JP2009076738A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、N型ドレイン領域2aと、N型ドレイン領域2a上に形成された低濃度P型ボディ領域3と、低濃度P型ボディ領域3上に形成されたN型のソース領域4と、低濃度P型ボディ領域3上に形成された高濃度P型ボディ領域5と、ゲート絶縁膜6と、ゲート電極7とを備えている。N型ソース領域4および高濃度P型ボディ領域5の上面から低濃度P型ボディ領域3を貫通してN型ドレイン領域2aに達し、平面的に見て凹凸を繰り返しながら同一方向に延びる複数のトレンチTが形成されており、ゲート電極7はトレンチTに埋め込まれている。N型ソース領域4におけるトレンチT間の最大距離は、高濃度P型ボディ領域5におけるトレンチT間の最大距離よりも大きい。
【選択図】図1
Description
−半導体装置の構造−
図1は、本発明の第1の実施形態に係るトレンチゲート構造を有する半導体装置を示す平面図である。図2(a)、(b)は、図1に示す半導体装置のIIa-IIa線及びIIb-IIb線における断面図である。なお、図1においては、構造を見やすくするために図2(a)に示す絶縁膜8の表示が省略されている。
以下、本発明の第1の実施形態に係るトレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法について図面を用いて説明する。
図5は、本発明の第1の実施形態の半導体装置の第1の変形例を示す平面図である。ここで、図5において、第1の実施形態に係る半導体装置と同一の構成要素については、同一の符号を付す。
図6は、第1の半導体装置の第2の変形例を示す平面図であり、図7(a)、(b)は図6に示す半導体装置のVIIa-VIIa線及びVIIc-VIIc線における断面図である。
図8は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
2 低濃度N型ドレイン領域
2a N型ドレイン領域
3 低濃度P型ボディ領域
4 N型ソース領域
5 高濃度P型ボディ領域
6 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
8 絶縁膜
9 保護膜
10、11、12 レジストパターン
T トレンチ
Xs N型ソース領域の最大トレンチ間隔
Xb 高濃度P型ボディ領域の最大トレンチ間隔
Claims (9)
- 第1導電型のドレイン領域と、
前記ドレイン領域の上に形成された第2導電型の低濃度ボディ領域と、
前記低濃度ボディ領域の上に形成された第1導電型のソース領域と、
前記低濃度ボディ領域の上に形成され、前記低濃度ボディ領域よりも高濃度の第2導電型不純物を含む高濃度ボディ領域と、
ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、
前記ソース領域および前記高濃度ボディ領域の上面から前記低濃度ボディ領域を貫通して前記ドレイン領域に達し、平面的に見て凹凸を繰り返しながら同一方向に延びる複数のトレンチが形成されており、
前記ゲート絶縁膜は前記複数のトレンチの各々の内面を覆っており、
前記ゲート電極は前記トレンチ内に埋め込まれており、
前記ソース領域における前記トレンチ間の最大距離は、前記高濃度ボディ領域における前記トレンチ間の最大距離よりも大きい半導体装置。 - 前記ソース領域と前記高濃度ボディ領域とは前記トレンチが延びる方向に交互に配置されており、
前記トレンチは、前記ソース領域と前記高濃度ボディ領域とに挟まれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ソース領域および前記高濃度ボディ領域は帯状であり、且つ前記ソース領域と前記高濃度ボディ領域とは前記トレンチが延びる方向に交互に配置され、
前記トレンチは、前記ソース領域および前記高濃度ボディ領域と交差し、前記ソース領域に挟まれた部分と前記高濃度ボディ領域に挟まれた部分とで構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記トレンチのうち、前記ソース領域に挟まれた部分の最大幅は、前記高濃度ボディ領域に挟まれた部分の最大幅より小さいことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記高濃度ボディ領域は平面的に見て前記ソース領域を前記トレンチが延びる方向に貫通する領域にも形成されており、
前記高濃度ボディ領域は前記トレンチが延びる方向に延びていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 第1導電型のドレイン領域の上に第2導電型の低濃度ボディ領域を形成する工程(a)と、
前記低濃度ボディ領域を貫通して前記ドレイン領域に達し、平面的に見て凹凸を繰り返しながら同一方向に延びる複数のトレンチを形成する工程(b)と、
前記複数のトレンチの各々に埋め込まれたゲート電極を形成する工程(c)と、
前記低濃度ボディ領域の上部に第1導電型のソース領域と、前記低濃度ボディ領域よりも高濃度の第2導電型不純物を含む高濃度ボディ領域とをそれぞれ形成する工程(d)とを備えている半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)は前記工程(c)の後に行われ、
前記工程(d)においては、前記ソース領域における前記トレンチ間の最大距離が前記高濃度ボディ領域における前記トレンチ間の最大距離より大きくなるように前記ソース領域および前記高濃度ボディ領域を形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)では、前記ソース領域と前記高濃度ボディ領域とは前記トレンチが延びる方向に交互に形成され、前記トレンチは、前記ソース領域と前記高濃度ボディ領域とに挟まれることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(d)では、前記ソース領域および前記高濃度ボディ領域を帯状に形成するとともに、前記ソース領域と前記高濃度ボディ領域とは前記トレンチが延びる方向に交互に形成され、
前記トレンチは、前記ソース領域に挟まれた部分と前記高濃度ボディ領域に挟まれた部分とで構成されていることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187759A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012227255A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Fuji Electric Co Ltd | トレンチ絶縁ゲート型半導体装置 |
