JP2009055006A

JP2009055006A - 発光装置及びその製造方法

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Publication number: JP2009055006A
Application number: JP2008183817A
Authority: JP
Inventors: Masaki Hayashi; 林　　正樹; Takeshi Okada; 雄志岡田; Koji Kuroda; 耕司黒田
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2007-07-27
Filing date: 2008-07-15
Publication date: 2009-03-12
Anticipated expiration: 2028-07-15
Also published as: JP5245594B2

Abstract

【課題】導電ワイヤによる光吸収を効果的に抑制した、発光の取出し効率の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１０の電極１２と導電部材３０とを電気的に接続する導電ワイヤ４０を有する発光装置１であって、前記発光素子１０の電極１２及び前記導電部材３０の少なくとも一方と、前記導電ワイヤ４０と、の接合部分における前記導電ワイヤ４０の表面が金属膜７０で被覆されており、前記発光素子１０の発光ピーク波長において、前記導電ワイヤ４０の反射率よりも、前記金属膜７０の反射率が高いことを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光素子を含む発光装置に関し、特に、発光素子からの発光の取出し効率の高い発光装置に関する。

発光装置の取出し効率を高める方法の１つとして、発光素子を実装するパッケージ内の反射率を高めることが積極的に行われている。反射率を高める１つの手段として、発光素子からの発光が照射される面に、金属膜を施すことが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の発光装置では、ヒートシンクの発光素子実装面に銀めっきを施すことにより実装面を光反射部材として使用し、発光素子からの発光の取出し効率を向上させている。

発光装置に発光素子を実装する場合には、Ｃｕ等の金属板から成るリード電極を備えたパッケージに発光素子をダイボンディングし、Ａｕ等の導電ワイヤによって発光素子とリード電極とをワイヤボンディングする。このとき、発光素子に青色発光素子を使用すると、ＣｕやＡｕが青色光を吸収して発光装置の取出し効率が低下する問題がある。特に、導電ワイヤは発光素子に直接接続され、且つ発光素子の発光面側を横断して張り渡されるため、導電ワイヤの光吸収は無視できない。導電ワイヤを青色光の反射率の高い金属（例えばＡｇ）から形成すれば、導電ワイヤの光吸収を大幅に減少できるが、発光素子の電極及びリード電極との接合性が低く、十分な接合強度が得られない。

半導体装置のワイヤボンディングに使用できる導電ワイヤとして、芯材と、芯材を被覆する被覆材とから成る複合ボンディングワイヤが知られている（例えば、特許文献２〜４参照）。これらの複合ワイヤでは、芯材に高強度の材料を使用して、複合ワイヤの機械的強度を高め、そして被覆材にボンディングしやすい導電材料を使用して、接合強度と導電性を確保している。

そこで、発光装置に複合ワイヤを使用して、十分な接合強度を維持しつつ導電ワイヤによる光吸収を抑制することが考えられる。例えば、Ａｕから成る芯材をＡｇから成る被覆材で被覆した複合ワイヤであれば、Ａｕによって接合強度を確保し、Ａｇによって青色光を反射することができる。
特開２００６−３２４４３８号公報特開平３−３２０３３号公報特開平７−６６２３５号公報特開平１０−１３０８８２号公報

複合ワイヤを使用して発光装置を製造した場合、発光装置の光取出し効率が期待されたほどには増加しない、という課題がある。

複合ワイヤで図１４のようにボールボンディングの第１ボンド１５０を形成する場合、Ａｕから成る芯材１４２をＡｇから成る被覆材１４４で被覆した複合ワイヤ１４０を使用したとしても、第１ボンド１５０の表面に被覆部材１４４が存在しない。これは、第１ボンド１５０の形成の際に複合ワイヤ１４０の端部を溶融してボール状にしたとき、芯材１４２と被覆部材１４４とが溶融して混合されるためである。図のように、発光素子１１０の電極１１２に第１ボンド１５０を接合すると、第１ボンド１５０の表面に露出したＡｕが発光素子１１０の近傍で光吸収を起こし、光取出し効率を効果的に高めることができない。

図１５に示したボールボンディングの第２ボンド１６０は、複合ワイヤ１４０をリード電極１３０に加熱押圧して接合されるが、その際に押圧部分の被覆材１４４が剥離して芯材１４２が露出する可能性もある。

そこで、本発明では、導電ワイヤによる光吸収を効果的に抑制した、発光の取出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の発光装置は、発光素子の電極と導電部材とを電気的に接続する導電ワイヤを有する発光装置であって、前記発光素子の電極及び前記導電部材の少なくとも一方と、前記導電ワイヤと、の接合部分における前記導電ワイヤの表面が金属膜で被覆されており、前記発光素子の発光ピーク波長において、前記導電ワイヤの反射率よりも、前記金属膜の反射率が高いことを特徴とする。

この発光装置では、導電ワイヤの接合部分に達した光は、導電ワイヤに比べて反射率の高い金属膜によって反射されるので、導電ワイヤによる光吸収が抑制され、発光装置の光取出し効率を高めることができる。

また、本発明の発光装置の製造方法は、発光素子の電極と導電部材とを電気的に接続する導電ワイヤを有する発光装置の製造方法であって、前記発光素子の電極と前記導電部材とを前記導電ワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、前記発光素子の電極、前記導電部材、及び前記導電ワイヤを電気めっき法により金属膜で被覆する電気めっき工程と、を備えている。

この製造方法ではワイヤボンディング工程後に電気めっき工程を行うので、導電ワイヤの接合部分の表面に金属膜を形成することができる。また、電気めっき法を利用することにより、導体ではない発光素子の表面には金属膜を形成することはなく、発光素子の取出し効率を金属膜により低下させる恐れがない。

本発明の発光装置よれば、導電ワイヤによる光の吸収が低減されるので、発光装置の取出し効率を高めることができる。また、本発明の製造方法によれば、導電ワイヤの表面に効率よく金属膜を形成することができる。

＜実施の形態１＞
図１及び図２は本実施の形態に係る発光装置１であり、リードフレームをベースとしたパッケージを備えたタイプを例示している。パッケージ２０の凹部２２に、発光素子１０がフェースアップ実装されている。また、パッケージ２０には、導電部材として一対のリード電極（第１リード電極３０、第２リード電極３２）が貫通している。リード電極３０、３２の一端部は、凹部２２内に露出して内部導電部（リード端子）３０１、３２１を構成している。また、リード電極３０、３２の他端部は、パッケージ２０を貫通して外部導電部（外部端子）３０２、３２２を構成している。発光素子１０に形成された一対の電極（図示せず）と、一対のリード端子（第１リード端子３０１、第２リード端子３２２）とは、それぞれ導電ワイヤ４０によって電気的に接続されている。

