JP2009106098A - 電力変換システム - Google Patents

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Abstract

【課題】スイッチング素子や環流ダイオード等の半導体素子の電流利用率を高め、コストの上昇や装置全体の大型化を防ぐ。
【解決手段】複数の半導体スイッチング素子及びこれらのスイッチング素子にそれぞれ逆並列接続された環流ダイオードを有する電力変換装置100Bと、その出力端子に接続された負荷Mと、負荷Mの中性点と記電力変換装置100Bの正側直流端子Pまたは負側直流端子Nとの間に接続された電源PSと、を備えた電力変換システムにおいて、負荷Mの力行動作モード及び回生動作モードに応じて、スイッチング素子Qu1〜Qum,Qx1〜Qxnまたは環流ダイオードDu1〜Dun,Dx1〜Dxmの並列数を変更することにより、各素子の電流容量(分担電流)を変える。
【選択図】図1

Description

この発明は、電力変換装置と、この電力変換装置により駆動される負荷と、負荷の中性点と電力変換装置との間に接続された電源とを備えた電力変換システムにおいて、電力変換装置を構成する半導体素子の電流責務を緩和して電流利用率を高めるための技術に関するものである。
図5(a)は、電力変換装置の代表例である三相インバータの回路構成を示している。図において、IGBT等からなる半導体スイッチQ,Q,Q,Q,Q,Qにより構成された三相インバータの出力端子U,V,Wには、三相コイルで示した電動機等の負荷Mが接続されている。なお、PSは直流電源、Cは直流中間コンデンサであり、これらを含む全体を電力変換装置100として表してある。
上記電力変換装置100では、半導体スイッチQ,Q,Q,Q,Q,Qをオンオフさせることで、直流電源PSの直流電力を任意の大きさ、周波数の三相交流電力に変換して負荷Mに供給する。ここで、図5(b)は、電力変換装置100から負荷Mに供給される三相交流電流i,i,iの波形を示している。
図5(c)は、図5(a)における三相インバータの一相分(U相)上下アームの半導体スイッチQ,Qを直流中間コンデンサCと共に示したものであり、U−IGBT,X−IGBTはそれぞれ上アーム,下アームのスイッチング素子(IGBT)、U−FWD,X−FWDはそれぞれ上アーム,下アームの環流ダイオードである。
図5(b)に示したようなU相電流iが流れる場合、図5(c)の各半導体素子には、図5(d)に示す如くバランスした電流が流れることになる。
ここで、図5(a)の回路では、直流電源PSが直流中間コンデンサCに直結されている。この場合、直流電圧Vの変動によって三相インバータの出力が変動するため、直流電圧Vの変動分を補償した三相インバータの出力制御が必要となる。
図6は、上述した三相インバータの出力制御を考慮した他の従来技術であり、図5(a)の三相インバータに昇圧チョッパChopを付加した電力変換装置100Aを示している。
上記昇圧チョッパChopは、直流電源PSと直流中間コンデンサCとの間に接続され、半導体スイッチQ,Q及びリアクトルLから構成されている。半導体スイッチQ,Qを交互にオンオフすることにより、直流中間コンデンサCの電圧Eを直流電源PSの電圧Vよりも高く調整することができ、例えば直流電源PSにバッテリ等を用いてその電圧が垂下した場合でも、昇圧チョッパChopの動作によって三相インバータの直流中間電圧Eを一定に保ち、三相インバータの出力を安定させることができる。
次に、図7(a)は、負荷Mの中性点と電力変換装置100B内の直流中間コンデンサCの負極との間に直流電源PSを接続した従来技術(いわゆる零相コンバータ)であり、後述する特許文献1,2に記載されている。
図7(a)の従来技術によれば、図6に示した昇圧チョッパChopを用いずに、負荷Mのインダクタンスと三相インバータの半導体スイッチQ〜Qのオンオフとを利用することにより、直流中間コンデンサCの電圧Eを直流電源PSの電圧Vよりも高い値に維持することができる。
すなわち、三相インバータの上アームの半導体スイッチQ,Q,Qをすべてオン(下アームのスイッチQ,Q,Qをすべてオフ)、または、下アームのスイッチQ,Q,Qをすべてオン(上アームのスイッチQ,Q,Qをすべてオフ)するスイッチングモードにより、三相インバータの三つの上下アームを等価的に1つの上下アームとして動作させ、三相インバータから零電圧を出力させることができる。
これにより、図6における昇圧チョッパChopと同様の昇圧動作を三相インバータによって実現することができ、また、三相インバータを従来と同様に所定のスイッチングパターンに従って動作させることにより、出力電圧及び出力電流を制御して負荷Mに供給することができる。
