JP2013258354A - モールドパッケージおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】一面側に電子部品を搭載し、他面側に絶縁層を設けてなるアイランドを、絶縁層が露出するようにエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂よりなるモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、モールド樹脂との密着性に優れ且つ樹脂バリの抑制に適した絶縁層を実現する。
【解決手段】モールド樹脂40は、アイランド10の端部10aを封止するとともに、アイランド10の他面12側にて絶縁層30の端部33を封止しており、絶縁層30におけるアイランド10の他面12とは反対側の面32は、モールド樹脂40より露出しており、絶縁層30は、モールド樹脂40を構成するエポキシ樹脂と化学結合する官能基を有する熱可塑性樹脂よりなる。
【選択図】図1

Description

本発明は、一面側に電子部品を搭載し、他面側に絶縁層を設けてなるアイランドを、絶縁層が露出するようにエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂よりなるモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージ、および、そのようなモールドパッケージの製造方法に関する。
従来より、この種のモールドパッケージとしては、一般に、一面と他面とが表裏の板面の関係にある板状のアイランドと、アイランドの一面上に搭載された電子部品と、アイランドの一面および電子部品を封止するエポキシ系の熱硬化性樹脂よりなるモールド樹脂と、を備えるとともに、アイランドの他面がモールド樹脂より露出しているものが提案されている。
さらに、アイランドの他面の電気絶縁性および高放熱性を確保するために、アイランドの他面に電気絶縁性の絶縁層として、セラミック基板(特許文献1参照)あるいはエポキシ樹脂よりなる熱硬化性樹脂層(特許文献2参照)を、アイランド他面を覆うように設け、この絶縁層、具体的には絶縁層における前記アイランドの他面とは反対側の面を、モールド樹脂より露出させていた。
特開2010−245188号公報 特開2009−302526号公報
ところで、このようなモールドパッケージは、アイランドの一面に電子部品を搭載するとともに、アイランドの他面に上記絶縁層を設けた後、この絶縁層をモールド樹脂成形用の金型におけるキャビティの内面、具体的には下型に押し当てた状態で、アイランドの一面側をモールド樹脂で充填して封止することにより製造される。
しかし、このモールド樹脂を充填するときに、モールド樹脂が絶縁層と金型との間に流れ込み、アイランドの他面側にて絶縁層上に薄い樹脂バリが発生してしまうといった不具合が生じる。特に、絶縁層がセラミック基板の場合は、硬いセラミック基板と金型との間に隙間が発生しやすく、樹脂バリが生じやすい。
この樹脂バリに対して、通常は、モールド工程の後工程で、化学的また機械的にバリ取りを行なうことが多いが、それは大幅なコストアップとなる。また、絶縁層は、アイランド他面とは反対側の面はモールド樹脂より露出するものの、当該絶縁層における外郭に位置する端部がモールド樹脂で封止された状態となるものである。
そうすると、絶縁層がエポキシ樹脂よりなる熱硬化性樹脂層の場合、エポキシ系のモールド樹脂との密着性が悪いため、モールド樹脂で封止されている絶縁層の端部にて剥離が生じる可能性がある。そして、これを抑制するためには、当該エポキシ樹脂よりなる熱硬化性樹脂層の表面をプラズマやUV等により表面処理して、モールド樹脂との密着性を向上させる必要が生じる。
本発明は、上記したような問題に鑑みてなされたものであり、一面側に電子部品を搭載し、他面側に絶縁層を設けてなるアイランドを、絶縁層が露出するようにエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂よりなるモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、モールド樹脂との密着性に優れ且つ樹脂バリの抑制に適した絶縁層を実現することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面(11)と他面(12)とが表裏の板面の関係にある板状のアイランド(10)と、アイランドの一面上に搭載された電子部品(20)と、アイランドの他面を覆うように当該他面に設けられた電気絶縁性の絶縁層(30)と、アイランドの一面および電子部品を封止するエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂よりなるモールド樹脂(40)と、を備え、
さらに、モールド樹脂は、アイランドの端部(10a)を封止するとともに、アイランドの他面側にて絶縁層の端部(33)を封止しており、絶縁層におけるアイランドの他面とは反対側の面(32)は、モールド樹脂より露出しており、絶縁層は、モールド樹脂を構成するエポキシ樹脂と化学結合する官能基を有する熱可塑性樹脂よりなることを特徴としている。