図３は、発光素子１０の電極１２と導電ワイヤ４０との接合部分（図２の符号Ｂ）を拡大した断面図であり、図４は第１リード端子３０１と導電ワイヤ４０との接合部分（図２の符号Ｃ）を拡大した断面図である。

図３に図示した接合部分は、ボールボンディングの第１ボンド５０である。ここで本実施の形態では、第１ボンド５０の表面及び発光素子１０の電極１２の表面が金属膜７０で被覆されている点で、従来の複合ワイヤ１４０を使用した場合の第１ボンド１５０及び発光素子１１０の電極１１２とは異なっている。このようにして、本発明の発光装置１では、導電ワイヤ４０による光の吸収を抑えている。

第１ボンド５０は、導電ワイヤ４０の端部を溶融してボール状にした後に電極１２に押圧して接合されているので、ボールをつぶしたような形状になっている。第１ボンド５０の表面は、金属膜７０によって被覆されている。

本発明の発光装置１では、金属膜７０の反射率、特に発光素子１０の発光ピーク波長における金属膜７０の反射率を、導電ワイヤ４０の反射率よりも高く設定している。これによって、第１ボンド５０に届いた光が金属膜７０により反射され、その反射光は発光装置から取り出すことができるので、発光装置の光取出し効率が向上する。すなわち、本発明の発光装置１は、第１ボンド５０での光の吸収を減少させると共に、吸収されなかった光を反射して発光装置１から取り出すことができる。その２つの作用により、発光装置１の光取出し効率が向上する。また、金属膜７０が導電ワイヤ４０の表面にも被覆されていれば、発光装置１の光取出し効率がさらに向上するので好ましい。特に、金属膜７０が発光素子１０の電極１２の表面から、第１ボンド５０の表面及び接合面５４の外縁５６を経て導電ワイヤ４０の表面まで、連続的に被覆されているとより好ましい。連続した金属膜７０が形成されると、発光素子１０の電極１２が金属膜７０よりも発光素子１０の光を吸収しやすい場合には、電極１２による光吸収が減少して発光装置１の光取出し効率がより向上する。また、連続した金属膜７０が第１ボンド５０と電極１２との接合面５４の外縁５６を被覆するので、接合面５４の接合強度が補強されて、導電ワイヤ４０の剥離防止できる傾向にある。

図４に図示した接合部分は、ボールボンディングの第２ボンド６０である。ここで本実施の形態では、端面６２及び第２ボンド６０の表面が金属膜７０に被覆されて導電ワイヤが露出していない点が、従来の複合ワイヤを使用した場合の第２ボンド１６０と異なっている。このように、第２ボンド６０において、通常は露出される端面６２を含め、接合部分全体が金属膜７０で覆われているので、導電ワイヤ４０による光の吸収を抑えつつ、光を反射して発光装置１から取り出すことができる。

第２ボンド６０は、連続した導電ワイヤ４０の所定位置を第１リード端子３０１に加熱押圧して接合し、その後に導電ワイヤ４０を、接合部分の近傍で且つ第１ボンド５０より遠位側で切断して形成される。そのため、第１ボンド５０とは異なり、第２ボンド６０の導電ワイヤ４０は押しつぶされて変形している。また、導電ワイヤ４０の端部６１が第２ボンド６０から突出し、端面６２が形成される。

本発明の発光装置１では、発光素子１０の発光ピーク波長における金属膜７０の反射率を、導電ワイヤ４０の反射率よりも高く設定している。これによって、第２ボンド６０に届いた光が金属膜７０により反射され、その反射光は発光装置から取り出すことができるので、発光装置の光取出し効率が向上する。すなわち、本発明の発光装置１は、第２ボンド６０での光の吸収を減少させると共に、吸収されなかった光を反射して発光装置１から取り出すことができる。その２つの作用により、発光装置１の光取出し効率が向上する。また、金属膜７０が導電ワイヤ４０の表面にも被覆されていれば、発光装置１の光取出し効率がさらに向上するので好ましい。特に、金属膜７０が発光素子１０の電極１２の表面から、第２ボンド５０の接合面６４の外縁６６を経て導電ワイヤ４０の表面まで、連続的に被覆されているとより好ましい。連続した金属膜７０が第２ボンド６０と第１リード端子３０１との接合面６４の外縁６６を被覆するので、接合面５４の接合強度が補強されて、導電ワイヤ４０の剥離防止できる傾向にある。

以上のように、本発明の発光装置１では、導電ワイヤ４０の端面６２を金属膜７０で被覆して、端面６２での光吸収を減少して発光装置１の発光効率を向上させることができる。すなわち、図１５のような従来の発光装置において、複合ワイヤ１４０の端面１６２が露出して発光素子からの光が吸収されていた点を解決できる。

また、図３及び図４のように、金属膜７０を、第１ボンド５０と電極１２との接合面５４、及び導電ワイヤ４０と第１リード端子３０１との接合面６４には形成しない形態にすれば、第１ボンド５０及び第２ボンド６０の接合強度を通常のワイヤボンディングと同等に高くすることができる。

発光装置１に使用する発光素子１０が発光波長４００ｎｍ〜５３０ｎｍのものであると、取出し効率の向上率が顕著である。これは、一般的な導電ワイヤ４０やリード電極３０、３２の材料に、波長４００ｎｍ〜５３０ｎｍ（青紫〜緑）の光に対する吸収率の高い金属（例えばＣｕやＡｕ）が使用されているので、金属膜７０によって被覆することによる光吸収の減少量が顕著になるからである。この光取出し効率向上の効果は、青色発光素子を励起源とした他の色の発光装置、例えば青色発光ダイオードと黄色蛍光体とを組み合わせた白色発光装置などにも有効である。

上述のように、金属膜７０に使用する金属材料は、発光素子１０からの光に対する反射率の高いものが利用されるが、特に、反射率が８０％以上の材料であれば、一般的に入手可能な材料で且つ光取出し効率が十分に向上できるので好ましい。具体的には、Ａｇ又はＡｇ合金が好適である。Ａｇ又はＡｇ合金は可視光の波長領域全般において反射率が高く、発光素子１０の発光色によらず適用しやすい。また、入手しやすく、金属膜７０の形成も容易である利点もある。反射率の点ではＡｇが適しており、硫化等による変色への耐性の点ではＡｇ合金が適している。

