JP2009130332A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップのサイズによらず、半導体チップのピックアップ精度が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材層、剛直層、及び粘着剤層が順次積層されたダイシングテープ１２の前記粘着剤層上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記剛直層に第１溝１８を形成し、前記第１溝と略直角方向に、前記剛直層に前記第１溝より深い第２溝１６を形成するようにダイシングする工程と、前記基材層の前記半導体ウエハを有する側とは反対側から荷重を加えることにより半導体チップ１０を前記粘着剤層から剥離する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記第１溝１８の深さは、前記剛直層の膜厚に対して前記剛直層が溝部において残存しているような深さであり、前記第２溝１６の深さは、前記剛直層の膜厚に対して前記剛直層が溝部において残存していないような深さであることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、薄型半導体ウエハをダイシングした後の半導体チップのピックアップ操作を円滑に行える半導体装置の製造方法に関する。

近年、半導体パッケージの小型化の要求が高まる中、半導体パッケージを構成する半導体チップの薄型化の要求も高まっており、その結果、半導体ウエハを数十μｍまで薄型化する必要性が生じている。

このような薄型化した半導体チップを配線基板上に実装するには、まず、集積回路が形成された半導体ウエハの主面に保護テープを貼り、この状態で半導体ウエハの裏面を研磨及びエッチングする。続いて、裏面にダイシングテープを貼り、ダイシングを行うことにより半導体ウエハを複数個の半導体チップに分割する。その後、ダイシングテープの基材層側から突き上げピン等の冶具を押し当てて半導体チップからダイシングテープを剥離し、ピックアップして配線基板に実装する。

このような従来の方法では、半導体ウエハをダイシングする際、半導体チップ裏面にチッピングが発生する。また、半導体チップをダイシングテープから剥離しピックアップする際に、半導体チップに欠けや割れ等が発生する問題があった。また、従来の突き上げピンでは、ダイシングテープが面で剥離するようになり、剥離に問題があった。
この問題を解決するため、半導体チップをピックアップする際の冶具に種々の工夫が施されている。例えば、突き上げ面の形状が円弧状の突き上げピンや、突き上げピンを５分割して、薄型化された半導体チップの裏面にチッピングが発生しないような突き上げピンが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５−１１７０１９号公報

しかしながら、このような突き上げピンは冶具自体が非常に複雑である。また、半導体チップの大きさに対応できるように、種々の大きさの冶具を用意しておく必要があり、コストの面で大きな負担となっていた。これに加え、半導体チップの更なる薄型化及び小型化により、複雑で高精度の突き上げピンを作製することも困難になっており、半導体チップのピックアップ精度が劣化していた。

本発明は、前記問題点に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、半導体チップのサイズによらず、半導体チップのピックアップ精度が高い半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明者は鋭意検討した結果、下記の半導体装置の製造方法を用いることにより、上記問題を解決できることを見出し、上記目的を達成するに至った。

即ち、請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、基材層、剛直層、及び粘着剤層が順次積層されたダイシングテープの前記粘着剤層上に半導体ウエハを貼着する工程と、 前記剛直層に第１溝を形成し、前記第１溝と略直角方向に、前記剛直層に前記第１溝より深い第２溝を形成するようにダイシングする工程と、前記基材層の前記半導体ウエハを有する側とは反対側から荷重を加えることにより半導体チップを前記粘着剤層から剥離する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記第１溝の深さは、前記剛直層の膜厚に対して前記剛直層が溝部において残存しているような深さであり、前記第２溝の深さは、前記剛直層の膜厚に対してフルカットされる深さであることを特徴とする。
請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、前記第１溝の深さが前記剛直層の膜厚に対して２０％以上８０％以下であり、前記第２溝の深さが前記剛直層の膜厚に対して１００％以上３００％以下であることを特徴とする。
請求項１に記載の半導体装置の製造方法によると、第１溝の深さと第２溝の深さとが異なり、尚且つ第２溝の深さは剛直層が完全に切断されるようにダイシングする。そのため、ダイシングテープが貼着された半導体チップの裏面から突き上げピンで突き上げると、浅い溝の底部を支点として、半導体チップの裏面に貼着されているダイシングテープが湾曲する。ダイシングテープが湾曲すると、半導体チップの端部からダイシングテープが剥離し始める。その後、突き上げピンによる突き上げ量に伴いダイシングテープの湾曲部の曲率が増加し、半導体チップとダイシングテープとの接触面積が減少する。従って、複雑な突き上げピンを用いることなく、半導体チップからダイシングテープを容易に剥離することができ、半導体チップのチッピングを抑制することができる。また、半導体チップの大きさによらず、容易にダイシングテープを剥離することができるため、半導体チップの大きさに合わせた特殊な突き上げピンを用意する必要がない。又、第２ダイシング工程により剛直層が切断された状態となっているために、突き上げ時の荷重が第１溝底部である支点に集中し、ダイシングテープが湾曲し易くなる。従って、より少ない荷重によりダイシングテープを剥離することができるため、半導体チップに加わる荷重も低減することができ、ピックアップ時の欠け、割れ等を効果的に抑制することができる。
請求項２に記載の半導体装置の製造方法によると、請求項１に記載の発明の効果を発現しやすくなる。