それによれば、絶縁層は、モールド樹脂を構成するエポキシ樹脂と化学結合する官能基を有する熱可塑性樹脂よりなるため、モールド樹脂の成型時の熱により当該化学結合が生じ、絶縁層とモールド樹脂との密着性が確保される。
また、絶縁層は熱可塑性樹脂であるから、モールド樹脂の成型時の熱によって、従来のセラミック基板やエポキシ樹脂よりも軟らかくなり、金型の内面に対して隙間なく確実に密着しやすい。これらのことから、本発明によれば、モールド樹脂との密着性に優れ且つ樹脂バリの抑制に適した絶縁層を実現することができる。
ここで、請求項2に記載の発明のように、熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリアミド、または、ポリアミドイミドであるものにできる。
さらに、請求項3に記載の発明のように、絶縁層は、アイランドよりも平面サイズが小さく、アイランドの外郭の内周に位置しているものにできる。それによれば、剛性が小さく変形しやすい熱可塑性樹脂よりなる絶縁層の全体が、アイランドに接触して支持されるので、絶縁層の変形を抑制する点で好ましい。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
本発明の第1実施形態にかかるモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。 図1中の上視概略平面図である。 上記第1実施形態にかかるモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。 本発明の第2実施形態にかかるモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。 本発明の第3実施形態にかかるモールドパッケージの概略平面構成を示す図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかるモールドパッケージP1について、図1、図2を参照して述べる。なお、図2では、モールド樹脂40の内部の構成要素についてモールド樹脂40を透過して示してある。
本実施形態のモールドパッケージP1は、大きくは、板状をなすアイランド10と、アイランド10の一面11上に搭載された電子部品20と、アイランド10の他面12に設けられた電気絶縁性の絶縁層30と、アイランド10および電子部品20を封止するエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂よりなるモールド樹脂40と、を備えて構成されている。
アイランド10は、一面11と他面12とが表裏の板面の関係にある板状のものであり、導電金属製よりなる。たとえばアイランド10は、Cuや42アロイ等の板材よりなるもので、ここでは平坦な矩形板状をなしている。
本実施形態では、図1、図2に示されるように、アイランド10の外郭に位置する端部10aには、吊りリード13が連結されている。この吊りリード13は、アイランド10と一体のものであり、アイランド10と同一の素材よりなる。ここでは、吊りリード13は、アイランド10の端部10aのうちモールド樹脂40の外郭寄りの部位にのみ設けられており、いわゆる片吊り構成とされている。
ここでは、アイランド10の端部10aとは、矩形アイランド10の4辺となる端面10aであり、吊りリード13は、モールド樹脂40の外郭寄りに位置する辺の端部10aに設けられている。この吊りリード13は、アイランド10よりも幅が大幅に小さい細長短冊板状をなしており、ここでは、1個のアイランド10に対して、1個の吊りリード13が設けられている。
本実施形態では、吊りリード13は、アイランド10の端部10a側に位置する一端部14とは反対側の他端部15側がアイランド10の一面11の上方に延びてモールド樹脂40の外部に露出するように曲げられた形状をなすものである。つまり、吊りリード13は、平坦板形状のアイランド10からアイランド10の一面11側に曲げられたものとされている。
電子部品20は、典型的にはICチップ等の半導体チップであるが、その他、アイランド10に実装可能な表面実装部品であればよい。この電子部品20は、はんだやAg(銀)ペースト等よりなるダイボンド材21を介して、アイランド10の一面11に接着され固定されている。
また、電子部品20は、必要に応じて吊りリード13と、Al(アルミニウム)やAu(金)等よりなるボンディングワイヤ50を介して電気的に接続されている。これにより、電子部品20は、ボンディングワイヤ50を介してモールドパッケージP1における各部と電気的に接続され回路を構成する。
なお、モールド樹脂40内には、典型的なモールドパッケージと同様、図示しない他のリード端子が設けられ、これらリード端子と電子部品20とはボンディングワイヤ等により接続されている。そのため、電子部品20の各部吊りリード13と電子部品20とは、ボンディングワイヤ50で接続されていない構成でもよい。
