JP2009157628A

JP2009157628A - 半導体メモリカード

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Publication number: JP2009157628A
Application number: JP2007334782A
Authority: JP
Inventors: Takashi Okada; 岡田　　隆
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2007-12-26
Filing date: 2007-12-26
Publication date: 2009-07-16
Also published as: US20090168322A1; KR20090071460A; US8097939B2; TWI389040B; TW200947314A

Abstract

【課題】基板の両面に複数の半導体メモリチップとコントローラチップを分けて実装することにより、メモリ容量の増大を容易に実現することができる半導体メモリカードを提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態に係る半導体メモリカードは、複数の半導体メモリチップと、前記複数の半導体メモリップを制御するコントローラチップと、一方の面に前記複数の半導体メモリチップが実装され、前記一方の面側の外力が集中する位置に対応する他方の面に前記コントローラチップが実装された基板と、を備える。
【選択図】図８

Description

本発明は、外部機器と接続して使用する半導体メモリカードに関する。

特許文献１に記載された半導体メモリカードは、第１の導体パターンが上面に形成されるとともに、第２の導電パターンが下面に形成された回路基板と、この回路基板上で半田実装された半導体メモリチップと、を備え、第１の導電パターンの少なくとも一部と第２の導電パターンの少なくとも一部とが回路基板の平面に対して対称形状である。この半導体メモリカードは、半導体メモリチップを加熱リフロー処理した際に、回路基板の反りを抑制可能としている。
特開２００７−１２８９５９号公報

本発明は、基板の両面に複数の半導体メモリチップとコントローラチップを分けて実装することにより、メモリ容量の増大を容易に実現することができる半導体メモリカードを提供する。

本発明の実施の形態に係る発明は、複数の半導体メモリチップと、前記複数の半導体メモリップを制御するコントローラチップと、一方の面に前記複数の半導体メモリチップが実装され、前記一方の面側の外力が集中する位置に対応する他方の面に前記コントローラチップが実装された基板と、を具備する。

本発明よれば、基板の両面に複数の半導体メモリチップとコントローラチップを分けて実装することにより、メモリ容量の増大を容易に実現することができる半導体メモリカードを提供することができる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。実施の形態に係る半導体メモリカードはここではＳＤメモリカード（登録商標）を例に取って説明する。なお、実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。

（第１の実施の形態）
図１は、ＳＤメモリカードの外観を示す平面図である。図１において、ＳＤメモリカード１００は、上ケース１と、ラベル貼り付け溝部８と、取っ手９と、ライトプロテクトスイッチ１７と、を有する。図中の上方向は、ＳＤメモリカードが接続される外部機器に挿入される外部機器挿入方向である。ラベル貼り付け溝部８は、ＳＤメモリカード１００の仕様等を印刷したラベルを貼る部分である。取っ手９は、外部機器にＳＤメモリカード１００を接続又は外部機器からＳＤメモリカード１００を取り外す際に保持する部分である。ライトプロテクトスイッチ１７は、ＳＤメモリカード１００内に実装されたメモリパッケージに対するデータ書込みを禁止する際に操作するスイッチである。ライトプロテクトスイッチ１７は、図中に示す矢印方向にスライドさせて操作することにより、ライトプロテクトモードの設定／解除の切替操作が可能である。

図２は、図１に示したＳＤメモリカードのＡ−Ａ´線矢視断面図である。図２において、図１に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。図２において、２は下ケース、３はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等を使用したメモリパッケージ（半導体メモリチップ）、４は樹脂ポッティング、５は基板、６は外部機器内の端子と接続される端子部、７は端子部ケースリブ、１０は上ケースリブである。図３は、図２に示したポッティング樹脂４部分の断面を示す図である。図３において、１１はボンディングワイヤ、１２はメモリパッケージ３を制御するコントローラチップである。なお、メモリパッケージ３としては、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＬＧＡ（Land Grid Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等が用いられる。

図４は、図１及び図２に示した上ケース１内部の構成を示す平面図である。図４において、図１及び図２に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。図４において、１３はライトプロテクトスイッチ１７が収納される凹部、１４は上ケース１と下ケース２を溶着するための溶着用突起部（エネルギーダイレクタ）である。溶着用突起部１４は、上ケース１内部の辺縁部の全周に亘って設けられている。

