JP2009065193A - 電子ビーム描画方法及びその装置 - Google Patents
電子ビーム描画方法及びその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009065193A JP2009065193A JP2008288255A JP2008288255A JP2009065193A JP 2009065193 A JP2009065193 A JP 2009065193A JP 2008288255 A JP2008288255 A JP 2008288255A JP 2008288255 A JP2008288255 A JP 2008288255A JP 2009065193 A JP2009065193 A JP 2009065193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electrostatic
- deflector
- lens
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】電子ビーム2を試料13面上に走査して描画を行う電子ビーム描画装置において、電子光学系の各構成要素として、静電式照明レンズ20、第1の静電式成形偏向器21、第2の静電式成形偏向器22、静電式縮小レンズ24、静電式主偏向対物レンズ25、静電式副偏向器28、静電式プリ主偏向器29、静電式プリ副偏向器30などの静電式の各レンズ及び偏向器から構成した。
【選択図】 図1
Description
静電式副偏向器の電子ビームの上流側に配置され、電子ビームを偏向して静電式副偏向器に対して収差を最小に制御する静電式プリ副偏向器とを備えた。
図21は、本発明に係わる電子ビーム描画装置の第6の実施の形態を示す構成図である。なお、図21において、上述した図2と同一機能部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
Claims (39)
- 電子ビームを電子光学系によって少なくとも成形や偏向、縮小投影して試料上に照射し、この試料上に描画を行う電子ビーム描画方法において、
前記電子光学系における少なくとも前記成形や前記縮小投影、前記偏向を行う各構成要素を静電式として、前記試料上に描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画方法。 - 電子ビームに対して少なくとも成形や偏向し、この後に試料に対して縮小投影する電子光学系を備えた電子ビーム描画装置において、
前記電子光学系は、少なくとも前記成形、前記縮小投影を行う静電式の各レンズ、及び前記電子ビームを偏向する静電式の偏向器から構成されたことを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記電子光学系は、電子ビームを任意の形状に調整するためにそれぞれ所定の位置に配置された複数のアパーチャと、
前記電子ビームを照明用ビームの電子ビームに調整する静電式照明レンズと、
前記複数のアパーチャの各パターンの組み合わせから成るアパーチャ像を得るために前記静電式照明レンズにより調整された前記電子ビームを偏向して前記アパーチャに対する照射位置を制御し、かつ前記アパーチャを通過して得られたパターン像の電子ビームを元の光軸上に戻す少なくとも2つの静電式成形偏向器と、
これら静電式成形偏向器を通過した前記電子ビームを縮小する静電式縮小レンズと、
この静電式縮小レンズを通過した前記電子ビームを前記試料上に縮小投影する静電式又は電磁式の対物レンズ、及びこの対物レンズにより前記試料上に縮小投影される前記電子ビームを前記試料上に偏向して描画する静電式主偏向器から成る主偏向対物レンズと、
前記静電式主偏向器の走査領域内で前記電子ビームを偏向する静電式副偏向器と、
前記試料に前記電子ビームが照射されたときに発生する2次電子又は反射電子を検出する電子検出器と、
を備えたことを特徴とする請求項2記載の電子ビーム描画装置。 - 前記主偏向対物レンズは、同一円周上に配置された複数の電極と、これら電極を挟んで対向配置された各シールド電極とから構成され、
前記複数の電極に同一電圧を印加して前記電子ビームを収束させ、かつ前記複数の電極に電圧を印加して前記電子ビームを前記試料上の任意の位置に偏向させる電圧制御手段、
を備えたことを特徴とする請求項3記載の電子ビーム描画装置。 - 前記主偏向対物レンズの前記複数の電極に同一電圧を印加し、かつ前記電子光学系で発生する収差に応じた補正量を前記複数の電極に加減印加する収差補正手段を備えたことを特徴とする請求項4記載の電子ビーム描画装置。
- 前記静電式主偏向器から前記電子ビームの上流側に配置され、前記電子ビームを偏向して前記静電式主偏向器に対して収差を最小に制御する静電式プリ主偏向器と、
前記静電式副偏向器の前記電子ビームの上流側に配置され、前記電子ビームを偏向して前記静電式副偏向器に対して収差を最小に制御する静電式プリ副偏向器と、
を備えたことを特徴とする請求項3記載の電子ビーム描画装置。 - 前記電子ビームの進行方向に沿って前記静電式プリ副偏向器、前記静電式プリ主偏向器、前記静電式副偏向器及び前記静電式主偏向器を配置し、かつ隣接するこれら前記静電式プリ副偏向器、前記静電式プリ主偏向器、前記静電式副偏向器及び前記静電式主偏向器の各間でそれぞれシールド電極を共通構造にしたことを特徴とする請求項6記載の電子ビーム描画装置。
- 前記静電式主偏向器及び前記静電式プリ主偏向器の各両端側には、それぞれ各シールド電極が配置されたことを特徴とする請求項6記載の電子ビーム描画装置。