従って、負荷Mが例えば電動機である場合に、直流電圧Vを昇圧して直流中間コンデンサCに供給すると同時に電動機を駆動することが可能である。特に、この従来技術によれば、図6に示した昇圧チョッパChopが不要になるため、部品点数の減少やコストの低減が可能になる。
なお、図7(a)において、iは直流電源PSから負荷Mの中性点に流入する電流を示している。また、図7(b)〜(d)は図7(a)の動作説明図であり、これらについては後述する。
特許第3219039号公報(段落[0014]〜[0021]、図1〜図4等) 特許第3223842号公報(段落[0029],[0030]、図10,図11等)
図7(b)は、図7(a)に示した従来技術が三相インバータとして力行動作する際の電流波形を示しており、負荷Mに供給される電力相当の三相交流電流i,i,iが直流電源PSから供給されている。
いま、直流電源PSから流出する直流電流をiとすると、負荷Mには、図7(b)のように三相交流電流に対し直流電流i/3が負側に重畳されて流れることになり、三相交流電流i,i,iの波形は正負で非対称となる。
図7(c)は、図5(c)と同様に三相インバータの一相分(U相)を示したものであり、図7(d)はU相電流iと図7(c)の各半導体素子に流れる電流を示している。
この場合、図5(d)と異なり、各半導体素子に流れる電流は均等にならず、特定の半導体素子の電流責務が厳しくなる。例えば、図7(d)の例では、上アームの環流ダイオードU−FWD及び下アームのスイッチング素子X−IGBTに流れる電流が他の半導体素子よりも多くなり、発熱による損失も増大する。
また、図8に示すように負荷Mが回生動作になると、直流電源PSに電力が回生されるため、図8(b)に示す如く図7(b)とは逆方向に、三相交流電流i,i,iに対し直流電流i/3が正側に重畳される。この場合には、図8(d)に示すように、上アームのスイッチング素子U−IGBT及び下アームの環流ダイオードX−FWDに流れる電流が他の半導体素子よりも多くなる。
従って、十分な電流容量を持つ半導体素子を使用するか、図9に示すU相変換部100Cのように、上下アームについて同一電流容量の多数(例えばn個)の半導体スイッチQu1〜Qun,Qx1〜Qxnを一律に並列接続して各素子の電流責務を軽減する必要が生じ、半導体素子の電流利用率の悪化、コストの上昇及び装置全体の大型化を招いていた。
そこで、本発明の解決課題は、電力変換装置を構成する半導体素子の電流責務を均等にして電流利用率を高め、コストの上昇や装置全体の大型化を防ぐことができる電力変換システムを提供することにある。
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、複数の半導体スイッチング素子及びこれらのスイッチング素子にそれぞれ逆並列接続された環流ダイオードを有する電力変換装置と、この電力変換装置の出力端子に接続された負荷と、この負荷の中性点と前記電力変換装置の正側直流端子または負側直流端子との間に接続された電源と、を備えた電力変換システムにおいて、
前記負荷の力行動作モード及び回生動作モードに応じて、前記スイッチング素子または環流ダイオードの電流容量を変えることを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載した電力変換システムにおいて、
前記スイッチング素子または環流ダイオードの並列数を変更することにより、これらの素子の電流容量を変えるものである。
請求項3に係る発明は、請求項1または請求項2に記載した電力変換システムにおいて、
前記負荷の力行動作モード及び回生動作モードに応じて、前記電源を前記負荷の中性点と前記電力変換装置の正側直流端子または負側直流端子との間に接続するためのスイッチを備えたものである。
本発明によれば、電力変換装置を構成する半導体素子の上下アームにおける並列数を変える等の方法により、各半導体素子に最適な電流容量の素子を用いることができ、必要以上の電流容量を持つ半導体素子を一律に並列接続する場合に比べて、電流利用率の向上、コストの低減や装置の小型化が可能になる。
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
まず、図1は本発明の第1実施形態を示すものである。図1(a)は本実施形態の全体構成を示すもので、図7(a)と同一であるが、以下に述べるように半導体スイッチQ,Q,Q,Q,Q,Qの構成が異なっている。なお、Pは電力変換装置の正側直流端子、Nは負側直流端子である。