図５は、図２に示した基板５の部品実装面の構成を示す平面図である。図５において、図２に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。図５において、１５はメモリパッケージ３及びコントローラチップ１２の動作をテストする際に利用するテストパッド、１６はチップコンデンサである。また、図５において、基板５には、上述の下ケース２においてプロテクトスイッチ１７の実装位置に形成された凹部１３に応じた凹部１３が形成されている。

図６は、図１に示したライトプロテクトスイッチ１７部分の構成を示す断面図である。図７は、図１に示したライトプロテクトスイッチ１７部分の構成を示す平面図である。図６及び図７において、図１に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。図６において、ライトプロテクトスイッチ１７は、図１に示した操作方向に操作部１７Ａと、操作部１７Ａの操作に応じて下ケース２の内面に沿ってスライドするスイッチ本体部１７Ｂと、から構成される。図７において、１８はスイッチ動作用突起部であり、下ケース２内の側面部に設けられている。スイッチ動作用突起部１８は、ライトプロテクトスイッチ１７の操作部１７Ａをスライド操作する際に、スイッチ本体部１７Ｂに抗力を付与するように配置されている。このため、ライトプロテクトスイッチ１７は、操作部１７Ａにある程度の力を加えて操作しないとスライド動作しないものとなっている。すなわち、スイッチ動作用突起部１８は、ライトプロテクトモードの設定／解除する際の切替操作を確実に行うために設けられている。

図１〜図７に示したように構成されたＳＤメモリカード１００では、その外形寸法が規定されている。図１に示したＳＤメモリカード１００の外観図では、上ケース１の外形寸法は、例えば、縦３２ｍｍ、横２４ｍｍである。また、図２に示したＳＤメモリカード１００の断面図では、上ケース１及び下ケース２から構成されるケース全体の厚さは２．１ｍｍである。したがって、ＳＤメモリカード１００では、例示した外形寸法のケース内に、基板５、メモリパッケージ３、コントローラチップ１２、チップコンデンサ１６及びライトプロテクトスイッチ１７等を収納する必要がある。また、ＳＤメモリカード１００が接続される外部機器では、音声データや映像データ等の大容量データを処理するものが増加している。このため、外部機器においてデータストレージデバイスとして利用される機会が多いＳＤメモリカード１００では、メモリ容量を増大することが望まれている。ＳＤメモリカード１００において、メモリ容量を増大する方法としては、例えば、メモリパッケージ３自体のメモリ容量を増大させること、複数のメモリパッケージ３を実装すること等が考えられる。

図２に示したように、基板５の一方の面だけにメモリパッケージ３を実装したＳＤメモリカード１００において、メモリ容量を増大する場合は、メモリパッケージ３自体のメモリ容量を増大させる必要がある。しかし、メモリパッケージ３自体のメモリ容量を増大させる方法では、メモリパッケージ３自体の仕様（設計ルールやチップの外形寸法など）に制限されるため、メモリ容量を大幅に増大させることは難しい。

また、ＳＤメモリカード１００は、上述したように外形寸法が規定されているため、ケース内に収納される基板５の外形寸法も制限され、基板５に実装可能なメモリパッケージ３及びコントローラチップ１２の各外形寸法も制限される。さらに、基板５には、プロテクトスイッチ１７の実装領域を確保するために凹部１３が形成されているため、チップの実装領域が更に狭められている。したがって、図２に示したＳＤメモリカード１００のように、基板５の一方の面だけにメモリパッケージ３とコントローラチップ１２を実装する構成では、基板５上の限られた実装領域内でメモリ容量を更に増大させるチップ配置を実現することが難しくなっている。

そこで、以下に示す図８〜図１４では、外形寸法が規定されたＳＤメモリカードにおいて、基板５上に複数のメモリパッケージを実装可能にする構成を例示する。

図８は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るＳＤメモリカード２００の構成を示す断面図である。図９は、図８に示した樹脂ポッティング４部分の構成を示す断面図である。図８及び図９において、図２及び図３に示した構成部材と同様の構成部材には同一符号を付している。

