JPH0945756A - 半導体製造装置および製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および製造方法Info
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- JPH0945756A JPH0945756A JP18999095A JP18999095A JPH0945756A JP H0945756 A JPH0945756 A JP H0945756A JP 18999095 A JP18999095 A JP 18999095A JP 18999095 A JP18999095 A JP 18999095A JP H0945756 A JPH0945756 A JP H0945756A
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- electrode plate
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- semiconductor manufacturing
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜成膜工程において、一台の装置で複数の
処理をこなすことができ、かつ高品質の半導体素子を製
造することのできる半導体製造装置を実現する。 【構成】 誘電体絶縁層２の上面に置かれた半導体ウエ
ハ１と、誘電体絶縁層２の下面に設けられた電極板４と
の間に、直流電源９によって電圧を印加する。すると、
静電吸引力が生じて、ウエハ１が誘電体絶縁層２上面の
ウエハ保持面３に吸着保持される。そして、プロセスチ
ャンバ１７内にＡｒ等のプロセスガスを導入するととも
に、高周波電源１５から対向電極１４へ高周波電圧を印
加することにより、プラズマ領域１６にプラズマを発生
させてスパッタが行われる。上記構成の半導体製造装置
において、誘電体絶縁層２は、実際に成膜が行われる温
度においては、体積抵抗率ρの値が１０8Ωｃｍ＜ρ＜
１０13Ωｃｍの範囲に入るように調整されている。
処理をこなすことができ、かつ高品質の半導体素子を製
造することのできる半導体製造装置を実現する。 【構成】 誘電体絶縁層２の上面に置かれた半導体ウエ
ハ１と、誘電体絶縁層２の下面に設けられた電極板４と
の間に、直流電源９によって電圧を印加する。すると、
静電吸引力が生じて、ウエハ１が誘電体絶縁層２上面の
ウエハ保持面３に吸着保持される。そして、プロセスチ
ャンバ１７内にＡｒ等のプロセスガスを導入するととも
に、高周波電源１５から対向電極１４へ高周波電圧を印
加することにより、プラズマ領域１６にプラズマを発生
させてスパッタが行われる。上記構成の半導体製造装置
において、誘電体絶縁層２は、実際に成膜が行われる温
度においては、体積抵抗率ρの値が１０8Ωｃｍ＜ρ＜
１０13Ωｃｍの範囲に入るように調整されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空中でウエハを加熱
しながら、ウエハ上に半導体素子製造のための処理を施
すのに好適な半導体製造装置および半導体製造方法に関
するものである。
しながら、ウエハ上に半導体素子製造のための処理を施
すのに好適な半導体製造装置および半導体製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程におけるエッチング工程
や薄膜成膜工程においては、ウエハを装置の所定の位置
に確実に密着固定保持し、ウエハを所望の温度に冷却ま
たは加熱する必要がある。
や薄膜成膜工程においては、ウエハを装置の所定の位置
に確実に密着固定保持し、ウエハを所望の温度に冷却ま
たは加熱する必要がある。
【０００３】このような用途の試料保持手段として、真
空中でも使用でき、またウエハ裏面全面にて吸着力を発
生させることができる静電吸着式の試料保持装置が普及
してきている。静電吸着装置は、電極板および絶縁性誘
電体とを積層して構成され、電極板と試料間に電位差を
生じさせることにより、クーロン力すなわち静電吸引力
を発生させ、絶縁性誘電体表面上に試料を吸着保持させ
るものである。このような静電吸着式の試料保持装置に
関しては、例えば、特開平３−２０４９２４号公報等に
開示されている。
空中でも使用でき、またウエハ裏面全面にて吸着力を発
生させることができる静電吸着式の試料保持装置が普及
してきている。静電吸着装置は、電極板および絶縁性誘
電体とを積層して構成され、電極板と試料間に電位差を
生じさせることにより、クーロン力すなわち静電吸引力
を発生させ、絶縁性誘電体表面上に試料を吸着保持させ
るものである。このような静電吸着式の試料保持装置に
関しては、例えば、特開平３−２０４９２４号公報等に
開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤやスパッタを用
いる薄膜成膜工程では、所望の物性値、例えば抵抗値、
誘電率、屈折率、反射率等を得るために、ウエハ温度を
所望の値に制御する必要があり、その温度はウエハ面内
で均一でなければならない。その温度は、ＣＶＤやスパ
ッタを用いる薄膜成膜工程では、１００℃からプロセス
によっては７００℃にまでなる。また、成膜する膜種が
異なると処理温度が異なるため、異なった温度での処理
が必要となる。さらに、同じ膜種であっても成膜する温
度によってその物性が異なることから、異なった役割の
膜を得るためには、異なったウエハ温度での複数の成膜
が行われている。
いる薄膜成膜工程では、所望の物性値、例えば抵抗値、
誘電率、屈折率、反射率等を得るために、ウエハ温度を
所望の値に制御する必要があり、その温度はウエハ面内
で均一でなければならない。その温度は、ＣＶＤやスパ
ッタを用いる薄膜成膜工程では、１００℃からプロセス
によっては７００℃にまでなる。また、成膜する膜種が
異なると処理温度が異なるため、異なった温度での処理
が必要となる。さらに、同じ膜種であっても成膜する温
度によってその物性が異なることから、異なった役割の
膜を得るためには、異なったウエハ温度での複数の成膜
が行われている。
【０００５】しかし、現在のＣＶＤ装置、スパッタ装置
のウエハ保持方法のほとんどはウエハ表面の周辺部を機
械的にクランプする方式であるために、ヒータ等の加熱
源があるウエハサセプタとの密着性が悪く、７００℃の
ような高い温度にウエハを加熱することができず、希望
の膜質が得にくいという問題点がある。また、温度制御
性が悪いために一台の装置で温度の異なる成膜をこなす
ことができずに、異なる膜種の場合にはもちろんのこ
