JP2009124177A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板を搬送する搬送手段を有するウエハ搬送モジュールと該ウエハ搬送モジュールに接続された処理モジュールとからなる基板処理システムにおいて、
   前記搬送手段は、該ウエハ搬送モジュールと該処理モジュールとの間で真空を破ることなく該基板を搬送するよう構成され、
   前記処理モジュールは、
   前記基板上に金属膜を形成するための第１のＰＶＤモジュールと、
   前記金属膜の形成された基板を加熱して前記金属膜を誘電体に変換し高誘電体ゲート絶縁膜を形成するための熱アニーリングモジュールと、
   前記高誘電体ゲート絶縁膜の形成された基板を冷却するための冷却モジュールと、
   前記基板の高誘電体ゲート絶縁膜上に金属ゲート電極膜を形成するための第２のＰＶＤモジュールと、
   を含むことを特徴とする基板処理システム。
2. 前記第１のＰＶＤモジュールと前記第２のＰＶＤモジュールとは、それぞれ基板を支持するための基板支持面を有する基板ホルダと、金属ターゲットを支持するためのターゲット支持面を有する陰極と、を備え、
   前記第１のＰＶＤモジュールと前記第２のＰＶＤモジュールとは、それぞれ前記基板支持面と前記ターゲット支持面とが平行ではない斜角ＰＶＤモジュールであり、前記ターゲット支持面は、前記基板支持面に対して１０°〜９０°の範囲で変えることができることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
3. 前記第１のＰＶＤモジュールと前記第２のＰＶＤモジュールとは、それぞれ複数のターゲット（陰極）をそれぞれ備えることを特徴とした請求項２記載の基板処理システム。
4. 前記第１のＰＶＤモジュールと前記第２のＰＶＤモジュールとは、それぞれ金属ターゲットを一面に支持するバックキングプレートを有する陰極を備え、
   前記陰極は、前記バックキングプレート上の前記金属ターゲットに対する反対側の面にマグネットを有し、
   前記マグネットは膜蒸着中に回転されるものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
5. 前記熱アニーリングモジュールは、前記基板を加熱して前記基板上にＳｉＯ _２ 膜を形成するようにさらに適合され、
   前記冷却モジュールは、前記ＳｉＯ _２ 膜の形成された基板を冷却するようにさらに適合されている
   ことを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
6. 前記熱アニーリングモジュールにおいて、前記金属膜が形成された基板は、酸素雰囲気中で第１の温度で加熱され、その後不活性ガス雰囲気中で第１の温度より高い第２の温度で加熱される
   ことを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。