また、ここでは、吊りリード13の他端部15は、モールド樹脂40の外郭より突出して露出している。この吊りリード13の他端部15は、モールドパッケージの形態に応じたものであればよく、たとえば、モールド樹脂40の外郭と同一平面にて切断された切断面として、モールド樹脂40より露出したものであってもよい。
また、絶縁層30は、モールド樹脂40を構成するエポキシ樹脂と化学結合する官能基を有する熱可塑性樹脂よりなるもので、アイランド10の他面12を覆うように当該他面12に設けられている。
このような絶縁層30は、印刷、転写あるいは成形されたシートの貼り付け等により、アイランド10の他面12に設けられる。ここにおいて、層状の絶縁層30におけるアイランドの他面12側の面を第1の面31、第1の面31とは反対側の面を第2の面32とする。
ここで、図1に示されるように、モールド樹脂40は、アイランド10の外郭に位置する端部10aを封止するとともに、アイランド10の他面12側にて絶縁層30の外郭に位置する端部33を封止している。そして、絶縁層30におけるアイランド10の他面12とは反対側の第2の面32は、モールド樹脂40より露出している。
限定するものではないが、絶縁層30を構成する熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリアミド、または、ポリアミドイミド等である。これらの熱可塑性樹脂の場合、たとえばアミド基やイミド基といった官能基が、モールド樹脂40のエポキシ基等と反応して、共有結合や水素結合等の化学結合をしている。それにより、絶縁層30とモールド樹脂40との接触部位において、当該両者30、40の密着性が確保されている。
また、モールド樹脂40を構成するエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂、すなわちエポキシ系の熱硬化性樹脂は、たとえば線膨張係数α=14、ヤング率E=12.5GPa程度である。これに対して、絶縁層30を構成する熱可塑性樹脂は、大幅に線膨張係数が小さく、ヤング率も一桁以上小さいものである。
また、図1、図2に示されるように、絶縁層30は、アイランド10よりも平面サイズが小さく、アイランド10の外郭の内周に位置している。ここでは、絶縁層30は、矩形板状のアイランド10よりも一回り小さい矩形板状をなしている。
また、放熱性を考慮して、絶縁層30は、アイランド10よりも板厚が薄いものとされている。たとえば、アイランド10の厚さが250μm〜500μm程度であるのに対し、絶縁層30の厚さは30μm以下程度である。
このようなモールドパッケージP1においては、電子部品20に発生する熱は、アイランド10から絶縁層30を介してパッケージ外部に放熱される。ここで、絶縁層30における第2の面32に、図示しない放熱部材等が接触されるようにしてもよい。
次に、本モールドパッケージP1の製造方法について、図3を参照して述べる。まず、上記した吊りリード13を有するアイランド10、および電子部品20を用意する(用意工程)。
この用意工程では、図3(a)に示されるように、アイランド10の素材として、当該アイランド10の端部10aのうちモールド樹脂40の外郭寄りの部位にのみ、吊りリード13が連結された平坦な平板1を用意する。ここで、この平板1における平坦な板面を基準面K1とする。
そして、図3(b)に示されるように、この平板1における吊りリード13を、プレス等により曲げ加工することにより、上記曲げ形状の吊りリード13を形成する。それとともに、図3(b)に示されるように、この曲げ加工によって、基準面K1に対して、アイランド10の端部10aのうち吊りリード13側の部位に比べて吊りリード13とは反対側の部位の方が、アイランド10の他面12側に下がった状態とする。
こうして、吊りリード13を有するアイランド10が用意される。ここまでが用意工程である。次に、図3(b)に示されるように、アイランド10の他面12に絶縁層30を設ける(絶縁層設置工程)。この絶縁層30の設置は、上述のように、印刷、転写、シート貼り付け等により行う。
次に、図3(c)に示されるように、アイランド10の一面11に電子部品20を搭載する(部品搭載工程)。この部品搭載工程では、電子部品20は、上記ダイボンド材21を介してアイランド10に接合し、さらに、必要に応じて、電子部品20と吊りリード13との間で、ワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤ50を形成する。
次に、図3(d)に示されるように、モールド樹脂成型用の金型100を用いて、モールド樹脂40を成型する(モールド工程)。このモールド工程に用いる金型100は、典型的なトランスファーモールド法に用いられるものと同様であり、上型101と下型102とを合致させ、これら上下型101、102間にキャビティを形成するものである。
このとき、絶縁層30における第2の面32を金型100の内面に接触させた状態で、アイランド10および電子部品20を金型100内に設置する。ここで、本実施形態では、アイランド10は、端部10aに吊りリード13が連結されたものであって、この吊りリード13の他端部15側がアイランド10の一面11の上方に向かって延びるように曲げられた形状をなしている。