と、同じ膜種の成膜装置でも成膜時のウエハ温度の違う
複数台の装置を用意しなければならいという問題もあ
る。
のウエハ保持方法のほとんどはウエハ表面の周辺部を機
械的にクランプする方式であるために、ヒータ等の加熱
源があるウエハサセプタとの密着性が悪く、７００℃の
ような高い温度にウエハを加熱することができず、希望
の膜質が得にくいという問題点がある。また、温度制御
性が悪いために一台の装置で温度の異なる成膜をこなす
ことができずに、異なる膜種の場合にはもちろんのこ
と、同じ膜種の成膜装置でも成膜時のウエハ温度の違う
複数台の装置を用意しなければならいという問題もあ
る。
【０００６】一方、最近普及してきている静電吸着装置
は、上記公報に示されているように、ドライエッチング
工程用に開発されている。すなわち、ドライエッチング
はウエハを冷却しながら行い、ウエハ温度は常温付近か
ら−６０℃の間ぐらいになる。静電吸着では誘電体とし
て用いられる絶縁層の抵抗が重要となるが、誘電体に用
いられる絶縁層は温度の上昇に従って抵抗率が低下する
性質を持つ。抵抗率が小さ過ぎると、電荷を蓄積するこ
とが難しくなり吸着力が低下する上、試料に大電流が流
れるようになるため半導体素子を破壊する恐れもある。
したがって、上記公報に示されているような現在普及し
ているドライエッチング用の静電吸着装置は、薄膜成膜
工程用に転用してデバイスを製作するには適切ではない
本発明の目的は、絶縁層の抵抗率を適正範囲に調整する
ことにより、静電吸着によるウエハ吸着保持を薄膜成膜
工程用にも適用できるようにして、ウエハに対する加熱
温度範囲が１００〜７００℃と広い場合でも、一台の装
置で処理可能な半導体製造装置および製造方法を提供す
ることにある。
は、上記公報に示されているように、ドライエッチング
工程用に開発されている。すなわち、ドライエッチング
はウエハを冷却しながら行い、ウエハ温度は常温付近か
ら−６０℃の間ぐらいになる。静電吸着では誘電体とし
て用いられる絶縁層の抵抗が重要となるが、誘電体に用
いられる絶縁層は温度の上昇に従って抵抗率が低下する
性質を持つ。抵抗率が小さ過ぎると、電荷を蓄積するこ
とが難しくなり吸着力が低下する上、試料に大電流が流
れるようになるため半導体素子を破壊する恐れもある。
したがって、上記公報に示されているような現在普及し
ているドライエッチング用の静電吸着装置は、薄膜成膜
工程用に転用してデバイスを製作するには適切ではない
本発明の目的は、絶縁層の抵抗率を適正範囲に調整する
ことにより、静電吸着によるウエハ吸着保持を薄膜成膜
工程用にも適用できるようにして、ウエハに対する加熱
温度範囲が１００〜７００℃と広い場合でも、一台の装
置で処理可能な半導体製造装置および製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、真空容器と、真空容器内に収納され、一
方の面に電極板を有し他方の面にウエハが載置された絶
縁性誘電体と、電極板とウエハとの間に電圧を印加する
電圧印加手段と、ウエハを加熱する加熱手段とを備え、
電圧印加手段によって電圧を印加することにより、電極
板とウエハ間に静電吸引力を生じさせてウエハを絶縁性
誘電体表面に吸着保持するとともに、ウエハ上に半導体
素子製造のための処理を施す半導体製造装置において、
絶縁性誘電体は、薄膜形成のための加熱温度範囲では、
体積抵抗率ρの値が１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωcmの範囲
内に入ることを特徴としている。
に、本発明は、真空容器と、真空容器内に収納され、一
方の面に電極板を有し他方の面にウエハが載置された絶
縁性誘電体と、電極板とウエハとの間に電圧を印加する
電圧印加手段と、ウエハを加熱する加熱手段とを備え、
電圧印加手段によって電圧を印加することにより、電極
板とウエハ間に静電吸引力を生じさせてウエハを絶縁性
誘電体表面に吸着保持するとともに、ウエハ上に半導体
素子製造のための処理を施す半導体製造装置において、
絶縁性誘電体は、薄膜形成のための加熱温度範囲では、
体積抵抗率ρの値が１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωcmの範囲
内に入ることを特徴としている。
【０００８】また本発明は、上記構成の半導体製造装置
において、ウエハの温度を検出し、その検出温度に基づ
いて加熱手段を制御してウエハに対する加熱温度を調節
する制御手段を設けるとともに、絶縁性誘電体は、薄膜
形成のための加熱温度範囲では、体積抵抗率ρの値が１
０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωcmの範囲に入ることを特徴とし
ている。
において、ウエハの温度を検出し、その検出温度に基づ
いて加熱手段を制御してウエハに対する加熱温度を調節
する制御手段を設けるとともに、絶縁性誘電体は、薄膜
形成のための加熱温度範囲では、体積抵抗率ρの値が１
０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωcmの範囲に入ることを特徴とし
ている。
【０００９】また本発明は、上記構成の半導体製造装置
において、絶縁性誘電体として、薄膜形成のための加熱
温度範囲では、体積抵抗率ρの値が１０8Ωcm＜ρ＜１
０13Ωcmの範囲に入る、相異なる複数個の誘電体絶縁層
を設けるとともに、誘電体絶縁層の各々に電極板を取付
け、電圧印加手段からの電圧を誘電体絶縁層の各々に個
別に印加する手段を設けたことを特徴としている。
において、絶縁性誘電体として、薄膜形成のための加熱
温度範囲では、体積抵抗率ρの値が１０8Ωcm＜ρ＜１
０13Ωcmの範囲に入る、相異なる複数個の誘電体絶縁層
を設けるとともに、誘電体絶縁層の各々に電極板を取付
け、電圧印加手段からの電圧を誘電体絶縁層の各々に個
別に印加する手段を設けたことを特徴としている。
【００１０】また、本発明は、上記半導体製造装置を、
ＣＶＤ装置もしくはスパッタ装置として半導体製造シス
テムに設置したものであり、さらには上記半導体製造装
置を、半導体製造システムの露光工程、熱酸化・拡散工
程、イオン打ち込み工程、エッチング工程および配線工
程の少なくとも１つに設置したものである。。
ＣＶＤ装置もしくはスパッタ装置として半導体製造シス
テムに設置したものであり、さらには上記半導体製造装
置を、半導体製造システムの露光工程、熱酸化・拡散工
程、イオン打ち込み工程、エッチング工程および配線工
程の少なくとも１つに設置したものである。。
【００１１】さらにまた、本発明は、一方の面に電極板
を有し他方の面にウエハが載置された絶縁性誘電体を真
