JP2009111042A - 基板処理装置,基板処理装置の制御方法,およびプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置が,基板への,所定の設定温度プロファイルに従う加熱および処理ガスの供給の処理によって,前記基板に膜を形成する基板処理部と,温度の変化量と膜厚の変化量との対応関係を表す第1の温度−膜厚関係を導出する第1の導出部と,前記設定温度プロファイルに従って処理された基板の複数箇所の測定膜厚を入力する入力部と,前記第1の温度−膜厚関係,前記複数箇所の測定膜厚,および所定の目標膜厚に基づいて,前記設定温度プロファイルの温度を決定する第1の決定部と,を具備する。
【選択図】図1
Description
上記に鑑み,本発明は,設定温度プロファイルの決定の容易化を図った基板処理装置,基板処理装置の制御方法,およびプログラムを提供することを目的とする。
1)設定温度プロファイルを記憶する記憶部
2)温度−膜厚関係を導出する導出部
3)基板の測定膜厚を入力する入力部
4)第1〜第3の温度(温度T1〜T3)を決定する決定部
5)基板(ウエハW)の予想膜厚を算出する予想膜厚算出部
設定温度プロファイルは,時間の経過と設定温度(ウエハWのあるべき温度)との関係を表したものである。
(A)定温処理1
ウエハWの処理中(TVS3)およびその前後で設定温度が一定で,かつゾーン1〜5毎の設定温度が同一である。通常は,この定温処理1あるいは,(B)の定温処理2でウエハWが処理される。
ウエハWの処理中(TVS3)およびその前後で設定温度が一定で,かつゾーン1〜5毎の設定温度が異なる。ゾーン1〜5毎の設定温度を異ならせることで,ウエハW(モニタウエハWm1〜Wm5)間での膜厚の均一化を図っている(ウエハ間膜厚分布の均一化)。本実施形態では,この定温処理2で先のウエハWを処理したと想定する。
ウエハWの処理中(TVS3)に設定温度を変化させ,かつゾーン1〜5毎の設定温度が異なる。ウエハWの処理中(TVS3)に温度を変化させることで,ウエハW上での温度分布を制御し,ウエハW上での膜厚の均一化を図っている(ウエハ内膜厚分布の均一化)。ウエハWの処理前(TVS1,TVS2)での温度制御も,ウエハW上での温度分布の制御を可能とする。さらに,ゾーン1〜5毎の設定温度を異ならせることで,ウエハ間膜厚分布の均一化を図っている。
(1)時刻t0からt1までは設定温度がT0に保たれている。このとき,ウエハWを保持したウエハボート23が基板処理部110内に搬入される(ロード工程)。
1)時刻t3からt4までの間に,設定温度は温度T1(T11〜T15)からT2(T21〜T25)まで一定のレートで上昇する(TVS1:昇温工程)。
2)この例では,時刻t4からt5の間は,設定温度はそのままT2(T21〜T25)に保たれる(TVS2:定温工程)。但し,この工程TVS2を変温工程(昇温工程または降温工程)とすることも可能である。即ち,時刻t4からt5の間に,設定温度が温度T2から温度T21へと変化しても良い。この場合,次の工程TVS3は温度T2に替えて,温度T21から開始される。
1)時刻t6からt7までの間に,設定温度は温度T3(T31〜T35)からT1(T11〜T15)まで一定のレートで上昇する(昇温工程)。
2)時刻t7からt8の間は,設定温度はそのままT1に保たれる(定温工程)。
基板処理装置100の動作手順を説明する。図3は基板処理装置100の動作手順の一例を表すフロー図である。
処理条件が入力される。図4は入力される処理条件の一例を表す。次の(1),(2)が制御部120に入力される。
ウエハWの目標膜厚Dt[nm]が入力される。目標膜厚Dtは,ウエハWの膜厚の目標値である。この例では,目標膜厚Dtは,全ウエハWの全箇所で共通としている。但し,目標膜厚Dtは,全ウエハWで共通としなくても良い。例えば,ウエハWを複数のグループに分けて,グループ毎に(あるいはウエハW毎に),異なる目標膜厚Dtを設定しても良い。
工程TVS1〜TVS3それぞれについて,設定時間等が入力される。