請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、前記基材層が応力緩和作用層からなることを特徴とする。
請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、前記応力緩和作用層が、エチレン・メタクリル酸共重合体、又はエチレン・メタクリル酸メチル共重合体からなる層であることを特徴とする。
請求項３に記載の半導体装置の製造方法によると、ダイシング後に基材層が拡張しても、基材層が応力緩和作用を有するため、半導体チップが略均一な間隔で整列し、ピックアップ精度が向上する。
また、請求項４に記載の半導体装置の製造方法によると、請求項３に記載の発明の効果を発現しやすくなる。

請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、前記剛直層の引張弾性率が、２×１０^３ＭＰａ以上６×１０^３ＭＰａ以下であることを特徴とする。
請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、前記剛直層が二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする。
請求項５記載の半導体装置の製造方法によると、請求項１〜請求項３に記載の発明の効果に加え、前記剛直層の引張弾性率が２×１０^３ＭＰａ以下の場合、ダイシングテープを貼着する際に発生する残留応力が薄型化された半導体チップの強度を上回り、半導体チップの反りやチッピングが発生してしまう。前記剛直層の引張弾性率が６×１０^３ＭＰａ以上の場合、ダイシングの際に剛直層に負荷がかかり、半導体ウエハが損傷してしまう。つまり、前記剛直層の引張弾性率が前記範囲にあると、チッピングを抑制し、従来の突き上げピンで半導体チップをピックアップする効果が発現しやすくなる。
また、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によると、請求項１〜請求項３に記載の発明の効果に加え、請求項４に記載の発明の効果を発現しやすくなる。

請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、前記粘着剤層が活性エネルギー線硬化型粘着剤層であることを特徴とする。
請求項７に記載の半導体装置の製造方法によると、請求項１〜請求項５に記載の発明の効果に加え、活性エネルギー線の照射等の処理を施すことにより、半導体チップとダイシングテープとの剥離性が向上し、わずかな外力を加えるだけで剥離可能な状態に転換することができる。

本発明によれば、半導体チップのサイズによらず、半導体チップのピックアップ精度が高い半導体装置の製造方法を提供することができる。

以下、図面を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図面には、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているにすぎず、これによりこの発明が特に限定されるものではない。

本発明の半導体装置の製造方法は、基材層、剛直層、及び粘着剤層が順次積層されたダイシングテープの前記粘着剤層上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記剛直層に第１溝を形成し、前記第１溝と略直角方向に、前記剛直層に前記第１溝より深い第２溝を形成するようにダイシングする工程と、前記基材層の前記半導体ウエハを有する側とは反対側から荷重を加えることにより半導体チップを前記粘着剤層から剥離する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記第１溝の深さは、前記剛直層の膜厚に対して前記剛直層が溝部において残存しているような深さであり、前記第２溝の深さは、前記剛直層の膜厚に対してフルカットされる深さであることを特徴とするものである。

本発明の半導体装置の製造方法について図を用いて詳述する。
まず、図１に示すように、基材層、剛直層、及び粘着剤層が順次積層されたダイシングテープ１２に半導体ウエハを貼着し、リングフレーム１４でダイシングテープ１２を固定する。その後、縦方向に第１ダイシングを行い第１溝１６を形成し、基板を９０度回転した後、第２ダイシングを行い第２溝１８を形成する。図２は、第１溝１６の断面図を表し、図３は、第２溝１８の断面図を表す。図２及び図３に示すように、第１溝１６の深さＸは前記剛直層の膜厚に対して前記剛直層が溝部において残存しているような深さであり、第２溝１８の深さＹは、記剛直層の膜厚に対してフルカットされる深さである。このようにしてダイシングを行うことにより、第１溝１６及び弟２溝１８で囲われた領域に半導体チップ１０が形成される。
次に、図４に示すように、半導体製造装置（不図示）からダイシングテープ１２を剥離し、ダイシングテープ１２の基材層２０の底部側（半導体チップを有する面とは反対側）に突き上げピン２６を所定の位置に配置する。図５に示すように、突き上げピン２６で上方に荷重を加えるとダイシングテープ１２が湾曲し、半導体チップ１０の端部とダイシングテープ１２の粘着剤層２４とが剥離し、半導体チップ１０をピックアップすることができる。