空容器内に収納し、電極板とウエハとの間に電圧を印加
して電極板とウエハ間に静電吸引力を生じさせて、ウエ
ハを絶縁性誘電体表面に吸着保持するとともに、ウエハ
を加熱して、当該ウエハ上に半導体素子製造のための処
理を施す半導体製造方法において、絶縁性誘電体とし
て、薄膜形成のための加熱温度範囲では、体積抵抗率ρ
の値が１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωcmの範囲に入る絶縁性
誘電体を使用し、その絶縁性誘電体を交換することな
く、１００〜７００℃の範囲の任意の温度でウエハを加
熱することである。
を有し他方の面にウエハが載置された絶縁性誘電体を真
空容器内に収納し、電極板とウエハとの間に電圧を印加
して電極板とウエハ間に静電吸引力を生じさせて、ウエ
ハを絶縁性誘電体表面に吸着保持するとともに、ウエハ
を加熱して、当該ウエハ上に半導体素子製造のための処
理を施す半導体製造方法において、絶縁性誘電体とし
て、薄膜形成のための加熱温度範囲では、体積抵抗率ρ
の値が１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωcmの範囲に入る絶縁性
誘電体を使用し、その絶縁性誘電体を交換することな
く、１００〜７００℃の範囲の任意の温度でウエハを加
熱することである。
【００１２】
【作用】上記の構成によれば、薄膜形成のための加熱温
度範囲では、絶縁性誘電体の体積抵抗率ρが１０8Ωcm
＜ρ＜１０13Ωcmの範囲に入るので、吸着力が低下した
りウエハに大電流が流れたりするのを防ぐことができ
る。そして、体積抵抗率ρが１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωc
mの範囲に入る絶縁性誘電体を使用したことにより、１
００〜７００℃の範囲の任意の温度でウエハを加熱する
ことが可能となり、一台の装置で複数温度での成膜処理
をこなすことができる。
度範囲では、絶縁性誘電体の体積抵抗率ρが１０8Ωcm
＜ρ＜１０13Ωcmの範囲に入るので、吸着力が低下した
りウエハに大電流が流れたりするのを防ぐことができ
る。そして、体積抵抗率ρが１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωc
mの範囲に入る絶縁性誘電体を使用したことにより、１
００〜７００℃の範囲の任意の温度でウエハを加熱する
ことが可能となり、一台の装置で複数温度での成膜処理
をこなすことができる。
【００１３】また、静電吸引力により絶縁性誘電体にウ
エハを吸着保持しているので、ウエハと絶縁性誘電体表
面との密着性がよくなり、これによって、熱伝達率が向
上して所望の物性値に対応した温度に制御しての成膜が
可能になる。このために、従来のように機械的にクラン
プする方式では不可能であった７００℃のような高い温
度での成膜も実現可能となる。
エハを吸着保持しているので、ウエハと絶縁性誘電体表
面との密着性がよくなり、これによって、熱伝達率が向
上して所望の物性値に対応した温度に制御しての成膜が
可能になる。このために、従来のように機械的にクラン
プする方式では不可能であった７００℃のような高い温
度での成膜も実現可能となる。
【００１４】さらに、露光工程、熱酸化・拡散工程、イ
オン打ち込み工程、エッチング工程、配線工程等におい
て、処理装置内のウエハ保持をすべて静電吸着で行うこ
とができるようになり、これによって、温度制御性が良
くなるために、ウエハがいかに大口径化しても高精度の
素子加工が可能となる。すなわち、半導体製造工程に
は、熱処理、膜形成などウエハが変形する要因があり、
その度合いはウエハが大口径化するほど厳しくなるが、
ウエハ保持にすべて静電吸着を用いることにより、ウエ
ハの変形が矯正でき、精度の良い露光、効率の良い熱伝
導が可能となる。その結果、素子加工を高精度に行うこ
とが可能となるのである。
オン打ち込み工程、エッチング工程、配線工程等におい
て、処理装置内のウエハ保持をすべて静電吸着で行うこ
とができるようになり、これによって、温度制御性が良
くなるために、ウエハがいかに大口径化しても高精度の
素子加工が可能となる。すなわち、半導体製造工程に
は、熱処理、膜形成などウエハが変形する要因があり、
その度合いはウエハが大口径化するほど厳しくなるが、
ウエハ保持にすべて静電吸着を用いることにより、ウエ
ハの変形が矯正でき、精度の良い露光、効率の良い熱伝
導が可能となる。その結果、素子加工を高精度に行うこ
とが可能となるのである。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に従って説明す
る。以下の実施例では半導体製造装置の一例としてスパ
ッタ装置を挙げて説明するが、本発明はこれに限定され
るものではなく、熱処理装置やＣＶＤ装置などウエハを
加熱処理して半導体を製造するためのすべての装置に有
効である。また以下の実施例では、静電吸着方式は一枚
電極でウエハから導通を取る、いわゆる単極型静電吸着
装置を例にして説明するが、ウエハから導通を取らず二
枚電極で構成する、いわゆる双極型静電吸着装置に関し
ても本発明は同様の作用効果がある。さらに、プラズマ
を介してウエハからの導通を取る方式の単極型静電吸着
装置に関しても同様である。
る。以下の実施例では半導体製造装置の一例としてスパ
ッタ装置を挙げて説明するが、本発明はこれに限定され
るものではなく、熱処理装置やＣＶＤ装置などウエハを
加熱処理して半導体を製造するためのすべての装置に有
効である。また以下の実施例では、静電吸着方式は一枚
電極でウエハから導通を取る、いわゆる単極型静電吸着
装置を例にして説明するが、ウエハから導通を取らず二
枚電極で構成する、いわゆる双極型静電吸着装置に関し
ても本発明は同様の作用効果がある。さらに、プラズマ
を介してウエハからの導通を取る方式の単極型静電吸着
装置に関しても同様である。
【００１６】（第１実施例）図１は本発明の半導体製造
装置であって、その一例としてのスパッタ装置の概略構
成を示している。図１において、１は半導体ウエハ、２
は絶縁性誘電体としての誘電体絶縁層である。ウエハ１
は誘電体絶縁層２の上面、すなわちウエハ保持面３上に
吸着保持される。誘電体絶縁層２の下面（ウエハ保持面
３の反対側の面）には電極板４が設けられている。そし
て、誘電体絶縁層２は電極板４の下側に配置されたベー
ス５上に固定されている。ベース５の下部には複数のヒ
ータ６が設けられ、これらのヒータ６はヒータ用電源７
に接続されている。
装置であって、その一例としてのスパッタ装置の概略構
成を示している。図１において、１は半導体ウエハ、２