設定時間[min]は,工程TVS1〜TVS3それぞれでの時間tt1〜tt3である。設定温度[℃]は,ゾーン1〜5それぞれでの温度T1(T11〜T15)〜T3(T31〜T35)である。ここでは,温度T1〜T3を一定としている(定温処理2(図2(B))に対応)。工程TVS3においてのみSiH2Cl2の流量が0でないことから,工程TVS3でのみ成膜がなされる。ガス流量[sccm]は,反応ガスのガス種(例えば,SiH2Cl2,NH3,N2,O2)毎に規定される。圧力[Torr]は全圧である。
次の(1),(2)により,温度−膜厚関係が導出される。温度−膜厚関係は,温度T1(T11〜T15)〜T3(T31〜T35)の何れかを変化させた設定温度プロファイルに従ってウエハWを処理したときの,温度の変化量とウエハWの膜厚の変化量との対応関係を表すテーブルである
設定温度プロファイルにおいて温度T1(T11〜T15)〜T3(T31〜T35)の何れか(Tkl)のみを1℃(ΔTkl)上げたときの予想膜厚Dij(Tkl+ΔTkl)を算出する。
モニタウエハWm1〜Wm5毎に2箇所(中央近傍および周縁近傍)での膜厚を予想することとし,予想膜厚Dijを規定する。
i(=1〜5):モニタウエハWm1〜Wm5を識別するパラメータ
j(=1,2):基板上の位置を識別するパラメータ,k=1,2それぞれが基板の中央近傍および周縁近傍に対応する。
k(=1〜3):温度T1〜T3を識別するパラメータ
l(=1〜5):ゾーン1〜5を識別するパラメータ
温度T1〜T3を変化させたときの予想膜厚Dij(Tkl+ΔTkl)と温度T1〜T3を変化させないときの予想膜厚Dij(Tkl)の差分ΔDijを求める。
ΔDij=Dij(Tkl+ΔTkl)−Dij(Tkl)
この差分値ΔDijは,温度の変化量と基板の膜厚の変化量との対応関係(温度−膜厚関係)を表す。差分ΔDijは,マトリックス等の形に纏めることができる。図5に導出された温度−膜厚関係の一例を表す。
以下,予想膜厚Dの算出の詳細を説明する。予想膜厚Dを算出するには,次の1),2)のように基板温度を推定し,この温度を用いて膜厚を算出する。
1)ウエハW上での温度の推定
制御部120は,設定温度プロファイルからモニタウエハWm1〜Wm5それぞれの中央近傍での温度(中央温度)Tc1〜Tc5および周縁近傍での温度(周縁温度)Te1〜Te5を推定する。
この推定には制御工学において知られている以下の式(1),(2)を用いることができる。
x(t+1)=A・x(t)+B・u(t) …… 式(1)
y(t)=C・x(t)+u(t) …… 式(2)
ここで,t:時間
x(t):n次元状態ベクトル
y(t):m次元出力ベクトル
u(t):r次元入力ベクトル
A,B,C:それぞれn×n,n×r,m×nの定数行列
である。
なお,以上の手法に替えて,カルマンフィルタ等の手法を用いることも可能である。
膜厚の成長速度(成膜速度)Vは,例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)のような膜の表面で行われる過程によって成膜速度が定まる界面律速過程においては,下記(3)式の理論式(アレニウスの式)で表わされることが知られている。
V=C・exp(−Ea/(kT)) …… 式(3)
C:プロセス定数(成膜プロセスによって定まる定数)
Ea:活性化エネルギー(成膜プロセスの種類によって定まる定数),例えば,反応ガスSiH2Cl2およびNH3からSiN膜を形成する場合では,1.8[eV]
k:ボルツマン定数
T:絶対温度
入力された設定温度プロファイルに従って処理されたモニタウエハWm1〜Wm5の中央近傍および周縁近傍に形成された膜の膜厚の測定値D0ijを入力する。
D=a・x2+b ……式(10)
ここで,a,b:定数である。
次の手順で設定温度設定温度T1(T11〜T15)〜T3(T31〜T35)を算出できる。なお,既述のように,このステップS14に学習機能を追加することが可能である。