図８及び図９において、基板２０１の上面（一方の面）には２個のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂが実装され、基板２０１の下面（他方の面）には樹脂ポッティング４により封止されたコントローラチップ１２が実装されている。この場合、コントローラチップ１２の実装位置を基板２０１の下面側に移動することにより、基板２０１の上面側に２個のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂを実装することを可能にしている。したがって、ＳＤメモリカード２００では、上述のＳＤメモリカード１００において実装されたメモリパッケージ３と同等のメモリ容量のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂを２個実装することにより、少なくともメモリ容量を２倍に増大することが容易にできる。

図１０は、図８に示した基板２０１を下面側から見た構成を示す平面図である。図１０において、図５に示した構成部材と同様の構成部材には同一符号を付している。図１０において、コントローラチップ１２は、メモリパッケージ３Ａ，３Ｂの実装位置に対応して、基板２０１の下面側の略中央位置（２個のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂの中間位置）に実装されるとともに、複数のチップコンデンサ１６が実装されている。このコントローラチップ１２の実装位置の設定は、以下の理由によるものである。

基板２０１にコントローラチップ１２を実装した後、樹脂ポッティング４によりコントローラチップ１２を封止すると、図１１に示すように基板２０１の上面が窪む反りが発生する場合がある。特に、メモリパッケージ３Ａ，３Ｂ及びチップコンデンサ１６を半田接続するために、温度を半田の融点より高い温度（例えば、２４０℃前後）まで上昇させると、図１１に示すような反りが発生しやすい。このように基板２０１が反ると、基板２０１の上面にメモリパッケージ３Ａ，３Ｂを半田接続する際にオープン不良が発生する可能性がある。しかし、基板２０１の下面側の略中央位置にコントローラチップ１２を実装することにより、窪み状の反りの影響をメモリパッケージ３Ａ，３Ｂの端部に限定することができ、半田実装不良を軽減することができる。

さらに、ＳＤメモリカード２００では、基板２０１の上面に実装されるメモリパッケージ３Ａ，３Ｂの実装領域を拡大するため、ライトプロテクトスイッチの外形寸法を縮小し、ライトプロテクトスイッチの実装位置に応じて基板２０１に形成される凹部を縮小するように構成している。この構成について、図１０、図１２〜図１４を参照して説明する。

図１０において、基板２０１の左側部にはライトプロテクトスイッチの実装位置に応じた凹部２０２が形成されている。この凹部２０２は、図１０に示す寸法Ｌ１を上記図５に示す凹部１３の寸法Ｌ１に比べて縮小している。また、凹部２０２の図１０に示す寸法Ｌ２は、図５に示す凹部１３の寸法Ｌ２と同等である。なお、凹部２０２の寸法Ｌ１は０．７〜０．９ｍｍ程度、凹部１３の寸法Ｌ１は２ｍｍ程度、Ｌ２は１５ｍｍ程度であるものとする。この凹部２０２の寸法Ｌ１を縮小するため、図６及び図７に示したライトプロテクトスイッチ１７に関わる各部の寸法を縮小した例を図１２及び図１３に示す。

図１２は、ライトプロテクトスイッチ２０３部分の構成を示す断面図である。図１３は、ライトプロテクトスイッチ２０３部分の構成を示す平面図である。図１２及び図１３において、図６及び図７に示した構成部材と同様の構成部材には同一符号を付している。図１２及び図１３において、ライトプロテクトスイッチ２０３は、図６及び図７に示したライトプロテクトスイッチ１７と同様に操作部２０３Ａ及びスイッチ本体部２０３Ｂを有する。このライトプロテクトスイッチ２０３は、図１３に示すスイッチ本体部２０３Ｂの外形寸法を縮小したもの使用している。このライトプロテクトスイッチ２０３を使用することにより、スイッチ本体部２０３Ｂを収容する下ケース２側の外壁リブ２Ａの厚みＬ３を上記図５に示す下ケース２側の外壁リブ２Ａの厚みＬ３より薄く形成することを可能にしている。なお、スイッチ本体部２０３Ｂを収容する下ケース２側の外壁リブ２Ａの厚みＬ３は０．２５ｍｍ程度、スイッチ本体部１７Ｂを収容する下ケース２側の外壁リブ２Ａの厚みＬ３は０．５ｍｍ程度であるものとする。