は絶縁性誘電体としての誘電体絶縁層である。ウエハ１
は誘電体絶縁層２の上面、すなわちウエハ保持面３上に
吸着保持される。誘電体絶縁層２の下面（ウエハ保持面
３の反対側の面）には電極板４が設けられている。そし
て、誘電体絶縁層２は電極板４の下側に配置されたベー
ス５上に固定されている。ベース５の下部には複数のヒ
ータ６が設けられ、これらのヒータ６はヒータ用電源７
に接続されている。
【００１７】また、誘電体絶縁層２、電極板４およびベ
ース５を貫通して管状の絶縁体８が設けられ、この絶縁
体８内に直流電源９に接続された導通部１０が挿入され
ている。直流電源９は電極板４にも接続されており、直
流電源９によって、電極板４と導通部１０に接触するウ
エハ１との間に電圧を印加することができる。また誘電
体絶縁層２上面のウエハ保持面３には溝１１が形成さ
れ、図示してないガス供給源からバルブ１２および配管
１３を介して、溝１１内にガスが供給されるようになっ
ている。
ース５を貫通して管状の絶縁体８が設けられ、この絶縁
体８内に直流電源９に接続された導通部１０が挿入され
ている。直流電源９は電極板４にも接続されており、直
流電源９によって、電極板４と導通部１０に接触するウ
エハ１との間に電圧を印加することができる。また誘電
体絶縁層２上面のウエハ保持面３には溝１１が形成さ
れ、図示してないガス供給源からバルブ１２および配管
１３を介して、溝１１内にガスが供給されるようになっ
ている。
【００１８】ウエハ１が載置される誘電体絶縁層２の上
方には所定の間隔を置いて対向電極（ターゲット）１４
が設置され、この対向電極１４はプラズマ発生のための
高周波電源１５に接続されている。なお、１６はプラズ
マ領域を示している。
方には所定の間隔を置いて対向電極（ターゲット）１４
が設置され、この対向電極１４はプラズマ発生のための
高周波電源１５に接続されている。なお、１６はプラズ
マ領域を示している。
【００１９】誘電体絶縁層２、電極板４、ベース５、対
向電極１４等はプロセスチャンバ１７の内部に設けられ
ており、またプロセスチャンバ１６は図示してない排気
装置によって内部を真空雰囲気とすることができる。な
お、図１において、１８，１９はアースである。また電
極板４は図１のようにベース５内に埋め込まれる構成で
もよいし、また誘電体絶縁層２内に埋め込まれる構成で
もよい。
向電極１４等はプロセスチャンバ１７の内部に設けられ
ており、またプロセスチャンバ１６は図示してない排気
装置によって内部を真空雰囲気とすることができる。な
お、図１において、１８，１９はアースである。また電
極板４は図１のようにベース５内に埋め込まれる構成で
もよいし、また誘電体絶縁層２内に埋め込まれる構成で
もよい。
【００２０】ところで、ＣＶＤやスパッタのような１０
０℃から７００℃にもなる高温での薄膜工程では、誘電
体絶縁層２は薄膜形成が行われる温度範囲において、そ
の体積抵抗率ρの値が１０8Ωｃｍ＜ρ＜１０13Ωｃｍ
となるよう調整されていることが必要である。静電吸着
する場合、誘電体絶縁層２に用いられるセラミックスの
抵抗が小さすぎると、電荷を蓄積することが難しくなり
吸着力が低下するうえ、ウエハ１に大電流が流れるよう
になるため半導体素子を破壊するという弊害がある。逆
に、抵抗が大きすぎると電圧印加を行った場合、あるい
は解除した場合、すなわち吸着・脱離の際の時定数が長
くなり、電圧を印加してウエハ保持に必要な吸引力の発
生までに長時間を要する。もしくは電圧を解除してから
吸引力が解除されるまでに長時間を要する。すなわち、
スループットが悪すぎて効率の良い半導体製造ができな
いという問題点がでてくる。また、表面抵抗の方が体積
抵抗よりも小さくなり絶縁層表面を電流が流れるように
なるため吸引力も低下するという問題もある。必要な静
電気特性を保ちつつ残留電荷の影響を少なくできる体積
抵抗率ρの値は１０8Ωｃｍ＜ρ＜１０13Ωｃｍの範囲
である。
０℃から７００℃にもなる高温での薄膜工程では、誘電
体絶縁層２は薄膜形成が行われる温度範囲において、そ
の体積抵抗率ρの値が１０8Ωｃｍ＜ρ＜１０13Ωｃｍ
となるよう調整されていることが必要である。静電吸着
する場合、誘電体絶縁層２に用いられるセラミックスの
抵抗が小さすぎると、電荷を蓄積することが難しくなり
吸着力が低下するうえ、ウエハ１に大電流が流れるよう
になるため半導体素子を破壊するという弊害がある。逆
に、抵抗が大きすぎると電圧印加を行った場合、あるい
は解除した場合、すなわち吸着・脱離の際の時定数が長
くなり、電圧を印加してウエハ保持に必要な吸引力の発
生までに長時間を要する。もしくは電圧を解除してから
吸引力が解除されるまでに長時間を要する。すなわち、
スループットが悪すぎて効率の良い半導体製造ができな
いという問題点がでてくる。また、表面抵抗の方が体積
抵抗よりも小さくなり絶縁層表面を電流が流れるように
なるため吸引力も低下するという問題もある。必要な静
電気特性を保ちつつ残留電荷の影響を少なくできる体積
抵抗率ρの値は１０8Ωｃｍ＜ρ＜１０13Ωｃｍの範囲
である。
【００２１】しかし、誘電体絶縁層２に用いられるセラ
ミックスの体積抵抗率は、温度の上昇に伴って急激に低
下する。このために、常温で上記の特性を持つように調
整されたものでは、本実施例のような高温度環境での成
膜工程においては、温度の上昇により抵抗が低下しすぎ
て精度の良い素子加工ができない。
ミックスの体積抵抗率は、温度の上昇に伴って急激に低
下する。このために、常温で上記の特性を持つように調
整されたものでは、本実施例のような高温度環境での成
膜工程においては、温度の上昇により抵抗が低下しすぎ
て精度の良い素子加工ができない。
【００２２】そこで、本実施例の誘電体絶縁層２は、実
際に成膜が行われる温度においては、体積抵抗率ρの値
が１０8Ωｃｍ＜ρ＜１０13Ωｃｍの範囲にあるように
調整されている。セラミックスは純度を変えることで、
すなわち不純物の含有量を変えることで抵抗率の制御が
可能であり、不純物の含有量を調整して、成膜が行われ
る温度において上記の範囲に抵抗率がなるようにすれば
良い。このようなセラミックスとしては、例えば、窒化
けい素（Ｓｉ３Ｎ４）、ベリリア（ＢｅＯ）、ボロンナ
イトライド（ＢＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、酸化けい
素（ＳｉＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）など窒化物系およ
び酸化物系セラミックス全般が考えられる。
際に成膜が行われる温度においては、体積抵抗率ρの値
が１０8Ωｃｍ＜ρ＜１０13Ωｃｍの範囲にあるように