1)測定膜厚D0ijと目標膜厚Dtの差分(膜厚差)ΔD0ijを算出する。
ΔD0ij=D0ij−Dt
膜厚差ΔD0ijに基づき,設定温度の変化量(温度変化量)ΔTklを求める。膜厚差ΔD0ijの分だけ,予想膜厚Dijを変化させるためには,次の式(20)が成立する必要がある。また,例えば,式(21)によって,温度変化量ΔTklの現実的な値の範囲を設定する。
ΔD0ij=Σ(ΔDij(Tkl)*ΔTkl) ……式(20)
−ΔT<ΔTkl<ΔT ……式(21)
S=Σ(ΔD0ij−Σ(ΔDij(Tkl)*ΔTkl))2 ……式(22)
このように温度差ΔTklが算出され,前回の処理での設定温度TklをT0klとすると,次の式(22)から次の処理での設定温度T1klが算出される。
T1kl=T0kl+ΔTkl ……式(23)
設定温度T1klでの予想膜厚D1ijを算出する。
前述と同様に,ウエハW上での温度の推定,膜厚の算出によって,予想膜厚D1ijが算出される。
予想膜厚D1ijが予め設定した許容範囲(均一性)にあるか否かを判断する(ステップS16)。たとえば,|D1ij−Dt|の全てまたは一部が許容量Th以下であるか否かが判断される。
|D1ij−Dt|<Th ……式(24)
例えば,温度tt1,tt2を+3分,−3分変化させる。この場合,変化しない場合も含め,9通りの条件について,温度−膜厚関係を導出し,設定温度の決定等がなされる。
図6に変更した設定時間の組み合わせの例を示す。設定温度T1〜T3を変化しないパターン0,設定温度T2,T3の少なくとも何れかを変化させたパターンa〜hが表される。
ウエハWを決められた設定温度Tklで処理する。即ち,基板処理部110にウエハWが搬入され,図2(C)のような設定温度プロファイルで処理される。
処理されたウエハWでの膜厚が測定され,測定膜厚が許容範囲でなければ,ステップS12〜S19の処理が繰り返される。このとき,場合により(例えば,温度−膜厚関係テーブルに大きな変動が無い場合),温度−膜厚関係テーブルの導出(ステップS12)を省略しても良い。例えば,温度−膜厚関係テーブルに影響が無い範囲での再計算,ステップS14に学習機能が追加されている場合が挙げられる。
以上の発明の実施形態は,本発明の技術的思想の範囲内で,拡張,変更が可能である。基板は半導体ウエハには限られず,例えばガラス基板であってもよい。ヒータの区分の数は5には限られない。
110 基板処理部
2(2a,2b) 反応管
23 ウエハボート
24 蓋体
26 ボートエレベータ
27 排気管
28 圧力調整部
3(31-35) ヒータ
41-45 電力制御器
51,52 ガス供給管
61,62 流量調整部
120 制御部
Claims (6)
- 第1の温度から第2の温度へと第1の時間で温度を変化させる第1の工程と,前記第2の温度を第2の時間保持する第2の工程と,前記第2の温度から第3の温度へと第3の時間で温度を変化させる第3の工程と,を含む設定温度プロファイルを記憶する記憶部と,
前記設定温度プロファイルに従う加熱および前記第3の工程での処理ガスの供給によって,基板を処理し,この基板上に膜を形成する基板処理部と,
前記第1,第2,および第3の温度の何れかを変化させた設定温度プロファイルに従って基板を処理したときの,温度の変化量と前記基板の複数箇所での膜厚の変化量との対応関係を表す第1の温度−膜厚関係を導出する第1の導出部と,
前記設定温度プロファイルに従って処理された基板の複数箇所の測定膜厚を入力する入力部と,
前記第1の温度−膜厚関係,前記複数箇所の測定膜厚,および所定の目標膜厚に基づいて,前記第1,第2,および第3の温度を決定する第1の決定部と,
前記決定された第1,第2,および第3の温度に対応する設定温度プロファイルに従って処理される基板の複数箇所での予想膜厚を算出する予想膜厚算出部と,
前記所定の目標膜厚に対して前記複数箇所の予想膜厚が所定の許容範囲でない場合に,第1,第2,および第3の時間の少なくとも何れかを変化させた,第2の温度−膜厚関係を導出する第2の導出部と,