金属膜７０に、化学反応により変色する材料（例えばＡｇ）を使用する場合には、コーティング膜を用いて金属膜７０の変色を防止するのが好ましい。金属膜７０の変色による光吸収の急激な増加が抑制されるので、発光装置１は、長期間にわたって高い取出し効率を維持できる。

金属膜７０の変色の主な原因は、有機ガスや水分を含んだ外気が、パッケージ２０の外側からパッケージ２０の凹部２２内に侵入して、金属膜７０と接触することである。外気は、パッケージ２０とリードフレーム３０、３２との隙間を通って、パッケージ２０と封止樹脂９０との隙間を通って、及び／又は封止樹脂９０を透過して、凹部２２内に侵入する。そこで、変色を抑える１つの方法では、金属膜７０の表面をコーティング膜で被覆して、金属膜７０を外気から遮断する。また、別の方法では、パッケージ２０及び封止樹脂９０の表面９２をコーティング膜で被覆して、外気がパッケージ２０の凹部２２に侵入するのを抑制する。

以下に、コーティング膜の被覆例を、図を参照しながら詳述する。
図５〜図８は、金属膜（図示せず）の表面をコーティング膜７２で被覆する例を示している。これらの例では、金属膜の変色を防止する効果だけでなく、金属膜のマイグレーションの発生を抑制できる効果も期待できる。よって、金属膜がマイグレーションを起こしやすい金属材料（例えばＡｇやＡｇ合金等）から形成されている場合でも、短絡による発光装置１の故障を低減できると期待される。

図５に示す発光装置１では、コーティング膜７２は、金属膜（図示せず）を直接被覆している。これにより、金属膜を外気から遮断できる。この発光装置１は、発光素子１０がコーティング膜７２に被覆されていないので、発光素子１０の発光がコーティング膜７２による影響（吸収や反射）を受けない。よって、光の取り出し効率が低下しない点で有利である。

図６に示す発光装置１のコーティング膜７２は、さらに発光素子１０の表面も被覆している。この発光装置１は、発光素子１０を外気から遮断できるので、発光素子１０が劣化しにくい点で有利である。コーティング膜７２は、発光素子１０の発光波長における透過率が高い（例えば７０％以上）材料から形成するのが望ましい。なお、図６では、パッケージ２０の凹部２２の底面２２１から露出したパッケージ２０の一部（リード端子３０１、３２１の間から露出している）や、ブリード防止壁２４はコーティング膜７２で被覆されていないが、それらをコーティング膜７２で被覆してもよい。

図７に示す発光装置１のコーティング膜７２は、さらにパッケージ２０の凹部２２の内面（側面２２２）も被覆している。つまり、コーティング膜７２は、凹部２２の内面と、リード端子３０１、３２１の表面とに渡って連続的に被覆されている。これにより、パッケージ２０の凹部２２の側面２２２と、リード端子３０１、３２１との境界２３は、コーティング膜７２で覆われる。よって、外気が、パッケージ２０とリード電極３０、３２との界面に侵入しても、パッケージ２０の凹部２２内に侵入することを防止できる。

図８に示す発光装置１のコーティング膜７２は、さらにパッケージ２０の上面２６、パッケージ２０の外面２８、及びパッケージ２０の外部に露出した外部端子３０２、３２２も被覆している。つまり、コーティング膜７２は、パッケージ２０の外面２８と外部端子３０２、３２２の表面とに渡って連続的に被覆されている。これにより、パッケージ２０の外面２８と外部端子３０２、３２２との境界２９は、コーティング膜７２で覆われる。よって、外気が、境界２９から、パッケージ２０とリード電極３０、３２との界面に侵入することを防止できる。
図８では、外部端子３０２、３２２の表面の一部がコーティング膜７２により被覆されている、すなわち、外部端子３０２、３２２の表面の残りの部分はコーティング膜７２で被覆されていない。しかしながら、外部端子３０２、３２２の表面全体をコーティング膜７２で覆うこともできる。このとき、コーティング膜７２の膜厚は、発光装置を実装するのに問題のない厚さである５μm以下、より好ましくは３μm以下に設定するのが良い。

図９は、封止樹脂９０の表面９２をコーティング膜７２で被覆する例を示している。例えばガス透過性のある封止樹脂（例えばシリコーン樹脂）９０を用いた場合でも、金属膜（図示せず）を外気から遮断できる。特に、図９に示すように、コーティング膜７２が、封止樹脂９０の表面９２だけでなく、パッケージ２０の上面２６まで連続して覆っているのが好ましい。これにより、外気が、境界９４から、封止樹脂９０とパッケージ２０との界面に侵入することを防止できる。なお、コーティング膜７２は、発光素子１０の発光波長における透過率が高い（例えば７０％以上）材料から形成するのが望ましい。
さらに、図８と同様に、コーティング膜７２が、パッケージ２０の外面２８と外部端子３０２、３２２の表面とに渡って連続的に被覆されているのが好ましい。これにより、外気が、境界２９から、パッケージ２０とリード電極３０、３２との界面に侵入することを防止できる。
なお、図８の発光装置１と同様に、図９の発光装置１も、外部端子３０２、３２２の表面全体をコーティング膜７２で覆うこともできる。このとき、コーティング膜７２の膜厚は、発光装置を実装するのに問題のない厚さである５μm以下、より好ましくは３μm以下に設定するのが良い。

本発明の光取出し効果の向上は、複数の発光素子１０を備えた構成において、より効果的である。発光素子１０の数が多くなると、使用される導電ワイヤ４０の全長が長くなるので、導電ワイヤ４０の被覆による光吸収の抑制がより効果的になるからである。

以下に、本実施の形態の発光装置１の製造工程について説明する。
（１．パッケージ２０の成形）
図１０に示すように、金属箔を切り抜き加工して作製したリードフレーム３４に複数のパッケージ２０を形成する。リードフレーム３４には、第１リード端子３０１及び第２リード端子３２２の組みが複数形成されている。パッケージ２０は、一組のリード端子３０１、３２１を内包するように形成される。樹脂から成るパッケージ２０では、リードフレーム３４をパッケージ２０用の金型に挟持し、モールド成形等の樹脂成形法によってパッケージ２０を成形する。

（２．ダイボンディング工程）
次に、第２リード端子３２１に発光素子１０をダイボンディングする。ダイボンディングには、例えば、Ａｕ−Ｓｎなどのハンダ材料、又はシリコーン、変性シリコーン接着剤等の適切なダイボンド材が使用される。図１のように第２リード端子３２１上にブリード防止壁２４を備えていると、粘度の低いダイボンド材が第２リード端子３２１全体に広がるのを防止できる。