調整されている。セラミックスは純度を変えることで、
すなわち不純物の含有量を変えることで抵抗率の制御が
可能であり、不純物の含有量を調整して、成膜が行われ
る温度において上記の範囲に抵抗率がなるようにすれば
良い。このようなセラミックスとしては、例えば、窒化
けい素（Ｓｉ３Ｎ４）、ベリリア（ＢｅＯ）、ボロンナ
イトライド（ＢＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、酸化けい
素（ＳｉＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）など窒化物系およ
び酸化物系セラミックス全般が考えられる。
【００２３】上記構成の半導体製造装置において、ウエ
ハ１に成膜する際は、図示しないロードロック室を通し
てやはり図示しない搬送ロボットにより、ウエハ１を真
空雰囲気のプロセスチャンバ１７内に搬送して、誘電体
絶縁層２のウエハ保持面３上に載置する。ウエハ保持面
３にウエハ１が載置されたら、直流電源９によって、ウ
エハ１とウエハ保持面３との間に電圧を印加する。これ
によって、ウエハ保持面３全面に静電吸引力が発生し、
ウエハ１をウエハ保持面３上に吸着保持することができ
る。
ハ１に成膜する際は、図示しないロードロック室を通し
てやはり図示しない搬送ロボットにより、ウエハ１を真
空雰囲気のプロセスチャンバ１７内に搬送して、誘電体
絶縁層２のウエハ保持面３上に載置する。ウエハ保持面
３にウエハ１が載置されたら、直流電源９によって、ウ
エハ１とウエハ保持面３との間に電圧を印加する。これ
によって、ウエハ保持面３全面に静電吸引力が発生し、
ウエハ１をウエハ保持面３上に吸着保持することができ
る。
【００２４】ヒータ６にはヒータ用電源７から給電され
ており、ベース５と誘電体絶縁層２は予め所定の温度に
加熱されている。この場合、ウエハ１は静電吸引力によ
りウエハ保持面３に密着保持されているので、ウエハ保
持面３からウエハ１への熱伝達率が向上しウエハ１を効
率良く加熱することができる。また、ウエハ１とウエハ
保持面３との間には表面粗さに起因するミクロな隙間が
存在するため、配管１３を介して溝１１内にＨｅガス等
のガスを導入すると、このガスが熱伝達媒体となって熱
伝達率を更に向上させることができる。なお、溝１１は
ウエハ保持面３の全面に形成されているので、ウエハ１
の裏面全域にガスを均一に導入することができ、ウエハ
１裏面の温度の均一化を図ることができる。
ており、ベース５と誘電体絶縁層２は予め所定の温度に
加熱されている。この場合、ウエハ１は静電吸引力によ
りウエハ保持面３に密着保持されているので、ウエハ保
持面３からウエハ１への熱伝達率が向上しウエハ１を効
率良く加熱することができる。また、ウエハ１とウエハ
保持面３との間には表面粗さに起因するミクロな隙間が
存在するため、配管１３を介して溝１１内にＨｅガス等
のガスを導入すると、このガスが熱伝達媒体となって熱
伝達率を更に向上させることができる。なお、溝１１は
ウエハ保持面３の全面に形成されているので、ウエハ１
の裏面全域にガスを均一に導入することができ、ウエハ
１裏面の温度の均一化を図ることができる。
【００２５】そして次に、プロセスチャンバ１７内にＡ
ｒ等のプロセスガスを導入するとともに、高周波電源１
５から対向電極１４へ高周波電圧を印加して、プラズマ
領域１６にプラズマを発生させスパッタを行う。
ｒ等のプロセスガスを導入するとともに、高周波電源１
５から対向電極１４へ高周波電圧を印加して、プラズマ
領域１６にプラズマを発生させスパッタを行う。
【００２６】ＣＶＤやスパッタを用いる薄膜成膜工程で
は、薄膜が形成される温度によって膜の物性値、例えば
抵抗値、誘電率、屈折率、反射率、内部応力等が変化し
てしまう。このため、所望の膜質を得るには、ウエハ温
度を、しかもウエハ面内で均一かつ所望の値に制御する
必要がある。本実施例の半導体製造装置を用いれば、ウ
エハ保持を少なくとも１００℃から７００℃まで装置を
交換することなく、つまり一台の装置で連続して行うこ
とができるため、ウエハ１とウエハ保持面３との密着性
をすべての工程にわたって維持することができ、ウエハ
の温度制御性が飛躍的に向上する。これにより、ウエハ
温度を所望の温度に高い面内均一度で加熱することがで
き、目的の物性を持った質の高い成膜が可能となる。
は、薄膜が形成される温度によって膜の物性値、例えば
抵抗値、誘電率、屈折率、反射率、内部応力等が変化し
てしまう。このため、所望の膜質を得るには、ウエハ温
度を、しかもウエハ面内で均一かつ所望の値に制御する
必要がある。本実施例の半導体製造装置を用いれば、ウ
エハ保持を少なくとも１００℃から７００℃まで装置を
交換することなく、つまり一台の装置で連続して行うこ
とができるため、ウエハ１とウエハ保持面３との密着性
をすべての工程にわたって維持することができ、ウエハ
の温度制御性が飛躍的に向上する。これにより、ウエハ
温度を所望の温度に高い面内均一度で加熱することがで
き、目的の物性を持った質の高い成膜が可能となる。
【００２７】次に、一台の装置でカバーできる温度範囲
が広いことから、装置台数の削減、すなわち投資削減に
もなる。すなわち、１００℃でスパッタする工程と５０
０℃で後処理する工程があれば、その２工程を一台のス
パッタ装置で処理可能となるためである。このように複
数台の装置が必要な工程を一台の装置で行えば、ウエハ
に異物が付着するチャンスも減り歩留まりの高い半導体
製造が行える。また、同種の膜種であっても成膜温度に
よって物性の異なる膜を複数種類得たい場合には、成膜
温度を変えるだけで対応でき、別装置を用意する必要は
ない。さらに、異なる膜種の成膜の場合もターゲットを
変えることにより対応できるので、フレキシビリティの
高い半導体製造ラインが得られる。
が広いことから、装置台数の削減、すなわち投資削減に
もなる。すなわち、１００℃でスパッタする工程と５０
０℃で後処理する工程があれば、その２工程を一台のス
パッタ装置で処理可能となるためである。このように複
数台の装置が必要な工程を一台の装置で行えば、ウエハ
に異物が付着するチャンスも減り歩留まりの高い半導体
製造が行える。また、同種の膜種であっても成膜温度に
よって物性の異なる膜を複数種類得たい場合には、成膜
温度を変えるだけで対応でき、別装置を用意する必要は
ない。さらに、異なる膜種の成膜の場合もターゲットを
変えることにより対応できるので、フレキシビリティの
高い半導体製造ラインが得られる。
【００２８】本実施例では、ウエハ保持にヒータ６を設
置してウエハを加熱する成膜方法について述べたが、ヒ
ータを用いずにプラズマのエネルギでウエハ１を加熱す