WO2013161568A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2018064115A (ja) * | 2012-05-30 | 2018-04-19 | 国立大学法人九州工業大学 | 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2021065093A (ja) * | 2015-12-16 | 2021-04-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088198A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US8222108B2 (en) * | 2009-07-08 | 2012-07-17 | Force Mos Technology Co., Ltd. | Method of making a trench MOSFET having improved avalanche capability using three masks process |
US9431484B2 (en) * | 2011-07-29 | 2016-08-30 | Infineon Technologies Austria Ag | Vertical transistor with improved robustness |
US8502274B1 (en) * | 2012-04-06 | 2013-08-06 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including power transistor cells and a connecting line |
US8912577B2 (en) * | 2012-09-19 | 2014-12-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Distributed heating transistor devices providing reduced self-heating |
CN104752495B (zh) * | 2013-12-25 | 2017-12-29 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 绝缘栅双极晶体管的源区结构 |
US9496339B2 (en) * | 2014-06-02 | 2016-11-15 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device comprising trench structures |
JP6784921B2 (ja) * | 2017-02-17 | 2020-11-18 | 株式会社デンソー | スイッチング素子とその製造方法 |
CN113690296A (zh) * | 2020-05-19 | 2021-11-23 | 无锡华润上华科技有限公司 | 沟槽栅igbt器件及其制备方法 |
CN113990936B (zh) * | 2021-12-23 | 2022-06-14 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种基于不同栅极结构的mos管器件 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11111976A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2002050760A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
JP2005150246A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136378A (ja) | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPS61161766A (ja) | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Matsushita Electronics Corp | 縦型mosfet |
JPS62126674A (ja) | 1985-11-28 | 1987-06-08 | Nissan Motor Co Ltd | 縦形mosfet |
US7075147B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-07-11 | International Rectifier Corporation | Low on resistance power MOSFET with variably spaced trenches and offset contacts |
JP2005045123A (ja) | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Toyota Motor Corp | トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP2007005492A (ja) | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-09-21 JP JP2007245184A patent/JP5147341B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-10 US US12/207,892 patent/US7897461B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11111976A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2002050760A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置 |
JP2005150246A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187759A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012227255A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Fuji Electric Co Ltd | トレンチ絶縁ゲート型半導体装置 |
WO2013161568A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPWO2013161568A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-12-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2018064115A (ja) * | 2012-05-30 | 2018-04-19 | 国立大学法人九州工業大学 | 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2021065093A (ja) * | 2015-12-16 | 2021-04-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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