そして、この吊りリード13の他端部15側が、上型101と下型102との間に狭持されて支持されることで、ワークが金型100に支持される。そうすると、吊りリード13のバネ弾性によって、絶縁層30における第2の面32が、当該第2の面32に対向する金型100の内面、つまり下型102の内面に押し付けられた状態とされる。
特に、本実施形態では、上述のように、アイランド10の端部10aのうちモールド樹脂40の外郭寄りの部位にのみ吊りリード13が連結され、且つ、アイランド10の端部10aのうち吊りリード13側の部位に比べて吊りリード13とは反対側の部位の方が、アイランド10の他面12側に下がった状態とされている。
そのため、ワークを金型100に設置するとき、アイランド10の他面12側の絶縁層30は、これに対向する金型100の内面に対して、吊りリード13とは反対側の部位から先に接触する。そして、吊りリード13の弾性力を受けながら、絶縁層30における吊りリード13側の部位も接触していく。そのため、絶縁層30全体が確実に金型100の内面に接触する。
こうして、吊りリード13のバネ弾性によって、絶縁層30における第2の面32を、金型100の内面に押し付けた状態として、ワークを金型100に設置した後、この状態で金型100内にモールド樹脂40を充填することによりモールド樹脂40を成形する。ここまでがモールド工程である。
その後、図3(d)に示されるように、金型100からモールド樹脂40で封止されたワークを取り出す。このとき、絶縁層30における第2の面32は、金型100の内面に密着していたので、モールド樹脂40より露出する。その後、必要に応じて、モールド樹脂40の外側にてリードカット等を行う。以上が、本製造方法であり、この製造方法によれば、本実施形態のモールドパッケージP1が適切に製造される。
なお、上述のように、吊りリード13の他端部15側は、モールド工程にて金型100に支持されるが、曲げ形状とされた吊りリード13の一端部14から他端部15までの高さは、下型102の段差寸法T(図3(d)参照)以上であることが望ましい。このように用意工程で、吊りリード13を曲げ加工することより、吊りリード13のバネ弾性力による絶縁層30の下型102内面への押し付けが確実に行われる。
ところで、本実施形態のモールドパッケージP1によれば、絶縁層30は、モールド樹脂40を構成するエポキシ樹脂と化学結合する官能基を有する熱可塑性樹脂よりなるため、モールド工程時の熱により当該化学結合が生じ、絶縁層30とモールド樹脂40との密着性が確保される。
また、絶縁層30は熱可塑性樹脂であるから、モールド工程時の熱によって、従来のセラミック基板やエポキシ樹脂よりも軟らかくなり、金型100の内面に対して隙間なく確実に密着しやすい。これらのことから、本実施形態によれば、モールド樹脂40との密着性に優れ且つ樹脂バリの抑制に適した絶縁層30を実現することができる。
また、本実施形態のモールドパッケージP1によれば、絶縁層30は、アイランド10よりも平面サイズが小さく、アイランド10の外郭の内周に位置している。それによれば、剛性が小さく変形しやすい熱可塑性樹脂よりなる絶縁層30の全体が、アイランド10に接触して支持されるので、絶縁層30の変形を抑制する点で好ましい。
ここで、絶縁層30は、周辺部がアイランド10の外郭よりもはみ出したものであってもよい。しかし、この場合、特にモールド樹脂40による封止前において、絶縁層30の周辺部は支持されていないので変形しやすいものとなる。その点、本実施形態によれば、そのような点を回避できる。
また、上述したが、本実施形態では、アイランド10の端部10aには、上記曲げ形状をなす吊りリード13が連結されている。それによれば、モールド工程において、吊りリード13の他端部15側が金型100に支持され、吊りリード13のバネ弾性力が、絶縁層30を金型100に押し付ける方向に作用する。
このように、本実施形態では、上記曲げ形状をなす吊りリード13が連結されたアイランド10を採用することにより、モールド工程において絶縁層30の第2の面32が金型100の内面に隙間なく密着しやすくなり、当該第2の面32における樹脂バリの防止に好ましいものとなる。
特に本実施形態では、上記のようにアイランド10が片吊り状態であっても、用意されるアイランド10について、吊りリード13とは反対側の部位を上記のように下げた構成を採用することで、モールド工程における絶縁層30と金型100の内面との密着性を確保しやすいものにできる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態にかかるモールドパッケージについて、図4を参照して述べる。ここでは、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。