る成膜方法にも本発明は適用でき、この場合も、膜質の
正確さ、面内均一性等については同様の効果が得られ
る。
置してウエハを加熱する成膜方法について述べたが、ヒ
ータを用いずにプラズマのエネルギでウエハ１を加熱す
る成膜方法にも本発明は適用でき、この場合も、膜質の
正確さ、面内均一性等については同様の効果が得られ
る。
【００２９】（第２実施例）図２は本発明の第２実施例
による半導体製造装置の概略構成を示している。本実施
例の特徴は、センサ部２０を有しウエハ１の温度を計測
する温度計測器２１と、温度計測器２１からの計測結果
を取り込み、その結果に基づいてヒータ６への供給電流
を制御する制御装置２２と、を備えたことである。セン
サ部２０は赤外線温度センサからなり、管状の絶縁体８
内に挿入されている。制御装置２２内には、温調器２３
と、ヒータ６への電流値を制御する制御器２４が設けら
れている。
による半導体製造装置の概略構成を示している。本実施
例の特徴は、センサ部２０を有しウエハ１の温度を計測
する温度計測器２１と、温度計測器２１からの計測結果
を取り込み、その結果に基づいてヒータ６への供給電流
を制御する制御装置２２と、を備えたことである。セン
サ部２０は赤外線温度センサからなり、管状の絶縁体８
内に挿入されている。制御装置２２内には、温調器２３
と、ヒータ６への電流値を制御する制御器２４が設けら
れている。
【００３０】センサ部２０で計測された信号は温度計測
器２１で温度の情報に変換されて、制御装置２２へ送ら
れる。制御装置２２では、その信号を温調計２３を介し
て制御器２４に送って、ヒータ６に給電する電流を制御
する。このように、ウエハ１の温度を測定して、加熱に
関するフィードバック制御を行うことにより、より精度
の高い成膜を行うことができる。
器２１で温度の情報に変換されて、制御装置２２へ送ら
れる。制御装置２２では、その信号を温調計２３を介し
て制御器２４に送って、ヒータ６に給電する電流を制御
する。このように、ウエハ１の温度を測定して、加熱に
関するフィードバック制御を行うことにより、より精度
の高い成膜を行うことができる。
【００３１】本実施例では、ウエハの温度を赤外線温度
センサで測定する例を示したが、赤外線温度センサの代
わりに、蛍光を計測するセンサや熱伝対であっても、同
様の効果が得られるし、計測はウエハの一カ所でなく複
数箇所で行っても良い。また、ウエハの温度を直接計測
るのではなく、ウエハサセプタのいずれかの場所で温度
を測定し、ウエハ温度を模擬する方法でもよい。このよ
うな半導体製造装置は、既に述べたように高い温度で行
う成膜工程であるＣＶＤやスパッタに対して特に効果的
である。
センサで測定する例を示したが、赤外線温度センサの代
わりに、蛍光を計測するセンサや熱伝対であっても、同
様の効果が得られるし、計測はウエハの一カ所でなく複
数箇所で行っても良い。また、ウエハの温度を直接計測
るのではなく、ウエハサセプタのいずれかの場所で温度
を測定し、ウエハ温度を模擬する方法でもよい。このよ
うな半導体製造装置は、既に述べたように高い温度で行
う成膜工程であるＣＶＤやスパッタに対して特に効果的
である。
【００３２】（第３実施例）図３は本発明の第３実施例
であり、誘電体絶縁層やベース等のウエハを保持する部
分の詳細構成を示している。図に示すように、本実施例
では体積抵抗率の異なる複数種類の誘電体絶縁層が組み
合わされて、ウエハ保持部が構成されている。各誘電体
絶縁層の体積抵抗率ρの値は１０8Ωｃｍ＜ρ＜１０13
Ωｃｍの範囲に設定されている。例えば、誘電体絶縁層
３０が１００℃から３５０℃までの範囲で、誘電体絶縁
層３１が３５０℃から５００℃までの範囲で、誘電体絶
縁層３２が５００℃から７００℃までの範囲で使用でき
るよう、各誘電体絶縁層の体積抵抗率ρの値が設定され
ている。この場合、各誘電体絶縁層はウエハの保持面３
３が同一面になっていること、電極板３４は異なる種類
の誘電体間では互いに絶縁されていることが必要であ
る。また電極板３４は各誘電体絶縁層の数だけ設けられ
ている。
であり、誘電体絶縁層やベース等のウエハを保持する部
分の詳細構成を示している。図に示すように、本実施例
では体積抵抗率の異なる複数種類の誘電体絶縁層が組み
合わされて、ウエハ保持部が構成されている。各誘電体
絶縁層の体積抵抗率ρの値は１０8Ωｃｍ＜ρ＜１０13
Ωｃｍの範囲に設定されている。例えば、誘電体絶縁層
３０が１００℃から３５０℃までの範囲で、誘電体絶縁
層３１が３５０℃から５００℃までの範囲で、誘電体絶
縁層３２が５００℃から７００℃までの範囲で使用でき
るよう、各誘電体絶縁層の体積抵抗率ρの値が設定され
ている。この場合、各誘電体絶縁層はウエハの保持面３
３が同一面になっていること、電極板３４は異なる種類
の誘電体間では互いに絶縁されていることが必要であ
る。また電極板３４は各誘電体絶縁層の数だけ設けられ
ている。
【００３３】さらに、直流電源３５と各電極板３４との
間には個別にオンオフするスイッチ群３６が設けられ、
適用温度範囲を超えた電極板に対しては直流電源３５か
らの給電が停止できるようになっている。なお、図中３
７はベースである。
間には個別にオンオフするスイッチ群３６が設けられ、
適用温度範囲を超えた電極板に対しては直流電源３５か
らの給電が停止できるようになっている。なお、図中３
７はベースである。
【００３４】（第４実施例）図４は本発明の第４実施例
であり、半導体製造ラインの模式図を示している。ウエ
ハは年々大口径化しており、現在は８インチ、近い将来
１２インチになる模様である。現在のウエハ保持は既に
述べたように機械的にクランプするいわゆるメカニカル
チャック方式が主流である。ウエハの大口径化に伴いウ
エハに生じる撓みも大きくなる。さらに、いくつかのプ
ロセスを例えば成膜工程や熱処理工程を経るとウエハ上
の膜やウエハに内部応力が生じ、さらに撓みが大きくな
る。すなわち、半導体製造工程には、熱処理、膜形成な
どウエハが変形する要因が多数あり、その度合いはウエ
ハが大口径化するほど厳しくなる。
であり、半導体製造ラインの模式図を示している。ウエ
ハは年々大口径化しており、現在は８インチ、近い将来
１２インチになる模様である。現在のウエハ保持は既に
述べたように機械的にクランプするいわゆるメカニカル
チャック方式が主流である。ウエハの大口径化に伴いウ
エハに生じる撓みも大きくなる。さらに、いくつかのプ
ロセスを例えば成膜工程や熱処理工程を経るとウエハ上
の膜やウエハに内部応力が生じ、さらに撓みが大きくな
る。すなわち、半導体製造工程には、熱処理、膜形成な
どウエハが変形する要因が多数あり、その度合いはウエ
ハが大口径化するほど厳しくなる。