本発明では、第１溝１６の深さＸが前記剛直層の膜厚に対して前記剛直層が溝部において残存しているような深さであり、第２溝１８により剛直層２２が切断されている。従って、図５に示すように、第１溝１６の底部が支点３０となり、ダイシングテープ１２の下部から突き上げピン２６で突き上げるとダイシングテープ１２が湾曲しやすくなり、容易に半導体チップ１０からダイシングテープ１２を剥離することができる。これに伴い、半導体チップの大きさに合わせた特殊な突き上げピンを用意する必要もない。又、剛直層２２は切断されているため、突き上げ時の荷重Ｆが支点３０に集中し、支点３０にＦ’の荷重が加わりダイシングテープ１２が湾曲しやすくなる。従って、ダイシングテープ１２を剥離する際に加える荷重を少なくすることができ、半導体チップ１０のピックアップ時の欠け、割れ等を効果的に抑制することができる。
なお、「フルカットされる深さ」とは、剛直層が完全に切断されるような深さであり、具体的には、図３に示すとおりである。
このような作用・効果を発揮するための好ましい態様については、後述する。
以下、工程順に詳述する。

〔基材層、剛直層、及び粘着剤層が順次積層されたダイシングテープの前記粘着剤層上に半導体ウエハを貼着する工程〕
本発明の半導体装置の製造方法は、基材層、剛直層、及び粘着剤層が順次積層されたダイシングテープの前記粘着剤層上に半導体ウエハを貼着する工程を有する。

［ダイシングテープ］
本発明におけるダイシングテープは、図２、及び図３に示すように、基材層２０、剛直層２２、及び粘着剤層２４が順次積層されている層構造を有する。
以下に、基材層２０、剛直層２２、及び粘着剤層２４について詳述する。

−基材層−
基材層としては、ダイシング後に個々の半導体チップの配列が乱れることがない観点から、応力緩和作用に優れた層（以下、適宜、「応力緩和作用層」と称する）を用いることが好ましい。この応力緩和性とは、具体的には、引張試験における１０％伸長時の応力緩和率が、１分後で４０％以上、好ましくは５０％以上、さらに好ましくは６０％以上を示すものである。応力緩和率は高いほど好ましく、その上限は、理論的に１００％であり、場合によっては９９．９％、９９％あるいは９５％であってもよい。
基材層の膜厚は、引張強度及び製膜性の観点から、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

基材層は、合成樹脂フィルムからなり、上記の物性を満たすかぎり、特に限定されず、樹脂そのものが上記物性を示すものであっても、他の添加物を加えることにより、上記物性となるものであってもよい。また、基材層は硬化性樹脂を製膜、硬化したものであっても、熱可塑性樹脂を製膜したものであってもよい。

熱可塑性樹脂としては、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、エチレン・メタクリル酸共重合体、エチレン・メタクリル酸メチル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリブタジエン、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレートなどが用いられ、好ましくは、引張強度及び応力緩和性の観点から、エチレン・メタクリル酸共重合体、エチレン・メタクリル酸メチル共重合体が用いられる。

−剛直層−
剛直層としては、耐水性、耐熱性、剛性等の観点から、合成樹脂フィルムが好ましく用いられる。本発明において、剛性とは、引張弾性率が２×１０^３ＭＰａ以上６×１０^３ＭＰａ以下であることが好ましい。また、剛性及びチッピング性の観点から、３×１０^３ＭＰａ以上５×１０^３ＭＰａ以下であることが特に好ましい。なお、引張弾性率は、オリエンテック社製の引張試験機を用いて評価した。
剛直層の膜厚は、剛性及び制膜性の観点から、６μｍ以上１００μｍ以下であり、１２μｍ以上５０μｍ以下であることが特に好ましい。