- 前記静電式主偏向器と前記静電式プリ主偏向器とは、前記収差を最小に制御するためにそれぞれの制御電圧の連動比を1:1に成立させるために、プリ主偏向センタエレクトロードの軸方向長さ又は内径が調整されたことを特徴とする請求項6記載の電子ビーム描画装置。
- 前記静電式副偏向器と前記静電式プリ副偏向器とは、前記収差を最小に制御するためにそれぞれの制御電圧の連動比を1:1に成立させるために、プリ副偏向センタエレクトロードの軸方向長さ又は内径が調整されたことを特徴とする請求項6記載の電子ビーム描画装置。
- 前記静電式主偏向器に対する前記静電式プリ主偏向器の制御電圧を加算方向に制御し、かつ前記静電式副偏向器に対する前記静電式プリ副偏向器の制御電圧を減算方向に制御する収差補正手段を備えたことを特徴とする請求項6記載の電子ビーム描画装置。
- 前記複数のアパーチャのうち不要なビームをカットするための前記アパーチャと前記静電式縮小レンズとを近接配置し、かつ前記静電式縮小レンズにおける内径の大きな方のシールド電極の厚さを内径の小さなシールド電極の厚さの少なくとも2倍以上に形成したことを特徴とする請求項3記載の電子ビーム描画装置。
- 前記主偏向対物レンズにおける内径の小さなシールド電極を前記電子検出器のシールド電極と隣接配置若しくは共用構造にし、かつ前記内径の小さなシールド電極の厚さを内径の大きなシールド電極の厚さの少なくとも2倍以上に形成したことを特徴とする請求項3記載の電子ビーム描画装置。
- 前記電磁式対物レンズの磁気フィールド中に前記静電式主偏向器を配置したことを特徴とする請求項3記載の電子ビーム描画装置。
- 前記電磁式対物レンズを構成するコイルの巻回されたポールピースのギャップの中に、前記静電式主偏向器が配置された構造であることを特徴とする請求項14記載の電子ビーム描画装置。
- 前記ポールピースの先端部には、非磁性シールドが取り付けられたことを特徴とする請求項15記載の電子ビーム描画装置。
- 電子ビームに対して成形、縮小投影を行う静電式の各レンズと、前記電子ビームを偏向する静電式の偏向器と、前記電子ビームの光軸を調整する複数のアライメント部とを具備し、
前記複数のアライメント部のうち隣接するアライメント部相互間に配置され、各アライメント部の相互干渉を防止するシールド部材を備えていることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記シールド部材は、前記レンズ及び偏向器の少なくとも一方のシールド極を兼ねていることを特徴とする請求項17に記載の電子ビーム描画装置。
- 前記アライメント部は、サドル型コイルを備えていることを特徴とする請求項17に記載の電子ビーム描画装置。
- 電子ビームを任意の形状に調整するためにそれぞれ所定の位置に配置された複数のアパーチャと、
前記電子ビームを照明用ビームの電子ビームに調整する静電式照明レンズと、
前記複数のアパーチャの各パターンの組み合わせから成るアパーチャ像を得るために前記静電式照明レンズにより調整された前記電子ビームを偏向して前記アパーチャに対する照射位置を制御し、かつ前記アパーチャを通過して得られたパターン像の電子ビームを元の光軸上に戻す少なくとも2つの静電式成形偏向器と、
これら静電式成形偏向器を通過した前記電子ビームを縮小する静電式縮小レンズと、
この静電式縮小レンズを通過した前記電子ビームを前記試料上に縮小投影する静電式又は電磁式の対物レンズ、及びこの対物レンズにより前記試料上に縮小投影される前記電子ビームを前記試料上に偏向して描画する静電式主偏向器から成る主偏向対物レンズと、
前記静電式主偏向器の走査領域内で前記電子ビームを偏向する静電式副偏向器と、
前記試料に前記電子ビームが照射されたときに発生する2次電子又は反射電子を検出する電子検出器と、
前記電子ビームの光軸を調整する複数のアライメント部と、
前記アライメント部相互間に配置され、アライメント部の相互干渉を防止するシールド部材とを備えていることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記シールド部材は、前記レンズ及び偏向器の少なくとも一方のシールド極を兼ねていることを特徴とする請求項20に記載の電子ビーム描画装置。
- 前記アライメント部は、サドル型コイルを備えていることを特徴とする請求項20に記載の電子ビーム描画装置。
- 電子ビームを任意の形状に調整するためにそれぞれ所定の位置に配置された複数のアパーチャと、
前記電子ビームに対して成形、縮小投影を行う静電式の各レンズと、
前記電子ビームを偏向する静電式の偏向器と、
前記電子ビームの光軸を調整する複数のアライメント部とを具備し、
前記アライメント部は、前記電子ビームが照射された前記アパーチャから得られたパターン像に基づいて、アライメントの調整を行うことを特徴と電子ビーム描画装置。 - 前記アパーチャは、前記各レンズ、前記偏向器及び前記アライメント部から電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項23に記載の電子ビーム描画装置。
- 電子ビームに対して成形、縮小投影を行う静電式の各レンズと、前記電子ビームを偏向する静電式の偏向器を用いて描画を行う電子ビーム描画方法において、
前記電子ビームに成形、縮小投影、偏向を行うための電圧が印加する第1の電圧印加工程と、
前記第1の電圧印加工程で発生する空間電荷効果を低減するための前記電圧と逆極性の電圧を印加する第2の電圧印加工程とを備えていることを特徴とする電子ビーム描画方法。 - 電子ビームに対して成形、縮小投影を行う静電式の各レンズと、前記電子ビームを偏向する静電式の偏向器とを具備し、