【００３５】このために、素子の微細化に対応する高精
度の加工をウエハに施すにはウエハを平坦化して保持す
る必要がある。例えば、露光工程でウエハが撓んでいる
と焦点がずれて露光がうまくいかないし、イオン打ち込
みやエッチング工程では撓みによりウエハの冷却効率が
落ちる。また成膜工程では既に述べたように加熱効率が
落ちる。そこで、露光工程、熱酸化・拡散工程、イオン
打ち込み工程、エッチング工程、配線工程などウエット
の洗浄工程を除く全てのドライプロセスにおいて、処理
装置内のウエハ保持をすべて静電吸着により行えば、大
口径化が進む半導体製造に適した高精度の素子加工が行
える。また、プロセス装置内のウエハ保持だけでなくウ
エハ搬送においても静電吸着を利用すれば、ウエハが大
口径化してもウエハを落下させることなく高速で搬送す
ることができ、高スループットの高効率半導体製造が実
現できる。
度の加工をウエハに施すにはウエハを平坦化して保持す
る必要がある。例えば、露光工程でウエハが撓んでいる
と焦点がずれて露光がうまくいかないし、イオン打ち込
みやエッチング工程では撓みによりウエハの冷却効率が
落ちる。また成膜工程では既に述べたように加熱効率が
落ちる。そこで、露光工程、熱酸化・拡散工程、イオン
打ち込み工程、エッチング工程、配線工程などウエット
の洗浄工程を除く全てのドライプロセスにおいて、処理
装置内のウエハ保持をすべて静電吸着により行えば、大
口径化が進む半導体製造に適した高精度の素子加工が行
える。また、プロセス装置内のウエハ保持だけでなくウ
エハ搬送においても静電吸着を利用すれば、ウエハが大
口径化してもウエハを落下させることなく高速で搬送す
ることができ、高スループットの高効率半導体製造が実
現できる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、薄
膜成膜工程において一台の装置で複数の処理をこなすこ
とができるため、効率良く半導体素子を製造することが
できる。また、ウエハ保持をすべて静電吸着により行う
ことが可能となるため、ウエハサイズの大口径化に適し
た半導体製造ラインを得ることができる。
膜成膜工程において一台の装置で複数の処理をこなすこ
とができるため、効率良く半導体素子を製造することが
できる。また、ウエハ保持をすべて静電吸着により行う
ことが可能となるため、ウエハサイズの大口径化に適し
た半導体製造ラインを得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例による半導体製造装置の概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】本発明の第２実施例による半導体製造装置の概
略構成図である。
略構成図である。
【図３】本発明の第３実施例によるウエハ保持部の詳細
構成図である。
構成図である。
【図４】本発明の半導体製造装置が設置される半導体製
造ラインの模式図である
造ラインの模式図である
１ ウエハ ２，３０，３１，３２ 誘電体絶縁層 ３，３３ ウエハ保持面 ４，３４ 電極板 ５ ベース ６ ヒータ ７ ヒータ用電源 ８ 絶縁体 ９，３５ 直流電源 １０ 導通部 １１ 溝 １２ バルブ １３ 配管 １４ 対向電極 １５ 高周波電源 １６ プラズマ領域 １７ プロセスチャンバ １８，１９ アース ２０ センサ部 ２１ 温度計測器 ２２ 制御装置 ２３ 温調器 ２４ 制御器 ３６ スイッチ群
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/22 ５１１ Ｈ０１Ｌ 21/22 ５１１Ｇ 21/3065 21/302 Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 真空容器と、該真空容器内に収納され、
一方の面に電極板を有し他方の面にウエハが載置された
絶縁性誘電体と、前記電極板とウエハとの間に電圧を印
加する電圧印加手段と、前記ウエハを加熱する加熱手段
とを備え、前記電圧印加手段によって電圧を印加するこ
とにより、前記電極板とウエハ間に静電吸引力を生じさ
せてウエハを前記絶縁性誘電体表面に吸着保持するとと
もに、前記ウエハ上に半導体素子製造のための処理を施
す半導体製造装置において、 前記絶縁性誘電体は、薄膜形成のための加熱温度範囲で
は、体積抵抗率ρの値が１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωcmの
範囲内に入ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 真空容器と、該真空容器内に収納され、
一方の面に電極板を有し他方の面にウエハが載置された
絶縁性誘電体と、前記電極板とウエハとの間に電圧を印
加する電圧印加手段と、前記ウエハを加熱する加熱手段
とを備え、前記電圧印加手段によって電圧を印加するこ
とにより、前記電極板とウエハ間に静電吸引力を生じさ
せてウエハを前記絶縁性誘電体表面に吸着保持するとと
もに、前記ウエハ上に半導体素子製造のための処理を施
す半導体製造装置において、 前記ウエハの温度を検出し、その検出温度に基づいて前
記加熱手段を制御して前記ウエハに対する加熱温度を調
節する制御手段を設けるとともに、前記絶縁性誘電体
は、薄膜形成のための加熱温度範囲では、体積抵抗率ρ
の値が１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωcmの範囲に入ることを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 真空容器と、該真空容器内に収納され、
一方の面に電極板を有し他方の面にウエハが載置された
絶縁性誘電体と、前記電極板とウエハとの間に電圧を印
加する電圧印加手段と、前記ウエハを加熱する加熱手段
とを備え、前記電圧印加手段によって電圧を印加するこ
とにより、前記電極板とウエハ間に静電吸引力を生じさ
せてウエハを前記絶縁性誘電体表面に吸着保持するとと
もに、前記ウエハ上に半導体素子製造のための処理を施
す半導体製造装置において、 前記絶縁性誘電体として、薄膜形成のための加熱温度範
囲では、体積抵抗率ρの値が１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωc
mの範囲に入る、相異なる複数個の誘電体絶縁層を設け
るとともに、前記誘電体絶縁層の各々に前記電極板を取
付け、前記電圧印加手段からの電圧を前記誘電体絶縁層
の各々に個別に印加する手段を設けたことを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
