JP2009152622A - Iii族窒化物基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ワイヤ22によって構成されたワイヤ列21を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴット3を切断する。このとき、インゴット3及びワイヤ22のうち少なくとも一方をワイヤ22の延伸方向Bと直交する方向に送りながら、砥液を供給しつつインゴット3を切削することによりインゴット3を切断する。インゴット3を切削する際には、ワイヤ22の延伸方向Bをインゴット3の{1−100}面に対し3°以上傾斜させる。
【選択図】 図3
Description
図1は、本実施形態によるIII族窒化物基板の製造方法に用いられるマルチワイヤソー1の構成を示す斜視図である。図1を参照すると、マルチワイヤソー1は、ワーク支持台11、ガイドローラ12a〜12c、スラリーノズル13、並びにワイヤ列21を備える。なお、マルチワイヤソー1が備えるこれらの構成要素は、図示しない筐体によってそれぞれ支持されている。
インゴット:GaN単結晶
インゴット主面:(0001)面
インゴット外形:直径50.8mm、厚さ5mm
砥粒材料:単結晶ダイヤモンド
砥粒の平均粒径:6μm
砥液に占める砥粒の濃度:1リットルあたり1500ct(300g)
潤滑材(ラッピングオイル):鉱物油
送り速度:1時間あたり1.6mm
ワイヤ走行速度:1分あたり600m
ワイヤ直径:0.18mm
ワイヤ付加張力:25N
Claims (7)
- ワイヤ列を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴットを切断することにより製造されるIII族窒化物基板であって、
前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの延伸方向と交差する方向に送りながら、砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断して製造され、
前記インゴットを切削する際に、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの前記延伸方向を前記インゴットの{1−100}面に対し3°以上傾斜させて製造され、
基板の反りが50μm以下であることを特徴とする、III族窒化物基板。 - ワイヤ列を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴットを切断することにより製造されるIII族窒化物基板であって、
前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの延伸方向と交差する方向に送りながら、砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断して製造され、
前記インゴットを切削する際に、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの前記延伸方向を前記インゴットの{1−100}面に対し3°以上傾斜させて製造され、
加工変質層の厚みが6μm以下であることを特徴とする、III族窒化物基板。 - ワイヤ列を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴットを切断することにより製造されるIII族窒化物基板であって、
前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの延伸方向と交差する方向に送りながら、砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断して製造され、
前記インゴットを切削する際に、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの前記延伸方向を前記インゴットの{1−100}面に対し3°以上傾斜させ、且つ(0001)面に対する切断面の傾斜角を5°以内として製造され、
(0001)面に対する切断面の傾斜角が5°以内であることを特徴とする、III族窒化物基板。 - ワイヤ列を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴットを切断することによりIII族窒化物基板を製造する方法であって、
前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの延伸方向と交差する方向に送りながら、砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断する工程を備え、
前記インゴットを切削する際に、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの前記延伸方向を前記インゴットの{1−100}面に対し3°以上傾斜させるとともに、
前記ワイヤ列に対して前記インゴットを下方から送り込むアッパーカット法、もしくは前記ワイヤ列に対して前記インゴットを上方から送り込むダウンカット法のいずれか一方により前記インゴットを切断することを特徴とする、III族窒化物基板の製造方法。 - ワイヤ列を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴットを切断することによりIII族窒化物基板を製造する方法であって、
前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの延伸方向と交差する方向に送りながら、砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断する工程を備え、
前記インゴットを切削する際に、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの前記延伸方向を前記インゴットの{1−100}面に対し3°以上に維持できる角度範囲で、前記ワイヤ列を走行させるためのガイドローラーもしくは前記インゴットを切断面内の方向に揺動させることを特徴とする、III族窒化物基板の製造方法。 - ワイヤ列を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴットを切断することによりIII族窒化物基板を製造する方法であって、
前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの延伸方向と交差する方向に送りながら、砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断する工程を備え、
前記インゴットを切削する際に、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの前記延伸方向を前記インゴットの{1−100}面に対し3°以上傾斜させるとともに、
前記ワイヤ列に含まれるワイヤの負荷張力を12N以上30N以下に設定して前記インゴットを切削することを特徴とする、III族窒化物基板の製造方法。 - ワイヤ列を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴットを切断することによりIII族窒化物基板を製造する方法であって、
前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの延伸方向と交差する方向に送りながら、砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断する工程を備え、
前記インゴットを切削する際に、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの前記延伸方向を前記インゴットの{1−100}面に対し3°以上傾斜させ、且つ(0001)面に対する切断面の傾斜角を5°以内とすることを特徴とする、III族窒化物基板の製造方法。
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