JP2009170668A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ヒートシンク素材1の一面1aにおいてヒートシンク10となる領域の端部であってリードフレーム30が位置する部位に凹部13を形成し、ヒートシンク素材1の一面1a上に金属素材3を絶縁層20を介して接着するとともに、金属素材3をパターニングしてリードフレーム素材3とし、リードフレーム素材3の上に部品40〜42を搭載し、各素材1、3および部品40〜42をモールド樹脂50で封止した後、モールド樹脂50、リードフレーム素材3、絶縁層20およびヒートシンク素材1をダイシングカットする。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置S1の概略構成を示す図であり、(a)は概略断面図、(b)は(a)の半導体装置S1を上方から見たときの概略平面図である。なお、図1(b)では、モールド樹脂50を透過してモールド樹脂50内部の構成要素を示している。
図6は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置S2の概略断面構成を示す図である。この半導体装置S2は、上記第1実施形態の半導体装置S1において、凹部13の構成を変形したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べる。
図7は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置S3の概略断面構成を示す図であり、図8は、本半導体装置S3におけるヒートシンク10の単体における一面11側の概略平面構成を示す図である。本実施形態の半導体装置S3は、上記第1実施形態の半導体装置S1において、凹部13の構成を変形したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べる。
図9は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置S4の概略平面構成を示す図であり、この図9では、モールド樹脂50を透過してモールド樹脂50内部の構成要素を示している。
図10は、本発明の第5実施形態に係るヒートシンク素材1の概略断面構成を示す図である。
図11は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。上記図1に示される半導体装置では、すべての部品40〜42が、リードフレーム30のアイランド31に搭載されていたが、一部の部品は、ダイマウント材60を介して直接、絶縁層20に搭載してもよい。
なお、半導体装置としては、ヒートシンクの一面上に絶縁層を介してリードフレームを接着し、リードフレームの上に部品を搭載したものを、ヒートシンクの他面が露出するようにモールド樹脂でハーフモールドしてなるものであればよく、上記各図に示した例に限定されるものではない。
1a ヒートシンク素材の一面
1b ヒートシンク素材の他面
3 金属素材
10 ヒートシンク
11 ヒートシンクの一面
12 ヒートシンクの他面
13 凹部
14 充填部材
20 絶縁層
30 リードフレーム
40〜42 部品
50 モールド樹脂
Claims (6)
- ヒートシンク(10)の一面(11)上に電気的に絶縁性の絶縁層(20)を介してリードフレーム(30)を接着し、前記リードフレーム(30)の上に部品(40〜42)を搭載し、前記ヒートシンク(10)の一面(11)とは反対の他面(12)が露出するように、前記ヒートシンク(10)、前記リードフレーム(30)、前記部品(40〜42)をモールド樹脂(50)で封止してなる半導体装置の製造方法において、
1個の当該半導体装置を構成する前記ヒートシンク(10)が複数個連結されてなるヒートシンク素材(1)の一面(1a)において前記ヒートシンク(10)となる領域の端部であって前記リードフレーム(30)が位置する部位に、当該一面(1a)より凹んだ凹部(13)を形成する工程と、
前記ヒートシンク素材(1)の一面(1a)上に、前記絶縁層(20)を介して、金属素材(3)を接着するとともに、前記金属素材(3)をパターニングすることによって、前記金属素材(3)を、1個の当該半導体装置を構成する前記リードフレーム(30)が複数個連結されてなるリードフレーム素材(3)とする工程と、
前記リードフレーム素材(3)の上にて個々の前記リードフレーム(30)の単位毎に前記部品(40〜42)を搭載する工程と、
前記ヒートシンク素材(1)の他面(1b)が露出するように、前記ヒートシンク素材(1)、前記リードフレーム素材(3)、および前記リードフレーム素材(3)上の前記部品(40〜42)を、前記モールド樹脂(50)で封止する工程と、
しかる後、前記モールド樹脂(50)、前記リードフレーム素材(3)、前記絶縁層(20)および前記ヒートシンク素材(1)を、1個の当該半導体装置の単位にダイシングカットすることにより個片化する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記凹部(13)は前記ヒートシンク素材(1)の一面に設けられた溝もしくは貫通穴であり、
前記凹部(13)の形成工程は、前記ヒートシンク素材(1)の一面(1a)上に前記金属素材(3)を接着する工程の前に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記凹部(13)の形成後であって、前記ヒートシンク素材(1)の一面(1a)上に前記金属素材(3)を接着する工程の前に、前記凹部(13)に電気的に絶縁性の充填部材(14)を充填することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹部(13)は前記ヒートシンク素材(1)の一面(1a)に設けられた貫通穴であり、
前記凹部(13)の形成工程は、前記ヒートシンク素材(1)の一面(1a)上に前記金属素材(3)を接着する工程の後に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ダイシングカット工程では、当該ダイシングカットにより1個の当該半導体装置の単位に個片化されたワークの当該ダイシングカットにおける切断方向からみたときの平面形状が四角形となるように、カットを行うとともに、
前記金属素材(3)のパターニングは、前記ワークの四隅部(M)に前記リードフレーム(30)が位置しないように行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - ヒートシンク(10)の一面(11)上に電気的に絶縁性の絶縁層(20)を介してリードフレーム(30)を接着し、前記リードフレーム(30)の上に部品(40〜42)を搭載し、前記ヒートシンク(10)の一面(11)とは反対の他面(12)が露出するように、前記ヒートシンク(10)、前記リードフレーム(30)、前記部品(40〜42)をモールド樹脂(50)で封止してなる半導体装置において、
前記ヒートシンク(10)の一面(11)の端部のうち前記絶縁層(20)を介して前記リードフレーム(30)が隣り合う部位に、前記ヒートシンク(10)と前記リードフレーム(30)との距離を大きくするための凹部(13)を設けたことを特徴とする半導体装置。
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