（３．ワイヤボンディング工程）
ダイボンディングされた発光素子１０とリード端子３０１、３２１とを、導電ワイヤ４０でワイヤボンディングする。図１に例示した発光素子１０は、発光面側に一対の電極が形成されており、各電極とリード端子３０１、３２１の各々とを導電ワイヤ４０で接続する。ワイヤボンディングの方法としては、ボールボンディングやウェッジボンディングが利用できる。ボールボンディングの場合には、図１〜図４のように、発光素子１０の電極１２に第１ボンド５０を接合し、リード端子３０１、３２１に第２ボンド６０を接合するのが一般的である。

（４．電気めっき工程）
図１１に示すように、発光素子１０を実装したリードフレーム３４を、パッケージ２０ごと電気めっき用のめっき液８０に浸漬する。めっき液８０中に配置した対向電極８２と、リードフレーム３４との間に電源装置８４から電圧を印加して電気めっきを行う。全てのリード電極３０、３２がリードフレーム３４を介して電気的に接続されているので、リードフレーム３４と対向電極８２との間に電圧を印加すれば、リード電極３０、３２とを等電位できる。さらに、リード電極３０、３２のリード端子３０１、３２１にワイヤボンドされた導電ワイヤ４０や、導電ワイヤ４０が接続された発光素子１０の電極１２も、リード端子３０１、３２１と等電位になる。よって、１つのパッケージ２０に備えられた発光素子１０の電極１２、リード電極３０、３２及び前記導電ワイヤ４０等の部材（以後、これらの部材を総称して「通電部材」と称する）に、同時に電気めっきを施すことができる。１つのパッケージ２０に複数の発光素子１０を備えている場合も、全ての導電ワイヤ４０及び全ての発光素子１０の電極１２に、同時に電気めっきを施すことができる。また、リードフレーム３４で接続された全てのリード電極３０、３２を等電位にできるので、リードフレーム３４で接続された複数のパッケージ２０に備えられた通電部材を、全て同時に電気めっきを施すことができる。
なお、図１０のように複数のパッケージ２０がリードフレーム３４によって連結されているので、図１１のようにリードフレーム３４の端部を支持して、複数のパッケージ２０を同時にめっき液８０に浸漬できる。

以下に電気めっきについて詳述する。
通電部材に金属膜７０をめっきする工程は、（１）通電部材の表面を酸・アルカリにより活性化処理する過程、（２）目的とする金属膜７０の組成に適合しためっき液８０を調製する過程、（３）通電部材及び対向電極８２をめっき液８０に浸漬する過程、（４）通電部材と対向電極８２とを電源を介して電気的に接続し、通電部材が陰極に、対向電極８２が陽極になるように電圧を印加する過程、を含む。

特に、（４）の過程では、短時間の通電によるストライクめっきと、金属膜７０が所定膜厚になるまで通電する電気めっきを順次行うのが好ましい。ストライクめっきを行うことにより、密着性の良い緻密な金属粒子を析出させることができるので、剥離しにくく均質な金属膜７０をえることができる。

本発明では、金属膜７０の形成を電気めっきで行うことにより、通電部材に選択的に金属膜７０を形成することができる。つまり、図１１のような構成による電気めっき法であれば、発光素子１０には電位が生じないので、発光素子１０の表面に金属膜７０が形成されない。これにより、通電部材の全表面を、連続した金属膜７０で容易に被覆することができるので、本発明の金属膜７０の形成に最適である。

Ａｇ及びＡｇ合金から成る金属膜７０を形成するのに適しためっき液８０のめっき条件を以下に例示する。
（Ａｇ金属膜）Ａｇ膜めっき液８０を建浴し、電気めっきを行う。
（Ａｇ−Ａｕ金属膜）共析比率（質量比）が[Ａｇ：Ａｕ＝９９.９〜６０：０.１〜４０]となるようにＡｇ−Ａｕ合金膜用めっき液８０を建浴し、電気めっきを行う。
（Ａｇ−Ｉｎ金属膜）共析比率（質量比）が[Ａｇ：Ｉｎ＝９９.９〜９５：０.１〜５]となるようにＡｇ−Ｉｎ合金膜用めっき液８０を建浴し、電気めっきを行う。
（Ａｇ−Ｐｄ金属膜）共析比率（質量比）が[Ａｇ：Ｐｄ＝９９.９〜８９：０.１〜１１]となるようにＡｇ−Ｐｄ合金膜用めっき液８０を建浴し、電気めっきを行う。
（Ａｇ−Ｐｔ金属膜）共析比率（質量比）が[Ａｇ：Ｐｔ＝９９.９〜８９：０.１〜１１]となるようにＡｇ−Ｐｔ合金膜用めっき液８０を建浴し、電気めっきを行う。

（５．封止工程）
電気めっきにより金属膜７０を形成した後、パッケージ２０の凹部２２を封止樹脂９０によって封止する。封止部材９０は、ポッティング、印刷、トランスファーモールド等の公知の技術によって凹部２２に充填した後に硬化させる。封止部材９０には、光拡散材や蛍光物質などを含有させることができる。

（６．カットフォーミング工程）
図１１のＸ−Ｘに沿ってリードフレーム３４を切断して、個々の発光装置１に分離する（カット過程）。パッケージ２０より外側に突出した外部端子３０２、３２２を、図２のようにパッケージ２０の外形に沿って折り曲げる（フォーミング過程）。こうして本発明の発光装置１が得られる。

次に、各構成部材について詳述する。
（発光素子１０）
発光素子１０は、半導体発光素子が利用でき、いわゆる発光ダイオード、レーザーダイオードと呼ばれる素子などが好適である。たとえば、基板上に、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体、III−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体によって、活性層を含む半導体層の積層構造が形成されたものが挙げられる。基板としては、Ｃ面、Ａ面、Ｒ面のいずれかを主面とするサファイア（Ａ１_２Ｏ_３）やスピネル（ＭｇＡ_１２Ｏ_４）のような絶縁性基板、またＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）、シリコン、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド；ＬｉＮｂＯ_３、ＮｄＧａＯ_３等の酸化物基板、窒化物半導体基板（ＧａＮ、ＡｌＮ等）等が挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合、ＰＮ接合等のホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。活性層には、Ｓｉ、Ｇｅ等のドナー不純物及び／又はＺｎ、Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。得られる発光素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量、活性層にドープする不純物の種類を変化させる等によって、紫外領域から赤外領域まで変化させることができる。
発光素子１０の形状は特に限定されず、たとえば、円形、楕円形、多角形又はこれに近い形状のものを利用することができる。