このような引張弾性率を示す剛直層としては、前述の剛性を示す公知の合成樹脂フィルムが好ましい。
具体的には、例えば、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルフォン、ポリスチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリアミド等の熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの中でも、半導体ウエハにイオン汚染等の悪影響を与えないものが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド等が挙げられ、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートが剛性及びチッピング性の観点から特に好ましい。
本発明における剛直層は、上記各種フィルム単層で用いてもよく積層して用いてもよい。

−粘着剤層−
粘着剤層は、半導体ウエハの加工時にウエハを保持するために、前述した剛直層上に設けられる。本発明では、半導体チップと粘着剤層とが剥離可能であることが好ましい。剥離可能な粘着剤層とは、常態では、半導体チップとダイシングテープとを密着して一体として保持でき、所要の処理（たとえば活性エネルギー線硬化処理など）を施すことで、わずかな外力を加えるだけで、半導体チップとダイシングテープとを剥離可能な状態に転換できる機能を有する層をいう。

このような剥離可能な粘着剤層としては、たとえば、活性エネルギー線硬化型粘着剤から形成されていてもよく、また、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリウレタン系、ポリビニルエーテル系等からなる再剥離型の汎用粘着剤から形成されていてもよい。これらの中でも、剥離性の観点から、活性エネルギー線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。

活性エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線硬化性化合物とを主成分としている。活性エネルギー線硬化型粘着剤に用いられるエネルギー線硬化性化合物としては、たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報および特開昭６０−２２３，１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、あるいはオリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート等のオリゴマーが用いられる。

活性エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アクリル系粘着剤１００質量部に対してエネルギー線重合性化合物は３０質量部以上１００質量部以下の量で用いられることが好ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、半導体チップとアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤層との界面での剥離が容易になり、半導体チップと粘着剤層とを剥離できるようになる。

また、活性エネルギー線硬化型粘着剤層は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報にその詳細が記載されている。

粘着剤層の膜厚は、その材質にもよるが、通常は各々３μｍ以上５０μｍ以下程度であり、好ましくは５μｍ以上３０μｍ以下程度である。
本発明における粘着剤層は、上記の粘着剤をロールコーター、ナイフコーター、ロールナイフコーター、リバースコーター、ダイコーターなど一般に公知の塗工機を用いて、剛直層に適宜厚さとなるように塗布乾燥して粘着剤層を形成したり、離型シートに粘着剤層を形成して剛直層上に転写することによって得られる。

−その他の層−
また、本発明におけるダイシングテープは、基材層２０と剛直層２２との接着力を補うため、基材層と剛直層との間に接着層を有していてもよい。
ここで好適に用いうる接着層は、ダイシングテープを剥離する際、前述のように活性エネルギー線等で剥離可能とならないような、強接着性を有する非エネルギー線硬化型接着剤であることが好ましい。ここで強接着剤としては、剥離強度が１５Ｎ／２５ｍｍ以上の接着剤であることが好ましい。
具体的には、たとえばポリエステル系、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリウレタン系、ポリビニルエーテル系等の接着剤が用いられる。

〔前記剛直層に第１溝を形成し、前記第１溝と略直角方向に、前記剛直層に前記第１溝より深い第２溝を形成するようにダイシングする工程〕
本発明の半導体装置の製造方法は、前記剛直層に第１溝を形成し、前記第１溝と略直角方向に、前記剛直層に前記第１溝より深い第２溝を形成するようにダイシングする工程を有する。
具体的には、前述したような工程を経ることにより、図５のように突き上げピン２６で突き上げると比較的浅い溝である第１溝１６の底部が支点３０となり、ダイシングテープ１２が湾曲するため、ダイシングテープ１２の剥離が容易になされる。
このような効果を発現しやすくするためには、前記第１溝の深さ１６は、前記剛直層の膜厚に対して前記剛直層が溝部において残存しているような深さであり、前記第２溝の深さ３３は、前記剛直層の膜厚に対してフルカットされる深さである。好ましい態様としては、第１溝１６の深さＸが剛直層２２の膜厚に対して２０％以上８０％以下とし、第２溝１８の深さＹが剛直層２２の膜厚に対して１００％以上３００％以下とすることが挙げられる。特に好ましい態様としては、第１溝１６の深さＸが剛直層２２の膜厚に対して５０％以上８０％以下とし、第２溝１８の深さＹが剛直層２２の膜厚に対して１００％以上２００％以下とすることが挙げられる。
図３に示すように、第２溝１８の深さＹが剛直層２２の膜厚に対してフルカットされる深さとなるように形成することが必須の態様として挙げられる。ここで、「フルカットされる深さ」とは、剛直層を切断し、基材層の一部に溝が形成された態様も含むことを意味する。従って、剛直層の膜厚以上の深さを有する溝が、剛直層、及び基材層に跨って形成されていてもよい。このような第２溝の深さ１８が形成されるようにダイシングすることにより、第２溝１８の底部が応力緩和作用層である基材層２０からなるため、荷重が支点３０に集中しダイシングテープ１２が湾曲しやすくなる。なお、本発明では、第１溝の底部又は第２溝の底部のいずれかが、突き上げピンで突き上げた際の支点として機能すればよい。従って、第１溝１６の深さＸと第２溝１８の深さＹとの関係が、逆であってもよい。