前記各レンズ及び偏向器のうち少なくとも一つには、前記電子ビームに作用するように所定の電圧が印加される第1の電極と、この第1の電極に対向配置され前記電圧と逆極性の電圧が印加される第2の電極とが設けられていることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記第2の電極は、前記第1の電極に対し、前記電子ビームの進行方向側に設けられていることを特徴とする請求項26に記載の電子ビーム描画装置。
- 前記第2の電極は、前記各レンズ及び偏向器のうち対物レンズに設けられていることを特徴とする請求項26に記載の電子ビーム描画装置。
- 前記第2の電極に印加する電圧の絶対値は、前記第1の電極に印加する電圧の絶対値の0.2〜1.2倍であることを特徴とする請求項26に記載の電子ビーム描画装置。
- 前記第2の電極に印加する電圧の絶対値は、前記第1の電極に印加する電圧の絶対値の0.5〜1倍であることを特徴とする請求項26に記載の電子ビーム描画装置。
- 電子ビームを任意の形状に調整するために所定の位置に配置されたアパーチャと、
前記電子ビームを照明用ビームの電子ビームに調整する静電式照明レンズと、
前記静電式照明レンズにより調整された前記電子ビームを偏向して前記アパーチャに対する照射位置を制御し、かつ前記アパーチャを通過して得られたパターン像の電子ビームを元の光軸上に戻す少なくとも2つの静電式成形偏向器と、
これら静電式成形偏向器を通過した前記電子ビームを縮小する静電式縮小レンズと、
この静電式縮小レンズを通過した前記電子ビームを前記試料上に縮小投影する静電式又は電磁式の対物レンズ、及びこの対物レンズにより前記試料上に縮小投影される前記電子ビームを前記試料上に偏向して描画する静電式主偏向器から成る主偏向対物レンズと、
前記静電式主偏向器の走査領域内で前記電子ビームを偏向する静電式副偏向器とを備え、
前記静電式縮小レンズ及び前記対物レンズの少なくとも一方は、前記電子ビームに作用するように所定の電圧が印加される第1の電極と、この第1の電極に対向配置され前記電圧と逆極性の電圧が印加される第2の電極とが設けられていることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記第2の電極は、前記第1の電極に対し、前記電子ビームの進行方向側に設けられていることを特徴とする請求項31に記載の電子ビーム描画装置。
- 前記第2の電極は、前記対物レンズに設けられていることを特徴とする請求項31に記載の電子ビーム描画装置。
- 前記第2の電極に印加する電圧の絶対値は、前記第1の電極に印加する電圧の絶対値の0.2〜1.2倍であることを特徴とする請求項31に記載の電子ビーム描画装置。
- 前記第2の電極に印加する電圧の絶対値は、前記第1の電極に印加する電圧の絶対値の0.5〜1倍であることを特徴とする請求項31に記載の電子ビーム描画装置。
- 電子ビームに対して成形、縮小投影を行う静電式の各レンズと、前記電子ビームを偏向する静電式の偏向器を用いて描画を行う電子ビーム描画方法において、
前記電子ビームをアパーチャに設けられたセルを用いて成形する成形工程と、
前記電子ビームを縮小投影工程とを備え、
前記縮小投影工程は、前記アパーチャ上のセルに照射される前記電子ビームの位置に基づいて前記縮小投影工程における縮小率を制御することを特徴とする電子ビーム描画方法。 - 電子ビームを任意の形状に調整するために所定の位置に配置されたアパーチャと、
前記電子ビームを照明用ビームの電子ビームに調整する静電式照明レンズと、
前記静電式照明レンズにより調整された前記電子ビームを偏向して前記アパーチャに対する照射位置を制御し、かつ前記アパーチャを通過して得られたパターン像の電子ビームを元の光軸上に戻す少なくとも2つの静電式成形偏向器と、
これら静電式成形偏向器を通過した前記電子ビームを縮小する静電式縮小レンズと、
この静電式縮小レンズを通過した前記電子ビームを前記試料上に縮小投影する静電式又は電磁式の対物レンズ、及びこの対物レンズにより前記試料上に縮小投影される前記電子ビームを前記試料上に偏向して描画する静電式主偏向器から成る主偏向対物レンズと、
前記静電式主偏向器の走査領域内で前記電子ビームを偏向する静電式副偏向器とを備え、
前記アパーチャ上のセルの位置に基づいて、前記投影されるパターン像の縮小率を制御する制御部とを備えていることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記制御部は、前記静電式照明レンズの照明倍率を制御するものであることを特徴とする請求項37に記載の電子ビーム描画装置。
- 電子ビームを任意の形状に調整するために所定の位置に配置されたアパーチャと、
前記電子ビームを照明用ビームの電子ビームに調整する静電式照明レンズと、
前記静電式照明レンズにより調整された前記電子ビームを偏向して前記アパーチャに対する照射位置を制御し、かつ前記アパーチャを通過して得られたパターン像の電子ビームを元の光軸上に戻す少なくとも2つの静電式成形偏向器と、
これら静電式成形偏向器を通過した前記電子ビームを縮小する静電式縮小レンズと、
この静電式縮小レンズを通過した前記電子ビームを前記試料上に縮小投影する静電式又は電磁式の対物レンズ、及びこの対物レンズにより前記試料上に縮小投影される前記電子ビームを前記試料上に偏向して描画する静電式主偏向器から成る主偏向対物レンズと、
前記静電式主偏向器の走査領域内で前記電子ビームを偏向する静電式副偏向器とを備え、