１つの発光装置１には、１個又は複数の発光素子１０を備えることができる。本実施の形態では発光装置１は長方形の発光素子１０を６個備えており、長方形の長辺方向に３個、短辺方向に２個配列している。複数の発光素子１０を配列するときには、発光素子１０に接続した導電ワイヤ４０が、他の発光素子１０の発光面上を通過しないように、発光素子１０の並びをずらして配置するのが好ましい。

（通電部材）
本発明における通電部材には、発光素子１０の電極、半導体素子（例えばツェナーダイオード、受光素子など）の電極、リード電極３０、３２等が含まれ、発光装置には少なくともいずれかの部材が備えられる。本実施の形態では、発光素子１０の電極１２と、第１リード電極３０及び第２リード電極３２とを備えている。

（第１リード電極３０、第２リード電極３２）
第１リード電極３０、第２リード電極３２は、鉄、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて構成することができる。また、発光素子１０からの光の反射率を向上させるため、発光素子１０を実装する前に、リード電極３０、３２の表面に銀、アルミニウム、銅や金等の金属めっきを施すこともできる。また、リード電極３０、３２の表面の反射率を向上させるため、平滑にすることが好ましい。

なお、第１リード電極３０と第２リード電極３２の面積（第１リード端子３０１と第２リード端子３２１の面積）は、等しくても、又は一方が他方より広くてもよい。例えば図１に示すように、第１リード端子３０１よりも第２リード端子３２１を広くして、第２リード端子３２１に発光素子１０をダイボンドしてもよい。なお、第２リード端子３２１に発光素子１０をダイボンドするときに、ダイボンド材が第２リード端子３２１の全体に広がると、その後のワイヤボンディングで第２リード端子３２１と導電ワイヤ４０との接合が阻害される恐れがある。そこで、第２リード端子３２１の表面に、ブリード防止壁２４（図１及び図２参照）を設けるとよい。ブリード防止壁２４をパッケージ２０と同じ材料から形成すれば、パッケージ２０とブリード防止壁２４を同時に形成することができる。

（導電ワイヤ４０）
導電ワイヤ４０は、適切なワイヤボンディングが可能であればどのような金属材料から形成することもできるが、ワイヤボンディングの結合力が高く、信頼性の高い発光装置１を得るには、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ及びステンレスから成る群から選択された１種を含む金属材料から形成するのが好ましい。特に、Ａｕ又はＡｕ合金は、発光素子３０の電極１２とのオーミック性が良好で、機械的接続性（ボンディング性）が良好で、そして、電気伝導性及び熱伝導性が良好な金属材料であるので、導電ワイヤ４０に好適である。

（パッケージ２０）
パッケージ２０は、発光素子１０等を保護することができるものであれば、どのような材料によって形成されていてもよい。なかでも、セラミックや乳白色の樹脂等、絶縁性及び遮光性を有する材料であることが好ましい。樹脂材料としては、芳香族ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂が利用でき、公知の方法（例えば、熱可塑性樹脂は射出成形、熱硬化性樹脂はトランスファー成形など）によって成形できる。
また、パッケージ２０は、リードフレームをベースにしたタイプ（例えば、図１及び図２のような表面実装タイプや、砲弾タイプ等が挙げられる）の他に、電極が配線されているセラミック基板や、ガラスエポキシ基板タイプのものが使用できる。

（コーティング膜７２）
コーティング膜７２には、無機コーティングや有機コーティングを利用できる。無機コーティングとしては、ＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、珪酸ガラス、ガラスなどの透過率の高い材料が好ましい。有機コーティングとしては、アクリル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、パラキシリレン樹脂などで、光吸収の少ない、耐熱、耐光性の高い樹脂が好ましい。コーティング膜は、塗布、蒸着、ディッピング、噴霧などにより所望の位置に被覆することができる。

＜変形例＞
本実施の形態の変形例を図１２に示す。この発光装置１は、実装面側から導通可能な発光素子１０を使用することにより、発光素子１０と第２リード端子３２１とを導電性のダイボンド材（Ａｇペースト等）で導通し、代わりに発光素子１０に接続される導電ワイヤ４０の本数を１本にしている点で、実施の形態１と異なる。

図１２の発光装置１は、図１の発光装置１と比較して、導電ワイヤ４０の本数、ワイヤボンディングの回数、及び導電ワイヤの使用量が半減する。そのため、従来のような金属膜７０のない発光装置であっても、導電ワイヤ４０等による光吸収が比較的少なかった。しかしながら、本発明のように導電ワイヤ４０やリード端子３０１、３２１を金属膜７０で被覆すれば、導電ワイヤ４０による光吸収がさらに減少するので、光取出し効率を向上することができる。

＜実施の形態２＞
図１３に示す発光装置１は、実施の形態１と同様に、リードフレームをベースとしたパッケージを備えたタイプである。実施の形態１とは、発光素子１０の配置と、導電ワイヤ４０の配線と、第１リード電極３０及び第２リード電極３２の形状とが異なる。さらに、本実施の形態では、発光素子１０を実装するために、リード電極とは別の実装部３６を備えている。

本実施の形態では、図１３のように、隣接する発光素子１０間を導電ワイヤ４０で接続すて、複数の発光素子１０を電気的に直列に接続している。この配線方法は、第１ボンド５０と第２ボンド６０との途中で、導電ワイヤ４０を発光素子１０に熱圧着している。本明細書では、このような熱圧着部分を「ステッチボンド６８」と称し、ステッチボンド６８による導電ワイヤ４０の配線形態を「ステッチワイヤ配線」と称する。
図１３のようなステッチワイヤ配線は、図１のような配線（本明細書では「三角ループ配線」と称する）に比べて、１素子当たりの導電ワイヤ長が短いので材料コストが低く、また１素子当たりのワイヤボンディング回数（ステッチボンド６８も含む）も少ないので製造時間を短縮することができる。

ステッチワイヤ配線では、導電ワイヤ４０が発光素子１０の発光面上を通る距離が、三角ループ配線に比べて長くなる。そのため、金属膜７０により導電ワイヤ４０を被覆したときの光吸収の抑制効果が高く、発光装置１の光取出し効率の向上が顕著である。

なお、本実施の形態では、リード電極３０、３２とは別体の実装部３６を備えており、そこに発光素子１０を実装している。この実装部３６は、実施の形態１で説明した製造工程の「１．パッケージ２０の成形」において、第１リード電極３０及び第２リード電極３２と共にリードフレーム３４に形成し、パッケージ２０形成時にその内部に内包され、そして「６．カットフォーミング工程」においてリードフレーム３４から分離されて、形成できる。