また、外形寸法を縮小したライトプロテクトスイッチ２０３を使用することにより、図１３に示すスイッチ本体部２０３Ｂを収容する下ケース２側の外壁リブ２Ａから内壁リブ２Ｂまでの距離Ｌ４も、同様に図５に示す距離Ｌ４に比べて縮小することを可能にしている。なお、ライトプロテクトスイッチ２０３を収容する外壁リブ２Ａから内壁リブ２Ｂまでの距離Ｌ４は１．１ｍｍ程度、ライトプロテクトスイッチ１７を収容する外壁リブ２Ａから内壁リブ２Ｂまでの距離Ｌ４は２．４ｍｍ程度であるものとする。なお、ライトプロテクトスイッチ２０３は、凹部２０２に形成される実装領域に収納された際に、操作部２０３Ａが凹部２０２から下ケース２の外側に露出しないように収納される。

以上のように、外形寸法を縮小したライトプロテクトスイッチ２０３を使用することにより、下ケース２側のライトプロテクトスイッチ２０３を実装する領域の奥行き方向の寸法を縮小可能とした。このため、基板２０１の凹部２０２の奥行き方向の寸法Ｌ１も縮小可能となり、基板２０１上面のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂを実装する領域の拡大を可能とした。

また、図１３において、ライトプロテクトスイッチ２０３を収容する下ケース２の外壁リブ２Ａと内壁リブ２Ｂの間の底面部には、スイッチ動作用突起部２０４が設けられている。スイッチ動作用突起部２０４は、上記図６に示したスイッチ動作用突起部１８と同様にライトプロテクトスイッチ２０３の操作部２０３Ａをスライド操作する際に、スイッチ本体部２０３Ｂに抗力を付与するように配置されている。このため、ライトプロテクトスイッチ２０３は、操作部２０３Ａにある程度の力（例えば、１〜４Ｎ程度）を加えて操作しないとスライド動作しないものとなっている。すなわち、スイッチ動作用突起部２０４は、ライトプロテクトモードの設定／解除する際の切替操作を確実に行うために設けられている。

図１４は、図１２及び図１３に示した下ケース２と溶着される上ケース１内部の構成を示す平面図である。図１４において、図１及び図２に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。図１４において、２０２はライトプロテクトスイッチ１７が収納される凹部、１４は上ケース１と下ケース２を溶着するための溶着用突起部（エネルギーダイレクタ）である。溶着用突起部１４は、上ケース１内部の辺縁部の全周に亘って設けられている。この溶着用突起部１４は、図１２に示すように内壁リブ２Ｂの厚さを薄くしたため、その幅を縮小して形成している。

以上のように、本第１の実施の形態に係るＳＤメモリカード２００では、基板２０１の上面（一方の面）に２個のメモリパッケージ（半導体メモリチップ）３Ａ，３Ｂを実装し、基板２０１の下面（他方の面）にコントローラチップ１２を実装する構成とした。また、コントローラチップ１２の実装位置は、コントローラチップ１２を樹脂ポッティング４により封止した際に基板２０１に発生する窪み状の反りの影響を軽減するように、基板２０１下面の略中央位置（個のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂの中間位置）に設定した。したがって、ＳＤメモリカード２００は、基板の上面のみにメモリパッケージ３とコントローラチップ１２を実装する場合に比べて、メモリ容量をも少なくとも２倍程度増加させることを可能にした。

また、本第１の実施の形態に係るＳＤメモリカード２００では、外形寸法を縮小したライトプロテクトスイッチ２０３を使用して、その実装領域に関わる下ケース２及び上ケース１の各部の寸法Ｌ１〜Ｌ４を縮小して形成可能とした。このため、基板２０１上面のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂを実装する領域の拡大を更に可能とした。

したがって、本第１の実施の形態に係るＳＤメモリカード２００に適用した基板２０１へのメモリパッケージ３Ａ，３Ｂ及びコントローラチップ１２の実装形態と、外形寸法を縮小したライトプロテクトスイッチ２０３の使用に伴う各部寸法の縮小とを実現することにより、パッケージの外形寸法が規定されたＳＤメモリカードにおいて、メモリ容量の大幅な増大を容易に実現できるとともに、操作性やパッケージ強度を維持することができる。