〔前記基材層の前記半導体ウエハを有する側とは反対側から荷重を加えることにより半導体チップを前記粘着剤層から剥離する工程〕
本発明の半導体装置の製造方法は、前記基材層の前記半導体ウエハを有する側とは反対側から荷重を加えることにより半導体チップを前記粘着剤層から剥離する工程を有する。
前述したようなダイシング工程を経ると、半導体チップのサイズによらず、通常の突き上げピンにより半導体チップとダイシングテープとが容易に剥離することができる。

［荷重］
本発明では、前記突き上げピンをダイシングテープの基材層側から突き上げることによりダイシングテープに垂直に荷重を加え、ダイシングテープを湾曲させる。この荷重は、基材層及び剛直層の膜厚、材質、ダイシング工程における溝の深さ、粘着剤層の材質等により適宜調整すればよい。また、荷重を加える際の加速度も、半導体チップに欠け、割れ等が発生せず、尚且つ作業時間を考慮し、適宜調整すればよい。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。

＜実施例１＞
〔半導体ウエハの貼着〕
直径が２００ｍｍのシリコンウエハの主面に周知の製造プロセスに従って集積回路を形成した後、シリコンウエハの裏面をグラインダで研削する。続いて、この研削によって生じた裏面のダメージ層を、ウエットエッチング、ドライポリッシング、プラズマエッチングなどの方法によって板厚を１５０μｍに加工し、所望のシリコンウエハを得た。前述のシリコンウエハの裏面に、下記のような材質、膜厚からなる基材層、剛直層、及び粘着剤層を順次積層したダイシングテープを貼着した。その後、ウエハリングでダイシングテープを固定した。さらに、ＵＶ照射装置を用い、ダイシングテープの基材層側から高圧水銀ランプで累積光量１５０ｍＪ／ｃｍ^２以上照射することにより、粘着剤層の粘着性を低減させた。

−ダイシングテープの材質−
・基材層 １００μｍ
（エチレン・メタクリル酸共重合体、三井・デュポンケミカル（株）製、ニュクレル Ｎ０９０３ＨＣ）
・剛直層 ２５μｍ（二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、東レ（株）製、ルミラー＃２５、引張弾性率：４×１０^３ＭＰａ）
・粘着剤層 １０μｍ
（ＵＶ硬化型粘着剤、日本合成化学工業（株）製、Ｎ−３４１５）

−ダイシングテープの製造方法−
まず、エチレン・メタクリル酸共重合体フィルムからなる基材を三井・デュポンケミカル（株）製、ニュクレル Ｎ０９０３ＨＣを、９０ｍｍＴダイ押出機を用いて押出成形し形成した。その後、基材層上に二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、ルミラー＃２５）からなる剛直層を、ポリエステル系接着剤を用いドライラミネートにより積層した。さらに、ＵＶ硬化型粘着剤層をＵＶ硬化型粘着剤（日本合成化学工業（株）製、Ｎ−３４１５）を用いて、１０μｍの厚みに塗布し積層した。その後、円形状に裁断して所望のダイシングテープを得た。

〔ダイシング〕
続いて、ダイシング装置を用い、剛直層に１５μｍの溝深さ（剛直層の膜厚に対して６０％）が形成されるように第１ダイシングを行った。続いて、剛直層には２５μｍの溝深さ、基材層には１０μｍの溝深さ、合計３５μｍの溝深さ（剛直層の膜厚に対して１４０％）が形成されるように第２ダイシングを行った。このダイシングにより、３ｍｍ×６ｍｍの半導体チップを形成した。