図１及び図１３に示した形態の発光装置１について、構成を変更した試料を複数作製して、点灯実験を行う。

＜Ａ．測定用試料の作製について＞
（１．パッケージ２０の成形）
測定用試料のパッケージとして、リードフレームタイプと、基板タイプとを作製した。リードフレームタイプのパッケージの場合、銅合金のリードフレームを用い、「リード端子の被覆材料」にＡｇと記載された試料についてはリードフレームの表面にＡｇ膜を成膜した。パッケージ材料には、熱可塑性樹脂（ポリフタルアミド）を用い、射出成形により成形する。
基板タイプの場合は、電極の配線が形成されているＡｌ_２Ｏ_３のセラミック基板、又はガラスエポキシ基板を用いる。

（２．ダイボンディング工程）
各パッケージに、シリコーン樹脂接着剤、変性シリコーン樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤などを用いた樹脂接合、または、Ａｕ―Ｓｎなどの半田材料を用いた金属接合により、発光素子１０をダイボンドする。

（３．ワイヤボンディング工程）
直径２５μｍの金線ワイヤを用いて、発光素子１０とリード端子３０１、３２１を通電させる。

（４．電気めっき工程）
電気めっき工程は、前処理（水洗）、ストライクめっき（水洗）、本めっき（水洗）、水洗、及び乾燥の順に行う。

（前処理）
前処理では、リード電極３０、３２等の通電部材の露出面の表面付着汚染物（汚れ、油、汗・指紋、有機物、金属粉等）、表面付着腐食生成物（酸化物、硫化物、不動態皮膜等）、表面吸着物（吸着有機化合物、吸着水分、吸着ガス成分等）を除去して、露出面を活性化する。前処理液にはシアン化カリウム水溶液を使用し、処理液中にリードフレーム３４を浸漬する。処理中は前処理液を攪拌装置で攪拌する。処理後に、リードフレーム３４を純水の流水で洗浄する。

（ストライクめっき）
ストライクめっきは、Ａｇストライクめっき液を建浴し電気めっきを行う。通電中は、めっき液を攪拌装置で攪拌する。めっき後は、リードフレーム３４を純水の流水で、洗浄する。

（本めっき）
所望の金属膜又は所望の共析比率の合金膜が得られるように調製されためっき液を使用して本めっきを行う。通電中はめっき液を攪拌装置で攪拌し、膜厚０．１〜１０．０μｍの金属膜７０を形成する。めっき後に、リードフレーム３４を純水の流水で洗浄する。

（水洗、乾燥）
めっき完了後のリードフレーム３４を純水の流水で洗浄する。その後、エアーブロアーで水滴を除去して乾燥する。

（５．封止工程）
パッケージに封止部材の熱硬化性樹脂を滴下する。熱硬化性樹脂には、シリコーン樹脂１００重量部に対して、ＹＡＧ蛍光体３０重量部、光拡散剤として、酸化ケイ素を５重量部含むものを使用し、１５０℃５時間硬化させる。

（６．カットフォーミング工程）
リードフレームより、パッケージを切り離して、発光装置を得る。

＜Ｂ．測定用試料の作成条件について＞
本実施例では、測定用の試料を作成する際に変更する作成条件を、（１）「リード端子の被覆材料」、（２）「導電ワイヤの材料」（３）「金属膜の材料」、（４）「発光素子の搭載数」、（５）「ワイヤの本数」、（６）「導電ワイヤの配線形態」、（７）「表面処理」、及び（８）「パッケージの種類」の８項目とした。これらの作成条件の内容について簡単に説明する。

（１）「リード端子の被覆材料」とは、発光素子１０を実装する前にリード端子３０１、３２１を被覆した場合、その被覆材料を示している。被覆材料には、発光素子１０からの発光に対して高反射率を有する金属材料が好適である。
（２）「導電ワイヤの材料」とは、導電ワイヤ４０に使用された材料を示している。
（３）「金属膜の材料」とは、本発明の金属膜７０を形成している金属材料を示している。なお、表１には、本実施例で使用した「金属膜の材料」の組成比と、各材料の波長４５０ｎｍの光に対する反射率を示している。
（４）「発光素子の搭載数」とは、１つの発光装置１に搭載された発光素子１０の個数である。「発光素子の搭載数」が多いほど、発光装置１の出力も高くなる。
（５）「ワイヤの本数」とは、１つの発光素子１０に接続される導電ワイヤ４０の本数である。「ワイヤの本数」が１本の発光装置１とは、図１２のような発光装置１であり、「ワイヤの本数」が２本の発光装置１とは、図１又は図１３のような発光装置１である。
（６）「導電ワイヤの配線形態」とは、発光素子１０に接続された導電ワイヤ４０の配線形態である。本実施例では、図１のような三角ループ配線、又は図１３のようなステッチワイヤ配線のいずれかを使用している。
（７）「表面処理」とは、金属膜７０の表面を、例えばコーティング剤等によって処理することである。
（８）「パッケージタイプ」とは、リードフレームタイプと基板タイプのいずれであるかを示している。

全ての測定用試料では、発光素子１０として青色発光ダイオード（発光波長λ＝４５３ｎｍ）を使用する。

＜Ｃ．測定用試料の出力測定＞
各測定用試料の出力は、測定用試料に４００ｍＡ通電し、積分球により発光装置の光束を測定して得る。

得られた実験結果について、以下に検討を行う。各測定試料の「出力（％）」は、基準となる発光装置（後述の比較例１）発光装置の出力を１００％としたときの、各発光装置の出力の相対値である。

＜１．金属膜７０による被覆の効果＞
発光装置の作製条件と、金属膜７０による被覆の効果との関係を表２にまとめる。実施例１及び３の「リード端子の被覆材料」に（Ａｇ）と記載されているのは、発光素子１０の実装前にはリード端子３０１、３２１を被覆していないが、その後にＡｇから成る金属膜７０を被覆したことにより、得られた発光装置１のリード端子３０１、３２１はＡｇ膜により被覆されていることを意味している。また、比較例４の導電ワイヤは、Ａｕ芯材をＡｇ膜で被覆した複合ワイヤを使用しており、「金属膜の材料」に（Ａｇ）と記載されているのは、複合ワイヤがＡｇ膜で被覆されていることを意味している。

表に記載した作成条件以外では、発光素子の搭載数：６個、ワイヤの本数：２本／１素子、導電ワイヤの配線形態：三角ループ配線、表面処理：なし、パッケージの種類：リードフレームタイプ、となっている。