製造装置において、 前記誘電体絶縁層は、窒化けい素（Ｓｉ3Ｎ4）、ベリリ
ア（ＢｅＯ）、ボロンナイトライド（ＢＮ）、窒化アル
ミ（ＡｌＮ）、酸化けい素（ＳｉＯ）、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）などの窒化物系および酸化物系のセラミックスで
構成されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の半導体
製造装置を、ＣＶＤ装置もしくはスパッタ装置として設
置したことを特徴とする半導体製造システム。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかに記載の半導体
製造装置を、露光工程、熱酸化・拡散工程、イオン打ち
込み工程、エッチング工程および配線工程の少なくとも
１つに設置したことを特徴とする半導体製造システム。 - 【請求項７】 一方の面に電極板を有し他方の面にウエ
ハが載置された絶縁性誘電体を真空容器内に収納し、前
記電極板とウエハとの間に電圧を印加して電極板とウエ
ハ間に静電吸引力を生じさせて、前記ウエハを前記絶縁
性誘電体表面に吸着保持するとともに、前記ウエハを加
熱して、当該ウエハ上に半導体素子製造のための処理を
施す半導体製造方法において、 前記絶縁性誘電体として、薄膜形成のための加熱温度範
囲では、体積抵抗率ρの値が１０8Ωcm＜ρ＜１０13Ωc
mの範囲に入る絶縁性誘電体を使用し、前記絶縁性誘電
体を交換することなく、１００〜７００℃の範囲の任意
の温度で前記ウエハを加熱することを特徴とする半導体
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18999095A JPH0945756A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18999095A JPH0945756A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体製造装置および製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945756A true JPH0945756A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16250552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18999095A Pending JPH0945756A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 半導体製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945756A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100368200B1 (ko) * | 1999-07-27 | 2003-01-24 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 플라즈마 생성용 전극, 그 전극을 사용하는 플라즈마 처리장치, 및 그 장치로 플라즈마 처리하는 방법 |
| JP2007527625A (ja) * | 2004-02-24 | 2007-09-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 汚染物質削減基板移送およびサポートシステム |
| JP2008192969A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及びその製造方法 |
| JP2008198739A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法 |
| US7670754B2 (en) | 2003-12-03 | 2010-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus having a processing chamber, a vacuum chamber and first and second load lock chambers |
| JP2010118551A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック及び基板処理装置 |
| JP2011071294A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Tokyo Electron Ltd | 静電吸着部材、静電吸着部材保持機構、搬送モジュール、半導体製造装置及び搬送方法 |
| CN103177997A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-06-26 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法 |
| CN103177996A (zh) * | 2011-12-22 | 2013-06-26 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法 |
| KR20150137936A (ko) | 2014-05-30 | 2015-12-09 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마 처리 방법 |
| JP2018006559A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、および、静電チャックの製造方法 |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP18999095A patent/JPH0945756A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7670754B2 (en) | 2003-12-03 | 2010-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus having a processing chamber, a vacuum chamber and first and second load lock chambers |
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