぞれのV溝の方向が結晶学的に等価であることに起因するものであると考えられる。
エピタキシャル成長の後、サファイア基板の裏面をラッピングすることによりエピタキシャルウェハの厚さを約80μmとなるまで減じたうえ、外力を加えることによって、エピタキシャルウェハをWSラインの位置で割ることができた。スクライバーによるサファイア基板表面へのスクライブライン形成を行わなかったにもかかわらず、エピタキシャル成長前にウェットエッチングにより形成したV溝を割り溝としてウェハを破断して、欠けのない1辺約350μmの正方形状の半導体チップを高い歩留りで得ることができた。
[好ましい実施形態]
本発明の基板は好ましくはサファイアC面基板を素材とするものであるが、限定されるものではなく、SiC、GaN、その他、六方晶構造を取る任意の結晶からなるC面基板を本発明の基板の素材とすることができる。なお、本発明にいうC面基板はオフ角が付されたものであってもよい。
本発明の基板は好ましくはサファイアC面基板を素材とするものであるが、限定されるものではなく、SiC、GaN、その他、六方晶構造を取る任意の結晶からなるC面基板を本発明の基板の素材とすることができる。なお、本発明にいうC面基板はオフ角が付されたものであってもよい。
本発明の基板は、好ましくはWSPSSであり、特に好ましくはWSスペースを有するWSPSSであるが、限定されるものではない。即ち、WSスペースを有さないWSPSSであってもよいし、PSS領域を有さない基板(例えば、フラットな表面にウェットエッチングにより形成されたV溝を有する基板)であってもよい。更に、本発明の基板は、割り溝がウェットエッチング以外の方法により形成されたものであってもよいし、また、割り溝がV字型以外の断面形状を有するものであってもよい。ウェットエッチング以外の割り溝形成方法としては、プラズマエッチング、RIEなどのドライエッチング加工、ダイシングブレード、スクライバーなどを用いた機械加工、レーザ加工などが挙げられる。
本発明の基板における割り溝がウェットエッチングなどにより形成されるV溝である場合、該V溝の幅は特に限定されるものではなく、製造しようとする半導体チップのサイズに応じて適宜定めることができる。
C面サファイア基板を用いて300μm〜500μm角、厚さ120μm以下のGaN系半導体チップを製造する場合であれば、V溝を深さ2.5μm以上に形成すれば、これを割り溝として利用することが可能となる。製造しようとするGaN系半導体チップの面積が大きくなる程、割り溝に必要な深さは小さくなり、1mm角より大面積のチップを製造する場合であれば、C面サファイア基板の厚さが250μmであっても、深さ3μmのV溝が割り溝として機能する。
ウェットエッチングに要する時間を考慮すると、V溝の好ましい幅は20μm以下であり、より好ましくは10μm以下である。
C面サファイア基板を用いて300μm〜500μm角、厚さ120μm以下のGaN系半導体チップを製造する場合であれば、V溝を深さ2.5μm以上に形成すれば、これを割り溝として利用することが可能となる。製造しようとするGaN系半導体チップの面積が大きくなる程、割り溝に必要な深さは小さくなり、1mm角より大面積のチップを製造する場合であれば、C面サファイア基板の厚さが250μmであっても、深さ3μmのV溝が割り溝として機能する。
ウェットエッチングに要する時間を考慮すると、V溝の好ましい幅は20μm以下であり、より好ましくは10μm以下である。
本発明の基板は、好ましくは割り溝の壁面上に成長阻害マスクを有するものであるが、必須ではない。成長阻害マスクを設ける場合、その材料にはGaN系半導体結晶の選択成長で用いられるマスクの材料を適宜用いることができ、具体的には、酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、タングステンなどが例示される。
WSPSSにおけるPSS領域の表面は、好ましくは、GaN系半導体結晶のファセット構造成長が可能な凹凸面とする。具体的な凹凸面のパターンとしては、円柱、円錐台、角柱、角錐台などの形状を有する凸部を規則的に分散配置したパターン、または、これらの形状を有する凹部を規則的に分散配置したパターン、矩形または台形の断面を有するストライプ状の凹部と凸部を交互に配置したパターンなどが例示される。凹凸面における凸部の高さまたは凹部の深さは、例えば、0.1μm〜5μmとすることができ、好ましくは0.5μm〜2μmである。凸部または凹部を周期的に配列したパターンとする場合の周期は、例えば、1μm〜10μmとすることができる。
前述のように、本発明の基板は好ましくはWSスペースを有するWSPSSであるが、かかるWSPSSにおけるWSスペースの幅は、例えば、1μm〜50μmとすることができ、好ましくは、1μm〜10μmである。
本発明は上記に明示的に示した実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
Claims (6)
- 六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のC面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第1の割り溝および第2の割り溝とを有し、該第1の割り溝および第2の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のM面とA面とがなす角を二等分する平面に平行である、ことを特徴とする基板。
- 前記第1の割り溝および第2の割り溝がウェットエッチングにより形成されたV溝である、請求項1に記載の基板。
- 前記第1の割り溝および第2の割り溝の壁面上にGaN系半導体結晶の成長を阻害するマスクが形成されている、請求項1または2に記載の基板。
- 前記エピタキシャル成長用の面が、前記第1の割り溝および第2の割り溝が形成されていない領域に、加工により凹凸面とされた領域を有している、請求項1〜3のいずれかに記載の基板。
- サファイア基板である、請求項1〜4のいずれかに記載の基板。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の基板と、該基板の前記エピタキシャル成長用の面上にエピタキシャル成長したGaN系半導体結晶と、を有するエピタキシャルウェハ。
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JP2012056797A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
US9142712B2 (en) | 2013-12-02 | 2015-09-22 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting element |
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