実施例１（金属膜：Ａｇ）と比較例２（金属膜なし）とを比較すると、導電ワイヤ４０、リード端子３０１、３２１等の通電部材をＡｇ膜により被覆することにより、発光装置１の出力が８２％から１１５％と約１．４倍になっている。また、実施例１と比較例４（Ａｕ芯材／Ａｇ膜の複合ワイヤ）とを比較すると、複合ワイヤよりも、Ａｕワイヤをワイヤボンディング後にＡｇ膜で電気めっきするほうが、出力が高くなっている。これは、比較例４では、図１４及び図１５のように、第１ボンド１５０、第２ボンド１６０、及びワイヤの端面１６２から芯材１４２が露出して、光を吸収したためであると考えられる。

なお、比較例１（リード端子：Ａｇ被覆）と比較例２（リード端子：被覆なし）とを比較すると、前もってリード電極３０、３２にＡｇ等による金属被覆を施すことにより、発光装置の光取出し効率が高まることがわかる。しかしながら、実施例１（リード端子：被覆なし）と実施例２（リード端子：Ａｇ被覆）とを比較すると、いずれも同等の出力（１１５％）を示した。これは、実施例１の発光装置では、発光素子の載置後にＡｇ膜７０を形成するときに電気めっきにより通電部材全体がＡｇ膜で被覆され、通電部材の１つであるリード端子３０１、３２１もＡｇ膜で被覆されるためである。

また、実施例１（Ａｕワイヤ／Ａｇ膜あり）、実施例３（Ｃｕワイヤ／Ａｇ膜あり）、比較例２（Ａｕワイヤ／Ａｇ膜なし）及び比較例３（Ｃｕワイヤ／Ａｇ膜なし）を比較すると、Ａｇ膜が形成されず導電ワイヤ４０が露出している場合には、導電ワイヤ４０の種類によって発光装置１の出力が変わる（比較例２：８２％、比較例３：８０％）。しかしながら、導電ワイヤ４０を金属膜７０で被覆すると、導電ワイヤ４０の材料にかかわらず、高い出力（実施例１及び実施例３：１１５％）の発光装置１を得ることができる。

＜２．金属膜７０の材質＞
金属膜７０の材質による効果を表３にまとめる。
表に記載した作成条件以外では、リード端子の被覆材料：Ａｇ、導電ワイヤの材料：Ａｕ、発光素子の搭載数：６個、ワイヤの本数：２本／１素子、導電ワイヤの配線形態：三角ループ配線、表面処理：なし、パッケージの種類：リードフレームタイプ、となっている。

実施例２及び４〜６は、異なる金属材料から金属膜７０を形成した発光装置である。表１及び表３を参照すると、反射率の高いＡｇから金属膜７０を形成した実施例２では発光装置の出力が最も高く（１１５％）、金属材料の反射率の低下に伴って発光装置１の出力が低下する。（実施例４：１１１、実施例５：１１０％、実施例６：１０５％）。ただし、反射率が９０％以上の金属材料（実施例４〜６）であれば、金属膜７０を備えていない発光装置（比較例１）に比べて、高出力になっている。

＜３．発光素子１０の搭載個数、及び導電ワイヤの本数＞
図１のような発光素子１個あたりに２本の導電ワイヤ４０を接続する形態と、図１２のような発光素子１個あたりに１本の導電ワイヤ４０を接続する形態とについて、金属膜７０の効果を表４にまとめる。
表中の「出力変化率」とは、「金属膜あり」の発光装置１の出力Ｐ_２を、「金属膜なし」の発光装置１の出力Ｐ_１で除したものである。

表に記載した作成条件以外では、リード端子の被覆材料：Ａｇ、導電ワイヤの材料：Ａｕ、金属膜の材料：Ａｇ、導電ワイヤの配線形態：三角ループ配線、表面処理：なし、パッケージの種類：リードフレームタイプ、となっている。

金属膜７０を形成することにより、搭載した発光素子１の個数にかかわらず出力の向上がみられた。出力向上の効果は、発光素子１の搭載個数が多いほど高くなった。発光素子１の搭載個数が多くなれば、それに比例して使用される導電ワイヤ４０の全長が長くなるので、金属膜７０による効果が顕著になったものと考えられる。

また、金属膜７０を形成することにより、導電ワイヤ４０の本数にかかわらず出力の向上がみられた。出力向上の効果は、導電ワイヤ４０の本数が多いほど効果が高くなる傾向がある。導電ワイヤ４０の本数が増加すれば、導電ワイヤ４０の全長も長くなるので、金属膜７０による効果が顕著になったものと考えられる。ただし、同じ本数であっても出力向上率が一致しない場合がある。これは、発光素子１とリード端子との配置によって導電ワイヤ４０の１本当たりの長さ相違する場合があるので（図１参照）、導電ワイヤ４０の本数と、導電ワイヤ４０の全長とが完全に比例しないケースがあるためであると推測される。

＜４．導電ワイヤの配線形態＞
図１のような三角ループ配線と、図１２のようなステッチワイヤ配線とについて、金属膜７０の効果を表５にまとめる。

表に記載した作成条件以外では、リード端子の被覆材料：Ａｇ、導電ワイヤの材料：Ａｕ、金属膜の材料：Ａｇ、発光素子の搭載数：６個、ワイヤの本数：２本／１素子、表面処理：なし、パッケージの種類：リードフレームタイプ、となっている。

ステッチワイヤ配線は、使用する導電ワイヤ４０の全長は短くできるものの、発光素子１０の発光面上に張り渡される導電ワイヤ４０（すなわち、発光を吸収しやすい位置に配置された導電ワイヤ）の長さが増加するため、金属膜７０が形成されていない場合の出力が低くなっている。そのため、ステッチワイヤ配線では、金属膜７０を被覆したときの効果が顕著になったものと考えられる。表からわかるように、金属膜７０被覆後では、いずれの配線でも遜色ない出力が得られた。

＜５．金属膜７０表面へのコーティング膜の形成及び合金から成る金属膜７０の耐久性効果＞
金属膜７０の表面にコーティング膜を形成した試料（実施例１５及び１６）と、金属膜７０に銀合金（Ａｇ−Ａｕ合金）を使用した試料（実施例６）との耐久性を試験した。比較のために、比較例１（金属膜なし）及び実施例２（Ａｇ膜あり）も試験を行った。試験方法は、８５℃で、４００ｍＡ通電して１０００時間点灯した。出力は、積分球により発光装置の光束を測定し、点灯直後（点灯時間０時間）の光束を１００％とした。１０００時間の点灯試験を行った後の出力低下の程度を比較した。実施例１５の無機コーティングにはＳｉＯ_２膜を使用し、有機珪素化合物を滴下加熱して金属膜７０の表面に形成した。実施例１６の有機コーティングにはエポキシ樹脂を使用し、滴下加熱して金属膜表面に樹脂膜を形成させた。