〔ピックアップ〕
前述のようにダイシングした後、従来の突き上げピンにて上方に突き上げてダイシングテープを剥離する。その後、半導体チップを吸着してピックアップした。

〔評価〕
−ピックアップ性−
１枚のシリコンウエハから得られる合計１４００個の半導体チップについて、吸着によりピックアップすることができた半導体チップの個数を計測し、全体の個数で除した値をピックアップ性とした。評価基準は以下の通りである。
◎：ピックアップすることができた半導体チップの割合が、９９％以上。
○：ピックアップすることができた半導体チップの割合が、９５％以上９９％未満。
△：ピックアップすることができた半導体チップの割合が、７５％以上９５％未満。
×：ピックアップすることができた半導体チップの割合が、７５％未満。
結果を表１に示す。

−チッピング性−
１枚のシリコンウエハから得られる合計１４００個の半導体チップについて、半導体チップ裏面にチッピングが発生している個数を計測し全体の個数で除した値をチッピング性とした。評価基準は以下の通りである。
◎：半導体チップの裏面に５ミクロン以上のチッピングが発生している割合が、１％未満。
○：半導体チップの裏面に５ミクロン以上のチッピングが発生している割合が、１％以上５％未満。
△：半導体チップの裏面に５ミクロン以上のチッピングが発生している割合が、５％以上２０％未満。
×：半導体チップの裏面に５ミクロン以上のチッピングが発生している割合が、２０％以上。
結果を表１に示す。

＜実施例２〜実施例１３、比較例１〜比較例３＞
実施例１において、剛直層の種類、厚さ、引張弾性率、半導体チップのサイズ、第１溝の深さ、及び第２溝の深さを下記表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして半導体チップを形成した。結果を表１に示す。
ただし、表中、剛直層のフィルムの種類は、下記の略号により表す。
二軸ＰＥＴ：二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、東レ（株）製、ルミラー＃２５（厚さ２５μｍ）、ルミラー＃５０（厚さ５０μｍ）、ルミラー＃１２５（厚さ１２５μｍ）ルミラーＦ５３（厚さ５μｍ）。
ＴＰＸ：ＴＰＸフィルム、三井化学（株）製、オピュランＸ−４４Ｂ、厚さ５０μｍ。
二軸ＰＥＮ：二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、帝人デュポンフィルム（株）製、 テオネックスＱ５１、厚さ２５μｍ。

以上より、本発明の半導体装置の製造方法では、半導体チップのチッピングを抑制し、従来の突き上げピンで半導体チップをピックアップすることが可能であることが明らかになった。

本発明の半導体装置の製造方法における、ダイシング後の上面図である。 本発明の半導体装置の製造方法における、図１のＡ−Ａ断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法における、図１のＢ−Ｂ断面図である。 本発明の半導体装置の製造方法における、突き上げピンをダイシングテープの基材層側に配置した図である。 本発明の半導体装置の製造方法における、突き上げピンで突き上げた図である。

符号の説明

１０ 半導体チップ
１２ ダイシングテープ
１４ リングフレーム
１６ 第１溝
１８ 第２溝
２０ 基材層
２２ 剛直層
２４ 粘着剤層
２６ 突き上げピン
３０ 支点

Claims (7)

1. 基材層、剛直層、及び粘着剤層が順次積層されたダイシングテープの前記粘着剤層上に半導体ウエハを貼着する工程と、
   前記剛直層に第１溝を形成し、前記第１溝と略直角方向に、前記剛直層に前記第１溝より深い第２溝を形成するようにダイシングする工程と、
   前記基材層の前記半導体ウエハを有する側とは反対側から荷重を加えることにより半導体チップを前記粘着剤層から剥離する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記第１溝の深さは、前記剛直層の膜厚に対して前記剛直層が溝部において残存しているような深さであり、前記第２溝の深さは、前記剛直層の膜厚に対してフルカットされる深さであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第１溝の深さが前記剛直層の膜厚に対して２０％以上８０％以下であり、前記第２溝の深さが前記剛直層の膜厚に対して１００％以上３００％以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記基材層が応力緩和作用層からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記応力緩和作用層が、エチレン・メタクリル酸共重合体、又はエチレン・メタクリル酸メチル共重合体からなる層であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記剛直層の引張弾性率が、２×１０^３ＭＰａ以上６×１０^３ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記剛直層が二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記粘着剤層が活性エネルギー線硬化型粘着剤層であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

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