上記第1実施形態では、吊りリード13は、アイランド10の端部10aのうちモールド樹脂40の外郭寄りの部位にのみ設けられていたが、これ加えて、アイランド10の端部10aのうちモールド樹脂40の外郭寄りの部位と対向する部位にも、設けられていてもよい。つまり、両吊り構成のアイランド10でもよい。
この場合も、絶縁層30を貼り付けたアイランド10を金型100に設置したとき、曲げ形状の各吊りリード13の他端部15側が金型100に支持され、吊りリード13のバネ弾性力が、絶縁層30を金型100に押し付ける方向に作用する。そのため、絶縁層30と金型100との密着性を確保しやすくなり、樹脂バリが発生しにくくなる。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態にかかるモールドパッケージについて、図5を参照して述べる。なお、図5では、ボンディングワイヤ等は省略してある。ここでは、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。
上記第1実施形態では、上記図1、図2に示されるように、1個のアイランド10に対して、1個の吊りリード13を設け、片吊り構成を実現していた。これに対し、このような片吊り構成においては、図5に示されるように、吊りリード13は、モールド樹脂40の外郭寄りに位置する辺の端部10aに2個以上設けられていてもよい。
また、図5に示されるように、アイランド10に搭載される電子部品20のサイズは、種々異なるものであってもよい。たとえば、図5では、右側の2個の電子部品20はICチップであり、左側の大きな1個の電子部品20はセラミック基板やプリント基板等の回路基板である。
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態では、吊りリード13は、アイランド10の端部10a側に位置する一端部14とは反対側の他端部15側がアイランド10の一面11の上方に延びるように曲げられた形状をなすものであった。
これに対して、吊りリード13は、アイランド10と同一平面に位置する平坦な短冊板状のものであってもよい。この場合も、上記熱可塑性樹脂よりなる絶縁層30の効果により、モールド樹脂40との密着性確保および樹脂バリ防止が実現できることは明らかである。
また、絶縁層30を構成する熱可塑性樹脂としては、モールド樹脂を構成するエポキシ樹脂と化学結合する官能基を有するものであればよく、上記したポリイミド、ポリアミド、または、ポリアミドイミド以外のものであってもよい。
また、1個のアイランド10に対して電子部品20は2個以上搭載されたものであってもよい。
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよく、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。
10 アイランド
10a アイランドの端部
11 アイランドの一面
12 アイランドの他面
20 電子部品
30 絶縁層
32 絶縁層におけるアイランドの他面とは反対側の面である第2の面
33 絶縁層の端部
40 モールド樹脂

Claims (8)

  1. 一面(11)と他面(12)とが表裏の板面の関係にある板状のアイランド(10)と、
    前記アイランドの一面上に搭載された電子部品(20)と、
    前記アイランドの他面を覆うように当該他面に設けられた電気絶縁性の絶縁層(30)と、
    前記アイランドの一面および前記電子部品を封止するエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂よりなるモールド樹脂(40)と、を備え、
    前記モールド樹脂は、前記アイランドの端部(10a)を封止するとともに、前記アイランドの他面側にて前記絶縁層の端部(33)を封止しており、
    前記絶縁層における前記アイランドの他面とは反対側の面(32)は、前記モールド樹脂より露出しており、
    前記絶縁層は、前記モールド樹脂を構成するエポキシ樹脂と化学結合する官能基を有する熱可塑性樹脂よりなることを特徴とするモールドパッケージ。
  2. 前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリアミド、または、ポリアミドイミドであることを特徴とする請求項1に記載のモールドパッケージ。
  3. 前記絶縁層は、前記アイランドよりも平面サイズが小さく、前記アイランドの外郭の内周に位置していることを特徴とする請求項1または2に記載のモールドパッケージ。
  4. 前記アイランドの端部には、吊りリード(13)が連結されており、
    この吊りリードは、前記アイランドの端部側に位置する一端部(14)とは反対側の他端部(15)側が前記アイランドの一面の上方に延びて前記モールド樹脂の外部に露出するように曲げられた形状をなすものであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のモールドパッケージ。
  5. 前記吊りリードは、前記アイランドの端部のうち前記モールド樹脂の外郭寄りの部位にのみ設けられていることを特徴とする請求項4に記載のモールドパッケージ。