前記第2の温度−膜厚関係,前記複数箇所の測定膜厚,および前記所定の目標膜厚に基づいて,前記第1,第2,および第3の温度を決定する第2の決定部と,
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 前記記憶部が,複数の設定温度プロファイルを記憶し,
前記基板処理部が,
複数の基板を積層して保持する保持部と,
前記複数の設定温度プロファイルそれぞれに従って発熱が制御される複数の加熱部と,を有する,
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記第1の導出部が,前記第1,第2,および第3の温度の何れかを変化させた複数の設定温度プロファイルに従って基板を処理したときの,温度の変化量と前記基板の複数箇所での膜厚の変化量との対応関係を表す第1の温度−膜厚関係を導出し,
前記入力部が,前記複数の設定温度プロファイルに従って処理され,かつ前記複数の加熱部それぞれに対応する複数のモニタ用基板の複数箇所の測定膜厚を入力し,
前記第1の決定部が,前記第1の温度−膜厚関係,前記複数のモニタ用基板の複数箇所の測定膜厚,および所定の目標膜厚に基づいて,前記複数の設定温度プロファイルそれぞれの第1,第2,および第3の温度を決定する,
ことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 前記第1の導出部が,
前記第1の温度を変化させた設定温度プロファイルに従って基板を処理したときの,前記複数箇所での第1の予想膜厚を算出する第1の算出部と,
前記第2の温度を変化させた設定温度プロファイルに従って基板を処理したときの,前記複数箇所での第2の予想膜厚を算出する第2の算出部と,
前記第3の温度を変化させた設定温度プロファイルに従って基板を処理したときの,前記複数箇所での第3の予想膜厚を算出する第3の算出部と,
前記設定温度プロファイルに従って基板を処理したときの,前記複数箇所での第4の予想膜厚を算出する第4の算出部と,
前記第1〜第3の予想膜厚それぞれと前記第4の予想膜厚との差分を算出する差分算出部と,を有する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 第1の温度から第2の温度へと第1の時間で温度を変化させる第1の工程と,前記第2の温度を第2の時間保持する第2の工程と,前記第2の温度から第3の温度へと第3の時間で温度を変化させる第3の工程と,を含む設定温度プロファイルに従う加熱および前記第3の工程での処理ガスの供給の処理によって,基板を処理し,この基板上に膜を形成する基板処理装置の制御方法であって,
前記第1,第2,および第3の温度の何れかを変化させた設定温度プロファイルに従って基板を処理したときの,温度の変化量と前記基板の複数箇所での膜厚の変化量との対応関係を表す第1の温度−膜厚関係を導出するステップと,
前記設定温度プロファイルに従って処理された基板の複数箇所の測定膜厚を入力するステップと,
前記第1の温度−膜厚関係,前記複数箇所の測定膜厚,および所定の目標膜厚に基づいて,前記第1,第2,および第3の温度を決定するステップと,
前記決定された第1,第2,および第3の温度に対応する設定温度プロファイルに従って処理される基板の複数箇所での予想膜厚を算出するステップと,
前記所定の目標膜厚に対して前記複数箇所の予想膜厚が所定の許容範囲でない場合に,第1,第2,および第3の時間の少なくとも何れかを変化させた,第2の温度−膜厚関係を導出するステップと,
前記第2の温度−膜厚関係,前記複数箇所の測定膜厚,および前記所定の目標膜厚に基づいて,前記第1,第2,および第3の温度を決定するステップと,
を具備することを特徴とする基板処理装置の制御方法。 - 請求項5記載の基板処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
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