表に記載した作成条件以外では、リード端子の被覆材料：Ａｇ、導電ワイヤの材料：Ａｕ、発光素子の搭載数：６個、ワイヤの本数：２本／１素子、導電ワイヤの配線形態：三角ループ配線、パッケージの種類：リードフレームタイプ、となっている。

出力が最も低下したのは、Ａｇ膜７０を形成した実施例２で、次いで、金属膜７０を形成しなかった比較例１であった。コーティング膜を被覆した試料は、いずれも出力低下を抑制するが、特に無機コーティングによる出力低下を抑制する効果が著しかった。また、銀合金膜を形成した実施例６も、無機コーティングを施した試料と同等に出力低下を抑制する効果が高かった。この結果は、Ａｇ膜が硫化等によって変色して、長期的には出力が大きく低下したためであると考えられる。また、実施例２が比較例１よりも出力の低下が著しかった理由は、比較例１ではリード端子がＡｇ膜で被覆されているのに対して、実施例２はリード端子に加えて導電ワイヤもＡｇ膜で被覆されていることから、Ａｇ膜が変色した場合の出力低下の影響がより顕著に表れたためであると推測される。また、Ａｇ膜にコーティング膜を被覆することにより、硫化等によるＡｇ膜の変色が抑制され、長時間点灯しても出力が低下しにくくなったと考えられる。なお、銀合金は硫化等が起こりにくいため、コーティング膜を被覆していなくても変色が起こらず、出力が殆ど低下しなかったと考えられる。

＜６．パッケージタイプによる効果の相違＞
３種類のパッケージタイプ（リードフレーム、セラミック基板、及びガラスエポキシ基板）を使用した場合の金属膜７０の効果を表７にまとめる。
表に記載した作成条件以外では、リード端子の被覆材料：Ａｇ、導電ワイヤの材料：Ａｕ、発光素子の搭載数：６個、ワイヤの本数：２本／１素子、導電ワイヤの配線形態：三角ループ配線、表面処理：なし、となっている。

表７からわかるように、いずれのパッケージタイプでも金属膜７０による出力の向上がみられた。

本発明の発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機、車載部品、看板用チャンネルレター等、種々の光源に使用することができる。

実施の形態１に係る発光装置の上面図である。図１のＡ−Ａ線に沿った実施の形態１に係る発光装置の断面図である。図２の符号Ｂの部分を拡大した部分拡大断面図である。図２の符号Ｃの部分を拡大した部分拡大断面図である。実施の形態１に係る発光装置において、コーティング膜の被覆例を説明するための断面図である。実施の形態１に係る発光装置において、コーティング膜の被覆例を説明するための断面図である。実施の形態１に係る発光装置において、コーティング膜の被覆例を説明するための断面図である。実施の形態１に係る発光装置において、コーティング膜の被覆例を説明するための断面図である。実施の形態１に係る発光装置において、コーティング膜の被覆例を説明するための断面図である。実施の形態１に係る発光装置の製造工程を説明する概略上面図である。実施の形態１に係る発光装置の電気めっき工程を説明する概略断面図である。実施の形態１に係る発光装置の変形例を示す上面図である。実施の形態２に係る発光装置の上面図である。従来の発光装置のワイヤボンディングを説明する部分拡大図である。従来の発光装置のワイヤボンディングを説明する部分拡大図である。

符号の説明

１発光装置、１０発光素子、１２電極、２０パッケージ、３０導電部材（第１リード電極）、３０１内部導電部（第１リード端子）、３０２外部導電部（外部端子）、３２導電部材（第２リード電極）、３２１内部導電部（第２リード端子）、３２２外部導電部（外部端子）、４０導電ワイヤ、５０第１ボンド、６０第２ボンド、６２ワイヤ端面、７０金属膜、７２コーティング膜。

Claims

発光素子の電極と導電部材とを電気的に接続する導電ワイヤを有する発光装置であって、
前記発光素子の電極及び前記導電部材の少なくとも一方と、前記導電ワイヤと、の接合部分における前記導電ワイヤの表面が金属膜で被覆されており、
前記発光素子の発光ピーク波長において、前記導電ワイヤの反射率よりも、前記金属膜の反射率が高いことを特徴とする発光装置。
前記金属膜は、前記接合部分において、前記電極の表面又は前記導電部材の表面と、前記導電ワイヤの表面と、に渡って連続的に被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記導電ワイヤの少なくとも一方の端部はボール状になっており、
前記ボール状の端部は、つぶれた形状を有している請求項１又は２に記載の発光装置。
前記導電ワイヤの少なくとも一方の端面が前記金属膜で被覆されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
前記金属膜が、Ａｇ合金を含む金属材料又はＡｇを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
前記発光素子の発光ピーク波長が４００ｎｍ〜５３０ｎｍであり、
前記導電ワイヤが、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ及びステンレスである群から選択された１種を含む金属材料を有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
前記金属膜の表面が、さらにコーティング膜により被覆されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
前記コーティング膜が、さらに、前記発光素子を被覆していることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
前記発光装置は、凹部を有するパッケージをさらに有し、
前記導電部材は、前記凹部内で露出された内部導電部、および、前記内部導電部から前記パッケージを貫通して外部に延在された外部導電部、を含み、
前記コーティング膜が、前記凹部の内面と前記内部導電部の表面とに渡って連続的に被覆されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の発光装置。
前記コーティング膜が、前記パッケージの外面と前記外部導電部の表面とに渡って連続的に被覆されていることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
前記発光装置が、前記発光素子を封止する封止樹脂をさらに含み、
前記封止樹脂の表面が、コーティング膜により被覆されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
前記コーティング膜は、無機コーティング又は有機コーティングから成ることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の発光装置。
発光素子の電極と導電部材とを電気的に接続する導電ワイヤを有する発光装置の製造方法であって、
前記発光素子の電極と前記導電部材とを前記導電ワイヤで接続するワイヤボンディング工程と、
前記発光素子の電極、前記導電部材、及び前記導電ワイヤを電気めっき法により金属膜で被覆する電気めっき工程と、を備えた発光装置の製造方法。