  6. 請求項1に記載のモールドパッケージを製造するモールドパッケージの製造方法であって、
    前記アイランドおよび前記電子部品を用意する用意工程と、
    前記アイランドの他面に前記絶縁層を設ける絶縁層設置工程と、
    前記アイランドの一面に前記電子部品を搭載する部品搭載工程と、
    次に、前記モールド樹脂成型用の金型(100)を用い、前記絶縁層における前記アイランドの他面とは反対側の面を前記金型の内面に接触させた状態で、前記アイランドおよび前記電子部品を前記金型内に設置した後、前記金型内に前記モールド樹脂を充填することにより前記モールド樹脂を成形するモールド工程と、
    を備えることを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
  7. 前記用意工程では、前記アイランドとして、当該アイランドの端部に吊りリードが連結されたものであって、この吊りリードは、当該アイランドの端部側に位置する一端部とは反対側の他端部側が当該アイランドの一面の上方に向かって延びるように曲げられた形状をなすものを用意し、
    前記モールド工程では、前記吊りリードの他端部側を前記金型に支持させることで、前記吊りリードのバネ弾性によって、前記絶縁層における前記アイランドの他面とは反対側の面を、当該面に対向する前記金型の内面に押し付けた状態とし、この状態で前記モールド樹脂の充填を行うことを特徴とする請求項6に記載のモールドパッケージの製造方法。
  8. 前記用意工程では、前記アイランドとして、当該アイランドの端部のうち前記モールド樹脂の外郭寄りの部位にのみ、前記吊りリードが連結され、且つ、当該アイランドの端部のうち前記吊りリード側の部位に比べて当該吊りリードとは反対側の部位の方が、当該アイランドの他面側に下がった状態のものを用意することを特徴とする請求項7に記載のモールドパッケージの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015162594A (ja) * 2014-02-27 2015-09-07 株式会社デンソー 樹脂成形体およびその製造方法
WO2018207656A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 三菱電機株式会社 パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法
US10395947B2 (en) 2014-02-27 2019-08-27 Denso Corporation Manufacturing method of a resin molded article
CN110959191A (zh) * 2017-08-24 2020-04-03 新电元工业株式会社 半导体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315526A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH06132458A (ja) * 1992-10-19 1994-05-13 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置およびそのリードフレーム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315526A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH06132458A (ja) * 1992-10-19 1994-05-13 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置およびそのリードフレーム

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015162594A (ja) * 2014-02-27 2015-09-07 株式会社デンソー 樹脂成形体およびその製造方法
US10395947B2 (en) 2014-02-27 2019-08-27 Denso Corporation Manufacturing method of a resin molded article
WO2018207656A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 三菱電機株式会社 パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法
CN110959191A (zh) * 2017-08-24 2020-04-03 新电元工业株式会社 半导体装置
CN110959191B (zh) * 2017-08-24 2023-10-20 新电元工业株式会社 半导体装置

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