前記アパーチャ上のセルの位置にかかわらず前記投影されるパターン像の大きさを一定とするように前記セルの位置に基づいて前記セルの大きさが定められていることを特徴とする電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008288255A JP4691151B2 (ja) | 1997-12-19 | 2008-11-10 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1997351160 | 1997-12-19 | ||
JP35116097 | 1997-12-19 | ||
JP27907598 | 1998-09-30 | ||
JP1998279075 | 1998-09-30 | ||
JP2008288255A JP4691151B2 (ja) | 1997-12-19 | 2008-11-10 | 電子ビーム描画装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36307198A Division JP4234242B2 (ja) | 1997-12-19 | 1998-12-21 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009065193A true JP2009065193A (ja) | 2009-03-26 |
JP4691151B2 JP4691151B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=40559428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008288255A Expired - Fee Related JP4691151B2 (ja) | 1997-12-19 | 2008-11-10 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4691151B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014127568A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置 |
KR101476389B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2014-12-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법 |
JP2019153622A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 可変成形型荷電粒子ビーム照射装置及び可変成形型荷電粒子ビーム照射方法 |
JP2019212766A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101944A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電粒子ビ−ム用集束装置 |
JPH06325709A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置及びそのクリーニング方法 |
JPH07263300A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JPH0877957A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Hitachi Ltd | 荷電粒子投射装置 |
JPH08195340A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | 成形偏向器のオフセット調整方法及びこれを適用した荷電ビーム描画装置 |
JPH08241689A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置のビームブランキング装置 |
JPH09167732A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビーム照射装置 |
-
2008
- 2008-11-10 JP JP2008288255A patent/JP4691151B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101944A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電粒子ビ−ム用集束装置 |
JPH06325709A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置及びそのクリーニング方法 |
JPH07263300A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JPH0877957A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Hitachi Ltd | 荷電粒子投射装置 |
JPH08195340A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | 成形偏向器のオフセット調整方法及びこれを適用した荷電ビーム描画装置 |
JPH08241689A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置のビームブランキング装置 |