図1(b)は、図1(a)における一相分の上下アームの半導体スイッチQ,Qの構成を直流中間コンデンサCと共に示してある。なお、他の半導体スイッチQ,Q及びQ,Qの構成も図1(b)と同様であるため、図示を省略する。
図1(b)において、上アームの半導体スイッチQは、m個の半導体スイッチング素子Qu1〜Qumとn個の環流ダイオードDu1〜Dunとを全て並列に接続して構成されている。ここで、スイッチング素子及び環流ダイオードの個数(並列数)については、m<nの関係がある。
他方、下アームの半導体スイッチQは、n個の半導体スイッチング素子Qx1〜Qxnとm個の環流ダイオードDx1〜Dxmとを全て並列に接続して構成されている。
図7の従来技術でも説明したように、図1(a)の回路では、直流電流i/3の重畳により三相交流電流i,i,iの波形が正負で非対称となる。従って、図9のように、同数のスイッチング素子及び環流ダイオードを上下アームで対称に配置する必要はなく、電流がより多く流れるアーム側のスイッチング素子または環流ダイオードの素子1個当たりの電流責務を低減するように、上下アームでスイッチング素子及び環流ダイオードの数を異ならせても支障はない。
ここで、図1(c)は図1(b)に対応する一相分(U相)の回路であり、上アームのスイッチング素子U−IGBTは図1(b)のスイッチング素子Qu1〜Qumを、環流ダイオードU−FWDは同じく環流ダイオードDu1〜Dunを、下アームのスイッチング素子X−IGBTは同じくスイッチング素子Qx1〜Qxnを、環流ダイオードX−FWDは同じく環流ダイオードDx1〜Dxmを、それぞれまとめて表したものである。
図1(d)に示すように、力行動作時には、上アームの環流ダイオードU−FWD及び下アームのスイッチング素子X−IGBTに流れる電流が他の半導体素子よりも多くなるので、図1(b)の如く、上アームにはm個のスイッチング素子Qu1〜Qumよりも多いn個の環流ダイオードDu1〜Dunを接続し、下アームには、m個の環流ダイオードDx1〜Dxmよりも多いn個のスイッチング素子Qx1〜Qxnを接続してある。
これにより、個々の半導体素子について見れば、上アームでは個々の環流ダイオードとして電流容量がm/nの素子を使用することができ、下アームでは個々のスイッチング素子として電流容量がm/nの素子を使用することができる。つまり、図9のように電流容量に余裕を見て、上下アームにつき同一電流容量の多数の半導体スイッチQu1〜Qun,Qx1〜Qxnを一律に並列接続する場合に比べて、各半導体素子の電流利用率を高めると共にコストの低減や装置全体の小型化を図ることができる。
なお、スイッチング素子及び環流ダイオードの並列数m,nは、相電流の大きさや半導体素子の電流容量に応じて任意に選択可能である。
この実施形態は、特に回生機能を持たないシステムに対して有効であるが、図8に示したように回生動作時には、上アームのスイッチング素子U−IGBT及び下アームの環流ダイオードX−FWDに流れる電流が他の半導体素子よりも多くなるので、上アームのスイッチング素子を所定容量にしてその数を環流ダイオードよりも多くし、下アームの環流ダイオードを所定容量にしてその数をスイッチング素子の数よりも少なくすれば良い。
次に、図2は本発明の第2実施形態を示す回路構成図であり、図2(a)は全体構成図、図2(b)は図2(a)における一相分の上下アームの半導体スイッチQ,Qの構成を直流中間コンデンサCと共に示した図である。なお、図2(b)は図1(b)と同一である。
この実施形態では、図2(a)に示すように、電力変換装置100Bの正側直流端子P及び負側直流端子Nと負荷Mの中性点との間に第1,第2のスイッチS,Sが設けられており、第1のスイッチSを閉じて第2のスイッチSを開くことで直流電源PSが負側直流端子Nと負荷Mの中性点との間に接続され、第1のスイッチSを開いて第2のスイッチSを閉じることで直流電源PSが正側直流端子Pと負荷Mの中性点との間に接続されるようになっている。
図3,図4はこの実施形態の動作を示すもので、それぞれ力行動作モード、回生動作モードに対応しており、図3(a),図4(a)は各スイッチS,Sの動作状態を、図3(b),図4(b)は三相交流電流i,i,iの波形を示している。
また、図3(c),図4(c)は一相分の上下アームの半導体スイッチQ,Qの構成を示し、第1実施形態と同様に、上アームの半導体スイッチQは、図2(b)のm個のスイッチング素子Qu1〜Qumからなるスイッチング素子U−IGBTと、n個の環流ダイオードDu1〜Dunからなる環流ダイオードU−FWDとから構成され、下アームの半導体スイッチQは、図2(b)のn個のスイッチング素子Qx1〜Qxnからなるスイッチング素子X−IGBTと、m個の環流ダイオードDx1〜Dxmからなる環流ダイオードX−FWDとから構成されている。
更に、図3(d),図4(d)はU相電流iと各半導体素子の電流とを示す波形図である。
図3(a)は、力行動作時に、第1のスイッチSを閉じて第2のスイッチSを開くことを表しており、回路構成としては図1の回路と等価になる。その動作も、図1の回路と同様であり、負荷Mに三相交流電力を供給すると、図3(b)に示すような三相交流電流i,i,iが流れる。このとき、三相交流電流には直流電流i/3が負方向に重畳するので、三相交流電流i,i,iの波形は正負で非対称となる。
また、図3(c)の各半導体素子に流れる電流は、図3(d)に示すように上アームの環流ダイオードU−FWD及び下アームのスイッチング素子X−IGBTに流れる電流が他の半導体素子よりも多くなる。しかし、図2(b)の如く、上アームにはm個のスイッチング素子Qu1〜Qumよりも多いn個の環流ダイオードDu1〜Dunを接続し、下アームには、m個の環流ダイオードDx1〜Dxmよりも多いn個のスイッチング素子Qx1〜Qxnを接続してあるため、第1実施形態と同様に、上アームでは個々の環流ダイオードの電流容量がm/nで済み、下アームでは個々のスイッチング素子の電流容量がm/nで済むことになり、各素子の電流利用率の向上やコストの低減等が可能になる。
図4(a)は、回生動作時に、第1のスイッチSを開いて第2のスイッチSを閉じることを表している。このとき、負荷Mには図4(b)に示すような三相交流電流i,i,iが流れる。
図4(b)では、負荷Mに流れる電流の方向が図3(b)と同じであるため、三相交流電流には直流電流i/3が負方向に重畳してその波形も図3(b)と同一になる。
従って、図4(c)の各半導体素子に流れる電流は、図4(d)に示すように上アームの環流ダイオードU−FWD及び下アームのスイッチング素子X−IGBTに流れる電流が他の半導体素子よりも多くなり、図3(d)と同様になる。よって、力行動作時と同様の作用効果を得ることができる。
なお、この実施形態における第1,第2のスイッチS,Sは、半導体素子を用いた電子スイッチや電磁接触器等の機械スイッチの何れでも良い。また、両方のスイッチS,Sを連動スイッチにより構成しても良い。
本実施形態によれば、スイッチの切替によって力行動作モード、回生モードの何れの場合にも各半導体素子の電流利用率を向上させることができる。
本発明の第1実施形態を示す回路構成図及び動作説明図である。 本発明の第2実施形態を示す回路構成図である。 第2実施形態の力行動作モードにおける動作説明図である。 第2実施形態の回生動作モードにおける動作説明図である。 従来技術の回路構成図及び動作説明図である。 従来技術の回路構成図である。 従来技術の回路構成図及び力行動作モードにおける動作説明図である。 従来技術の回路構成図及び回生動作モードにおける動作説明図である。 図7,図8に示した従来技術の課題を解決するための回路構成図である。
符号の説明
100B:電力変換装置
P:正側直流端子
N:負側直流端子
U,V,W:出力端子
M:負荷
PS:直流電源
:直流中間コンデンサ
,Q,Q,Q,Q,Q:半導体スイッチ
u1〜Qum,Qx1〜Qxn:半導体スイッチング素子
u1〜Dun,Dx1〜Dxm:環流ダイオード
,S:スイッチ

Claims (3)

  1. 複数の半導体スイッチング素子及びこれらのスイッチング素子にそれぞれ逆並列接続された環流ダイオードを有する電力変換装置と、この電力変換装置の出力端子に接続された負荷と、この負荷の中性点と前記電力変換装置の正側直流端子または負側直流端子との間に接続された電源と、を備えた電力変換システムにおいて、
    前記負荷の力行動作モード及び回生動作モードに応じて、前記スイッチング素子または環流ダイオードの電流容量を変えることを特徴とする電力変換システム。
  2. 請求項1に記載した電力変換システムにおいて、
    前記スイッチング素子または環流ダイオードの並列数を変更することにより、これらの素子の電流容量を変えることを特徴とする電力変換システム。
  3. 請求項1または請求項2に記載した電力変換システムにおいて、
    前記負荷の力行動作モード及び回生動作モードに応じて、前記電源を前記負荷の中性点と前記電力変換装置の正側直流端子または負側直流端子との間に接続するためのスイッチを備えたことを特徴とする電力変換システム。
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