なお、上記第１の実施の形態では、ＳＤメモリカードの製造工程について説明を省略しているが、以下に示す第２の実施の形態及び第３の実施の形態に係る各ＳＤメモリカードについて説明した後、改めてＳＤメモリカードの製造工程を詳細に説明する。

（第２の実施の形態）
本第２の実施の形態では、上記第１の実施の形態において図８に示した基板２０１のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂを実装した面に強度補強部材を設けるＳＤメモリカードの構成例について説明する。

図１５は、本第２の実施の形態に係るＳＤメモリカード３００の構成を示す断面図である。図１６は、図１５に示す基板２０１を下面側から見た構成を示す平面図である。図１５及び図１６において、上記図８及び図１０に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。

図１５及び図１６に示すＳＤメモリカード３００おいて、第１の実施の形態に示したＳＤメモリカード２００と異なる構成部分は、メモリパッケージ３Ａ，３Ｂを実装した基板２０１の上面に樹脂３０１を塗布したことである。この樹脂３０１は、２個のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂ間の位置で、基板２０１の両サイド部分のみに塗布したことに特徴がある。

このように樹脂３０１を塗布することにより、ＳＤメモリカード３００に曲げ力が加えられた際に、その曲げ力により基板２０１が変形することを緩和し、コントローラチップ１２のクラック等の発生を防止することが可能になる。すなわち、樹脂３０１は、曲げ力等の外力が集中する位置に塗布されているため、基板３０１の強度を補強することが可能である。

（第３の実施の形態）
本第３の実施の形態では、上記第１の実施の形態において図８及び図１０に示した基板２０１のコントローラチップ１２の実装位置を変更するＳＤメモリカードの構成例について説明する。

図１７は、本第３の実施の形態に係るＳＤメモリカード４００の構成を示す断面図である。図１８は、図１７に示す基板２０１を下面側から見た構成を示す平面図である。図１７及び図１８において、上記図８及び図１０に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。

図１７及び図１８に示すＳＤメモリカード４００おいて、第１の実施の形態に示したＳＤメモリカード２００と異なる構成部分は、基板２０１の下面に実装するコントローラチップ１２の実装位置を、メモリパッケージ３Ｂの直下に変更したことである。

このようにコントローラチップ１２の実装位置を変更することにより、第２の実施の形態に示した樹脂３０１を塗布しなくても、曲げ力が加えられた際にコントローラチップ１２のクラックの発生等を防止することが可能になる。

（その他の実施の形態）
本他の実施の形態では、上記第１〜第３の実施の形態に示したＳＤメモリカード２００，３００，４００に対して適用する他の技術事項として、基板２０１の構成例と、ＳＤメモリカードを製造する際の製造工程について説明する。

図１９は、基板２０１のメモリパッケージ実装面のソルダレジスト開口パターンの構成例を示す図である。図１９において、上記図１０に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。図１９において、基板２０１のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂの実装面には、メモリパッケージ３Ａ，３Ｂの半田接続端子の各位置に合わせてソルダレジスト開口パターン２１１，２１２が形成されている。

図２０は、基板２０１のコントローラチップ実装面のソルダレジストパターンの構成例を示す図である。図２０において、上記図１０に示した構成部材と同一の構成部材には同一符号を付している。図２０において、基板２０１のコントローラチップ１２の実装面には、コントローラチップ１２の実装位置を示すパターン２３１と、コントローラチップ１２のボンディングパッドの各パッド位置に合わせてソルダレジスト開口パターン２３２〜２３４が形成されている。

また、図２０において、基板２０１のコントローラチップ１２の実装面には、図２に示した端子部６のピン配置に対応する金端子パターン２２１〜２２９が形成されている。金端子パターン２２１はＤＡＴ１ピン（８番ピン）、金端子パターン２２２はＤＡＴ０ピン（７番ピン）、金端子パターン２２３はＧＮＤピン（６番ピン）、金端子パターン２２４はＣＬＫピン（５番ピン）、金端子パターン２２５はＶＣＣピン（４番ピン）、金端子パターン２２６はＧＮＤピン（３番ピン）、金端子パターン２２７はＣＭＤピン（２番ピン）、金端子パターン２２８はＤＡＴ３ピン（１番ピン）、金端子パターン２２９はＤＡＴ２ピン（０番ピン）にそれぞれ対応する。

図２１は、コントローラチップ１２のボンディングパッドの構成例を示す図である。図２１において、コントローラチップ１２には、ボンディングワイヤを接続する端子群１２Ａ〜１２Ｃが図中の上辺部、下辺部及び右辺部に形成されている場合を示す。これら端子群１２Ａ〜１２Ｃの形成位置に合わせてボンディングパッド群４１Ａ〜４１Ｃが形成されている。各端子群１２Ａ〜１２Ｃと各ボンディングパッド群４１Ａ〜４１Ｃは、ボンディングワイヤ群１１Ａ〜１１Ｃにより接続される。この場合、ボンディングパッド群４１Ａ，４１Ｂは、ボンディングワイヤ群１１Ａ，１１Ｂが等距離配線となるように、円弧状に配置されている。

図２２は、上記第１〜第３の実施の形態に示したＳＤメモリカード２００，３００，４００を製造する際の製造工程の一例を示す図である。

図２２において、まず、基板２０１を作成する(ステップＳ１０１)。この場合、基板２０１の上面及び下面に、テストパッド１５、ソルダレジスト開口パターン２１１，２１２パターン２３１、金端子パターン２２１〜２２９及びソルダレジスト開口パターン２３２〜２３４等を形成する。

次いで、基板２０１の下面にコントローラチップ１２をダイボンディングにより固定する(ステップＳ１０２)。次いで、コントローラチップ１２の各端子群１２Ａ〜１２Ｃと各ボンディングパッド群４１Ａ〜４１Ｃの間を、ワイヤボンディングによりボンディングワイヤ群１１Ａ〜１１Ｃで接続する(ステップＳ１０３)。次いで、コントローラチップ１２を樹脂ポッティング４で封止する(ステップＳ１０４)。

次いで、基板２０１上のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂ及びチップコンデンサ１６を接続する端子部分に半田ペーストを印刷する(ステップＳ１０５)。次いで、基板２０１の上面にメモリパッケージ３Ａ，３Ｂを搭載する(ステップＳ１０６)。次いで、基板２０１の上面のコンデンサ実装位置にチップコンデンサ１６を搭載する(ステップＳ１０７)。次いで、メモリパッケージ３Ａ，３Ｂ及びチップコンデンサ１６の各端子と基板２０１上面のソルダレジストパターン２３２〜２３４とをリフローにより半田接続する(ステップＳ１０８)。

次いで、基板２０１上面に実装した２個のメモリパッケージ３Ａ，３Ｂ間の両サイド部分に樹脂３０１を塗布する(ステップＳ１０９)。なお、この処理は、上記第２の実施の形態において示したＳＤメモリカード３００に対応する処理であるため、省略するようにしてもよい。なお、図２２において、（）内に示すステップＳ１０９は、省略可能な処理であることを示している。以上のステップＳ１０１〜ステップＳ１０９の処理により、基板２０１に対するチップ及びチップに関する部材の実装処理が完了する。

次いで、下ケース２内部の基板実装位置に基板２０１を搭載する(ステップＳ１１０)。次いで、下ケース２のスイッチ実装位置にライトプロテクトスイッチ２０３を搭載する(ステップＳ１１１)。次いで、下ケース２に上ケース１を嵌め合わせる(ステップＳ１１２)。次いで、下ケース２と上ケース１を超音波溶着により接合する(ステップＳ１１３)。この場合、超音波溶着処理を行うと、上ケース１内側の全周に亘って設けられた溶着用突起部（エネルギーダイレクタ）１４により下ケース２と上ケース１が溶着されて接合される。以上の製造工程により、上記第１〜第３の実施の形態に示したＳＤメモリカード２００，３００，４００は完成する。

なお、上記第１〜第３の実施の形態では、本発明をＳＤメモリカードに適用した場合を示したが、ＳＤメモリカードに限定するものではない。例えば、外装となるケースの外形寸法が規定された半導体メモリカードであれば、例えば、ミニＳＤカード（登録商標）等に対しても本発明は適用可能である。

本発明の第１の実施の形態に係るＳＤメモリカードの外観を示す平面図である。本発明の第１の実施の形態に係る図１に示したＳＤメモリカードのＡ−Ａ´線矢視断面図である。本発明の第１の実施の形態に係る図２に示したポッティング樹脂部分の断面を示す図である。本発明の第１の実施の形態に係る図１及び図２に示した上ケース内部の構成を示す平面図である。本発明の第１の実施の形態に係る図２に示した基板の部品実装面の構成を示す平面図である。本発明の第１の実施の形態に係る図１に示したライトプロテクトスイッチ部分の構成を示す断面図である。本発明の第１の実施の形態に係る図１に示したライトプロテクトスイッチ部分の構成を示す平面図である。本発明の第１の実施の形態に係るＳＤメモリカードの構成を示す断面図である。本発明の第１の実施の形態に係る図８に示した樹脂ポッティング部分の構成を示す断面図である。本発明の第１の実施の形態に係る図８に示した基板を下面側から見た構成を示す平面図である。本発明の第１の実施の形態に係るコントローラチップの樹脂ポッティングにより基板に反りが発生する例を示す図である。本発明の第１の実施の形態に係るライトプロテクトスイッチ部分の構成を示す断面図である。本発明の第１の実施の形態に係るライトプロテクトスイッチ部分の構成を示す平面図である。本発明の第１の実施の形態に係る図１２及び図１３に示した下ケースと溶着される上ケース内部の構成を示す平面図である。本発明の第２の実施の形態に係るＳＤメモリカードの構成を示す断面図である。本発明の第２の実施の形態に係る図１５に示した基板を下面側から見た構成を示す平面図である。本発明の第３の実施の形態に係るＳＤメモリカードの構成を示す断面図である。本発明の第３の実施の形態に係る図１７に示した基板を下面側から見た構成を示す平面図である。本発明の他の実施の形態に係る基板のメモリパッケージ実装面のソルダレジスタパターンの構成例を示す図である。本発明の他の実施の形態に係る基板のコントローラチップ実装面のソルダレジスタパターンの構成例を示す図である。本発明の他の実施の形態に係るコントローラチップのボンディングパッドの構成例を示す図である。本発明の他の実施の形態に係るＳＤメモリカードの製造工程を示す図である。

符号の説明

１…上ケース、２…下ケース、３Ａ，３Ｂ…メモリパッケージ、４…樹脂ポッティング、１２…コントローラチップ、２００，３００，４００…ＳＤメモリカード、２０１…基板、２０２…凹部、２０３…ライトプロテクトスイッチ、２０３Ａ…操作部、３０１…樹脂。

Claims

複数の半導体メモリチップと、
前記複数の半導体メモリップを制御するコントローラチップと、
一方の面に前記複数の半導体メモリチップが実装され、前記一方の面側の外力が集中する位置に対応する他方の面に前記コントローラチップが実装された基板と、
を具備することを特徴とする半導体メモリカード。
前記基板は、前記複数の半導体メモリチップの実装領域外であって、前記外力が集中する前記一方の面の位置に補強部材が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。
前記複数の半導体メモリチップの動作状態を切り替える操作部を有するスイッチと、
前記基板を収納する収納部と前記操作部を露出する開口部が形成されたケース部材と、を具備し、
前記基板は、前記開口部の大きさ及び形成位置に合わせて形成されるとともに、前記複数の半導体メモリチップの実装領域外に形成された凹部を有し、当該凹部は前記一方の面に実装可能な前記複数の半導体メモリチップの実装領域に干渉しないサイズであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体メモリカード。
前記スイッチは、前記操作部が前記開口部の長手方向のサイズに応じた操作範囲を有し、当該操作部及び当該スイッチ本体が前記開口部より外側及び前記凹部より基板内部側に突出しないサイズであることを特徴とする請求項３に記載の半導体メモリカード。
前記基板は、前記複数の半導体メモリチップのうち１つの半導体メモリチップの実装位置に合わせた前記他方の面の位置に前記コントローラチップが実装されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。