JPH09167732A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビーム照射装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101476389B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2014-12-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법 |
JP2014127568A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2019153622A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 可変成形型荷電粒子ビーム照射装置及び可変成形型荷電粒子ビーム照射方法 |
JP7106297B2 (ja) | 2018-03-01 | 2022-07-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 可変成形型荷電粒子ビーム照射装置及び可変成形型荷電粒子ビーム照射方法 |
JP2019212766A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4691151B2 (ja) | 2011-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6903353B2 (en) | Charged particle beam exposure apparatus, device manufacturing method, and charged particle beam applied apparatus | |
US6472672B1 (en) | Electron beam exposure apparatus and its control method | |
US6552353B1 (en) | Multi-electron beam exposure method and apparatus and device manufacturing method | |
US7304320B2 (en) | Charged beam exposure apparatus, charged beam control method and manufacturing method of semiconductor device | |
JP4316394B2 (ja) | 荷電ビーム装置 | |
US6495841B1 (en) | Charged beam drawing apparatus | |
JP4234242B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
US6815698B2 (en) | Charged particle beam exposure system | |
US7041988B2 (en) | Electron beam exposure apparatus and electron beam processing apparatus | |
JP4922747B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
JP4691151B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
US20210027976A1 (en) | Beam Irradiation Device | |
JP4018197B2 (ja) | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 | |
JP2004047766A (ja) | 電子ビーム露光制御方法とその装置 | |
JPH11195590A (ja) | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 | |
JPH11195589A (ja) | マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 | |
US5387799A (en) | Electron beam writing system | |
US20060192148A1 (en) | Electron beam irradiating apparatus and irradiating method | |
JP4143204B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP7468795B1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP3703774B2 (ja) | 荷電ビーム露光装置、荷電ビームを用いた露光方法およびこの露光方法を用いた半導体装置の製造方法 | |
WO2024154183A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
WO2024154182A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2001244186A (ja) | 電子ビーム描画装置及び方法 | |
JP2001093825A (ja) | 荷電ビーム描画装置およびパターン描画方法並びに記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081210 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110218 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |